JPH04328747A - 均一にコートされたフォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】本発明は改良されたフォトレジスト組成物
に関し、さらに詳しくは、均一または不均一なパターン
付き基体上に、より均一に塗布をすることのできるフォ
トレジスト組成物に関するものである。

【０００２】

【背景技術】フォトレジストは半導体（Ｓ／Ｃ）装置、
パッケージおよび関連部品の製造に際して甚だ重要な位
置を占めている。現在最高の集積度をＳ／Ｃ装置は有し
ている。使用されるレジスト組成物はネガチブまたはポ
ジチブであり、さらに像またはパターンを転写するのに
用いられる樹脂もしくはポリマー系に分類することがで
きる。基体上に塗布または付着されるこのような系は代
表的には樹脂もしくはポリマーマトリックスを含み、そ
の溶剤（極性または非極性の有機溶剤のこともあるがし
ばしば水性アルカリ現像液）に対する溶解性は組成物中
に含まれている増感剤に及ぼす放射線の作用により変化
し、この増感剤はマスクを通してあるいは書き込み機構
のいずれかで、樹脂もしくはポリマーマトリックス中に
パターンの転写をさせる放射線の特定の波長に感応する
。この増感剤は増感放射線が特に可視光線または紫外線
であるときは、光活性化合物（ＰＡＣ）と呼ばれている
。

【０００３】所望の機能をするまたは充填剤として作用
するこの他の物質をこのような組成物の固体成分中に包
含させる。最終的に、パターン化する基体上に塗布する
組成物を使用可能な形状とするため、レジスト固体を混
合し、処理しそして塗布をする際のビヒクルとして作用
する１種またはそれ以上の溶剤を必要とする。この溶剤
はレジスト固体との相容性および基体に対する不活性に
よって選ばれる。塗布したレジスト組成物は、組成物の
流動性が小さくかつ粘稠となるよう、ベークするかまた
はその他の処理をする。

【０００４】ポジ作動およびネガ作動のフォトレジスト
組成物、特にノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン
およびナフトキノンジアジドを含む組成物は当業者によ
く知られている。例えば、フェノール−ホルムアルデヒ
ド樹脂とナフトキノンジアジドの処方からなるノボラッ
クフォトレジスト組成物は、米国特許第３，６６６，４
７３号、同第４，３７７，６３１号および同第４，３９
７，９３７号中で述べられている。Ｃｌｅｃａｋ氏他の
米国特許第４，３９７，９３７号は可溶性のフェノール
樹脂および１−オクソ−２−ジアゾナフタレンスルホン
酸と第１級または第２級非対称脂肪族ジオールとのジエ
ステルである増感剤からなる、改良されたポジチブレジ
スト組成物を対象としている。このような組成物用の塗
布溶剤にはジグリム、メチルイソブチルケトン、エチル
セロソルブアセテート、その他およびこれらの混合物の
ような慣用の溶剤がある。

【０００５】ナフトキノンジアジドは水性アルカリ現像
液に抵抗性の溶解抑制剤として作用する。この他の溶解
抑制剤は、米国特許第４，３９８，００１号中で述べら
れているポリオレフィンスルホンのような重合体の材料
から処方することができる。Ｃｈｅｎｇ氏他の米国特許
第４，３９８，００１号は、ノボラック樹脂とある種の
ポリオレフィンスルホンターポリマーとの混合物から構
成される、電子ビームおよびＸ線感受性のレジスト組成
物を対象としている。この増感剤は２酸化イオウ、オレ
フィン系炭化水素および不飽和エーテルのターポリマー
である。この組成物用の塗布溶剤はセロソルブアセテー
ト８５％、ｎ−ブチルアセテート１０％および混合キシ
レン１０％である。

【０００６】レジストの別の種類のものは米国特許第４
，４９１，６２８号中で述べられている酸に不安定なポ
リマーと混合した酸触媒開始剤にもとづくものである。 Ｉｔｏ氏他の米国特許第４，４９１，６２８号は出発ポ
リマーより非常に異なる極性（溶解性）を有する生成物
を作るように効率的に酸分解をするような、くり返しペ
ンダント基をもつくり返し芳香環ポリマーを含むレジス
ト組成物を対象としている。増感剤は放射線に対する露
光に際して強酸を発生する物質である。キャスティング
溶剤としてはジグリムまたはシクロヘキサノンの使用が
述べられており、また米国特許出願第０７／３２２，８
４８号が１９８９年３月１４日に出願されている。前記
のすべてのレジスト処方物はレジスト材料を使用する半
導体回路の製作の際の放射線感受性成分として有用なも
のである。

【０００７】もっとも広く用いられている放射線の形態
は、２００〜５００ｎｍの波長範囲の光線に対する露光
である。特に、２４８ｎｍ（深紫外またはＤＵＶ）、３
６５ｎｍ（ｉ−線）および４３６ｎｍ（ｇ−線）ＵＶ付
近の露光で単色光が使用される。単色光露光には酸化物
またはその他の絶縁体のパターンをもつ反射性の表面上
に光線を投射することも含まれる。

【０００８】５００〜１５００ｎｍ程度の膜厚みのもの
に対し±１０ｎｍ程度のレジスト厚みの変動は４０％以
上の割合で反射率の変化を生じ、そこで１μｍまたはこ
れ以下の程度の像に対して０．１μｍ以上のレジスト線
幅の変化を生じさせる（Ｍ．　Ｂｏｌｓｅｎ氏他、Ｓｏ
ｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，　１９８
６年、２月号、ｐ．８３以下）。次に、光学的整合の点
については、光学的なステッパーにより露光をされるμ
ｍ級の像は、下方のレジスト膜に整合マークを絶えず与
えるステッパーの重ね合わせ誤差をさけるために、レジ
スト膜の均一性は±１０ｎｍ程度であることを必要とす
る（Ｄ．　Ａｎｇｅｌ，　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，　１９８３年、４月号
、ｐ．７２以下）。

【０００９】レジスト厚みと線幅変動との間の関係は十
分報告されており、この問題を克服するためにコントラ
ストを強化した材料と着色したフォトレジストの利用が
提唱されている（Ｔ．　Ｈａｓｈｉｍｏｔｏ他、ＳＰＩ
Ｅ　Ｖｏｌ．　９２０　Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｒｅ
ｓｉｓｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅ
ｓｓｉｎｇ　Ｖ（１９８８），ｐ．４２７以下）。この
ようにレジスト膜の高度の均一性が適切な重ね合わせと
整合のため、また半導体回路の生産性を高めるため線幅
の変動を最小化する要望がある。

【００１０】半導体製造用のレジスト膜は、液体レジス
トの小滴を動的または静的のいずれかの方式でシリコン
ウエハーの表面に付与し、ついで２００〜５０００ｒｐ
ｍ程度の速さで１０〜２００秒間ウエハーをスピンする
ことにより通常キャストされている。膜の厚みは液体レ
ジストの固体分含量、組成物の粘度、スピンナーのスピ
ン速度および液体の蒸発速度などにより調節をされる。

【００１１】特許文献中に述べられている一般的な溶剤
には２−エトキシ−エチル−アセテート（セロソルブア
セテート）、ｎ−ブチルアセテート（ＮＢＡ）、キシレ
ン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートの
ようなプロピレン系溶剤などの混合物が包含される。プ
ロピレングリコールメチルエーテル（ＰＭ）の使用は米
国特許第４，９４８，６９７号中で述べられており、ま
たプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（Ｐ
ＭＡ）の使用は米国特許第４，５５０，０６９号中で述
べられている。プロピレングリコールエーテル類および
アセテート類は溶剤として用いられ、これは５〜１０％
感光度を増大することができる。キャスティング溶剤は
レジストの各成分を溶解し、かつ適度の保存期間中各成
分を溶液状に維持するように選定される。

【００１２】日本合成ゴム社の欧州特許出願第０　２１
１　６６７号は、モノオキシモノカルボン酸エステルか
らなる溶剤中にアルカリ可溶性樹脂と放射線感受性化合
物とを含む、放射線感受性の樹脂組成物を開示している
。この組成物は保存中に粒状物の生成がないことによる
非常に改善された保存安定性を有し、また集積回路製造
の際のレジストとして用いるのに好適であることが認め
られた。モノオキシモノカルボン酸エステルはＲ１−Ｏ
−Ｒ２−ＣＯＯＲ３の式を有し、ここでＲ１は水素、Ｃ
１〜Ｃ３のアルキル基またはＣ１〜Ｃ４のアシル基、Ｒ
２はＣ１〜Ｃ４のアルキレン基そしてＲ３はＣ１〜Ｃ４
のアルキル基である。アルカリ可溶性樹脂にはノボラッ
ク樹脂（酸触媒縮合したフェノール−ホルムアルデヒド
樹脂）が含まれる。放射線感受性化合物には１，２−キ
ノンジアジドおよびアジド化合物が含まれる。

【００１３】この放射線感受性樹脂組成物用の現像液は
界面活性剤を含むことができ、界面活性剤は放射線感受
性の樹脂組成物の塗布性およびすじ発生を改善するため
にこの組成物に添加することができる。この種の界面活
性剤に含まれるものとしてはポリオキシエチレンアルキ
ルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエ
ーテル、ポリエチレングリコール、ジアルキルエーテル
、フルオラドＦＣ４３０を含むフッ素含有の界面活性剤
、オルガノシロキサンポリマーおよびアクリルまたはメ
タアクリル（コ−）ポリマー類のような非イオン界面活
性剤である。

【００１４】Ｌａｚａｒｕｓ氏他の米国特許第４，９４
３，５１１号は、１，２−ナフトキノン−２−ジアゾ−
４−スルホン酸のモノ−、ジ−およびトリエステルと、
２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンとの混合物
である光増感剤を含むポジチブ感光性組成物を対象とし
ている。この組成物に使用するために示された溶剤のう
ちの１つがエチル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥ
Ｐ）である。ＥＥＰは低い毒性を示すためにエチルセロ
ソルブアセテート（ＥＣＡ）よりも好ましい。ＥＥＰは
各成分に対してさらに安定な条件を与え、またより良好
な粒子安定性、すなわち保存の際のレジストに生成する
粒子の生成傾向を低下させるので特に好ましいものであ
る。ＥＥＰ単独の使用によりまた３成分混合の溶剤によ
るものよりさらに再現性の良い感光度をもつ、すじ生成
のない塗膜を作ることができる。

【００１５】Ｓａｌａｍｙ氏の米国特許第４，９６５，
１６７号は、（ａ）少なくとも１種のアルカリ可溶性バ
インダー樹脂、（ｂ）少なくとも１種の光活性化合物お
よび（ｃ）エチルラクテートとエチル−３−エトキシプ
ロピオネートからなる混合溶剤の混合物から構成される
感光性組成物を対象としている。これらの組成物はエチ
ルセロソルブアセテートに対してコーティング特性が劣
るが、この組成物はエチルセロソルブアセテートよりも
使用に当たって環境的な危険性が小さいと考えられるの
で好ましいものである。

【００１６】取扱者にとってできるだけ安全な製造また
は処理の条件を提供するために、溶剤系は毒性が低くま
た取り扱いと廃棄に際し可燃性が小さいものでなければ
ならない。低コストとするため単一溶剤系が好ましい。

【００１７】スピンコーティングと引き続く膜形成工程
において、レジスト処方の溶剤部分は、下塗りされてい
る基体面をぬらしそしてスピン後にはレジスト組成物が
乾くのにつれて均一な膜を形成するような能力を有して
いなければならない。ベーク後に残る残留溶剤は露光を
されるレジストの感光度を減少させるものであってはな
らない。膜からの溶剤の蒸発速度は、膜のふぞろいをさ
けるため余りに速すぎず、あるいは低い感光度と浅い断
面を生じさせる溶剤の取り込みを起こさないため余りに
高くないものでなければならない。

【００１８】〔発明の要点〕本発明は均一に塗布しうる
重合体組成物、特に均一に塗布しうるレジスト組成物と
かかる組成物から均一な膜を作るための方法を提供する
ものである。このレジスト組成物はノボラックおよびポ
リビニルフェノールコポリマーよりなる群から選ばれた
少なくとも１種の樹脂、ジアゾキノン、ポリオレフィン
スルホンまたは酸発生剤から選ばれる放射線感受性成分
およびエチル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ）
溶剤から構成され；スピン塗布によりこの組成物を塗布
し、膜の１０重量％以下の溶剤含量となるまでこの組成
物を乾燥し、パターンを介して放射線に像露光し、そし
て水性アルカリ現像液によってこの像を現像する。この
他のコートしうるポリマー組成物はＥＥＰと相容性のポ
リマーとＥＥＰとで構成されている。

【００１９】〔好ましい具体例の説明〕本発明は従来公
知のフォトレジスト組成物より広い範囲のコーティング
条件にわたって、基体に均一なコーティングをしうる改
良されたフォトレジスト組成物を提供する。本発明のフ
ォトレジスト組成物からキャストした膜は、コートされ
た基体面で実質的に一貫な感光度、プラズマエッチング
速度およびコントラストを示す。直径２００ｍｍの大き
なウエハーに、０．５〜３μｍの範囲の膜をコートする
のに必要なレジスト処方物の粘度等級（固体の含量）の
数を、著るしく少なくできることが認められた。大きな
ウエハーにスピンコーティングするため必要なレジスト
液体の供給量を節約することもできる。またレジストが
単一溶剤であることはスピンコーティングで回収したレ
ジストの再利用を容易にする。液の粘度は溶剤または固
体をさらに加えることにより調整することができる。溶
剤はレジスト組成物の４０〜９９．９重量％の分量で存
在する（２成分溶剤系では、回収したレジストは調整を
する前に組成を分析しなければならない）。改善された
レジスト組成物が、各種の重合体分子状レジスト成分を
用いて処方できることが判ったのは予想外のことであっ
た。

【００２０】その上、平坦な層、反射防止コーティング
および保護コーティングのような均一な重合体膜コーテ
ィング用の組成物が、ＥＥＰおよびＥＥＰに可溶なポリ
マーを用いて調製することができる。

【００２１】好ましい１具体例において、本発明はノボ
ラック樹脂、キノンジアジド増感剤および均質な組成物
を生成するのに十分な量のエチル−３−エトキシプロピ
オネートからなるポジチブ作動フォトレジスト組成物を
使用する。このフォトレジスト組成物は従来のものより
もさらに均一な膜を与えることに加えて、高度の解像性
、良好な現像性、高いコントラストおよび良好な接着剤
などを示すものである。

【００２２】感光性組成物を調製する際に用いるノボラ
ック樹脂は従来から良く知られている（米国特許第４，
３７７，６３１号）。ジアゾキノン増感剤は例えば米国
特許第３，１３０，０４７号、同第３，２０１，３２９
号および同第３，８０２，８５５号中に開示されている
。好ましいジアゾキノン増感剤は米国特許第４，３９７
，９３７号中に開示されている、４，８−ビス（ヒドロ
キシメチル）−トリシクロ〔５．２．１．０２．６〕デ
カンのジアゾキノンスルホニルエステル（ＴＤＱ）であ
る。

【００２３】本発明の好ましい具体例において、レジス
ト組成物の固体部分は樹脂が重量でレジストの１５〜９
５％そしてキノンジアジドが５〜５０重量％の範囲であ
る。さらに好ましい範囲は約６５〜９５重量％の樹脂と
５〜３５重量％のキノンジアジドである。レジストの製
造に際して、ＥＥＰ溶剤はレジスト固体の約４０〜９９
．９重量％存在する。均一な、特別にうすい塗膜（５〜
１０μｍ以下）はレジストの固体が１％以下で少なくと
も０．１％存在するときに作ることができる。着色剤、
色素、コントラスト強化剤、すじ防止剤、可塑剤、接着
促進剤、感度強化剤および界面活性剤などのような添加
剤を、溶液を基体上に塗布する前に樹脂、増感剤および
溶剤からなる溶液に添加することができる。これら各添
加剤の例は米国特許第４，３７７，６３１号中に見るこ
とができる。

【００２４】前述の具体例により作られるフォトレジス
ト塗膜は熱的に生成させた酸化物、シリコンナイトライ
ド、アルミニウムまたは平面ポリマーフィルムなどに付
与するのに適している。レジスト膜は５μｍまでの厚み
にスピンコーティングした後組成に応じて８５〜１５０
℃の範囲、キノンジアジドレジストについては９０〜１
１０℃の好ましい範囲の温度でベークする。プレベーキ
ング後に、レジスト膜は紫外線、電子ビーム、イオンビ
ームまたはＸ線などの適当なものに対して露光をする。 露光した膜は潜像の化学反応を完結しまたは残存するウ
エーブを除くために、９０〜１２５℃で後露光（現像前
）のベークをすることができる。ついで膜は適当なアル
カリ現像液中で現像する。画像化した膜は現像後のポス
トベーキングをして接着性とエッチング耐性を改善する
ことができる。最後に、レジストは転写パターン用のエ
ッチングマスクまたはリフト−オフマスクとして用いら
れる。

【００２５】別の具体例で、ホトレジスト組成物の固体
部分は酸活性基がペンダントしているポリ（ヒドロキシ
スチレン）ポリマーと、増感剤として放射線による反応
の際に強酸を発生する化合物とで構成されるか、あるい
は固体部分がノボラック樹脂と放射線感受性のポリオレ
フィンスルホンポリマーを含有することができる。

【００２６】以下の各実施例は、従来公知のもの以上に
優れたＥＥＰキャスティング用処方物の性能を詳細に示
すものである。この優位性は広範囲のスピンｒｐｍにわ
たって膜の均一性が得られることである。これらの各実
施例は本発明の目的を限定するためのものではなく、ま
た本発明の実施のため、ここに与えられている条件や数
値をもっぱら用いねばならないと見做されるべきではな
い。

【００２７】〔実施例１〕米国特許第４，３９７，９３
７号による、キノンジアジドのトリシクロデカンジオー
ルスルホニルエステル（ＴＤＱ）のジアゾキノン処方物
を、ＥＥＰ、ＰＭＡおよびＰＭＭ（プロピレングリコー
ルメチルエーテル）を用いて処方した。２５０ｐｐｍの
フルオラドＦＣ４３０（３Ｍ社製）界面活性剤を全試料
に添加した。

【００２８】

【表１】

【００２９】シリコンウエハー（２００ｍｍ）に１００
０〜５０００ｒｐｍの回転数でＭＴＩスピンコーターで
スピンコートし、膜の均一性を測るためナノスペックＦ
ＴＡによりウエハー上の９箇所で厚みを測定した。

【００３０】

【表２】

【００３１】ＥＥＰとＰＭＡの両処方についてシリコン
ウエハー上に１０，４５０Ａにコートした膜の感光性と
断面とを、ＧＣＡステッパーで３６５ｎｍの露光におい
て測定した。

【００３２】

【表３】 ＰＭＡおよびＥＥＰ処方物のコントラストは実験誤差の
範囲でそれぞれ３．９と３．８であった。エッチング速
度はＣＦ４ガスを用いる反応性イオンエッチング系で測
定し、ＥＥＰおよびＰＭＡ両膜は等しかった。

【００３３】〔実施例２〕１９９０年１０月３１日出願
の米国特許出願第０７／６０６６５２号に従い、ＴＤＱ
が固体中１７．９重量％、ＭＤＴ（トリフルオロスルホ
ニルオキシビシクロ〔２．２．１〕−ヘプト−５−エン
−２，３−ジカルボキシイミド）が固体中７．１重量％
そしてノボラック樹脂が固体中約７５重量％から構成さ
れ、２５０ｐｐｍのフルオラドＦＣ−４３０（３Ｍ社製
）界面活性剤を添加したジアゾキノン処方物をＥＥＰと
ＰＭＡで処方し、２００ｍｍのウエハー上にスピンコー
トしそして膜の均一性を測定した。

【００３４】

【表４】

【００３５】〔実施例３〕１９８９年３月１４日出願の
米国特許出願第０７／３２２，８４８号に従い、ポリヒ
ドロキシスチレン−ポリ−ｔ−ブトキシカルボニルオキ
シスチレンコポリマー中のＭＤＴの処方物をＰＭＡとＥ
ＥＰで処方し、そしてスピンキャストした膜の均一性を
シリコンウエハーについて測定した。

【００３６】

【表５】

【００３７】〔実施例４〕米国特許第４，３９８，００
１号に従い、樹脂とポリオレフィンスルホンとの電子ビ
ーム用レジスト処方物をＰＭＡとＥＥＰとにより生成し
、スピンキャストした膜の均一性をシリコンウエハーに
ついて測定した。

【００３８】

【表６】

【００３９】ＥＥＰ処方物はＰＭＡまたはＰＭＡ／ＰＭ
Ｍ処方物よりも広いｒｐｍ範囲にわたって同じように一
貫して均一であった。高度の膜均一性は露光されたウエ
ハーの線幅の歪みを減少させる。その上、２００ｍｍの
ウエハーをコートするために必要な最小容量は、同様の
展開／スピンサイクルに対し４〜５ｍｌを必要とするの
に２ｍｌであった。またＥＥＰ処方物はＰＭＡでキャス
トした膜よりもより広いｒｐｍ範囲にわたって許容しう
る膜をキャストすることができ、レジスト膜の厚みの範
囲をカバーするために作る必要のある処方物の数を減ら
すことができる。このことはコストを節約しまた在庫投
資を減らすことになる。ＥＥＰとＰＭＡ処方の保存寿命
を３５℃、４５℃および５４℃の促進老化試験で測定し
た。実施例１のＥＥＰとＰＭＡの両処方物は、認知しう
る感光性の変化または粒子状物の生成なしに２５℃で６
カ月間の保存寿命を有していた。

【００４０】本発明を好ましい具体例を参照しつつ詳細
に説明したが、本発明の目的と精神から逸脱することな
く各種の変更ができることは当業者に理解されるであろ
う。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　ａ）　　アルカリ可溶性の重合体樹脂
   とエチル−３−エトキシプロピオネート中に溶解した光
   活性化合物とからなる放射線感受性組成物を調製し、ｂ
   ）　　この組成物を半導体ウエハー上にスピンコーティ
   ングする各工程からなる半導体ウエハーに放射線感受性
   組成物を均一に付与する方法。
2. 【請求項２】　　光活性化合物がキノンジアジド、ポリ
   オレフィンスルホンまたはフォトアシッド発生剤である
   、請求項１に記載の方法。
3. 【請求項３】　　放射線感受性組成物が色素、すじ防止
   剤、可塑剤、接着促進剤、感度強化剤、溶剤および界面
   活性剤などの群から選ばれた追加の成分をさらに含有す
   る、請求項１に記載の方法。
4. 【請求項４】　　エチル−３−エトキシプロピオネート
   が放射線感受性組成物中約４０〜９９．９重量％存在す
   る、請求項１に記載の方法。
5. 【請求項５】　　キノンジアジドが４，８−ビス（ヒド
   ロキシメチル）−トリシクロ−〔５．２．１．０２．６
   〕デカンのジアゾキノンスルホニルエステルである、請
   求項２に記載の方法。
6. 【請求項６】　　樹脂がフェノール−アルデヒド樹脂で
   ある、請求項１に記載の方法。
7. 【請求項７】　　樹脂がポリヒドロキシスチレンコポリ
   マーである、請求項１に記載の方法。
8. 【請求項８】　　スピンコーティングは１０００〜６０
   ００ｒｐｍのスピン速度で１０〜１８０秒間行われる、
   請求項１に記載の方法。
9. 【請求項９】　　均一な厚みの膜を形成するためにスピ
   ン塗布可能なフォトレジスト組成物が、（ａ）　　重合
   体樹脂（ｂ）　　光活性化合物および（ｃ）　　エチル
   −３−エトキシプロピオネート溶剤からなり、塗膜の厚
   みが極めて均一なものであるフォトレジスト組成物。
10. 【請求項１０】　　エチル−３−エトキシプロピオネー
    ト溶剤がフォトレジスト組成物の４０〜９９．９重量％
    の量で存在する、請求項９に記載のフォトレジスト組成
    物。
11. 【請求項１１】　　重合体樹脂がフェノール−アルデヒ
    ド樹脂である、請求項９に記載のフォトレジスト組成物
    。
12. 【請求項１２】　　重合体樹脂がポリヒドロキシスチレ
    ンコポリマーである、請求項９に記載のフォトレジスト
    組成物。
13. 【請求項１３】　　光活性化合物がキノンジアジド、ポ
    リオレフィンスルホンまたはフォトアシッド発生剤であ
    る、請求項９に記載のフォトレジスト組成物。
14. 【請求項１４】　　さらに色素、すじ防止剤、可塑剤、
    接着促進剤、感度強化剤、溶剤および界面活性剤などの
    群から選ばれた追加の成分を含む、請求項９に記載のフ
    ォトレジスト組成物。
15. 【請求項１５】　　キノンジアジドが４，８−ビス（ヒ
    ドロキシメチル）−トリシクロ〔５．２．１．０２．６
    〕デカンのジアゾキノンスルホニルエステルである、請
    求項１３に記載のフォトレジスト組成物。
16. 【請求項１６】　　均一な厚みの塗膜を形成するために
    スピン塗布可能な重合体組成物が、（ａ）　　重合体樹
    脂および（ｂ）　　エチル−３−エトキシプロピオネー
    ト溶剤とからなり、塗膜の厚みが極めて均一である、重
    合体組成物。