JP4643467B2 - リソグラフィー用洗浄液、およびこれを用いた基材の洗浄方法、並びに薬液供給装置の洗浄方法 - Google Patents
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Description
300mmシリコンウェーハ上に、ノボラック樹脂を基材樹脂とするi線用レジストである、TDMR−AR3000(東京応化工業社製)を塗布し、レジスト膜を形成した。この基材に対して、下表1に示したリソグラフィー用洗浄液を用いて、カップ洗浄及び基板端縁部(エッジ)洗浄を行った。なお、カップ洗浄に関しては、洗浄液と1分間接触させることにより洗浄処理を行い、エッジ洗浄に関しては、洗浄液と10秒間接触させることにより洗浄処理を行った。その結果を、カップ洗浄については目視により観察し、エッジ洗浄に関しては、洗浄後の洗浄性、上面部残渣、さらには側面(Bevel)部残渣を、それぞれCCDカメラ(キーエンス社製)を用いて観察し、それぞれ評価した。結果を、同表1中に示す。
300mmシリコンウェーハ上に、ポリヒドロキシスチレンを基材樹脂とするKrF用レジストである、TDUR−P015(東京応化工業社製)を塗布し、レジスト膜を形成した。この基材に対して、下表2に示したリソグラフィー用洗浄液を用いて、カップ洗浄及び基板端縁部(エッジ)洗浄を行った。なお、カップ洗浄に関しては、洗浄液と1分間接触させることにより洗浄処理を行い、エッジ洗浄に関しては、洗浄液と10秒間接触させることにより洗浄処理を行った。その結果を、カップ洗浄については目視により観察し、エッジ洗浄に関しては、洗浄後の洗浄性、上面部残渣、さらには側面(Bevel)部残渣を、それぞれCCDカメラ(キーエンス社製)を用いて観察し、それぞれ評価した。結果を、同表2中に示す。
300mmシリコンウェーハ上に、アクリル樹脂を基材樹脂とするArF用レジストである、TARF−P6111(東京応化工業社製)を塗布し、レジスト膜を形成した。この基材に対して、下表3に示したリソグラフィー用洗浄液を用いて、カップ洗浄及び基板端縁部(エッジ)洗浄を行った。なお、カップ洗浄に関しては、洗浄液と1分間接触させることにより洗浄処理を行い、エッジ洗浄に関しては、洗浄液と10秒間接触させることにより洗浄処理を行った。その結果を、カップ洗浄については目視により観察し、エッジ洗浄に関しては、洗浄後の洗浄性、上面部残渣、さらには側面(Bevel)部残渣を、それぞれCCDカメラ(キーエンス社製)を用いて観察し、それぞれ評価した。結果を、同表3中に示す。
300mmシリコンウェーハ上に、シリコン原子含有ポリマーを基材樹脂とするSi含有レジストである、TARF−SC127(東京応化工業社製)を塗布し、レジスト膜を形成した。この基材に対して、下表4に示したリソグラフィー用洗浄液を用いて、カップ洗浄及び基板端縁部(エッジ)洗浄を行った。なお、カップ洗浄に関しては、洗浄液と1分間接触させることにより洗浄処理を行い、エッジ洗浄に関しては、洗浄液と10秒間接触させることにより洗浄処理を行った。その結果を、カップ洗浄については目視により観察し、エッジ洗浄に関しては、洗浄後の洗浄性、上面部残渣、さらには側面(Bevel)部残渣を、それぞれCCDカメラ(キーエンス社製)を用いて観察し、それぞれ評価した。結果を、同表4中に示す。
300mmシリコンウェーハ上に、アクリル系ポリマーを基材樹脂とする反射防止膜形成材料である、ARC29A(BrewerScience社製)を塗布し、反射防止膜を形成した。この基材に対して、下表5に示したリソグラフィー用洗浄液を用いて、カップ洗浄及び基板端縁部(エッジ)洗浄を行った。なお、カップ洗浄に関しては、洗浄液と1分間接触させることにより洗浄処理を行い、エッジ洗浄に関しては、洗浄液と10秒間接触させることにより洗浄処理を行った。その結果を、カップ洗浄については目視により観察し、エッジ洗浄に関しては、洗浄後の洗浄性、上面部残渣、さらには側面(Bevel)部残渣を、それぞれCCDカメラ(キーエンス社製)を用いて観察し、それぞれ評価した。結果を、同表5中に示す。
300mmシリコンウェーハ上に、フッ素原子含有アルカリ可溶性ポリマーを基材樹脂とする保護膜形成用材料である、TILC−031(東京応化工業社製)を塗布し、保護膜を形成した。この基材に対して、下表6に示したリソグラフィー用洗浄液を用いて、カップ洗浄及び基板端縁部(エッジ)洗浄を行った。なお、カップ洗浄に関しては、洗浄液と1分間接触させることにより洗浄処理を行い、エッジ洗浄に関しては、洗浄液と10秒間接触させることにより洗浄処理を行った。その結果を、カップ洗浄については目視により観察し、エッジ洗浄に関しては、洗浄後の洗浄性、上面部残渣、さらには側面(Bevel)部残渣を、それぞれCCDカメラ(キーエンス社製)を用いて観察し、それぞれ評価した。結果を、同表6中に示す。
〔カップ洗浄性能〕
○:カップ内に付着した汚染物の除去ができた。
×:カップ内に付着した汚染物の除去ができなかった。
〔エッジ洗浄性〕
○:塗膜の洗浄性能は良好であった。
△:塗膜の洗浄除去は可能だが、ガタツキが見られた。
〔エッジ上面部残渣(:エッジ上残渣)〕
○:残渣なかった。
△:残渣あった。
〔エッジ側面部残渣(:エッジ横残渣)〕
○:残渣なかった。
△:残渣あった。
●:洗浄剤の乾燥が不完全で、乾燥シミが見られた。
×:塗膜そのものの除去ができていなかった。
300mmシリコンウェーハ上に、反射防止膜形成材料であるARC29A(BrewerScience社製)を塗布し、続いて10秒間、実施例1a及び比較例1aと同様の洗浄液と接触させることにより基板端縁部の洗浄処理を行った。その後、215℃にて60秒間加熱処理することにより膜厚77nmの反射防止膜を形成した。該反射防止膜上にArF用レジスト組成物であるTARF−P6111(東京応化工業社製)を塗布し、続いて10秒間、実施例1a及び比較例1aと同様の洗浄液と接触させることにより基板端縁部の洗浄処理を行った。その後、130℃にて90分間加熱処理することにより膜厚215nmのレジスト膜を形成した。さらにこの上層に保護膜形成用材料である、TILC−031(東京応化工業社製)を塗布し、続いて10秒間、実施例1a及び比較例1aと同様の洗浄液と接触させることにより基板端縁部の洗浄処理を行った。その後、90℃にて60秒間加熱処理することにより膜厚35nmの保護膜を形成した。こうした処理により、図2に示すようなスタック構造の基材を形成した。
2 反射防止膜
3 レジスト膜
4 レジスト保護膜
5 シリコンウェーハエッジ部
6 反射防止膜エッジ部
7 レジスト膜エッジ部
8 レジスト保護膜エッジ部
Claims (10)
- (A)ケトン系有機溶剤、(B)ラクトン系有機溶剤、及び(C)アルコキシベンゼン及び芳香族アルコールの中から選ばれる少なくとも1種の有機溶剤を含有することを特徴とするリソグラフィー用洗浄液。
- 前記(A)成分が、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノンの中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 前記(A)成分が、メチルエチルケトン及び/又はシクロヘキサノンであることを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 前記(B)成分が、γ−ブチロラクトンであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 前記(C)成分が、アニソールであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 前記(A)成分が3〜60質量%であり、前記(B)成分が3〜40質量%であり、前記(C)成分が20〜90質量%であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 液浸リソグラフィー法を用いた基材製造における洗浄工程において用いられることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のリソグラフィー用洗浄液。
- 液浸リソグラフィー法を用いた基材製造における洗浄工程において、請求項1から7のいずれか1項に記載のリソグラフィー用洗浄液を用いて、基材の洗浄を行うことを特徴とする基材の洗浄方法。
- 前記洗浄工程が、基材上に塗膜を形成した後の基板裏面部または端縁部あるいはその両方に付着した不要の塗膜の除去工程、基材上に塗膜を形成した後の基材上に存する塗膜全体の除去工程、及び塗膜形成用材料を塗布する前の基材洗浄工程の中から選ばれる少なくとも1つの洗浄工程であることを特徴とする請求項8に記載の基材の洗浄方法。
- 液浸リソグラフィー法を用いた基材製造において、請求項1から7のいずれか1項に記載のリソグラフィー用洗浄液を用いて、塗膜を形成するための薬液供給装置の洗浄を行うことを特徴とする薬液供給装置の洗浄方法。
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