KR19980064555A - 린싱 액 - Google Patents

린싱 액 Download PDF

Info

Publication number
KR19980064555A
KR19980064555A KR1019970073112A KR19970073112A KR19980064555A KR 19980064555 A KR19980064555 A KR 19980064555A KR 1019970073112 A KR1019970073112 A KR 1019970073112A KR 19970073112 A KR19970073112 A KR 19970073112A KR 19980064555 A KR19980064555 A KR 19980064555A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
propylene glycol
water
resist
organic solvent
soluble organic
Prior art date
Application number
KR1019970073112A
Other languages
English (en)
Inventor
야마모토겐지
이가와아키히코
Original Assignee
대머얀
클라리안트인터내셔널리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 대머얀, 클라리안트인터내셔널리미티드 filed Critical 대머얀
Publication of KR19980064555A publication Critical patent/KR19980064555A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 수용성 유기 용매 및 물의 균질 용액을 포함하는 평판인쇄(lithography)용 린싱 액(rinsing solution)에 관한 것이다. 수용성 유기 용매는 내식막(resist) 또는 반사방지막(anti-reflective coating)용 용매 또는 린싱 액으로서 사용된 수 혼화성 유기 용매일 수 있다. 수용성 유기 용매의 바람직한 예는 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 혼합물, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트의 혼합물 및 에틸 락테이트이다. 당해 린싱 액은 경화된 또는 경화되지 않은 불필요한 내식막, 반사방지막 등을 집적회로 소자, 색필터, 액정 표시 소자 등으로부터 또는 내도포성 장치로부터 용해하거나 스트리핑(stripping)하는데 유용하다.

Description

린싱 액
본 발명은 평판인쇄용 린싱 액, 특히 경화된 또는 경화되지 않은 불필요한 내식막, 반사방지막 등을 집적회로 소자, 색필터, 액정 표시 소자 등으로부터 또는 내도포성 장치로부터 용해하거나 스트리핑하는데 유용한 평판인쇄용 린싱 액에 관한 것이다.
평판인쇄술은 통상적으로 집적 회로 소자, 색필터, 액정 표시 소자 등에 사용되었다. 집적회로 소자 등의 제조시, 포지티브- 또는 네가티브형 내식막은 지지체에 직접 또는 지지체상에 반사방지막을 형성한 후, 및 용매를 도포된 층으로부터 베이킹(baking)하여 제거한 후 도포되고, 반사방지막은 임의로 내식막에서 형성되고, 패턴화한(patternwise) 노출은 방사선(예: 자외선, 원자외선, 전자 선, X-레이 등)을 사용하여 도포된 면으로부터 수행되며, 노출된 도막은 공정을 전개시켜 내식막 패턴을 형성한다. 내식막 등을 도포하는 상기 기술된 공정은 다양한 공지된 방법[예: 스핀 코팅(spin-coating), 로울러 코팅(roller-coating), 역 로울러 코팅(reverse roller-coating), 캐스트 코팅(cast coating), 닥터 코팅(doctor-coating), 딥 코팅(dip coating) 등]으로부터 선택된 공지된 방법을 사용하여 수행된다. 예를 들면, 집적 회로 소자의 제조시, 스핀 코팅법은 주로 내식막 도포법으로서 사용된다. 스핀 코팅법에서는, 내식막 형성 용액을 지지체에 적가한 다음, 적가한 내식막 용액을 지지체의 회전에 의한 지지체의 주변으로 캐스팅하여, 과량의 내식막 형성 용액이 지지체의 주변에 산란되고, 따라서 목적하는 두께의 내식막 층이 형성된다. 그러나, 당해 공정에서는, 내식막 형성 용액의 일부가 지지체의 후면으로 흘러가거나, 내식막 형성 용액이 지지체의 여분보다는 지지체의 주변에서 더욱 두껍게 잔존하는 문제가 발생하며, 이를 비드 형성(bead formation)이라고 한다. 그러므로, 지지체의 주변 또는 후면으로부터 불필요한 내식막을 제거하거나 비드를 제거하는 것이 필요하다. 동일한 방법이 색필터, 액정 표시 소자 등의 제조에 적용된다. 스핀 코팅법 이외의 기타 도포법에도 또한, 내식막이 스핀 코팅법에서와 같이 불필요하고 바람직하지 않은 부분에 부착할 수 있다. 또한, 지지체와 내식막 층 사이에서 반사방지막을 사용하는 집적회로의 제조시, 반사방지막은 패턴의 형성 후 제거되어야 한다. 다른 한편으로는, 내식막 형성 용액이 도포 장치에 부착하여, 이를 다음 사용 이전에 세척해야 한다. 유기 용매를 포함한 린싱 액은 이러한 내식막 또는 반사방지막의 제거 또는 유리(delamination), 비드 형성의 방지 및 추가로, 도포 장치의 세척에 바람직하다고 여겨졌고, 그러므로 유기 용매 단독으로 이루어진 린싱 액이 사용되었다(예: 일본 심사 특허 공보 제H4-49938호). 이들 린싱 액은 내식막 또는 반사방지막에 대한 더욱 개선된 용해성 또는 스트리핑 특성을 수득하는데 매우 필요하다.
다른 한편으로는, 반사방지막을 수용액으로부터 형성하는 것이 일본 미심사 특허 공보 제H5-188598호, 제H6-69120호, 제H6-148896호 등에 기재되어 있으며, 최근에는, 수용액이 반사방지막을 형성하는데 더욱더 사용되었다. 수용액으로부터 형성된 반사방지막을 용해하는데 필요한 최단 시간의 바람직한 헹굼 효과를 나타내고 화재에 대한 안전성 및 취급시의 안전성에 대한 요구를 추가로 만족시키는 린싱 액을 제공할 필요도 있었다. 그러나, 통상적인 린싱 액은 이들 요구를 완전히 만족시키지는 못했다.
상기 기술된 결점이 없고, 유기 용매 용액으로부터 형성된 내식막 또는 반사방지 박막 뿐만 아니라 수용액으로부터 형성된 반사방지 박막에 대하여 우수한 용해성 또는 스트리핑 특성을 나타내고, 화재를 일으킬 위험이 덜하여, 소방법(Fire Services Act.) 규정하에서 쉽게 취급될 수 있는 린싱 액을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
본 발명의 다른 목적, 특성 및 장점은 다음의 본 발명의 바람직한 양태의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
집중적인 연구의 결과, 본 발명자들은 물을 자체가 내식막 또는 반사방지 층에 대한 용매 또는 린싱 액으로서 통상적으로 사용되는 수용성 유기 용매에 첨가함으로써 린싱 액을 수득할 수 있으며, 이는 내식막 또는 반사방지 층에서 필수적으로 수용성 유기 용매만으로 이루어진 용액보다 더욱 우수한 용해력 또는 스트리핑 능력을 나타내고, 물의 공존으로 인하여 증가된 인화점을 가져서 화재를 일으킬 위험이 덜하고, 소방법의 조약하에서 개선된 취급 안전성을 제공함을 발견하였고, 이렇게 하여 발견 내용을 기본으로 하여 본 발명을 수득하였다. 즉, 본 발명은 수용성 유기 용매 및 물의 균질 용액을 포함하는 평판인쇄법용 린싱 액을 제공하는 것이다.
수용성 유기 용매로서, 이러한 수 혼화성 유기 용매는 독립적으로 또는 내식막 또는 반사방지막용 용매 또는 린싱 액으로서 사용된 둘 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다. 본 발명에 사용되는 수용성 용매의 예는 프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트(EL), 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 아세톤 등을 포함한다.
상기 기술된 프로필렌 글리콜 알킬 에테르로서는, 예를 들면, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(PGEE), 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 등이 있고, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트로서는, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트 등을 들 수 있다. 이들 둘 이상의 혼합물로서는, 예를 들면, PGME와 PGMEA 또는 PGEE와 PGMEA의 혼합물이 바람직하다.
본 발명에서, 상기 기술된 수용성 유기 용매는 물과 함께 사용된다. 린싱 액 중의 바람직한 물의 함량은 함께 사용된 용매에 따라 변화하고, 따라서 명확한 방법으로 기술될 수 없다. 그러나. 일반적인 지표로서, 물은 수용성 유기 용매 100중량부당 0.5 내지 200중량부의 양으로 사용되며, 0.5 내지 100중량부가 바람직하다. 용매의 특히 특수한 예의 경우에는, PGME와 PGMEA(중량 기준으로 70:30)의 혼합물의 경우 물 25중량부 이하의 양이 바람직하고, PGEE와 PGMEA(중량 기준으로 50:50)의 혼합물의 경우 물 100중량부 이하가 바람직하고, EL의 경우 물 55중량부 이하가 바람직하다. 또한, 메틸 이소부틸 케톤의 경우 물의 함량이 2중량부를 초과하면, 물과 메틸 이소부틸 케톤으로부터의 각각의 분리가 발생하는 경향이 있고, 따라서 물은 바람직하게는 이보다는 2중량부 이하의 양으로 사용된다.
본 발명의 린싱 액은 공지된 포지티브형 내식막, 네가티브형 내식막 및 반사방지막중 어떤 것에도 적용될 수 있다. 본 발명의 린싱 액이 적용 가능한 내식막의 전형적인 예로서, 퀴논디아지드 광감제 및 알칼리 가용성 수지를 포함하는 내식막 및 화학적으로 증폭된 내식막과 같은 포지티브형 내식막 및 감광성 그룹을 갖는 고분자량 화합물(예: 폴리비닐 시나메이트)을 함유하는 내식막, 방향족 아지드 화합물 또는 환화된(cyclized) 고무와 아지드 화합물(예: 비스아지드 화합물)의 혼합물을 함유하는 내식막, 디아조 수지, 첨가 중합 가능한 불포화 화합물을 함유하는 광중합 가능한 조성물을 함유하는 내식막 및 화학적으로 증폭된 네가티브형 내식막과 같은 네가티브형 내식막이 있다.
퀴논디아지드 증감제 및 알칼리 가용성 수지를 포함하는 상기 기술된 내식막은 본 발명의 린싱 액이 적용되는 바람직한 내식막이다. 퀴논디아지드 증감제 및 알칼리 가용성 수지를 포함하는 내식막 물질에 사용되는 퀴논아지드 증감제 및 알칼리 가용성 수지의 예가 하기에 기술된다. 즉, 퀴논디아지드 증감제로서는, 1,2-벤조퀴논디아지드-4-설폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설폰산, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산, 이들 설폰산의 에스테르 또는 아미드 등을 예로 들 수 있고, 알칼리 가용성 수지로서는, 폴리비닐 페놀, 폴리비닐 알콜, 아크릴산 또는 메타크릴산의 공중합체, 하나 이상의 페놀(예: 페놀, o-크레졸, m-그레졸, p-크레졸 및 크실레놀)로부터 제조된 노볼락(Novolak) 수지 및 알데히드(예: 포름알데히드, 파라포름알데히드 등)를 예로 들 수 있다.
화학적으로 증폭된 내식막은 또한 본 발명의 헥굼 용액이 적용 가능한 바람직한 내식막이다. 화학적으로 증폭된 내식막은 방사선에 노출되는 경우, 산이 발생하고 차례로 이러한 산이 산의 촉매적 작용에 의한 화학적 변화로 인한 전개제에 대한 방사선 노출된 부분의 용해도상의 변화를 유발하여, 패턴의 발생을 초래하는 내식막이다. 이의 예로서, 방사선에 노출시 산을 발생시킬 수 있는 산 발생 화합물 및 산의 존재시 분해되어 알칼리 가용성 그룹을 발생시킬 수 있는 산 불안정성 그룹(예: 페놀성 하이드록실 그룹 또는 카복실 그룹)을 갖는 수지를 포함하는 내식막 및 알칼리 가용성 수지, 가교결합제 및 산 발생제를 포함하는 내식막이 있다.
다른 한편으로는, 본 발명의 린싱 액이 적용 가능한 반사방지막으로서, 유기 물질을 포함하는 어떠한 반사방지막도 사용될 수 있다. 이러한 반사방지막으로서는, 유기 용매 또는 수용액으로부터 형성된 반사방지막, 예를 들면, 염료가 첨가되는 폴리암산 또는 폴리부테논산(미국 특허 제4,910,122호), 염료가 첨가되는 공중합체(예: 일본 미심사 특허 공보 제H6-118656호 등), 염료 등을 말레산 무수물 공중합체, 이타콘산 무수물 공중합체, 폴리아크릴레이트 또는 폴리메타크릴레이트에 그래프팅(grafting)함으로써 수득된 그래프트 중합체(미국 특허 제2,751,373호, 제2,811,509호, 제3,763,086호, 제3,854,946호 및 제4,609,614호), 무수물 그룹을 갖는 공중합체와 아미노방향족 발색단의 반응 생성물(미국 특허 제5,294,680호), 수용성 중합체 및 수용성 퍼플루오로카복실산을 포함하는 조성물(일본 미심사 특허 공보 제H5-188598호), 수용성 고 중합체를 함유하는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드와 같은 유기 알칼리 용액의 용액(일본 미심사 특허 공보 제H6-69120호), 수용성 필름 형성 조성물 및 불소 함유 계면활성제를 포함하는 조성물(일본 미심사 특허 공보 제H6-148896호), 퍼플루오로알킬카복실산, 유기 아민 및 폴리비닐피롤리돈을 포함하는 조성물(일본 특허원 제H7-131096호), 퍼플루오로알킬설폰산, 유기 아민, 폴리비닐피롤리돈 및 수용성 알킬실록산 중합체를 포함하는 조성물(일본 특허원 제H8-129056호) 등이 있다. 본 발명에 따른 린싱 액 중의 물의 존재로 수용액으로부터 형성된 막에 대한 우수한 친화도가 제공되고(접촉각은 작다), 그러므로 우수한 린싱 효과가 또한 수용액으로부터 형성된 반사방지막에 대하여 수득될 수 있다.
본 발명의 린싱 액의 적용은 내식막 패턴을 형성하는 방법에 대한 참조로 하기에 기술된다. 우선, 내식막 용액을 임의로 스핀 코팅법과 같은 통상적으로 공지된 도포법에 따라 예비 처리된 규소 지지체, 유리 지지체 등에 도포한다. 반사방지막을 지지체상에 내식막의 도포 전 또는 후에 임의로 형성시킨다. 스핀 코팅법에서, 예를 들면, 내식막 또는 반사방지막의 비드는 지지체의 주변을 따라 형성되는 경향이 있다. 그러나. 사실상 균일한 두께를 갖는 내식막 층 또는 반사방지막은 회전하에서 주변을 따라 형성되는 비드에 본 발명의 린싱 액을 분무함으로써 형성되어 비드의 유동성을 증가시킬 수 있다. 또한, 지지체의 면에 부착된 또는 이의 후면으로 유동하는 내식막 조성물 또는 반사방지막 용액은 여기에 린싱 액을 분무함으로써 제거될 수 있다. 포지티브형 내식막이 사용되는 경우 및 반사방지막이 지지체와 포토레지스트(photoresist) 사이에 삽입되는 경우, 일부의 반사방지막은 노출에 의하여 형성된 패턴화된 내식막으로 덮히지 않고, 후속적인 전개는 당해 린싱 액을 사용하여 습식 방법으로 제거될 수 있다.
지지체에 도포된 내식막은 예를 들면, 열판(hot plate)에서 프리베이킹(prebaking)하여 용매를 제거하며, 이렇게 하여 통상적으로 두께가 1 내지 2.5μ인 내식막 층이 형성된다. 프리베이킹 온도는 사용된 용매 또는 내식막의 종류에 따라 변하나, 통상적으로 프리베이킹은 약 20 내지 약 200℃, 바람직하게는 약 50 내지 150℃에서 수행된다. 이어서 이러한 방법으로 프리베이킹된 내식막을 임의로 마스크(mask)를 통하여, 공지된 조사 장치[예: 고압 수은등, 금속 할라이드등, 초고압 수은등, KrF 엑시머 레이저, 연성 X-레이 조사 장치 또는 전자 빔 인스크라이빙(inscribing) 장치]를 사용하여 패턴화된 노출시킨다. 패턴화된 노출후, 애프터베이킹(after-baking)은 전개성, 분해능, 패턴의 형상 등을 개선시키기 위하여 임의로 수행된다. 이어서, 전개 공정을 수행하여 패턴화된 내식막을 형성한다. 내식막의 전개는 통상적으로 용매 또는 알칼리 용액에 대한 노출된 영역 및 노출되지 않은 영역의 용해도의 차이를 사용하는 전개제를 사용함으로써 수행된다. 알칼리성 전개 용액으로서, 예를 들면, 수용액 또는 수산화나트륨, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 등의 수용액 또는 물 함유 용액이 있다.
상기 기술된 내식막 또는 반사방지막을 지지체에 도포하는데 사용되는 도포 장치는 상이한 도료 조성물을 도포하는데 재사용될 수 있으며, 예를 들면, 내식막 조성물을 도포한 후 반사방지막 조성물을 도포하는데, 하나의 내식막 조성물을 도포한 후 또다른 내식막 조성물을 도포하는데, 또는 반사방지막 조성물을 도포한 후 내식막 조성물을 도포하는데 재사용될 수 있다. 이러한 경우, 도포 장치는 상이한 도포 조성물을 도포하는데 사용하기 전에 세척되어야 하고, 본 발명의 린싱 액은 이러한 경우 또한 효과적으로 사용될 수 있다.
본 발명은 이제 본 발명을 한정한다고 전혀 해석되지 않는 실시예 및 비교 실시예를 참조하여 더욱 상세히 기술된다.
실시예 1
다음 퀴논디아지드 증감제 및 노볼락 수지를 노볼락 수지 100중량부당 퀴논디아지드 증감제 24중량부의 양으로 사용하고, 수득한 혼합물을 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)의 용매에 용해하여 이들 성분 25중량%를 함유하는 용액을 제조하여, 내식막 조성물을 제조한다.
퀴논디아지드 증감제: 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논과 1,2-나프토-퀴논디아지도-5-설포닐 클로라이드의 에스테르화 생성물
노볼락 수지: m-크레졸과 p-크레졸(6/4)의 혼합물과 포름알데히드의 중축합 생성물
이와 같이 제조된 내식막 조성물을 프리베이킹한 후 4in 규소 지지체에 2.6㎛ 두께로 스핀 코팅한 다음, 100℃에서 90초 동안 직접 열판에서 프리베이킹하여 내식막 층을 형성한다. 추가로, 당해 실시예에서는, 내식막 층의 두께는 용해도 시험을 수행하기 위하여 통상적으로 사용되는 두께보다 크다.
이와 같이 제조된 내식막 층에 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(PGEE)와 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA)(5:5) 혼합 용매(용매 A) 및 물로 이루어진 표 1에 나타낸 린싱 액 1-(1) 내지 1-(9)를 사용하여 아래 기술된 용해도 시험에 따라 용해도 시험을 실시하여 표 1에 나타낸 결과를 수득한다.
(용해도 시험)
각각의 린싱 액 0.03㎖를 내식막 층에 적가하고, 기초를 이루는 규소 표면이 노출되는데 필요한 시간(초)을 측정한다. 내식막 층의 두께(Å)를 시간으로 나누어 용해 속도(Å/초)를 결정한다.
비교 실시예 1
린싱 액으로서 용매 A로만 이루어진 무수 린싱 액을 사용함을 제외하고 실시예 1과 동일한 공정을 수행하여 표 1에 나타낸 결과를 수득한다.
린싱 액의 번호 린싱 액의 제제 용해 속도(Å/초)
용매 A(중량부) 물(중량부)
1-(1)1-(2)1-(3)1-(4)1-(5)1-(6)1-(7)1-(8)1-(9) 100100100100100100100100100 2.553.51015203050100 74008800950010000101009800940081006800
비교 실시예 1 100 0 5300
표 1에 나타낸 결과로부터 명백하듯이, 용해 속도는 PGEE와 PGMEA로 구성된 혼합된 용매에 혼입된 물에 의하여 현저히 증가됨을 알 수 있다.
실시예 2
용매 A 대신에 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(PGME)와 PGMEA(7:3)의 혼합된 용매(용매 B)를 사용함을 제외하고 실시예 1에 기술된 것과 동일한 공정을 반복하여 표 2에 나타낸 결과를 수득한다.
비교 실시예 2
린싱 액으로서 물과 혼합하지 않고 용매 B를 단독으로 사용함을 제외하고 실시예 1에 기술된 것과 동일한 공정을 수행하여 표 2에 나타낸 결과를 수득한다.
린싱 액 번호 린싱 액의 제제 용해 속도(Å/초)
용매 B(중량부) 물(중량부)
2-(1)2-(2)2-(3)2-(4)비교 실시예 2 100100100100100 51015200 1310013600130001200011200
표 2에서 나타낸 결과로부터 명확하듯이, 용해 속도는 PGME와 PGMEA의 혼합된 용매에 물을 혼입함으로써 실시예 1에서와 같이 증가된다.
실시예 3
용매 A 대신 에틸 락테이트(EL)를 사용하고 표 3에 나타낸 혼합 비율을 사용함을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 공정을 반복하여 표 3에 나타낸 결과를 수득한다.
비교 실시예 3
헹굼 용액으로서 EL을 단독으로 사용함을 제외하고 실시예 1에서와 동일한 공정을 수행하여 표 3에 나타낸 결과를 수득한다.
린싱 액 번호 린싱 액의 제제 용해 속도(Å/초)
EL(중량부) 물(중량부)
3-(1)3-(2)3-(3)비교 실시예 3 100100100100 1020400 6100580039002800
표 3에 나타낸 결과로부터 명백하듯이, 용해 속도는 물을 EL에 혼입함으로써 증가된다.
실시예 4
폴리리닐 피롤리돈 1중량부, 퍼플루오로옥탄설폰산 4중량부, 2-아미노에탄올 0.35중량부, 수용성 알킬실록산 중합체[Polyflow-KL-245, 교우에이샤 유시(Kyoueisha Yusi)에서 제조] 0.004중량부 및 순수한 물 94.646중량부로 이루어진 반사방지막 형성용 조성물을 4in 규소 지지체에 스핀 코팅시켜 90℃에서 90초 동안 베이킹하여 650Å 반사방지막을 형성한다. 실시예 1 내지 3의 각각의 린싱 액을 당해 반사방지막의 표면에 적가한다. 모든 린싱 액은 반사방지막에 적가한 직후 작은 접촉각을 나타내고, 린싱 액은 반사방지막에 대한 우수한 친화도를 나타내어 무수 린싱 액과 비교하여 원활한 용해를 달성한다.
위에서 설명한 바와 같이, 물을 수용성 유기 용매에 첨가함으로써 제조된 본 발명의 린싱 액은 수용성 유기 용매만으로 이루어진 통상적인 린싱 액과 비교하여, 내식막 층, 반사방지막 등에 대한 더욱 증가된 용해력을 수득하고, 린싱 액이 수용액으로부터 형성된 층에 대한 우수한 친화도를 가져서 층의 원활한 용해를 달성할 수 있다는 장점이 있다.
또한, 린싱 액 중의 물의 존재는 린싱 액의 인화점을 증가시키며, 이는 린싱 액을 소방법의 규약하에서 및 사용되는 생산 부지 및 공장에서 용이하게 취급할 수 있도록 한다.
본 발명은 이의 특정 양태에 대한 참조로 상기에 기술되었으나, 많은 변경, 개질 및 변화가 본원에 기술된 본 발명의 개념을 벗어나지 않고 이루어진다는 것은 명확하다. 따라서, 이는 첨부된 특허청구의 범위의 의도 및 넓은 영역 내에 있는 모든 이러한 변경, 개질 및 변화를 포함함을 의도한다.

Claims (7)

  1. 수용성 유기 용매와 물의 균질 용액을 포함하는 평판인쇄(lithography)용 린싱 액(rinsing solution).
  2. 제1항에 있어서, 수용성 유기 용매가 프로필렌 글리콜 알킬 에테르, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 에틸 락테이트, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤 및 아세톤으로부터 선택된 하나 이상의 용매인 평판인쇄용 린싱 액.
  3. 제2항에 있어서, 수용성 유기 용매가 프로필렌 글리콜 알킬 에테르와 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트와의 혼합물인 평판인쇄용 린싱 액.
  4. 제3항에 있어서, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르이고, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트인 평판인쇄용 린싱 액.
  5. 제3항에 있어서, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르가 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르이고, 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트가 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트인 평판인쇄용 린싱 액.
  6. 제2항에 있어서, 수용성 유기 용매가 에틸 락테이트인 평판인쇄용 린싱 액.
  7. 제1항에 있어서, 내식막 층(resist layer) 또는 반사방지막(anti-reflective coating)을 용해시키거나 스트리핑(stripping)하는 데 사용되는 평판인쇄용 린싱 액.
KR1019970073112A 1996-12-26 1997-12-24 린싱 액 KR19980064555A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-347576 1996-12-26
JP8347576A JPH10186680A (ja) 1996-12-26 1996-12-26 リンス液

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050109065A Division KR100593280B1 (ko) 1996-12-26 2005-11-15 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980064555A true KR19980064555A (ko) 1998-10-07

Family

ID=18391158

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970073112A KR19980064555A (ko) 1996-12-26 1997-12-24 린싱 액
KR1020050109065A KR100593280B1 (ko) 1996-12-26 2005-11-15 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050109065A KR100593280B1 (ko) 1996-12-26 2005-11-15 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5964951A (ko)
EP (1) EP0851305B1 (ko)
JP (1) JPH10186680A (ko)
KR (2) KR19980064555A (ko)
CN (1) CN1191891A (ko)
DE (1) DE69728634T2 (ko)
SG (1) SG55429A1 (ko)
TW (1) TW393592B (ko)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6815151B2 (en) 1997-09-05 2004-11-09 Tokyo Ohika Kogyo Co., Ltd. Rinsing solution for lithography and method for processing substrate with the use of the same
KR100594815B1 (ko) * 1999-12-24 2006-07-03 삼성전자주식회사 포토레지스트 린스용 씬너 및 이를 이용한 포토레지스트막의 처리 방법
US6274296B1 (en) 2000-06-08 2001-08-14 Shipley Company, L.L.C. Stripper pretreatment
US6350560B1 (en) 2000-08-07 2002-02-26 Shipley Company, L.L.C. Rinse composition
KR100638243B1 (ko) * 2000-11-20 2006-10-24 주식회사 동진쎄미켐 액정 디스플레이 디바이스용 레지스트 세정액 조성물
KR20090036153A (ko) * 2001-05-11 2009-04-13 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 후막 포토레지스트 및 그의 사용방법
US6682876B2 (en) * 2001-12-14 2004-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thinner composition and method of stripping a photoresist using the same
KR100483846B1 (ko) * 2002-10-15 2005-04-19 삼성전자주식회사 신너 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 스트립핑 방법
JP4146198B2 (ja) * 2002-09-11 2008-09-03 富士通株式会社 マグネシウム合金材リサイクル用の被塗装マグネシウム合金材塗膜除去方法
KR20050047120A (ko) * 2002-09-19 2005-05-19 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 반도체 기판 스택에서 이미지층을 제거하는 방법
KR101215429B1 (ko) 2003-10-20 2012-12-26 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거용 씬너 조성물
KR100718639B1 (ko) 2004-10-27 2007-05-16 주식회사 이엔에프테크놀로지 안료 분산형 감광제 제거용 세정제 조성물
CN100340340C (zh) * 2004-10-29 2007-10-03 中国石油化工股份有限公司 一种积炭清洗剂及其在失活催化剂再生过程中的应用
JP2007034066A (ja) * 2005-07-28 2007-02-08 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd リソグラフィー用洗浄液
JP4588590B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-01 ダイセル化学工業株式会社 リソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤
KR20070081572A (ko) * 2006-02-13 2007-08-17 삼성전자주식회사 슬릿 코터 세정제, 표시장치 제조용 슬릿 코터 및표시장치의 제조방법
CN100459057C (zh) * 2006-05-22 2009-02-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆表面的清洗方法
DE102008042356A1 (de) 2008-09-25 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
NL2003421A (en) * 2008-10-21 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and a method of removing contamination.
TW201039076A (en) * 2010-07-08 2010-11-01 Rong yi chemical co ltd Photoresist stripper
DE102010041528A1 (de) 2010-09-28 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit optimierter Justagemöglichkeit
DE102012216286A1 (de) 2011-09-30 2013-04-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage mit optimiertem Messsystem
JP5914073B2 (ja) * 2012-03-16 2016-05-11 株式会社ブリヂストン 洗浄液組成物
DE102012212758A1 (de) 2012-07-20 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Systemkorrektur aus langen Zeitskalen
CN104779178B (zh) * 2014-01-13 2018-10-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 底部防反射层形成方法
CN106211598B (zh) * 2016-08-31 2019-01-18 广东成德电子科技股份有限公司 一种印制电路板的有机退膜剂及其制备方法
CN106959591B (zh) * 2017-04-11 2020-10-27 安徽高芯众科半导体有限公司 一种黄光制程光刻机零部件正光阻再生方法
CN109433663A (zh) * 2018-10-30 2019-03-08 深圳市路维光电股份有限公司 掩膜版制程槽清洗方法
CN113741157A (zh) * 2021-08-11 2021-12-03 泗洪明芯半导体有限公司 一种芯片制程中环境友好的定影方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2751373A (en) * 1953-11-25 1956-06-19 Eastman Kodak Co Light-sensitive polymers for photomechanical processes
US2811509A (en) * 1954-06-11 1957-10-29 Eastman Kodak Co Light-sensitive polymers for photography
US3763086A (en) * 1961-10-05 1973-10-02 Oreal Colored organic polyanhydride polymers
US3854946A (en) * 1970-11-27 1974-12-17 Upjohn Co Process for chemically bonding a dyestuff to a polymeric substrate
US3980587A (en) * 1974-08-16 1976-09-14 G. T. Schjeldahl Company Stripper composition
DE3012522A1 (de) * 1980-03-31 1981-10-08 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren und entwicklerloesung zum entwickeln von belichteten negativ arbeitenden diazoniumsalzschichten
US4910122A (en) * 1982-09-30 1990-03-20 Brewer Science, Inc. Anti-reflective coating
US4786580A (en) * 1983-12-27 1988-11-22 Hoechst Celanese Corporation Method of developing imaged diazo material with propanol containing developer composition
US4550069A (en) * 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US5066561A (en) * 1984-06-11 1991-11-19 Hoechst Celanese Corporation Method for producing and using a positive photoresist with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US4592787A (en) * 1984-11-05 1986-06-03 The Dow Chemical Company Composition useful for stripping photoresist polymers and method
US4609614A (en) * 1985-06-24 1986-09-02 Rca Corporation Process of using absorptive layer in optical lithography with overlying photoresist layer to form relief pattern on substrate
DE3537441A1 (de) * 1985-10-22 1987-04-23 Hoechst Ag Loesemittel zum entfernen von photoresists
DE3667109D1 (en) * 1985-10-28 1989-12-28 Hoechst Celanese Corp Liquid for the treatment of a photoresist composition, and process therefor
US4983490A (en) * 1985-10-28 1991-01-08 Hoechst Celanese Corporation Photoresist treating composition consisting of a mixture of propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate
US5039594A (en) * 1985-10-28 1991-08-13 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist containing a mixture of propylene glycol alkyl ethers and propylene glycol alkyl ether acetate
US4822723A (en) * 1987-11-30 1989-04-18 Hoechst Celanese Corporation Developer compositions for heavy-duty lithographic printing plates
US4886728A (en) * 1988-01-06 1989-12-12 Olin Hunt Specialty Products Inc. Use of particular mixtures of ethyl lactate and methyl ethyl ketone to remove undesirable peripheral material (e.g. edge beads) from photoresist-coated substrates
JPH01296246A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Dainippon Printing Co Ltd 感材の現像方法
US5294680A (en) * 1992-07-24 1994-03-15 International Business Machines Corporation Polymeric dyes for antireflective coatings
DE9304878U1 (ko) * 1993-03-31 1993-06-09 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt, De

Also Published As

Publication number Publication date
KR100593280B1 (ko) 2006-06-28
DE69728634D1 (de) 2004-05-19
JPH10186680A (ja) 1998-07-14
SG55429A1 (en) 1998-12-21
US5964951A (en) 1999-10-12
DE69728634T2 (de) 2005-04-21
CN1191891A (zh) 1998-09-02
EP0851305B1 (en) 2004-04-14
EP0851305A1 (en) 1998-07-01
TW393592B (en) 2000-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100593280B1 (ko) 평판인쇄용 린싱 및 스트리핑 방법
TWI417682B (zh) 微細化圖案之形成方法及用於它之光阻基板處理液
KR100578264B1 (ko) 석판 인쇄용 세정제
KR101405696B1 (ko) 레지스트 조성물
EP0442952B1 (en) Positive-working photoresists employing a selected mixture of ethyl lactate and ethyl 3-ethoxy propionate as casting solvent
US5215856A (en) Tris-(hydroxyphenyl) lower alkane compounds as sensitivity enhancers for o-quinonediazide containing radiation-sensitive compositions and elements
US4847178A (en) Positive photosensitive o-quinone diazide composition with benzotriazole carboxylic acid or alkyl ester
JP3192505B2 (ja) 半導体素子製造用パターン形成方法
JPH07333840A (ja) ポジ型ホトレジスト組成物
JPH06321835A (ja) 4−(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサノンの選択されたフェノール系誘導体及び放射線感受性混合物のための感受性増強剤としてのその使用
JPH1184640A (ja) 反射防止膜形成用塗布液
US5234789A (en) Polylactide compounds as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures containing o-quinonediazide photoactive compounds
KR20070098586A (ko) 리소그래피용 세정제 또는 린스제
JP3069581B2 (ja) 染色されたポジ型i−線感光性混合物
US5063138A (en) Positive-working photoresist process employing a selected mixture of ethyl lactate and ethyl 3-ethoxy propionate as casting solvent during photoresist coating
JP4588590B2 (ja) リソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤
JP2001117241A (ja) リソグラフィー用リンス液
JPH03249654A (ja) ポジ型放射線感応性組成物及びこれを用いたパタン形成方法
JPH04328747A (ja) 均一にコートされたフォトレジスト組成物
US5256521A (en) Process of developing a positive pattern in an O-quinone diazide photoresist containing a tris-(hydroxyphenyl) lower alkane compound sensitivity enhancer
JP2001117242A (ja) リソグラフィー用洗浄剤
WO1990013058A1 (en) Hexahydroxybenzophenone compounds as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures
JPS6286823A (ja) 微細パタ−ン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
J201 Request for trial against refusal decision
J121 Written withdrawal of request for trial