KR100593280B1 - 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법 - Google Patents

평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수용성 유기 용매와 물의 균질 용액을 포함하는 평판인쇄(lithography)용 린싱액(rinsing solution)에 관한 것이다. 수용성 유기 용매는 레지스트(resist) 또는 반사방지성 코팅(anti-reflective coating)용 용매 또는 린싱액으로서 사용된 수혼화성 유기 용매일 수 있다. 수용성 유기 용매의 바람직한 예는 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 혼합물, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 혼합물 및 에틸 락테이트이다. 이 린싱액은 경화된 또는 경화되지 않은 불필요한 레지스트, 반사방지성 코팅 등을 집적회로 소자, 칼라 필터, 액정 표시 소자 등으로부터 또는 레지스트 도포 장치로부터 용해 제거하거나 스트리핑(stripping) 제거하는 데 유용하다.

Description

평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법{RINSING AND STRIPPING PROCESS FOR LITHOGRAPHY}
본 발명은 평판인쇄용 린싱액, 보다 상세하게는 경화된 또는 경화되지 않은 불필요한 레지스트, 반사방지성 코팅 등을 집적회로 소자, 칼라 필터, 액정 표시 소자 등으로부터 또는 레지스트 도포 장치로부터 용해 제거하거나 스트리핑 제거하는 데 유용한 평판인쇄용 린싱액에 관한 것이다.
평판인쇄술은 통상적으로 집적회로 소자, 칼라 필터, 액정 표시 소자 등에 사용되어 왔다. 집적회로 소자 등의 제조시, 포지티브형 또는 네가티브형 레지스트는 기판에 직접 도포하거나, 또는 기판 상에 반사방지성 코팅을 형성한 후 도포하고, 베이킹(baking)에 의해 코팅된 층으로부터 용매를 제거한 후, 레지스트에 반사방지성 코팅을 임의로 형성하고, 방사선(예: 자외선, 원자외선, 전자 선, X-레이 등)을 사용하여 코팅된 면으로부터 패턴화 방식의 노출을 수행한 다음, 노출된 코팅을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 형성한다. 레지스트 등을 코팅하는 상기 공정은 다양한 공지의 방법[예: 스핀 코팅(spin-coating), 로울러 코팅(roller- coating), 역 로울러 코팅(reverse roller-coating), 캐스트 코팅(cast coating), 닥터 코팅(doctor-coating), 딥 코팅(dip coating) 등]에서 선택된 공지의 방법을 이용하여 수행된다. 예를 들면, 집적회로 소자의 제조시, 레지스트 코팅법으로서 스핀 코팅법이 주로 이용된다. 스핀 코팅법에서는, 레지스트 형성 용액을 기판상에 적하한 다음, 기판의 회전에 의해 적하된 레지스트 용액이 기판의 주변에 캐스팅되고, 과잉의 레지스트 형성 용액은 기판의 주변에서 비산 제거되므로 목적하는 두께의 레지스트 층이 형성된다. 그러나, 이 방법에서는, 레지스트 형성 용액의 일부가 기판의 뒷면으로까지 흘러가거나, 기판의 다른 부분보다는 기판의 주변에서 레지스트 형성 용액이 더 두껍게 잔존하는 문제가 발생하는데, 이를 비드 형성(bead formation)이라고 한다. 그러므로, 기판의 주변 또는 뒷면으로부터 불필요한 레지스트를 제거하거나 비드를 제거할 필요가 있다. 동일한 방법이 칼라 필터, 액정 표시 소자 등의 제조에 적용된다. 스핀 코팅법 이외의 기타 코팅법에도 또한, 레지스트가 스핀 코팅법에서와 같이 불필요하고 바람직하지 않은 부분에 부착할 수 있다. 또한, 기판과 레지스트 층 사이에서 반사방지성 코팅을 사용하는 집적회로의 제조시, 반사방지성 코팅은 패턴의 형성 후 제거되어야 한다. 한편, 레지스트 형성 용액은 코팅 장치에 부착되는데, 이것은 다음 사용 이전에 세척되어야 한다. 유기 용매를 포함하는 린싱액은 이러한 레지스트 또는 반사방지성 코팅의 제거 또는 박리화, 비드 형성의 방지, 그리고 추가로 코팅 장치의 세척에 바람직하다고 여겨졌고, 그러므로 유기 용매 단독으로 이루어진 린싱액이 사용되었다(예: 일본 특허 공고 제H4-49938호). 이들 린싱액은 레지스트 또는 반사방지성 코팅에 대해 더욱 개선된 용해성 또는 스트리핑 특성을 수득하는 것이 여전히 요구되고 있다.
한편, 반사방지성 코팅을 수용액으로부터 형성하는 것에 대해 일본 특허 공개 제H5-188598호, 제H6-69120호, 제H6-148896호 등에 기재되어 있으며, 최근에는, 반사방지성 코팅을 형성하는 데 수용액의 사용이 늘고 있다. 수용액으로부터 형성된 반사방지성 코팅을 용해하는 데 필요한 시간을 단축하여 바람직한 헹굼 효과를 나타내고, 화재에 대한 안전성 및 취급시의 안전성에 대한 요구를 추가로 만족시키는 린싱액의 제공이 요망되었다. 그러나, 종래의 린싱액은 이들 요구를 완전히 만족시키지는 못했다.
제US 4,822,723호에서는, 프로필렌 글리콜 모노 메틸 에테르(PGME)와 물을 포함하는 현상제 조성물에 대해 공개한다. 이 현상제 조성물과 본 발명의 린싱액의 기능 및 수행능에 대해서는 이하 서술한 대로 구별된다.
제US 4,786,580호에서는, 글리콜 에테르 또는 아세테이트와 물을 포함하는 다른 수성 현상제를 공개한다.
제EP 0,037,060호에서는, 글리콜 에테르, 글리콜 에스테르 및 물을 포함하는 다른 현상액를 공개한다.
제JP-A-1,296,246호에서는, 알콜이나 아세톤과 같은 수융화성 유기 용매를 포함하는 현상된 포토레지스트(photoresist)에 사용하기 위한 수성 린싱액을 공개한다. 그러나, 본 발명은 린싱액에 이러한 용매들을 사용하지 않았다.
제EP 0,219,789호에서는, N-(아미노에틸)에탄올아민(AEEA)과 같은 수성 아민, 트리프로필렌 글리콜 메틸에테르(TPM) 또는 디프로필렌 글리콜 메틸에테르 (DPM)와 같은 수용성 프로필렌 글리콜 유도체, 및 물을 포함하는 스트리핑 용액을 공개한다.
제US 4,592,787호에서는, 프로필렌 글리콜 이소프로필 에테르(PGiPE)와 같은 프로필렌 글리콜의 저급 알킬 모노에테르 또는 이의 혼합물, 및 물을 포함하는 다른 스트리핑 용액을 공개한다.
전술한 결점이 없고, 유기 용매 용액으로부터 형성된 레지스트 또는 반사방지 박막 뿐만 아니라 수용액으로부터 형성된 반사방지성 박막에 대하여 우수한 용해성 또는 스트리핑 특성을 나타내고, 화재를 일으킬 위험이 덜하여, 소방법 규정 하에서 쉽게 취급될 수 있는 린싱액을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 장점은 다음의 본 발명의 바람직한 양태의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
집중적인 연구의 결과, 본 발명자들은 자체로 레지스트 또는 반사방지성 층에 대한 용매 또는 린싱액으로서 통상적으로 사용되는 수용성 유기 용매에 물을 첨가함으로써 린싱액을 얻을 수 있으며, 이는 레지스트 또는 반사방지성 층에 대한 용해력 또는 스트리핑 능력이 수용성 유기 용매만을 필수 성분으로 하는 용액보다 더욱 우수하고, 물의 공존으로 인하여 증가된 인화점을 가져서 화재를 일으킬 위험이 덜하며, 소방법의 규정 하에서 개선된 취급 안전성을 제공함을 발견하였는 바, 이러한 발견 사실에 기초하여 본 발명을 완성하였다. 즉, 본 발명은 이하 서술한 바와 같은 수용성 유기 용매와 물의 균질 용액을 포함하는 평판인쇄용 린싱액을 제 공한다.
또한, 본 발명은 기판상에 코팅된 포토레지스트를 프리베이킹(prebaking)하기 이전에 불필요한 포토레지스트 또는 반사방지성 코팅을 기판으로부터 용해 제거하기 위해, 수용성 유기 용매와 물을 포함하는 균질 용액을 린싱액으로서 제공하는 단계를 포함하는, 기판상에 코팅된 포토레지스트를 프리베이킹하기 이전에 불필요한 포토레지스트 또는 반사방지성 코팅을 기판으로부터 용해 제거하는 방법으로서, 상기 수용성 유기 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤 및 아세톤으로부터 선택된 하나 이상의 용매인 것인 방법을 제공한다.
수용성 유기 용매로서, 이러한 수혼화성 유기 용매는 레지스트 또는 반사방지성 코팅용 용매 또는 린싱액으로서 독립적으로 또는 둘 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다. 본 발명에 사용되는 수용성 용매의 예는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트(EL), 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 아세톤 등을 포함한다.
전술한 프로필렌 글리콜 알킬 에테르로서는, 예를 들면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(PGEE), 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 등이 있고, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트로서는, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트 등을 들 수 있 다. 이들 둘 이상의 혼합물로서는, 예를 들면, PGME와 PGMEA 또는 PGEE와 PGMEA의 혼합물이 바람직하다.
본 발명에서, 전술한 수용성 유기 용매는 물과 함께 사용된다. 린싱액 중의 바람직한 물의 함량은 함께 사용되는 용매에 따라 변화하기 때문에, 한정하여 기재할 수는 없다. 그러나, 일반적인 지표로서, 물은 수용성 유기 용매 100 중량부당 0.5 내지 200 중량부의 양으로 사용되며, 0.5 내지 100 중량부가 바람직하다. 구체적인 용매의 예로는, PGME와 PGMEA(중량 기준으로 70:30)의 혼합물의 경우 물 25 중량부 이하의 양이 바람직하고, PGEE와 PGMEA(중량 기준으로 50:50)의 혼합물의 경우 물 100 중량부 이하가 바람직하며, EL의 경우 물 55 중량부 이하가 바람직하다. 또한, 메틸 이소부틸 케톤의 경우, 물의 함량이 2 중량부를 초과하면, 물과 메틸 이소부틸 케톤이 서로 분리되는 경향이 있고, 따라서 물을 2 중량부 이하의 양으로 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 린싱액은 공지된 포지티브형 레지스트, 네가티브형 레지스트 및 반사방지성 코팅 중 어떤 것에도 적용될 수 있다. 본 발명의 린싱액이 적용 가능한 레지스트의 전형적인 예로서, 퀴논디아지드 광감제 및 알칼리 가용성 수지를 포함하는 레지스트 및 화학적으로 증폭된 레지스트와 같은 포지티브형 레지스트와, 감광성 기를 갖는 고분자량 화합물(예: 폴리비닐 시나메이트)을 함유하는 레지스트, 방향족 아지드 화합물 또는 고리화된(cyclized) 고무와 아지드 화합물(예: 비스아지드 화합물)의 혼합물을 함유하는 레지스트, 디아조 수지, 첨가 중합 가능한 불포화 화합물을 함유하는 광중합 가능한 조성물을 함유하는 레지스트 및 화학적으로 증폭된 네가티브형 레지스트와 같은 네가티브형 레지스트가 있다.
퀴논디아지드 증감제 및 알칼리 가용성 수지를 포함하는 전술한 레지스트는 본 발명의 린싱액이 적용되는 바람직한 레지스트이다. 퀴논디아지드 증감제 및 알칼리 가용성 수지를 포함하는 레지스트 물질에 사용되는 퀴논아지드 증감제 및 알칼리 가용성 수지의 예는 다음과 같다. 즉, 퀴논디아지드 증감제로서는, 1,2-벤조퀴논디아지드-4-설폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산, 이들 설폰산의 에스테르 또는 아미드 등을 예로 들 수 있고, 알칼리 가용성 수지로서는, 폴리비닐 페놀, 폴리비닐 알콜, 아크릴산 또는 메타크릴산의 공중합체, 하나 이상의 페놀(예: 페놀, o-크레졸, m-그레졸, p-크레졸 및 크실레놀)로부터 제조된 노볼락(Novolak) 수지 및 알데히드(예: 포름알데히드, 파라포름알데히드 등)를 예로 들 수 있다.
화학적으로 증폭된 레지스트 또한 본 발명의 린싱액이 적용 가능한 바람직한 레지스트이다. 화학적으로 증폭된 레지스트는 방사선에 노출되는 경우, 산이 발생하고, 이어서 이 산은 산의 촉매적 작용에 의한 화학적 변화로 인해 전개제에 대한 방사선 노출된 부분의 용해도를 변화시켜서, 패턴의 형성을 유도하는 레지스트이다. 이의 예로서, 방사선에 노출시 산을 발생시킬 수 있는 산 발생 화합물 및 산의 존재 하에 분해되어 알칼리 가용성 기를 발생시킬 수 있는 산 불안정성 기(예: 페놀성 하이드록실 기 또는 카르복실 기)를 갖는 수지를 포함하는 레지스트 및 알칼리 가용성 수지, 가교결합제 및 산 발생제를 포함하는 레지스트가 있다.
한편, 본 발명의 린싱액이 적용 가능한 반사방지성 코팅으로서, 유기 물질을 포함하는 어떠한 반사방지성 코팅도 사용될 수 있다. 그러한 반사방지성 코팅으로서는, 유기 용매 또는 수용액으로부터 형성된 반사방지성 코팅, 예를 들면, 염료가 첨가되는 폴리암산 또는 폴리부테논산(미국 특허 제4,910,122호), 염료가 첨가되는 공중합체(예: 일본 특허 공개 제H6-118656호 등), 염료 등을 말레산 무수물 공중합체, 이타콘산 무수물 공중합체, 폴리아크릴레이트 또는 폴리메타크릴레이트에 그래프팅(grafting)시켜서 얻은 그래프트 중합체(미국 특허 제2,751,373호, 제2,811,509호, 제3,763,086호, 제3,854,946호 및 제4,609,614호), 무수물 기를 갖는 중합체와 아미노방향족 발색단의 반응 생성물(미국 특허 제5,294,680호), 수용성 중합체 및 수용성 퍼플루오로카르복실산을 포함하는 조성물(일본 특허 공개 제H5-188598호), 수용성 고 중합체를 함유하는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드와 같은 유기 알칼리 용액의 용액(일본 특허 공개 제H6-69120호), 수용성 필름 형성 성분 및 불소 함유 계면활성제를 포함하는 조성물(일본 특허 공개 제H6-148896호), 퍼플루오로알킬카르복실산, 유기 아민 및 폴리비닐피롤리돈을 포함하는 조성물(일본 특허원 제H7-131096호), 퍼플루오로알킬설폰산, 유기 아민, 폴리비닐피롤리돈 및 수용성 알킬실록산 중합체를 포함하는 조성물(일본 특허원 제H8-129056호) 등이 있다. 본 발명에 따른 린싱액 중에 물이 존재하면, 수용액으로부터 형성된 막에 대한 우수한 친화도가 제공되고(접촉각이 작음), 따라서 수용액으로부터 형성된 반사방지성 코팅에 대해 우수한 린싱 효과가 얻어질 수 있다.
본 발명의 린싱액의 적용은 레지스트 패턴을 형성하는 방법을 참조하여 이하에 기술한다. 우선, 스핀 코팅법과 같은 공지된 통상의 코팅법에 따라 임의로 예비 처리한 규소 기판, 유리 기판 등에 레지스트 용액을 코팅한다. 반사방지성 코팅을 기판상에 레지스트의 코팅 전 또는 후에 임의로 형성시킨다. 스핀 코팅법에서, 예를 들면, 레지스트 또는 반사방지성 코팅의 비드는 기판의 주변을 따라 형성되는 경향이 있다. 그러나, 사실상 균일한 두께를 갖는 레지스트 층 또는 반사방지성 코팅은 회전시 주변을 따라 형성된 비드에 본 발명의 린싱액을 분무함으로써 형성되어 비드의 유동성을 증가시킬 수 있다. 또한, 기판 면에 부착된 또는 그 뒷면으로 이동하는 레지스트 조성물 또는 반사방지성 코팅 용액은 여기에 린싱액을 분무함으로써 제거될 수 있다. 포지티브형 레지스트가 사용되는 경우 및 반사방지성 코팅이 기판과 포토레지스트 사이에 삽입되는 경우, 노출과 그 후의 현상에 의해 형성된, 패턴화된 레지스트로 덮히지 않은 일부의 반사방지성 코팅은 상기 린싱액을 사용함으로써 습식 방법으로 제거될 수 있다.
기판에 코팅된 레지스트는, 예를 들면 열판(hot plate)에서 프리베이킹하여 용매를 제거하고, 이렇게 하여 통상적으로 두께가 1 내지 2.5 μ인 레지스트 층이 형성된다. 프리베이킹 온도는 사용된 용매 또는 레지스트의 종류에 따라 변하나, 통상적으로 프리베이킹은 약 20 내지 약 200℃, 바람직하게는 약 50 내지 150℃에서 수행된다. 이어서 이러한 방법으로 프리베이킹된 레지스트를 임의로 마스크(mask)를 통하여, 공지된 조사 장치[예: 고압 수은 램프, 금속 할라이드 램프, 초고압 수은 램프, KrF 엑시머 레이저, 연성 X-레이 조사 장치 또는 전자 빔 인스크라이빙(inscribing) 장치]를 사용하여 패턴화 방식으로 노출시킨다. 패턴화 노출후, 애프터베이킹(after-baking)은 현상성, 해상도, 패턴의 형상 등을 개선시키기 위하여 임의로 수행된다. 이어서, 현상 공정을 수행하여 패턴화된 레지스트를 형성한다. 레지스트의 현상은 통상적으로 용매 또는 알칼리 용액에 대한 노출된 영역 및 노출되지 않은 영역의 용해도의 차이를 이용하는 현상제를 사용함으로써 수행된다. 알칼리성 현상 용액으로서, 예를 들면 수용액 또는 수산화나트륨, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 등의 수용액 또는 물 함유 용액이 있다.
전술한 레지스트 또는 반사방지성 코팅을 기판에 코팅하는 데 사용되는 코팅 장치는 상이한 코팅 조성물을 코팅하는 데 재사용할 수 있는데, 예를 들면 레지스트 조성물을 코팅한 후 반사방지성 코팅 조성물을 코팅하는 데, 하나의 레지스트 조성물을 코팅한 후 또다른 레지스트 조성물을 코팅하는 데, 또는 반사방지성 코팅 조성물을 코팅한 후 레지스트 조성물을 코팅하는 데 재사용할 수 있다. 이러한 경우, 코팅 장치는 상이한 코팅 조성물을 코팅하는 데 사용하기 전에 세척되어야 하며, 본 발명의 린싱액은 이러한 경우 또한 효과적으로 사용될 수 있다.
이하, 실시예 및 비교 실시예를 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 하나, 본 발명이 이들에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예 1
하기 퀴논디아지드 증감제 및 노볼락 수지를 노볼락 수지 100 중량부당 퀴논디아지드 증감제 24 중량부의 양으로 사용하고, 얻은 혼합물을 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)의 용매에 용해하여 이들 고체 성분 25 중량%를 함유하는 용액을 제조함으로써 레지스트 조성물을 제조하였다.
퀴논디아지드 증감제: 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논과 1,2-나프토-퀴 논디아지도-5-설포닐 클로라이드의 에스테르화 생성물
노볼락 수지: m-크레졸과 p-크레졸(6/4)의 혼합물과 포름알데히드의 중축합 생성물
이와 같이 제조된 레지스트 조성물을 프리베이킹한 후의 두께가 2.6 ㎛이도록 4 인치 규소 기판에 스핀 코팅한 다음, 100℃에서 90초 동안 직접 열판에서 프리베이킹하여 레지스트 층을 형성하였다. 추가로, 이 실시예에서는, 레지스트 층의 두께를 용해도 시험을 수행하기 위하여 통상적으로 사용되는 두께보다 크게 하였다.
이와 같이 제조된 레지스트 층에 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(PGEE)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)(5:5) 혼합 용매(용매 A) 및 물로 이루어진 표 1에 나타낸 린싱액 1-(1) 내지 1-(9)를 사용하여 아래 기술된 용해도 시험에 따라 용해도 시험을 실시하여 표 1에 나타낸 결과를 얻었다.
용해도 시험
각 린싱액 0.03 ㎖를 레지스트 층에 적가하고, 하층의 규소 표면이 노출되는 데 필요한 시간(초)을 측정하였다. 레지스트 층의 두께(Å)를 시간으로 나누어 용해 속도(Å/초)를 결정하였다.
비교 실시예 1
린싱액으로서 용매 A만으로 이루어진 무수 린싱액을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여 표 1에 나타낸 결과를 얻었다.
린싱액 번호 린싱액의 조성 용해 속도 (Å/초)
용매 A (중량부) 물 (중량부)
1-(1) 1-(2) 1-(3) 1-(4) 1-(5) 1-(6) 1-(7) 1-(8) 1-(9) 100 100 100 100 100 100 100 100 100 2.5 5 3.5 10 15 20 30 50 100 7400 8800 9500 10000 10100 9800 9400 8100 6800
비교 실시예 1 100 0 5300
표 1에 나타낸 결과로부터 명백하듯이, 용해 속도는 PGEE와 PGMEA로 구성된 혼합된 용매에 물을 혼입함으로써 현저히 증가됨을 알 수 있다.
실시예 2
용매 A 대신에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)와 PGMEA(7:3)의 혼합 용매(용매 B)를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1에 기술된 것과 동일한 공정을 반복하여 표 2에 나타낸 결과를 얻었다.
비교 실시예 2
린싱액으로서 물과 혼합하지 않고 용매 B를 단독으로 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1에 기술된 것과 동일한 공정을 수행하여 표 2에 나타낸 결과를 얻었다.
린싱액 번호 린싱액의 조성 용해 속도 (Å/초)
용매 B (중량부) 물 (중량부)
2-(1) 2-(2) 2-(3) 2-(4) 비교 실시예 2 100 100 100 100 100 5 10 15 20 0 13100 13600 13000 12000 11200
표 2에서 나타낸 결과로부터 명백하듯이, 용해 속도는 PGME와 PGMEA의 혼합 용매에 물을 혼입함으로써 실시예 1에서와 같이 증가된다.
실시예 3
용매 A 대신 에틸 락테이트(EL)를 사용하고 표 3에 나타낸 혼합 비율을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 공정을 반복하여 표 3에 나타낸 결과를 얻었다.
비교 실시예 3
린싱액으로서 EL을 단독으로 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 공정을 수행하여 표 3에 나타낸 결과를 얻었다.
린싱액 번호 린싱액의 조성 용해 속도 (Å/초)
EL (중량부) 물 (중량부)
3-(1) 3-(2) 3-(3) 비교 실시예 3 100 100 100 100 10 20 40 0 6100 5800 3900 2800
표 3에 나타낸 결과로부터 명백하듯이, 용해 속도는 물을 EL에 혼입함으로써 증가된다.
실시예 4
폴리리닐 피롤리돈 1 중량부, 퍼플루오로옥탄설폰산 4 중량부, 2-아미노에탄올 0.35 중량부, 수용성 알킬실록산 중합체[Polyflow-KL-245, 교우에이샤 유시(Kyoueisha Yusi)에서 제조] 0.004 중량부 및 순수한 물 94.646 중량부로 이루어진 반사방지성 코팅 형성용 조성물을 4 인치 규소 기판에 스핀 코팅하고, 90℃에서 90초 동안 베이킹하여 650Å 반사방지성 코팅을 형성하였다. 실시예 1 내지 3의 각 린싱액을 상기 반사방지성 코팅의 표면에 적하하였다. 모든 린싱액은 반사방지성 코팅에 적하한 직후 작은 접촉각을 나타내었고, 린싱액은 반사방지성 코팅에 대한 우수한 친화도를 나타내어 무수 린싱액에 비해 원활한 용해를 달성하였다.
위에서 설명한 바와 같이, 수용성 유기 용매에 물을 첨가함으로써 제조된 본 발명의 린싱액은 수용성 유기 용매만으로 이루어진 종래의 린싱액과 비교할 때, 레지스트 층, 반사방지성 코팅 등에 대한 더욱 증가된 용해력을 얻을 수 있고, 린싱액이 수용액으로부터 형성된 층에 대한 우수한 친화도를 가져서 층의 원활한 용해를 달성할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 린싱액 중의 물의 존재는 린싱액의 인화점을 증가시키며, 이로 인해 린싱액을 소방법의 규정 하에서 및 사용되는 생산 부지 또는 공장에서 용이하게 취급할 수 있도록 한다.
이상 특정 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였으나, 여러 변경, 개질 및 변화가 본 명세서에 기술된 본 발명의 개념을 벗어나지 않고 이루어질 수 있음은 명백하다. 따라서, 본 발명은 첨부된 특허청구범위의 사상 및 넓은 영역 내에 있는 모든 이러한 변경, 개질 및 변화를 포함한다.

Claims (7)

  1. 기판상에 코팅된 포토레지스트(photoresist)를 프리베이킹(prebaking)하기 이전에 불필요한 포토레지스트 또는 반사방지성 코팅을 기판으로부터 용해 제거하기 위해, 수용성 유기 용매와 물을 포함하는 균질 용액을 린싱액으로서 제공하는 단계를 포함하는, 기판상에 코팅된 포토레지스트를 프리베이킹하기 이전에 불필요한 포토레지스트 또는 반사방지성 코팅을 기판으로부터 용해 제거하는 방법으로서, 상기 수용성 유기 용매는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤 및 아세톤으로부터 선택된 하나 이상의 용매인 것인 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수용성 유기 용매가 프로필렌 글리콜 알킬 에테르와 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트의 혼합물인 것인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 프로필렌 글리콜 알킬 에테르가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르이고, 상기 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트인 것인 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 프로필렌 글리콜 알킬 에테르가 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르이고, 상기 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트가 프로필렌 글리 콜 모노메틸 에테르 아세테이트인 것인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 수용성 유기 용매가 에틸 락테이트인 것인 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 물이 수용성 유기 용매의 100 중량부 당 0.5 내지 200 중량부의 양으로 사용되는 것인 방법.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 물이 수용성 유기 용매의 100 중량부 당 0.5 내지 100 중량부의 양으로 사용되는 것인 방법.
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6815151B2 (en) 1997-09-05 2004-11-09 Tokyo Ohika Kogyo Co., Ltd. Rinsing solution for lithography and method for processing substrate with the use of the same
KR100594815B1 (ko) * 1999-12-24 2006-07-03 삼성전자주식회사 포토레지스트 린스용 씬너 및 이를 이용한 포토레지스트막의 처리 방법
US6274296B1 (en) 2000-06-08 2001-08-14 Shipley Company, L.L.C. Stripper pretreatment
US6350560B1 (en) 2000-08-07 2002-02-26 Shipley Company, L.L.C. Rinse composition
KR100638243B1 (ko) * 2000-11-20 2006-10-24 주식회사 동진쎄미켐 액정 디스플레이 디바이스용 레지스트 세정액 조성물
KR20090036153A (ko) * 2001-05-11 2009-04-13 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 후막 포토레지스트 및 그의 사용방법
US6682876B2 (en) * 2001-12-14 2004-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thinner composition and method of stripping a photoresist using the same
KR100483846B1 (ko) * 2002-10-15 2005-04-19 삼성전자주식회사 신너 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 스트립핑 방법
JP4146198B2 (ja) * 2002-09-11 2008-09-03 富士通株式会社 マグネシウム合金材リサイクル用の被塗装マグネシウム合金材塗膜除去方法
KR20050047120A (ko) * 2002-09-19 2005-05-19 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 반도체 기판 스택에서 이미지층을 제거하는 방법
KR101215429B1 (ko) 2003-10-20 2012-12-26 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거용 씬너 조성물
KR100718639B1 (ko) 2004-10-27 2007-05-16 주식회사 이엔에프테크놀로지 안료 분산형 감광제 제거용 세정제 조성물
CN100340340C (zh) * 2004-10-29 2007-10-03 中国石油化工股份有限公司 一种积炭清洗剂及其在失活催化剂再生过程中的应用
JP2007034066A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd リソグラフィー用洗浄液
JP4588590B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-01 ダイセル化学工業株式会社 リソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤
KR20070081572A (ko) * 2006-02-13 2007-08-17 삼성전자주식회사 슬릿 코터 세정제, 표시장치 제조용 슬릿 코터 및표시장치의 제조방법
CN100459057C (zh) * 2006-05-22 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆表面的清洗方法
DE102008042356A1 (de) 2008-09-25 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
NL2003421A (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of removing contamination.
TW201039076A (en) * 2010-07-08 2010-11-01 Rong yi chemical co ltd Photoresist stripper
DE102010041528A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
DE102012216286A1 (de) 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit optimiertem Messsystem
JP5914073B2 (ja) * 2012-03-16 2016-05-11 株式会社ブリヂストン 洗浄液組成物
DE102012212758A1 (de) 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Systemkorrektur aus langen Zeitskalen
CN104779178B (zh) * 2014-01-13 2018-10-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 底部防反射层形成方法
CN106211598B (zh) * 2016-08-31 2019-01-18 广东成德电子科技股份有限公司 一种印制电路板的有机退膜剂及其制备方法
CN106959591B (zh) * 2017-04-11 2020-10-27 安徽高芯众科半导体有限公司 一种黄光制程光刻机零部件正光阻再生方法
CN109433663A (zh) * 2018-10-30 2019-03-08 深圳市路维光电股份有限公司 掩膜版制程槽清洗方法
CN113741157A (zh) * 2021-08-11 2021-12-03 泗洪明芯半导体有限公司 一种芯片制程中环境友好的定影方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2751373A (en) * 1953-11-25 1956-06-19 Eastman Kodak Co Light-sensitive polymers for photomechanical processes
US2811509A (en) * 1954-06-11 1957-10-29 Eastman Kodak Co Light-sensitive polymers for photography
US3763086A (en) * 1961-10-05 1973-10-02 Oreal Colored organic polyanhydride polymers
US3854946A (en) * 1970-11-27 1974-12-17 Upjohn Co Process for chemically bonding a dyestuff to a polymeric substrate
US3980587A (en) * 1974-08-16 1976-09-14 G. T. Schjeldahl Company Stripper composition
DE3012522A1 (de) * 1980-03-31 1981-10-08 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren und entwicklerloesung zum entwickeln von belichteten negativ arbeitenden diazoniumsalzschichten
US4910122A (en) * 1982-09-30 1990-03-20 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US4786580A (en) * 1983-12-27 1988-11-22 Hoechst Celanese Corporation Method of developing imaged diazo material with propanol containing developer composition
US4550069A (en) * 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US5066561A (en) * 1984-06-11 1991-11-19 Hoechst Celanese Corporation Method for producing and using a positive photoresist with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US4592787A (en) * 1984-11-05 1986-06-03 The Dow Chemical Company Composition useful for stripping photoresist polymers and method
US4609614A (en) * 1985-06-24 1986-09-02 Rca Corporation Process of using absorptive layer in optical lithography with overlying photoresist layer to form relief pattern on substrate
DE3537441A1 (de) * 1985-10-22 1987-04-23 Hoechst Ag Loesemittel zum entfernen von photoresists
DE3667109D1 (en) * 1985-10-28 1989-12-28 Hoechst Celanese Corp Liquid for the treatment of a photoresist composition, and process therefor
US4983490A (en) * 1985-10-28 1991-01-08 Hoechst Celanese Corporation Photoresist treating composition consisting of a mixture of propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate
US5039594A (en) * 1985-10-28 1991-08-13 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist containing a mixture of propylene glycol alkyl ethers and propylene glycol alkyl ether acetate
US4822723A (en) * 1987-11-30 1989-04-18 Hoechst Celanese Corporation Developer compositions for heavy-duty lithographic printing plates
US4886728A (en) * 1988-01-06 1989-12-12 Olin Hunt Specialty Products Inc. Use of particular mixtures of ethyl lactate and methyl ethyl ketone to remove undesirable peripheral material (e.g. edge beads) from photoresist-coated substrates
JPH01296246A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Dainippon Printing Co Ltd 感材の現像方法
US5294680A (en) * 1992-07-24 1994-03-15 International Business Machines Corporation Polymeric dyes for antireflective coatings
DE9304878U1 (ko) * 1993-03-31 1993-06-09 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De

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