KR101720967B1 - 기판 처리액 및 이것을 사용한 레지스트 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 현상 후의 레지스트 기판 표면에 잔존하는 레지스트 잔사를 효율적으로 제거할 수 있고, 또 패턴의 미세화도 가능한 레지스트 기판 처리액 및 이것을 사용한 레지스트 기판의 처리 방법을 제공하는 것이다. 이 현상 완료 레지스트 패턴을 갖는 레지스트 기판을 처리하기 위한 레지스트 기판 처리액은 현상 후의 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머를 포함하여 이루어진다. 현상 처리 후의 레지스트 기판을 이 레지스트 기판 처리액에 접촉시키고, 물 등의 린스액으로 세정을 함으로써 기판 표면의 레지스트 잔사를 효율적으로 제거할 수 있다. 용매로서는 물이 바람직하게 사용되고, 폴리머로서는 수용성 폴리머가 바람직하게 사용된다.

Description

기판 처리액 및 이것을 사용한 레지스트 기판 처리 방법{Substrate processing liquid and method for processing resist substrate using same}
본 발명은 반도체 등의 제조 프로세스 등에 있어서, 현상 완료의 레지스트 기판을 처리하고, 기판 표면에 부착되는 잔사 또는 잔막을 제거하기 위한 레지스트 기판 처리액, 및 이것을 사용한 레지스트 기판의 처리 방법에 관한 것이다.
LSI 등의 반도체 집적 회로나, FPD 표시면의 제조, 컬러 필터, 서멀 헤드 등의 회로 기판의 제조 등을 비롯한 폭넓은 분야에서, 미세 소자의 형성 또는 미세 가공을 하기 위해서, 종래부터 포토리소그래피 기술이 이용되었다. 포토리소그래피법에 있어서는 레지스트 패턴을 형성하기 위해서 포지티브형 또는 네거티브형의 감광성 수지 조성물이 사용되고 있다.
최근, 각종 장치의 소형화에 따라 반도체 집적 회로의 고집적화의 요구가 높고, 여기에 응하기 위해 레지스트 패턴도 더욱 미세한 것이 요구되게 되었다. 그러나, 레지스트 패턴을 더욱 미세한 것으로 하려고 하면, 문제도 일어나기 더욱 쉬워진다.
예를 들면, 레지스트 패턴 제조 과정에 있어서 현상 처리가 행하여지지만, 이 때에 제거되어야 하는 레지스트의 일부가 잔사로서 기판 표면에 부착 또는 잔존하여, 원하는 레지스트 패턴을 얻을 수 없는 경우가 있다. 또한, 형성되는 홈부가 좁을 경우에는 패턴간에 브릿징이 발생하는 경우가 있다. 이들은 레지스트 조성물에 포함되는 성분의 현상액에 대한 용해성이 낮은 것이나, 기판 등에 기인하는 광간섭에 의해 원하는 부분에 광의 조사가 불충분해지는 것 등에 기인하는 것이다. 또, 형성되는 레지스트 패턴의 폭이 미세한 경우에는 그 패턴이 파괴되는 경우도 있다. 이들의 잔사 등은 결함으로 이어지는 경우도 있어, 수율의 저하로 연결되어 바람직하지 못하다.
그래서 이러한 문제를 방지하기 위해서, 레지스트 조성물에 포함되는 레지스트 수지의 개량, 잔사를 저감시킬 수 있는 그 밖의 성분의 사용, 현상 공정에 있어서의 현상 방법의 변경, 현상액의 개량, 반사 방지막 등의 중간층을 사용함으로써 층 구조의 개량 등, 잔사 생성을 감소시키는 방법이 여러가지 검토되고 있다.
또 현상 처리 후의 기판을 린스액에 의해 처리하는 것도 검토되고 있다. 이 방법에서는 계면활성제 등을 포함하는 린스액으로 레지스트 표면을 처리하고, 레지스트 패턴의 파괴를 막고, 잔사를 제거하는 것이 행하여지는 경우가 있다. 그렇지만, 이러한 린스액에 의한 처리에서는 잔사를 완전히 제거할 수 없는 경우도 있다. 이것은 레지스트 조성물의 종류, 노광, 현상 등의 조건에 따라, 기판 위에 잔존하는 잔사가 두께 수nm 내지 10nm에나 이르는 잔막이 되는 경우가 있기 때문이다.
상기한 바와 같이, 종래의 방법으로 완전히 제거할 수 없었던 레지스트 잔사를 완전히 제거하고, 제조되는 디바이스의 수율 저하를 억제하기 위해서, 두꺼운 레지스트 잔막이어도 완전히 제거할 수 있는 현상 완료 레지스트 기판의 처리 방법 및 이것에 사용되는 처리액이 기대되었다.
본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액은 현상 완료 포토레지스트 패턴을 가지는 레지스트 기판을 처리하기 위한 것으로서, 상기 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와, 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
또 본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법은 현상 처리 후의 레지스트 기판을, 상기 레지스트 기판의 표면에 존재하는 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와, 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머를 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액에 의해 처리하고, 세정하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명에 의한 레지스트 잔사의 제거 방법은 현상 처리 후의 레지스트 기판을, 상기 레지스트 기판의 표면에 존재하는 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와, 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머를 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액에 접촉시켜, 린스 처리를 함으로써, 레지스트 기판 표면에 부착되는 레지스트 잔사를 제거하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명에 의한 레지스트 패턴 치수의 조정 방법은 현상 처리 후의 레지스트 기판을, 상기 레지스트 기판의 표면에 존재하는 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와, 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머를 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액에 접촉시켜, 린스 처리를 함으로써, 레지스트 패턴의 표면을 제거하고, 레지스트 패턴의 치수를 조정하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따르면, 현상 후의 레지스트 기판의 표면에 부착된 레지스트의 잔사 또는 잔막을 완전히 제거할 수 있고, 깨끗한 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 그 결과, 제조되는 디바이스 등의 수율 저하를 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액은 기판 표면에 형성된 레지스트 패턴 및 레지스트 잔사와 혼합층을 형성하고, 그 후의 세정 공정에 있어서 형성된 혼합층이 제거된다. 이 때문에, 레지스트 잔사가 제거됨과 동시에, 레지스트 패턴의 외측 표면이 층 형상으로 제거되기 때문에, 레지스트 패턴의 폭을 미세화할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액을 사용함으로써, 레지스트 패턴의 폭을 제어하는 것이 가능해진다.
본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법을 상세하게 설명하면 아래와 같다.
본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법은 현상 후의 레지스트 패턴에 대하여 레지스트 기판 처리액에 의한 처리를 하는 것이다. 레지스트 패턴을 현상하여, 원인이 되는 패턴을 형성시키기 위한 방법은 특별히 한정되지 않고, 임의의 방법으로 행할 수 있다. 따라서, 원 패턴을 형성시키는 리소그래피 공정은 공지의 포지티브형의 감광성 수지 조성물, 네거티브형의 감광성 수지 조성물을 사용하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법으로서 알려진 어느 것이어도 좋다. 본 발명의 레지스트 기판 처리액이 적용되는 대표적인 패턴 형성 방법을 들면, 다음과 같은 방법을 들 수 있다.
우선, 필요에 따라서 전처리된 실리콘 기판, 유리 기판 등의 기판의 표면에, 감광성 수지 조성물을 스핀 코트법 등 종래부터 공지의 도포법으로 도포하여, 감광성 수지 조성물층을 형성시킨다.
본 발명의 패턴 형성 방법으로는 종래 알려져 있는 어떤 감광성 수지 조성물을 사용할 수도 있다. 본 발명의 패턴 형성 방법에 사용되는 감광성 수지 조성물의 대표적인 것을 예시하면, 포지티브형에서는 예를 들면, 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지로 이루어지는 것, 화학증폭형 감광성 수지 조성물 등을 들 수 있고, 네거티브형으로는 예를 들면, 폴리신남산비닐 등의 감광성 기를 가지는 고분자 화합물을 포함하는 것, 방향족 아지드 화합물을 함유하는 것 또는 환화(環化) 고무와 비스아지드 화합물로 이루어지는 아지드 화합물을 함유하는 것, 디아조 수지를 포함하는 것, 부가 중합성 불포화 화합물을 포함하는 광중합성 조성물 등을 들 수 있다.
여기서 퀴논디아지드계 감광제와 알칼리 가용성 수지로 이루어지는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 있어서 사용되는 퀴논디아지드계 감광제의 예로서는 1,2-벤조퀴논디아지드-4-설폰산, 1,2-나포토퀴논디아지드-4-설폰산, 1,2-나포토퀴논디아지드-5-설폰산, 이들의 설폰산의 에스테르 또는 아미드 등을, 또 알칼리 가용성 수지의 예로서는 노볼락 수지, 폴리비닐페놀, 폴리비닐알코올, 아크릴산 또는 메타크릴산의 공중합체 등을 들 수 있다. 노볼락 수지로서는 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 크실레놀 등의 페놀류의 1종 또는 2종 이상과, 포름알데히드, 파라포름알데히드 등의 알데히드류의 1종 이상으로 제조되는 것을 바람직한 것으로서 들 수 있다.
또, 화학증폭형의 감광성 수지 조성물은 포지티브형 및 네거티브형 어느 것이나 본 발명의 패턴 형성 방법에 사용할 수 있다. 화학증폭형 레지스트는 방사선 조사에 의해 산을 발생시키고, 이 산의 촉매작용에 의한 화학 변화에 의해 방사선 조사 부분의 현상액에 대한 용해성을 변화시켜 패턴을 형성하는 것으로, 예를 들면, 방사선 조사에 의해 산을 발생시키는 산 발생 화합물과, 산의 존재하에서 분해하는 페놀성 하이드록실기 또는 카르복실기와 같은 알칼리 가용성기가 생성되는 산 감응성기 함유 수지로 이루어지는 것, 알칼리 가용 수지와 가교제, 산 발생제로 이루어지는 것을 들 수 있다.
기판 위에 형성된 감광성 수지 조성물층은 예를 들면 핫플레이트상에서 프리베이크되어 감광성 수지 조성물 중의 용매가 제거되어, 포토레지스트막이 된다. 프리베이크 온도는 사용하는 용매 또는 감광성 수지 조성물에 따라 다르지만, 통상 20 내지 200℃, 바람직하게는 50 내지 150℃ 정도의 온도로 행하여진다.
또, 필요에 따라서 감광성 수지 조성물층의 상층 또는 하층에 반사 방지막이 도포 형성되어도 좋다. 이러한 반사 방지막에 의해 단면 형상 및 노광 마진을 개선할 수 있다.
포토레지스트막은 그 후, 고압 수은등(i-선, g-선), 메탈할라이드 램프, 초고압 수은 램프, 원자외선 광원, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, 연(軟)X선 조사 장치, 전자선 묘화장치 등 공지의 조사 장치를 사용하여, 필요에 따라 마스크를 개재하여 노광이 행하여진다.
노광 후, 필요에 따라 베이킹을 한 후, 예를 들면 퍼들 현상 등의 방법으로 현상이 행하여지고, 레지스트 패턴이 형성된다. 레지스트의 현상은 통상 알카리성 현상액을 사용하여 행하여진다. 알칼리성 현상액으로서는 예를 들면 수산화나트륨, 수산화테트라메틸암모늄(TMAH) 등의 수용액이 사용된다.
현상 처리 후, 필요에 따라서 린스액, 바람직하게는 순수를 사용하여 레지스트 패턴 린스(세정) 처리가 행하여진다. 이 린스 처리는 레지스트 패턴에 부착된 현상액을 세정하기 위해서 행하여지는 것이다. 또, 본 발명에 있어서는 이 현상 후에 행하는 린스 처리를, 본원발명의 처리액을 적용한 후에 행하는 린스 처리(상세한 것은 후술)와 구별하기 위해서, 현상 후 린스 처리라고 한다. 현상 후에 사용되는 레지스트 기판 처리액이 현상액에 의해 오염되는 것을 막고, 또 최소량의 레지스트 기판 처리액에 의해 처리를 하기 위해서는 현상 후, 처리액에 의한 처리를 하기 전에, 순수에 의한 현상 후 린스 처리를 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법에 있어서는 현상 후의 레지스트 패턴을 특정한 레지스트 기판 처리액에 접촉시킨다. 일반적으로, 현상 후, 또는 순수에 의한 현상 후 린스 처리 후, 건조를 하지 않고 레지스트 기판 처리액에 접촉시키지만, 필요에 따라서, 현상 직후, 또는 현상 후 린스 처리 후에 한번 건조시키고 나서 처리액에 접촉시킴으로써도 본 발명의 효과를 얻을 수 있다.
본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법은 임의의 패턴 사이즈를 가지는 레지스트 패턴에도 적용할 수 있다. 그렇지만, 특히 정밀한 표면 성상이나 사이즈가 요구되는 미세한 레지스트 패턴에 대하여 적용한 경우에 현저한 개량 효과를 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법은 이러한 미세한 레지스트 패턴이 형성되는 리소그래피 공정, 즉, 노광 광원으로서, KrF 엑시머 레이저나 ArF 엑시머 레이저, 또 X선, 전자선 등을 사용하는 250nm 이하의 노광 파장에서의 노광을 포함하는 리소그래피 공정을 조합하는 것이 바람직하다. 또, 레지스트 패턴 치수로 보면, 라인 앤드 스페이스 패턴에 있어서의 선 폭의 스페이스부가 300nm 이하, 바람직하게는 200nm 이하, 또는 콘택트 홀 패턴에 있어서의 구멍 직경이 300nm 이하, 바람직하게는 200nm 이하인 레지스트 패턴을 형성하는 리소그래피 공정을 포함하는 것이 바람직하다.
레지스트 패턴의 막 두께 등은 사용되는 용도 등에 따라서 적절하게 선택되는데, 일반적으로 0.05 내지 5㎛, 바람직하게는 0.1 내지 2.5㎛, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 1.5㎛의 막 두께가 선택되지만, 이들에 한정되지 않고, 필요에 따라서 적당히 조정하는 것이 가능하다.
본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법에 있어서는 레지스트 패턴을 현상한 후, 현상에 의해 형성된 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와, 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머를 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액을 사용하여 처리한다.
본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액은 현상에 의해 형성된 레지스트 패턴의 형상을 유지한 채, 불필요한 레지스트 잔사를 제거하는 것을 목적의 하나로 하는 것이다. 이 때문에, 레지스트 기판 처리액의 대부분의 비율을 차지하는 용매는 현상에 의해 형성된 레지스트 패턴을 용해하지 않는 것이 필요하다. 여기에서, 용매가 레지스트 패턴을 용해하지 않으면 그 용매가 레지스트 패턴에 접촉했을 때에 막 두께 또는 치수를 실질적으로 변화시키지 않는 것을 말한다. 여기서 레지스트 폴리머와 패턴의 용해성은 통상 일치한다. 이 때문에 레지스트 패턴의 용해성은 레지스트 패턴을 구성하는 레지스트 폴리머의 용해성으로 판단할 수 있다. 구체적으로는 본 발명에 있어서는 레지스트 패턴을 형성시키는데도 사용되었던 레지스트 폴리머의 용매에 대한 용해도가 실온에서 1중량% 이하일 때, 이 용매가 레지스트 패턴을 용해하지 않는 것으로 한다.
이러한 용매는 상기한 조건을 충족시키는 것이면 특별히 한정되지 않고, 임의의 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는 처리하고자 하는 포토레지스트 패턴의 종류에 의존하지만, 일반적으로, 물, 알코올, 에테르, 알칸, 시클로알칸, 및 그 혼합물로부터 선택된다. 알코올로서는 구체적으로는 메틸알코올, 에틸에탄올, 이소프로필 알코올, 부틸 알코올, 옥틸 알코올 등을 들 수 있다. 또한, 물과 알코올의 혼합 용매, 예를 들면 메틸 알코올-물, 이소프로필 알코올-물 등의 혼합 용매를 사용할 수도 있다. 또한, 폴리머로서 물에 녹기 어려운 것을 사용하는 경우에는 용제로서, 에테르, 알칸, 시클로알칸, 물에 난용성의 고급 알코올, 및 이들의 혼합물로부터 선택할 수 있다. 구체적으로는 디부틸에테르, 디프로필에테르, 디헥실에테르, 탄소수8 이상의 직쇄 또는 분기쇄 알코올, 헵탄, 옥탄, 테트랄린 등을 사용할 수 있다. 또 페가졸(상표명, 모빌세키유가부시키가이샤에서 판매) 등의 시판하는 석유계 혼합용 용매를 사용할 수도 있다. 이들 중, 현상액이나 린스액과의 친화성의 관점에서, 물을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액은 폴리머를 포함하여 이루어진다. 이 폴리머는 상기한 용매에 균일하게 용해할 수 있는 것이 필요하다. 이것은 본 발명에 의한 레지스트 처리액은 기판을 처리하기 위해서 기판 표면에 도포된 후, 레지스트 패턴에 대하여 균일하게 도포되고, 또 불용성의 잔류물이 기판 표면에 부착되는 것을 막기 위해서다.
이러한 폴리머로서는 수용성 폴리머인 것이 바람직하다. 수용성 폴리머는 일반적으로 물 등의 레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매에 용해하기 쉽고, 한편 수용성 폴리머는 친수성기에 의해 레지스트 패턴 자체에 대하여 상용성이 높기 때문에, 후술하는 바와 같이 레지스트 잔사를 효율적으로 제거할 수 있기 때문이다. 이러한 폴리머로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산, 이타콘산, 비닐에테르, 비닐알코올, 및 비닐피롤리돈, 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 단량체에 유래하는 반복 단위를 가지는 공중합체를 들 수 있다. 이들의 폴리머는 필요에 따라서 임의의 분자량의 것을 사용할 수 있고, 그 중량 평균 분자량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 일반적으로 500 내지 200,000, 바람직하게는 1,O00 내지 100,O00이다. 이러한 폴리머 중, 피막 형성이 가능한 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 사용할 수 있는 폴리머는 이들에 한정되는 것은 아니다. 또, 2종류 이상의 폴리머를 조합하여 사용할 수도 있다. 여기에서, 폴리머를 2종류 이상 조합하여 사용하는 경우에는 그 폴리머 전체가 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매에 용해하는 것이 필요하다.
본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액에 포함되는 폴리머의 농도는 특별히 한정되지 않지만, 목적이나 사용 방법에 따라서 조정되는 것이 바람직하다. 구체적으로는 레지스트 기판 처리액의 총 중량을 기준으로 하여, 일반적으로 0.01 내지 20%, 바람직하게는 0.1 내지 10%, 또 바람직하게는 0.1 내지 7%이다. 일반적으로 농도가 높은 것이, 도포시의 막 두께를 두껍게 할 수 있기 때문에, 요철이 있는 현상 후의 레지스트 기판 표면을 전체적으로 피복하는데도 유리하고, 반대로 농도가 낮은 것이, 도포시에 균일성이 양호한 경향이 있다.
본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액은 상기한 용매와 폴리머를 필수 성분으로 하는 것이지만, 그 밖의 성분을 포함하여도 좋다. 예를 들면, 필요에 따라서, 도포성을 개선하기 위해서 계면활성제를 포함해도 좋다. 계면활성제는 각종의 것이 알려져 있어, 필요에 따라서 임의로 선택할 수 있고, 예를 들면 이온계 및 비이온계 계면활성제로부터 선택할 수 있다. 더욱 구체적으로는 알킬설폰산, 알킬카르복실산, 또는 그 불소 함유 유도체, 또는 이들의 에스테르나 암모늄염 등, 또는 에틸렌 옥사이드나 프로필렌 옥사이드를 구조 중에 포함하는 것을 들 수 있다.
또, 본 발명에 있어서의 레지스트 기판 처리액은 상기한 계면활성제나 그 밖의 이유로 산을 포함하는 경우가 있다. 그러나, 이러한 산은 도포성 개량 등을 위해서 사용되는 임의 성분이며, 레지스트 패턴의 막 두께 감소에 직접 기여하는 것은 아니다.
본 발명에 있어서는 용매로서 레지스트 패턴을 용해하지 않는 것을 사용하지만, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 레지스트 패턴을 용해할 수 있는 용해성 조정제를 포함해도 좋다. 여기에서, 레지스트 패턴을 용해할 수 있다는 것은 상기한 레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매보다도 레지스트 패턴의 용해성이 높은 것이다. 이러한 용해성 조정제를 적당한 양으로 사용함으로써, 레지스트 잔사의 제거 효율이 개량된다.
이러한 용해성 조정제는 레지스트 패턴을 용해할 수 있는 것이며, 또 레지스트 기판 처리액에 균일하게 혼합할 수 있는 것이면, 특별히 종류는 한정되지 않는다. 예로서, 프로필렌글리콜모노메틸에테르(이하, PGME라고 함), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르(이하, TGDE라고 함), 2-(2-에톡시에톡시)에탄올(이하, EEE라고 함), 테트라에틸렌글리콜(이하, TEG라고 함)을 들 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112011020418483-pct00001

또, 용해성 조정제는 실온에서 액체의 것에 한정되지 않고, 일정 온도로 가열된 상태에서 액체화되어, 레지스트 패턴을 용해할 수 있는 것이어도 좋다.
이러한 용해성 조정제의 함유량은 과도하게 높으면 현상 완료의 레지스트 패턴의 구조를 크게 파괴해 버리는 경우가 있지만, 적절한 양을 사용함으로써 레지스트 잔사를 제거하는 효율을 개량할 수 있다. 이 때문에 용해성 조정제의 함유량은 레지스트 기판 처리액의 총 중량을 기준으로 하여 0.1 내지 10중량%인 것이 바람직하다. 또한, 레지스트 기판 처리액에 포함되는 폴리머의 중량을 기준으로 하여 생각한 경우에는 0.1 내지 30중량%인 것이 바람직하고, 1 내지 15중량%인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법은 현상 처리 후의 레지스트 기판을, 상기한 레지스트 기판 처리액에 접촉시켜, 린스 처리를 하는 것을 포함하여 이루어진다. 레지스트 패턴에 레지스트 기판 처리액을 접촉시키는 방법은 레지스트 기판을 레지스트 기판 처리액에 침지하는 방법, 레지스트 기판에 레지스트 기판 처리액을 디핑이나 퍼들 도포에 의해 도포하는 방법 등을 들 수 있다. 또한, 레지스트 기판 처리액을 레지스트 기판에 접촉시키는 시간, 즉 처리 시간은 특별히 제한되지 않지만, 패턴 표면의 잔사 제거의 효과를 강하게 발현시키기 위해서, 1초 이상인 것이 바람직하고, 10초 이상인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 처리 시간의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 제조 과정에 있어서의 효율의 관점에서는 300초 이하인 것이 바람직하다.
또, 레지스트 기판 처리액의 온도도 특별히 한정되지 않지만, 패턴 표면의 잔사 제거의 효과의 관점에서, 5 내지 50℃로 하는 것이 일반적이며, 20 내지 30℃로 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법에 있어서는 상기한 레지스트 기판 처리액에 레지스트 기판을 접촉시킨 후, 또 세정 처리, 즉 린스 처리를 실시한다. 이 린스 처리는 레지스트 기판 처리액을 세정 제거함과 동시에, 레지스트 기판 처리액에 의해 용해성이 변화된 레지스트 잔사 또는 잔막을 제거하기 위해서 행하여지는 것이다. 이 린스 처리에 의해 현상 후의 레지스트 잔사 또는 잔막이 제거되어, 원하는 레지스트 패턴이 형성되므로 본 발명에 의한 레지스트 처리액을 적용한 후의 린스 처리는 필수적이다. 또한, 이 때 레지스트 기판 처리액에 포함되는 폴리머가 레지스트 기판의 표면에 잔류하지 않도록, 그 폴리머를 용해할 수 있는 린스액을 사용하여 린스 처리를 하는 것이 바람직하다. 반대의 관점에서 말하면, 레지스트 기판 처리액에 포함되는 폴리머는 린스액에 용해성이 높은 것을 선택하는 것이 바람직하다. 여기에서, 레지스트 기판 처리액이 2종류 이상의 폴리머를 포함하는 경우에는 폴리머 전체가 린스액에 대하여 용해성이 높은 것이 바람직하고, 또 레지스트 기판 처리액에 포함되는 폴리머의 각각이 린스액에 대하여 용해성이 높은 것이 바람직하다.
이 린스 처리에 사용되는 린스액은 일반적으로 순수가 사용된다. 특히, 폴리머로서 수용성 폴리머를 사용한 경우에는 폴리머를 유효하게 세정할 수 있는 동시에, 안전성면이나 코스트면에서 유리하므로 바람직하다. 단, 사용되는 레지스트 기판 처리액의 성분에 따라서는 그 밖의 린스액을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 순수에 계면활성제 등을 첨가한 수용액이나, 레지스트 기판 처리액에 사용된 용매를 린스액으로서 사용할 수도 있다. 또한, 레지스트 잔사의 제거를 효율적으로 행하기 위해서, 테트라메틸암모늄히드록시드(이하, TMAH라고 함)나 수산화나트륨 등의 알칼리 화합물을 포함하는 수용액을 사용할 수도 있다. 이러한 알칼리 화합물을 포함하는 수용액은 레지스트의 현상액으로서도 사용되는 것을 그대로, 또는 농도를 변경하여 사용할 수도 있다.
린스 처리의 방법은 임의의 방법에 의해 행할 수 있고, 예를 들면 레지스트 기판을 린스액에 침지하는 것, 또는 회전하고 있는 레지스트 기판 표면에 린스액을 적하, 분무 또는 분사에 의해 공급함으로써 행할 수 있다.
여기서, 본 발명에 의한 레지스트 처리액을 사용하여 레지스트 기판을 처리했을 때에, 현상 후의 레지스트 잔사가 제거되는 기구는 이하와 같은 것이라고 생각된다.
일반적으로, 레지스트 기판이 현상된 후, 제거되어야 하는 레지스트의 일부가 잔사로서 기판 표면에 부착 또는 잔존한다. 예를 들면, 포토레지스트가 노광되고 나서 현상되면, 네거티브형 포토레지스트인 경우에는 광이 조사된 부분이, 포지티브형 포토레지스트인 경우에는 광이 조사되지 않은 부분이 현상에 의해 제거되고, 그 부분은 기판 표면이 노출되는 것이다. 그러나, 실제로는 기판 표면이 노출되어야 하는 부분에 포토레지스트의 잔사 또는 잔막이 부착되어 있는 경우가 많다. 여기에서, 본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액을 현상 완료의 레지스트 기판 표면에 도포하면, 처리액에 포함되는 용매가 포토레지스트를 용해하는 것은 아니므로 포토레지스트의 형상을 파괴하지 않는다. 그러나, 처리액에 포함되는 폴리머가 포토레지스트에 대해서 상용성이 있기 때문에 상호작용하여 레지스트 패턴 표면의 용해성을 변화시키고, 용해되기 쉽게 한다. 이것에 의해 레지스트 패턴에 대하여 상대적으로 두께가 얇은 레지스트 잔사 또는 잔막의 용해성이 상승하고, 그 후의 린스 처리에 의해 제거되는 것으로 생각된다.
이러한 기구에 의해 레지스트 잔사가 제거될 경우, 레지스트 패턴의 최표면 부분도 레지스트 잔사와 같은 영향을 받는다. 즉, 레지스트 패턴의 최표면부는 레지스트 기판 처리액의 작용에 의해 용해성이 변화되고, 그 후의 린스 처리에 의해 제거된다. 이 결과, 레지스트 패턴의 최표면, 즉 레지스트 패턴의 상측 및 측면의 표면이 제거되어, 레지스트 패턴의 폭은 좁아진다. 또한, 콘택트 홀의 경우에는 홀 내측 측면의 표면이 제거되어 구멍 직경이 커진다. 따라서, 본 발명에 의한 레지스트 패턴 처리액으로 현상 완료의 레지스트 패턴을 처리함으로써, 레지스트 패턴의 치수를 조정하는 것이 가능해진다.
여기서, 이러한 레지스트 잔사 제거를 개량하는 것이나, 레지스트 패턴의 치수 조정량을 변화시키는 것을 목적으로 하여, 본 발명에 의한 레지스트 기판 처리 방법에 대하여, 베이크 처리를 조합할 수 있다. 구체적으로는 레지스트 기판에 레지스트 기판 처리액을 접촉시키기 전에, 베이크 처리를 하거나, 레지스트 기판에 레지스트 기판 처리액을 접촉시킨 후, 린스 처리를 하기 전에 베이크 처리를 하거나 할 수 있다. 이러한 베이크 처리를 하는 것으로, 레지스트 패턴의 성질을 변화시키고, 또 레지스트 패턴과 레지스트 기판 처리액의 상호작용을 변화시킬 수 있다. 이 결과, 레지스트 잔사의 제거를 더욱 개선하고, 또 레지스트 패턴의 치수 변화량을 조정하는 것이 가능해진다.
본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법에 의해 레지스트 잔사가 제거되거나, 또는 치수 조정된 레지스트 패턴은 계속해서 용도에 따른 가공이 실시된다. 이 때, 본 발명에 의한 레지스트 기판의 처리 방법을 사용함에 따른 제한은 특별히 없고, 관용 방법으로 가공할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 방법에 의해 형성된 패턴은 반도체 디바이스, 액정 표시 소자 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD), 전하 결합 소자(CCD), 컬러 필터, 자기 헤드 등에, 종래의 방법으로 제조된 패턴과 동일하게 적용할 수 있다.
본 발명을 여러 예에 따라 설명하면 아래와 같다. 단, 본 발명의 형태는 이들의 실시예에만 한정되는 것은 아니다.
참고예 1 내지 3 및 실시예 4
실리콘 기판 위에 KrF 노광에 대응한 저면 반사 방지막용 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 KrF-17B(상품명))을 사용하여 80nm의 막 두께로 반사 방지막을 제막했다. 그 위에 KrF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 DX5250P(상품명))을 막 두께 440nm가 되도록 도포하고, 90℃/60초의 조건으로 베이킹하여 레지스트막을 가지는 기판을 준비했다.
다음에, 표 1과 같은 레지스트 기판 처리액을 조제했다. 구체적으로는 폴리머 및 그 밖의 성분을 초순수에 용해시켜, 일본 인테그리스사 제조 UPE 필터(공극 크기(pore size) 0.05㎛)로 여과함으로써 조제했다. 폴리머로서, 폴리비닐피롤리돈(이하, PVP라고 함, 중량 평균 분자량 3,000)의 분말, 또는 폴리말레인산(중량 평균 분자량 5,000)을 사용했다. 또한, 추가하는 첨가제로서, 탄소수가 약12개인 직쇄 알킬설폰산(계면활성제) 또는 TGDE(용해성 조정제)를 사용했다.
준비된 레지스트 기판 위에, 각각 표 1과 같은 레지스트 기판 처리액을 도포하고, 또 120℃에서 60초 베이킹한 후에, 순수로 린스 처리를 하여 기판 표면에 도포된 처리액을 제거했다. 레지스트 처리액에 의한 처리의 전후에서 각각 레지스트막 두께를 재고, 레지스트막의 변화량을 계산했다. 얻은 결과는 표 1과 같았다. 이 결과로부터, 본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액으로 레지스트 기판을 처리함으로써, 레지스트 패턴의 최표면을 제거하고, 레지스트 패턴의 선 폭 및 막 두께를 조정할 수 있다는 것을 알았다.
[표 1]
Figure 112016019985812-pct00007
참고예 3A 내지 3D
실리콘 기판 위에 KrF 노광에 대응한 저면 반사 방지막용 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 KrF-17B(상품명))을 사용하여 80nm의 막 두께로 반사 방지막을 제막했다. 그 위에 KrF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 DX5250P(상품명))을 막 두께 440nm가 되도록 도포하고, 90℃/60초의 조건으로 베이킹하여 레지스트막을 가지는 기판을 준비했다. 얻어진 기판을 KrF 노광 장치(캐논가부시키가이샤 제조 FPA-EX5(상품명))로 노광하고, 현상하여, 피치 1:1의 200nm의 콘택트 홀 패턴을 가지는 현상 완료 레지스트 기판을 제작했다.
이 현상 완료 레지스트 기판에, 참고예 3과 동일하게 하여 조제한 레지스트 기판 처리액을 도포하고, 물로 린스 처리했다. 이 레지스트 처리액에 의한 처리의 전후에서 홀 치수를 측정하고, 홀 치수의 변화량을 측정했다. 또한, 이것과는 달리, 물로 린스 처리를 하기 전에, 표 2에 개시된 베이킹 처리를 각각 행한 것 이외에는 동일하게 하여 처리를 하고, 홀 치수의 변화량을 측정했다. 얻은 결과는 표 2에 기재한 바와 같다. 여기에서, 홀 치수 변화량은 홀 직경의 변화량이며, 홀의 내측 측면이, 표 2에 나타내지는 홀 치수 변화량의 반분의 두께로 제거된 것을 의미한다. 이 결과로부터 베이킹 조건에 따라 레지스트막 제거량을 조정할 수 있고, 홀 치수를 조정할 수 있다는 것을 확인할 수 있었다.
[표 2]
Figure 112016019985812-pct00008

참고예 5 내지 7, 9, 10, 실시예 8 및 비교예 1
우선, 표 3에 나타내는 바와 같은 레지스트 기판 처리액을 조제했다. 구체적으로는 폴리머 및 그 밖의 성분을 초순수에 용해시켜, 일본 인테그리스사 제조 UPE 필터(공극 크기 0.05㎛)로 여과함으로써 조제했다. 폴리머로서, 폴리비닐피롤리돈(중량 평균 분자량 3,000), 폴리아크릴산(중량 평균 분자량 50,000), 폴리말레인산(중량 평균 분자량 5,000)을 사용했다. 또한, 추가하는 첨가제로서, 탄소수가 약12개인 직쇄 알킬설폰산(계면활성제) 또는 TGDE(용해성 조정제)를 사용했다.
다음에, 막 두께 감소 및 치수 감소를 평가하기 위한 현상 완료 레지스트 기판을 준비했다. 우선, 실리콘 기판 위에 KrF 노광에 대응한 저면 반사 방지막용 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 KrF-17B(상품명))을 사용하여 80nm의 막 두께로 반사 방지막을 제막했다. 그 위에 KrF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 DX5240P(상품명))을 막 두께 200nm가 되도록 도포하고, 120℃/90초의 조건으로 베이킹하여 레지스트막을 가지는 기판을 준비했다. 얻어진 기판을 KrF 노광 장치(캐논가부시키가이샤 제조 FPA-EX5(상품명))로 노광하고, 현상하여, 피치 1:1의 250nm의 라인 패턴을 가지는 막 두께 감소 및 치수 감소를 평가하기 위한 현상 완료 레지스트 기판을 제작했다.
이 현상 완료 레지스트 기판에 표 3에 나타내진 레지스트 기판 처리액을 각각 1,000rpm의 조건으로 스핀 도포했다. 계속해서 그대로, 또는 110℃/70초간 베이크 처리를 하고 나서, 2.38% TMAH 수용액으로 린스 처리를 했다. 미노광부의 막 두께 및 라인 치수를 처리의 전후에서 측정하여, 그 변화량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 4에 나타내는 바와 같다.
다음에, 잔막을 평가하기 위한 현상 완료 레지스트 기판을 준비했다. 우선, 300nm의 막 두께의 이산화규소막을 가지는 실리콘 기판 위에, 헥사메틸실라잔을 120℃/35초의 조건으로 증착시키고 나서, KrF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 DX7260P(상품명))을 막 두께 200nm가 되도록 도포하고, 120℃/90초의 조건으로 베이킹하고 나서, 상층 반사막(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 AQUATAR VIII-A45(상품명))을 막 두께 45nm가 되도록 도포하고, 90℃/60초로 베이킹하여, 레지스트막을 가지는 기판을 준비했다. 얻어진 기판을 KrF 노광 장치(캐논가부시키가이샤 제조 FPA-EX5(상품명))로 노광하고, 현상하여, 피치 1:1의 250nm의 라인 패턴을 가지고, 그 스페이스부에 잔막을 가지는 잔막을 평가하기 위한 현상 완료 레지스트 기판을 작성했다.
이 현상 완료 레지스트 기판에 표 3에 나타내진 레지스트 기판 처리액을 각각 1,000rpm의 조건으로 스핀 도포했다. 계속해서 그대로, 또는 110℃/70초간 베이크 처리를 하고 나서, 2.38% TMAH 수용액으로 린스 처리를 했다. 처리 전후에서, 패턴의 스페이스부를 단면 SEM 촬영하여, 잔막 제거의 효과를 눈으로 평가했다. 얻어진 결과는 표 4에 나타내는 바와 같다.
[표 3]
Figure 112016019985812-pct00009
[표 4]
Figure 112016019985812-pct00010
참고예 3E 및 비교예 2
실리콘 기판 위에 KrF 노광에 대응한 저면 반사 방지막용 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 KrF-17B(상품명))을 사용하여 80nm의 막 두께로 반사 방지막을 제막했다. 그 위에 KrF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 DX5250P(상품명))을 도포 및 베이킹하여 레지스트막을 가지는 기판을 준비했다. 얻어진 기판을 노광 및 현상하여, 현상 완료 레지스트 패턴을 형성시켰다. 이 때, 현상액의 양을 적게 하고, 또한 현상 시간을 짧게 함으로써, 기판 표면에 의도적으로 레지스트 잔사가 잔류하도록 했다.
이 현상 완료 레지스트 기판에, 참고예 3과 동일하게 하여 조제한 레지스트 기판 처리액을 도포하고, 물로 린스 처리하였다(참고예 3E). 레지스트 처리액에 의한 처리 전후의 기판 표면의 상태를 주사형 전자현미경(히타치세이사쿠쇼가부시키가이샤 제조 CD SEM S-9200형(상품명))에 의해 관찰했다. 본 발명에 의한 레지스트 기판 처리액으로 처리하는 것으로, 레지스트 잔사가 제거되는 것을 확인할 수 있었다.
다음에, 참고예 3E에 대하여, 계면활성제 수용액만으로 레지스트 패턴에 의한 처리를 평가하였다(비교예 2). 실리콘 기판 위에 KrF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 DX5250P(상품명))을 도포 및 베이킹하여 레지스트막을 가지는 기판을 준비했다. 얻어진 기판을 노광 및 현상하여, 현상 완료 레지스트 패턴을 형성시켰다. 이 레지스트 기판을 계면활성제 용액(SPC-116A(상품명), AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 : 비이온계 계면활성제)으로 린스 처리를 한 후, 또 수세했다. 처리의 전후에서 미노광부의 막 두께 변화를 측정한 바, 막 두께가 2nm 증가하였다. 이 결과로부터 종래 실시되었던 계면활성제 처리에서는 레지스트 기판의 미세화는 불가능한 것을 알았다.
실시예 11 내지 14 및 비교예 3
실리콘 기판 위에 KrF 노광에 대응한 저면 반사 방지막용 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 KrF-17B(상품명))을 사용하여 80nm의 막 두께로 반사 방지막을 제막했다. 그 위에 KrF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 DX7260P(상품명))을 막 두께 200nm가 되도록 도포하고, 120℃/90초의 조건으로 베이크 처리하여 레지스트막을 가지는 기판을 준비했다. 얻어진 기판을 KrF 노광 장치(캐논가부시키가이샤 제조 FPA-EX5(상품명))로 노광하고, 현상하여, 피치 1:1의 250nm의 라인 패턴을 가지는 현상 완료 레지스트 기판을 제작했다.
다음에, 표 5에 나타내는 바와 같은 레지스트 기판 처리액을 조제했다. 구체적으로는 폴리머 및 용해성 조정제를 초순수에 용해시켜, 일본 인테그리스사 제조 UPE 필터(공극 크기 0.05㎛)로 여과함으로써 조제했다. 폴리머로서, 폴리비닐피롤리돈(중량 평균 분자량 3.000)의 분말, 또는 비닐알코올과 아세트산비닐이 87:13의 몰비로 중합한 공중합체(중량 평균 분자량 28,000, 이하, PVA 공중합체라고 함)를 사용했다. 또한, 용해성 조정제로서, TGDE를 사용했다.
먼저 준비한 현상 완료 레지스트 기판에 준비한 샘플을 각각 1,O00rpm의 조건으로 스핀 도포했다. 계속해서 그대로, 2.38% TMAH 수용액으로 린스 처리를 했다. 미노광부의 막 두께 및 라인 치수를 처리의 전후에서 측정하여, 그 변화량을 측정했다. 얻어진 결과는 표 5에 나타내는 바와 같다.
[표 5]
Figure 112011020418483-pct00006

실시예 15 및 비교예 4
실리콘 기판 위에 ArF 노광에 대응한 저면 반사 방지막용 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 ArF1C5D(상품명))을 사용하여 37nm의 막 두께로 반사 방지막을 제막했다. 그 위에 ArF 레지스트 조성물(AZ 일렉트로닉 마티리알즈가부시키가이샤 제조 AX1120P(상품명))을 막 두께 200nm가 되도록 도포하고, 120℃/90초의 조건으로 베이크 처리하여 레지스트막을 가지는 기판을 준비했다. 얻어진 기판을 ArF 노광 장치(니콘가부시키가이샤 제조 NSR-S306C(상품명))로 노광하고, 현상하여, 피치 1:1의 120nm의 라인 패턴을 가지는 현상 완료 레지스트 기판을 제작했다.
다음에, 실시예 14와 동일하게 하여 조제한 레지스트 기판 처리액을 1,000rpm으로 스핀 도포하고, 2.38% TMAH 수용액으로 린스 처리하고, 또 수세하였다(실시예 15). 이 결과, 레지스트 기판 처리액에 의한 처리를 하기 전후에서, 라인 치수가 30nm 감소했다.
또, 비교로서, 현상 완료 레지스트 기판에 레지스트 기판 처리액을 접촉시키지 않고, 2.38% TMAH 수용액으로 린스 처리하고, 또 수세하였다(비교예 4). 이 때, 라인 치수의 감소량은 3nm이었다.

Claims (12)

  1. 현상 완료 포토레지스트 패턴을 가지는 레지스트 기판을 처리하기 위한 레지스트 기판 처리액으로서,
    물, 알코올, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는, 상기 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와,
    상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머와,
    상기 포토레지스트 패턴을 용해할 수 있는 용해성 조정제인 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 레지스트 기판 처리액.
  2. 제1항에 있어서, 상기 폴리머가 수용성 폴리머인 레지스트 기판 처리액.
  3. 제2항에 있어서, 상기 수용성 폴리머가 아크릴산, 메타크릴산, 비닐알코올, 및 비닐피롤리돈, 및 이들의 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 단량체에 유래하는 반복 단위를 가지는 공중합체인 레지스트 기판 처리액.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용매가 물을 포함하여 이루어지는 것인 레지스트 기판 처리액.
  5. 제1항에 있어서, 상기 용해성 조정제를, 상기 레지스트 기판 처리액의 총 중량을 기준으로 하여 0.1 내지 10중량% 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액.
  6. 제1항에 있어서, 계면활성제를 더욱 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액.
  7. 현상 처리 후의 레지스트 기판을, 물, 알코올, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는, 상기 레지스트 기판의 표면에 존재하는 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와, 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머와, 상기 포토레지스트 패턴을 용해할 수 있는 용해성 조정제인 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르를 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액에 접촉시켜, 린스 처리를 하는 것을 특징으로 하는 레지스트 기판의 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 현상 처리 후의 레지스트 기판을 상기 레지스트 기판 처리액에 접촉시키고, 계속해서 베이크 처리를 하고, 그 후에 린스 처리를 하는 레지스트 기판의 처리 방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 폴리머가 상기 린스 처리에 사용되는 린스액에 대하여 용해할 수 있는 것인 레지스트 기판의 처리 방법.
  10. 현상 처리 후의 레지스트 기판을, 물, 알코올, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는, 상기 레지스트 기판의 표면에 존재하는 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와, 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머와, 상기 포토레지스트 패턴을 용해할 수 있는 용해성 조정제인 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르를 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액에 접촉시켜, 린스 처리를 함으로써, 레지스트 기판 표면에 부착되는 레지스트 잔사를 제거하는 것을 특징으로 하는 레지스트 잔사의 제거 방법.
  11. 현상 처리 후의 레지스트 기판을, 물, 알코올, 및 이들의 혼합물로부터 선택되는, 상기 레지스트 기판의 표면에 존재하는 포토레지스트 패턴을 용해하지 않는 용매와, 상기 용매에 용해할 수 있는 폴리머와, 상기 포토레지스트 패턴을 용해할 수 있는 용해성 조정제인 테트라에틸렌글리콜디메틸에테르를 포함하여 이루어지는 레지스트 기판 처리액에 접촉시켜, 린스 처리를 함으로써, 레지스트 패턴의 표면을 제거하고, 레지스트 패턴의 치수를 조정하는 것을 특징으로 하는 레지스트 패턴 치수의 조정 방법.
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