FR2799554A1 - Composition d'elimination de photoresist et procede pour eliminer un photoresist au moyen de cette composition - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne une composition d'élimination de photorésist formée d'un mélange d'acétone, de y-butyro-lactone et d'un solvant consistant en un ester.Elle concerne également un procédé d'élimination de photorésist au moyen de cette composition.Application : élimination totale et rapide d'un photorésist d'un substrat sans altération ou contamination de ce substrat.
Description
présente invention a pour objet une composition d'élimination de photorésist destinée à être utilisée pour éliminer un photorésist d'un substrat tel qu'une tranche de silicium, ainsi qu'un procédé d'élimination de photorésist au moyen de cette composition.
Dans la production de dispositifs à semiconducteurs tels des circuits intégrés (IC), des circuits intégrés à grande échelle (LSI) ou des dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD), des photorésists sont utilisés couramment comme matière de masque de revêtement. Dans un procédé usuel pour la fabrication de par photolithographie au moyen d'un photorésist, le photorésist est déposé régulièrement sur une couche d'un métal conducteur ou une couche diélectrique formée sur un substrat, de manière à former sur cette couche une couche de photorésist. Puis le solvant présent dans la couche de photorésist est vaporisé par un procédé de cuisson douce de manière à stabiliser la couche de photorésist. Après le procédé de cuisson douce, la couche de photorésist est exposée à un rayonnement UV, un faisceau d'électrons, des rayons X, etc., puis est soumise à un procédé de développement pour former un motif de photorésist le substrat. La couche de métal conducteur ou la couche diélectrique est ensuite soumise à une attaque sélective en utilisant le motif de photorésist comme masque, pour former des motifs de circuits sous forme de lignes fines Le photorésist inutile est ensuite éliminé au moyen une composition d'élimination.
Dans le procédé de photolithographie, il est nécessaire d'éliminer le photorésist inutile du bord ou de la face postérieure de la tranche après le procédé de cuisson douce. Le photorésist inutile, qui reste sur le bord ou la face postérieure de la tranche, engendre des défauts au cours d'un procédé ultérieur d'attaque ou d'implantation d'ions, ce qui diminue le rendement. A des fins d'élimination de ce photorésist inutile, une composition d'elimination contenant un solvant organique est couramment utilisée.
D'autre part, pour réutiliser les tranches, qui sont des tranches défectueuses obtenues par la mise en #uvre du procédé de photolithographie, ou bien qui sont mises arbitrairement de côté pour un test prédéterminé, le photorésist appliqué sous forme d'un revêtement sur la surface de la tranche doit être éliminé au moyen d' composition d'élimination.
Lorsque motif de photorésist provenant du procède de développement est soumis à une cuisson après exposition (CAE) à une température élevée, à une implantation d'ions et à un rayonnement UV profond (DUV), le motif photorésist durci est rendu plus résistant à un solvant organique par réticulation.
Lors de 1 élimination du photorésist durci, un solvant contenant des hydrocarbures halogénés et des hydrocarbures phénoliques a été utilisé dans l'art antérieur. Cependant, l'utilisation d'un tel type de solvant est désavantageuse car elle engendre des conditions dangereuses de travail et des problèmes d'environnement en raison de la matiere résiduaire.
Des compositions d'élimination acides ou alcalines peuvent également être utilisées pour éliminer le photorésist durci. Cependant, les compositions d'élimination acides ou alcalines peuvent corroder un métal sous-jacent sur le substrat, pouvant consister en couche d'aluminium (Al) ou une couche d'un alliage métallique contenant du cuivre (Cu) ou du tungstène (W). Cela peut limiter la capacité de formation de circuits d'interconnexion de microcâblage.
Lorsqu'un solvant organique usuel est utilisé comme agent d'élimination de photorésist, un solvant organique tel que l'alcool isopropylique doit être utilisé comme solution de rinçage. Ainsi, le procédé de rinçage devient complexe et se pose un problème de sécurite lors des opérations de travail.
Certains agents chimiques ou solvants classiques destinés à etre utilisés comme agents d'élimination de photorésist ont sur le photorésist durci un effet de dissolution très lente ou bien provoquent une dissolution incomplète ce photorésist durci. Ces résidus de photorésist provenant du procédé d'élimination sont pas éliminés totalement au cours des procédés suivants, ce qui a un effet nefaste sur la fiabilité d'un dispositif en termes de propriétés électriques.
En conséquence, il existe un besoin d'une composition d'élimination de photorésist permettant d'éliminer totalement et rapidement le photorésist durci du substrat sans provoquer d'altération ou de contamination du substrat.
La densité d'intégration des dispositifs à semi conducteurs augmentant, la fabrication des dispositifs à semiconducteurs devient complexe avec la nécessité de motifs de lignes fines. En outre, pour des dispositifs à semiconducteurs de un ou plus de 1 gigabit, des dimensions de motif ayant une norme de conception égale ou inférieur à 0,2 um ne peuvent être atteintes par un résist classique qui est sensible à la lumière provenant d'un laser à eximère au (248 nm). Pour cette raison, une technique nouvelle de photolithographie utilisant un laser à eximère à ArF (193 nm) comme source de lumière d'exposition a été proposée.
En conséquence, il existe un besoin d'une composition d'élimination de photorésist pouvant être utilisée, quelle que soit la polarité du photorésist, pour divers photorésists comprenant des photorésists classiques, tels qu'un résist à ligne i et un résist à ligne G, contenant une résine Novolaque au crésol comme constituant principal, et des résists amplifiés chimiquement sensibles à un laser à eximère ou une source de lumière d'exposition consistant en DUV, la composition d'élimination de photorésist ayant également sur ces photorésists un effet de grande solubilité.
Pour résoudre les problèmes précités, un premier ectif de la présente invention consiste à proposer une composition d'élimination de photorésist capable d'éliminer efficacement et rapidement un photorésist présent sous forme d'un revêtement sur un substrat, quels que soient le type et la polarité du photorésist.
Un deuxième objectif de la présente invention consiste a proposer une composition d'élimination de photorésist capable d'éliminer efficacement et de maniere sûre un photorésist présent sous forme d'un revêtement sur un substrat, à l'état durci ou non durci, sans provoquer d'altération ou de contamination d'une couche sous-jacente.
Un troisième objectif de la présente invention consiste à proposer une composition d'élimination de photorésist capable d'éliminer de manière effective et efficace un photorésist d'une tranche au cours d'une étape de rinçage sur le bord ou la face postérieure de la tranche, ou pendant un procédé de retraitement de tranches qui ont des défauts ou qui ont été utilisées auparavant à des fins d'essai.
Un quatrième objectif de la présente invention consiste à proposer un procédé d'élimination d'un photorésist, permettant d'éliminer efficacement un photorésist d'un substrat sans la nécessité mettre en #uvre un procédé de rinçage supplémentaire avec un solvant organique entre l'étape d'élimination.
Pour atteindre les objectifs précités de présente invention, il est proposé une composition d'élimination de photorésist comprenant un mélange d'acétone, de y- butyrolactone et d'un solvant consistant en un ester.
De préférence, le solvant consistant en un ester comprend un ester d'acide acétique. De préférence, le solvant consistant en un ester comprend au moins un ester choisi dans le groupe consistant en l'acétate de n-butyle, l'acétate d'amyle, l'acéto-acétate d'éthyle, 1 acétate isopropyle et l'acétate d'éther monométhylique de propylène-glycol.
Avantageusement, le mélange de la composition élimination de photorésist comprend : 3 à 35 % poids d'acétone, 2 à 13 % en poids de y-butyrolactone et 55 à en poids de solvant consistant en un ester, sur la base du poids total du mélange.
De préférence, le mélange de la composition élimination de photorésist comprend : 8 à 15 % en poids d'acétone, 4 à 7 % en poids de y-butyrolactone et 89 à 90 % en poids de solvant consistant en un ester, sur la base du poids total du mélange.
De préférence, la composition d'élimination de photorésist comprend en outre un agent tensioactif. Suivant un autre aspect de la présente invention, il est proposé un procédé d'élimination de photorésist, comprenant la pulvérisation d'une composition d'élimination de photorésist comprenant un mélange d'acétone, de y- butyrolactone et d'un solvant consistant en un ester sur un substrat en rotation à une vitesse relativement faible, de manière à éliminer le photorésist du substrat. La rotation du substrat est interrompue pendant une brève période de temps, et la composition d'élimination de photorésist est pulvérisée sur le substrat en rotation à une vitesse relativement grande. Puis le substrat est rincé à l'eau pure. De préférence, après l'interruption de la rotation du substrat pendant une brève période de temps, le procédé d'élimination de photorésist comprend en outre le séchage centrifuge du substrat.
De préférence, après la pulvérisation de la composition d'élimination de photorésist sur le substrat en rotation à une vitesse relativement grande, le procédé élimination de photorésist comprend en outre le séchage centrifuge du substrat.
La composition d'élimination de photorésist conforme à présente invention est efficace pour éliminer divers photorésists à température ambiante. En outre, la composition d'élimination de photorésist a un effet de grande vitesse de dissolution et est très volatile et, ainsi, elle ne reste pas sur la surface de la tranche après l'étape d'élimination. De plus, le procédé d'élimination de photorésist au moyen de la composition d'élimination de photorésist permet d'éliminer totalement le photorésist inutile de la surface de la tranche, et ce photorésist inutile est éliminé en mettant seulement en #uvre une simple étape de rinçage à l'eau, ce qui simplifie le procédé total.
D'autres caractéristiques et avantages ressortiront de description détaillée qui va suivre, faite regard des dessins annexés sur lesquels la figure 1 est une vue en coupe representant les parties principales d'une unité d'élimination usuelle du type à pulvérisation par buse ; et la figure 2 est un diagramme illustrant un procédé élimination d'un photorésist suivant une forme préférée de réalisation de la présente invention.
La présente invention propose une composition d'élimination de photorésist, à base d'un solvant organique. La composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention, qui consiste en un melange d'acétone, de y-butyrolactone et d'un solvant consistant en un ester, est utilisable efficacement avec divers types de photorésists à température ambiante (dans 1 intervalle de 20 à 40 C).
Chaque constituant de la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention peut jouer le yole d'agent d'élimination. La y-butyrolactone, qui est connue comme solvant des résines synthétiques, présente un haut point d'inflammation et est relativement stable comme solvant. L'innocuité de la butyrolactone est mise en évidence par les résultats obtenus d'un test cutané et d'une absorption pendant mois, indiquant l'absence d'effet toxique sur l'organisme humain. Certaines propriétés physiques la y butyrolactone sont les suivantes : densité égale à 1,128, point d'ébullition égal à 204 C, point d'inflammation égal 98 C à une pression proche du vide, et égal a 457 C à la pression atmosphérique, et viscosité égale à 70 cP à C.
L'acétone est soluble dans l'éther et est bien connue comme solvant pour les résines, le caoutchouc, matières plastiques, des pigments, etc., et comme agent de dissolution de l'acétylène. Certaines propriétes physiques de l'acétone sont les suivantes : densité égale à 0,792, point d'ébullition égal à 56,5 C, point d'inflammation égal à -15 C à une pression proche du vide et égal 465 C à la pression atmosphérique et viscosité égale à 0,337 cP à 25 C.
La composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention utilise des esters d'acide acétique comme solvant organique.
Les solvants consistant en esters, qui peuvent être utilisés pour la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention, comprennent 'acétate de n-butyle, l'acétate d'amyle, l'acéto-acétate d'éthyle, l'acétate d'isopropyle et l'acétate d'éther monométhylique propylène-glycol.
De préférence, la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention comprend : 3 à en poids d'acétone, de préférence 8 à 15 % en poids ; 2 à 13 % en poids de y-butyrolactone, de préférence 4 à 7 en poids ; et 55 à 95 % en poids d'un solvant consistant en un ester, de préférence 80 à 90 % en poids, la base du poids total de la composition.
La composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention peut comprendre outre un constituant auxiliaire, par exemple un agent tensioactif, de la manière requise.
Les inventeurs ont trouvé que les effets synergiques de chaque constituant de la composition élimination permettent l'utilisation générale de la composition élimination de photorésist sur n'importe quel type de photorésist, et divers photorésists peuvent etre éliminés rapidement en raison des grandes vitesses de dissolution de composition. En d'autres termes, la composition d'elimination de photorésist conforme à la présente invention permet éliminer efficacement un photorésist formé de divers polymères organiques du substrat. Les photoresists formés de polymères organiques sont classés fondamentalement en deux types . les photorésists à travail négatif et les photorésists à travail positif. En fonction la source de rayonnement, ces photorésists à travail négatif et ces photorésists à travail positif sont classés résists à ligne G, résists à ligne i, résists sensibles au rayonnement ultraviolet profond (DUV), résists sensibles à un faisceau d'électrons, résists sensibles aux rayons X et résists sensibles à un faisceau ionique. La composition d'élimination de photorésist conforme à présente invention permet d'éliminer efficacement n'importe lequel des photorésists énumérés ci-dessus.
Dans le domaine de la lithographie, la composition de la couche au-dessous de la couche de photorésist, formée de polymères organiques, doit être prise en considération lors du choix d'une composition d'élimination appropriée. La composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention est utilisable même lorsque la couche sous-jacente est formée d'une couche d'un métal, par exemple d'aluminium, d'un alliage d'aluminium, de cuivre ou d' alliage de cuivre, en plus du cas où la couche sous- jacente est formée d'une couche d'une matière usuelle telle une couche de silicium, une couche d'un oxyde de silicium, une couche d'un nitrure de silicium et une couche de polysilicium. La composition d'elimination de photorésist conforme à la présente invention permet d'éliminer efficacement le photorésist sans provoquer d'altération ou de contamination de telles couches sous- jacentes.
Les capacités de dissolution des constituants qui peuvent être utilisés pour la composition élimination de photorésist conforme à la présente invention ont été mesurées séparément en rapport avec divers photorésists. résultats sont présentés sur le tableau
<U>TABLEAU <SEP> 1</U>
<tb> Composant <SEP> Vitesse <SEP> de <SEP> dissolution, <SEP> Â/s
<tb> Résist <SEP> à <SEP> Résist <SEP> sensible <SEP> aux <SEP> DUV
<tb> ligne <SEP> i
<tb> SS88A7 <SEP> UV <SEP> III <SEP> SEPR-402 <SEP> SEPR-430S
<tb> -butyro- <SEP> 15163 <SEP> 9180 <SEP> 8463 <SEP> 5600
<tb> lactone
<tb> Acétone <SEP> 15163 <SEP> 9<B>1</B>80 <SEP> 5833 <SEP> 6743
<tb> Acétate <SEP> de <SEP> 2146 <SEP> 529 <SEP> 204 <SEP> <B>1</B>388
<tb> n-butyle En particulier, la capacité de dissolution a .été testée pour les constituants efficaces, consistant en y- butyrolactone et acétone, de la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention.
<tb> Composant <SEP> Vitesse <SEP> de <SEP> dissolution, <SEP> Â/s
<tb> Résist <SEP> à <SEP> Résist <SEP> sensible <SEP> aux <SEP> DUV
<tb> ligne <SEP> i
<tb> SS88A7 <SEP> UV <SEP> III <SEP> SEPR-402 <SEP> SEPR-430S
<tb> -butyro- <SEP> 15163 <SEP> 9180 <SEP> 8463 <SEP> 5600
<tb> lactone
<tb> Acétone <SEP> 15163 <SEP> 9<B>1</B>80 <SEP> 5833 <SEP> 6743
<tb> Acétate <SEP> de <SEP> 2146 <SEP> 529 <SEP> 204 <SEP> <B>1</B>388
<tb> n-butyle En particulier, la capacité de dissolution a .été testée pour les constituants efficaces, consistant en y- butyrolactone et acétone, de la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention.
résists utilisés pour l'essai étaient un résist à ligne i obtenu sous la référence SS880A7 (Smimoto CO., Japon) et trois résists sensibles aux DUV obtenus sous les références UV (Shipley Company Inc., Japon), SEPR-402 (ShinEtsu Co. Japon) et SEPR-430S (ShinEtsu CO., Japon). En outre, l'acétate de n-butyle, qui est un solvant organique classique disponible pour la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention, a été soumis au meure essai.
Pour l'essai de capacité de dissolution, chaque résist a été appliqué sous forme d'un revêtement sur une tranche de silicium de manière à être présent en une épaisseur suffisante (à une vitesse de rotation de tranche de 2000 tr/min pendant 30 secondes) pour préparer des échantillons. Les échantillons obtenus ont été soumis à une cuisson douce à 160 C pendant 3 minutes, et de la y- butyrolactone, de l'acétone et de l'acétate de n-butyle ont été appliqués à chacun des échantillons. Les vitesses de dissolution des constituants ont été mesurées en utilisant un appareil de mesure de vitesse de dissolution (MVD) à 25 C. La température de 25 C a été maintenue pendant la totalité du procédé de mesure.
résultats figurant sur le tableau 1 montrent que chacun des constituants testés a une capacité de dissolution vis-à-vis de tous les résists utilisés pour l'essai. Tous les constituants testés pour la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention ont des vitesses de dissolution relativement plus élevées vis-à-vis du résist à ligne i que vis-à-vis résists sensibles aux DUV.
I1 faut noter d'après le tableau 1 que chaque constituant ayant une capacité de dissolution vis-à-vis divers photorésists contribuera à un effet synergique dans l'élimination du photorésist d'une tranche lors de 'incorporation à la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention. L'effet synergique de chaque constituant dans la composition élimination de photorésist est mis en évidence sur le tableau 2.
Le tableau 2 présente la capacité de dissolution une composition d'élimination de photorésist particulière conforme à la présente invention vis-à-vis de divers photorésists. La composition d'élimination de photoresist particulière testée consistait en un mélange de 5 % en poids de y-butyrolactone, 10 % en poids d'acétone et 85 en poids d'acétate de n-butyle, sur la base du poids total du mélange.
<U>TABLEAU <SEP> 2</U>
<tb> Epaisseur <SEP> Vitesse <SEP> de <SEP> Epaisseur
<tb> Résist <SEP> intiale <SEP> du <SEP> dissolution, <SEP> résist
<tb> résist, <SEP> Â <SEP> l1/s <SEP> 1 <SEP> seconde
<tb> dissolution, <SEP> À
<tb> Résist <SEP> SEPR-402 <SEP> 7000 <SEP> >6800 <SEP> 0
<tb> sensible
<tb> aux <SEP> DUV
<tb> SEPR-430 <SEP> 8300 <SEP> >8300 <SEP> 0
<tb> UV <SEP> 111 <SEP> 5500 <SEP> >5500 <SEP> 0
<tb> à <SEP> ip-2680 <SEP> 16000 <SEP> >16000 <SEP> 0
<tb> i
<tb> ip-3300 <SEP> 12000 <SEP> >12000 <SEP> 0
<tb> i-7010 <SEP> 32000 <SEP> >32000 <SEP> 0
<tb> i-900 <SEP> 5000 <SEP> >5000 <SEP> 0 Les résists utilisés pour l'essai de capacité de dissolution de la composition d'élimination de photoresist étaient des resists sensibles aux DUV obtenus sous les références SEPR-402 (ShinEtsu Co. Japon), SEPR-430 (ShinEtsu Co., Japon) et UV III (Shipley Company ., Japon), et résists à ligne i obtenus sous les références ip 2680 (Tokyo Ohka Kogyo Co., Japon), ip-3300 (Tokyo Ohka Kogyo Co., Japon), i-7010 (Mitsubishi Denki Co., Japon) i-900 (Dong-gin Chemicals Co., Corée).
<tb> Epaisseur <SEP> Vitesse <SEP> de <SEP> Epaisseur
<tb> Résist <SEP> intiale <SEP> du <SEP> dissolution, <SEP> résist
<tb> résist, <SEP> Â <SEP> l1/s <SEP> 1 <SEP> seconde
<tb> dissolution, <SEP> À
<tb> Résist <SEP> SEPR-402 <SEP> 7000 <SEP> >6800 <SEP> 0
<tb> sensible
<tb> aux <SEP> DUV
<tb> SEPR-430 <SEP> 8300 <SEP> >8300 <SEP> 0
<tb> UV <SEP> 111 <SEP> 5500 <SEP> >5500 <SEP> 0
<tb> à <SEP> ip-2680 <SEP> 16000 <SEP> >16000 <SEP> 0
<tb> i
<tb> ip-3300 <SEP> 12000 <SEP> >12000 <SEP> 0
<tb> i-7010 <SEP> 32000 <SEP> >32000 <SEP> 0
<tb> i-900 <SEP> 5000 <SEP> >5000 <SEP> 0 Les résists utilisés pour l'essai de capacité de dissolution de la composition d'élimination de photoresist étaient des resists sensibles aux DUV obtenus sous les références SEPR-402 (ShinEtsu Co. Japon), SEPR-430 (ShinEtsu Co., Japon) et UV III (Shipley Company ., Japon), et résists à ligne i obtenus sous les références ip 2680 (Tokyo Ohka Kogyo Co., Japon), ip-3300 (Tokyo Ohka Kogyo Co., Japon), i-7010 (Mitsubishi Denki Co., Japon) i-900 (Dong-gin Chemicals Co., Corée).
Pour l'essai de capacité de dissolution la composition d'élimination de photorésist, chaque résist a été appliqué sous forme d'un revêtement sur une tranche de silicium de manière à être présent en une épaisseur suffisante (à une vitesse de rotation de tranche de 2000 tr/min pendant 30 secondes) pour préparer des échantillons. Les essais obtenus ont été soumis a une cuisson douce à 160 C pendant 3 minutes, et la composition d'élimination de photorésist a été étalée sur chacune des tranches en utilisant une technique de pulvérisation par buse à 25 C. Puis les vitesses de dissolution de la composition d'élimination de photorésist vis-à-vis des différents résists ont été mesurées en utilisant un appareil de mesure de vitesse de dissolution (MVD). La température de 25 C a été maintenue pendant la totalité du procédé de mesure.
Le tableau 2 montre que tous les résists testés sont dissous totalement en un temps de 1 seconde avec la composition d'élimination de photorésist. Ce résultat indique que le mélange des constituants de la composition d'élimination a des effets synergiques dans l'élimination de photorésists d'une tranche.
La composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention peut être utilisée pour éliminer des photorésists adhérant à, ou appliqués sous forme d'un revêtement sur, la surface de tranches consistant en tranches défectueuses obtenues par la mise en #uvre d'un procède de photolithographie, ou qui été prises arbitrairement pour un essai de gestion de procédé, ce qui permet le recyclage des tranches.
composition d'élimination de photoresist conforme à la présente invention peut être utilisée efficacement pour éliminer le photorésist inutile du bord ou de la face postérieure d'une tranche après un procedé de cuisson douce.
En outre, la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention est également efficace pour éliminer un motif de photorésist durci, qui persiste après utilisation comme masque d'attaque pour soumettre à la formation d'un motif la couche sous-jacente par photolithographie.
Un procédé d'élimination de photorésist au moyen de la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention est décrit ci-après par référence aux dessins annexés.
La figure 1 est une vue en coupe représentant les parties principales d'une unité d'élimination usuelle du type à pulvérisation par buse, qui est disponible pour mettre en #uvre le procédé d'élimination de photorésist conforme à la présente invention.
En se référant à la figure 1, une unité d'élimination 100 comprend un godet d'écoulement 10. Un plateau tournant 12 destiné à porter une tranche T placée sur plateau est installé dans le godet d'écoulement 10. Le plateau tournant 12 peut être soumis à une rotation sous 'action d'un moteur 14. Une buse 22 est placée approximativement au- dessus du centre du plateau tournant 12, pour appliquer la composition d'élimination de photorésist par buse 22 sur la tranche T installée sur le plateau tournant 12.
En outre, l'unité d'élimination 100 comprend une buse de rinçage des bords 24 pour pulvériser une solution de rinçage des bords sur la tranche T, et une buse de rinçage de la face postérieure 26 pour pulvériser une solution de rinçage de la face postérieure sur la tranche T.
La figure 2 est un diagramme de fonctionnement illustrant une forme préférée de réalisation d'un procédé d'élimination du photorésist inutile d'une tranche conformément à la présente invention, en utilisant l'unité d'élimination 100 représentée sur la figure . Le procédé d'elimination de photorésist conforme à la présente invention, qui est décrit maintenant, est utilisable pour éliminer le motif de masque de photorésist une tranche a été utilisé comme masque d'attaque pour soumettre à la formation d'un motif la couche sous-jacente au cours d'un procédé de photolithographie. Le procédé élimination de photorésist peut également être utilisé dans un procédé de retraitement de tranches, qui ont été éliminées après la mise en #uvre du procédé de photolithographie en raison de défauts ou qui ont été mises de côté pour un essai de gestion de procédé.
Le procédé d'élimination de photorésist conforme à la présente invention comprend une étape d'élimination par rotation à faible vitesse<B>110,</B> une étape d'élimination par rotation à grande vitesse 120 et une étape de rinçage S6. En particulier, dans l'étape 110, un substrat, par exemple la tranche de silicium T, qui est revêtu d'un photorésist, est placé sur le plateau tournant 12 de l'unité d'élimination 100 de la manière représentée la figure 1. Puis une composition d'élimination de photorésist est étalée sur la tranche T par la buse 22 pendant un temps d'environ 10 à 20 secondes avec rotation simultanée de la tranche T à une vitesse relativement faible, comprise dans l'intervalle d'environ 1200 à 1500 tr/min (sous-étape Sl). Dans ce cas, la tranche étant soumise à une rotation sur le plateau tournant 12, la composition d'élimination de photorésist est appliquée uniformément sur tranche T sous l'action de la force centrifuge. La composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention, qui a été décrite auparavant, peut être utilisée pour le procédé d'élimination de photorésist. Dans la forme de réalisation de la présente invention, la composition d'élimination de photorésist, consistant en un mélange de y-butyrolactone, d'acétone et d'acétate de n- butyle, est appliquée à température ambiante. titre d'exemple, la composition d'élimination de photorésist utilisée dans la forme de réalisation de la présente invention comprend 5 % en poids de y-butyrolactone, % en poids d'acetone et 85 % en poids d'acétate de n-butyle, sur la base du poids total du mélange.
Puis la rotation du plateau tournant est interrompue pendant un temps d'environ 20 à 30 secondes (sous-étape S2). Dans la sous-étape S2, le photorésist sur la tranche T est dissous par la composition d'élimination de photorésist. Puis le plateau tournant 12 est soumis à une rotation à une vitesse plus élevée, de telle sorte que la tranche T soit soumise à un séchage centrifuge (sous- étape S3).
Pour l'élimination du résidu de photorésist de la tranche T, l'étape d'élimination par rotation à grande vitesse est mise en #uvre. En particulier, la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention est étalée uniformément sous la tranche T par buse 22 pendant un temps d'environ 10 à 20 secondes, avec rotation simultanée de la tranche T à une vitesse relativement grande, comprise par exemple dans l'intervalle d'environ 2000 à 2500 tr/min (sous-étape S4). Puis le plateau tournant 12 est soumis à une rotation à une vitesse plus élevée, de telle sorte que la tranche T soit soumise a un séchage centrifuge (sous-étape S5).
Après l'étape d'élimination par rotation à grande vitesse 120, la tranche T est soumise à un procédé de rinçage à l'eau pure pour éliminer toutes les substances organiques de la tranche T (étape S6). Puis le plateau tournant 12 est soumis à une rotation à une vitesse plus élevée pour soumettre à un séchage centrifuge la tranche T, de telle sorte que 'eau pure utilisée dans l'étape de rinçage S6 soit totalement éliminée (étape S7).
Toutes les étapes S1 à S7 décrites ci-dessus peuvent être mises en #uvre à température ambiante.
Le procédé d'élimination de photorésist conforme à la présente invention comprend deux étapes procédé d'élimination, à savoir l'étape d'élimination par rotation à faible vitesse<B>110</B> et l'étape d'élimination par rotation à grande vitesse 120 et, ainsi, le photorésist inutile peut être éliminé totalement de la tranche T. En outre, la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention est extrêmement volatile, ce qui fait qu'une quantité pratiquement nulle de cette composition reste sur la tranche T après l'élimination du photorésist inutile. L'etape de rinçage S6 avec de l'eau pure, qui est mise en #uvre après le procédé d'élimination, est suffisante pour éliminer la substance organique restante de la surface la tranche T, sans la nécessité d'effectuer un rinçage avec un solvant organique tel que l'alcool isopropylique (IPA). L'étape de rinçage S6 est simple dans le procédé élimination de photorésist conforme à la présente invention.
La composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention est utilisable pour un rinçage des bords d'une tranche au moyen de la buse de rinçage de bords 24 de l'unité d'élimination 100 représentée sur la figure 1. Dans ce cas, la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention est étalée sur le bord de la tranche T par la buse de rinçage de bords 24. En résultat, le photorésist restant est éliminé uniformément du bord de la tranche T en contact avec la composition d'élimination distribuée par la buse de rinçage de bords 24, de telle sorte que la surface de la tranche devienne lisse.
D'autre part, la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention peut être utilisée pour un rinçage de la face postérieure d'une tranche en utilisant la buse de rinçage de face postérieure 26 l'unité d'élimination 100 représentée sur figure 1. Comme dans le procédé de rinçage des bords, le résidu de photorésist peut être éliminé uniformément de la face posterieure de la tranche T, en laissant une surface lisse dépourvue de solvants organiques.
De la manière décrite ci-dessus, la composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention est utilisable efficacement à température ambiante avec divers photorésists. La composition d'élimination de photorésist présente une grande vitesse de dissolution et est extrêmement volatile et, ainsi, la composition d'élimination de photorésist persiste à peine sur surface de la tranche. La composition d'élimination de photorésist conforme à la présente invention peut être efficace dans un procédé d'élimination d'un masque de photorésist, un procédé de retraitement, un procédé de rinçage des bords d'une tranche, un procédé de rinçage de la face postérieure d'une tranche, etc.
procédé d'élimination de photorésist conforme à la présente invention permet d'éliminer totalement le photorésist inutile d'une tranche par deux étapes du procédé d'élimination, à savoir une étape d'élimination par rotation à faible vitesse et une étape d'élimination par rotation à grande vitesse. En outre, le procédé d'élimination de photorésist ne nécessite pas l'addition d'une étape de rinçage avec un solvant organique. Pour le procédé d'élimination de photorésist de la présente invention, l'utilisation d'eau pure est suffisante pour éliminer par rinçage les substances organiques de la surface d'une tranche. En conséquence, le procédé total peut etre simplifié comparativement un procédé d'élimination classique qui comprend une étape de rinçage avec un solvant organique.
I1 va de soi que la présente invention 'a été décrite qu'à titre explicatif, mais nullement limitatif, et que de nombreuses modifications peuvent y être apportées sans sortir son cadre.
Claims (1)
- REVENDICATIONS Composition d'élimination de photorésist, caractérisée en ce qu'elle comprend un mélange d'acétone, de y-butyrolactone et d'un solvant consistant en un ester. . Composition d'élimination de photorésist suivant revendication 1, caractérisée en ce que le solvant consistant en un ester comprend un ester d'acide acétique. . Composition d'élimination de photorésist suivant revendication 2, caractérisée en ce que le solvant consistant en un ester comprend au moins un ester choisi dans le groupe consistant en l'acétate de n-butyle, l'acétate d'amyle, l'acéto-acétate d'éthyle, l'acétate d'isopropyle et l'acétate d'éther monométhylique de propylène-glycol. . Composition d'élimination de photorésist suivant la revendication 1, caractérisée en ce que le mélange comprend à 35 % en poids d'acétone ; 2 à 13 % en poids de y-butyrolactone ; et 55 à 95 % en poids de solvant consistant en un ester, sur la base du poids total du mélange. . Composition d'élimination de photorésist suivant la revendication 1, caractérisée en ce que le mélange comprend à 15 % en poids d'acétone, 4 à 7 % en poids de y-butyrolactone ; et 80 à 90 % en poids de solvant consistant en un ester, sur la base du poids total du mélange. . Composition d'élimination de photorésist suivant la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre un agent tensioactif. Procédé d'élimination de photorésist, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant (a) à pulvériser une composition d'élimination photorésist comprenant un mélange d'acétone, de y-butyro lactone et d'un solvant consistant en un ester sur un substrat en rotation à une vitesse relativement faible, de manière à éliminer le photorésist du substrat ; (b) à interrompre la rotation du substrat pendant une brève période de temps ; (c) à pulvériser la composition d'elimination de photorésist sur le substrat en rotation une vitesse relativement grande ; et (d) à rincer le substrat avec de l'eau pure. 8. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après l'étape (b), le séchage centrifuge du substrat. 9. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après l'étape (c), le séchage centrifuge du substrat. 10. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce que, dans l'étape (a), le substrat est soumis à une rotation à une vitesse de 1200 à 1500 tr/min. 11. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce que, dans l'étape (c), le substrat est soumis à une rotation à une vitesse de 2000 2500 tr/min. 12. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape (a) est mise #uvre pendant un temps de 10 à 20 secondes. 13. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape (b) en mise #uvre pendant un temps de 20 à 30 secondes 14. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce que l'étape (c) est mise #uvre pendant un temps de 10 à 20 secondes. 15. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce que la composition d'élimination de photorésist comprend 3 à 35 % en poids d'acétone ; 2 à 13 % en poids de y-butyrolactone ; et 55 à 95 % en poids de solvant consistant en un ester, sur la base du poids total du mélange. Procédé d'élimination de photorésist suivant revendication 7, caractérisé en ce que la composition comprend en outre un agent tensioactif. Procédé d'élimination de photorésist suivant revendication 7, caractérisé en ce que le solvant consistant en un ester présent dans la composition d'élimination de photorésist comprend au moins un ester choisi dans le groupe consistant en l'acétate de n-butyle, l'acétate d'amyle, l'acéto-acétate d'éthyle, l'acétate d'isopropyle et l'acétate d'éther monométhylique de propylène-glycol. Procédé d'élimination de photorésist suivant la revendication 7, caractérisé en ce que le mélange comprend à 15 % en poids d'acétone ; 4 à 7 % en poids de y-butyrolactone ; et 80 à 90 % en poids d'acétate de n-butyle, sur la base du poids total du mélange.
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