JP2010072072A - 基板処理液およびそれを用いたレジスト基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】現像済みフォトレジストパターンを有するレジスト基板を処理するためのレジスト基板処理液であって、現像後のフォトレジストパターンを溶解しない溶媒と、前記溶媒に溶解しえるポリマーとを含んでなるレジスト基板処理液。現像処理後のレジスト基板を、このレジスト基板処理液に接触させ、水などのリンス液による洗浄することによって、基板表面のレジスト残渣を効率的に除去することができる。溶媒には水が好ましく用いられ、ポリマーには水溶性ポリマーが好ましく用いられる。
【選択図】なし
Description
本発明によるレジスト基板の処理方法は、現像後のレジストパターンに対してレジスト基板処理液による処理を行うものである。レジストパターンを現像して、元になるパターンを形成させるための方法は特に限定されず、任意の方法で行うことができる。したがって、元のパターンを形成させるリソグラフィー工程は、公知のポジ型の感光性樹脂組成物、ネガ型の感光性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成する方法として知られた何れのものであってもよい。本発明のレジスト基板処理液が適用される代表的なパターン形成方法をあげると、次のような方法が挙げられる。
シリコン基板上にKrF露光に対応した底面反射防止膜用組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製KrF−17B(商品名))を用いて80nmの膜厚で反射防止膜を製膜した。その上にKrFレジスト組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製DX5250P(商品名))を膜厚440nmになるように塗布し、90℃/60秒の条件でベーキングしてレジスト膜を有する基板を準備した。
シリコン基板上にKrF露光に対応した底面反射防止膜用組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製KrF−17B(商品名))を用いて80nmの膜厚で反射防止膜を製膜した。その上にKrFレジスト組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製DX5250P(商品名))を膜厚440nmになるように塗布し、90℃/60秒の条件でベーキングしてレジスト膜を有する基板を準備した。得られた基板をKrF露光装置(キャノン株式会社製FPA−EX5(商品名))で露光し、現像して、ピッチ1:1の200nmのコンタクトホール・パターンを有する現像済みレジスト基板を作製した。
まず、表3に示す通りのレジスト基板処理液を調製した。具体的には、ポリマーおよびその他の成分を超純水に溶解させ、日本エンテグリス社製UPEフィルター(ポアサイズ0.05μm)でろ過することにより調製した。ポリマーとして、ポリビニルピロリドン重量平均分子量3,000)、ポリアクリル酸(重量平均分子量50,000)、ポリマレイン酸(重量平均分子量5,000)を用いた。また、追加の添加剤として、炭素数が約12個の直鎖アルキルスルホン酸(界面活性剤)またはTGDE(溶解性調整剤)を用いた。
シリコン基板上にKrF露光に対応した底面反射防止膜用組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製KrF−17B(商品名))を用いて80nmの膜厚で反射防止膜を製膜した。その上にKrFレジスト組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製DX5250P(商品名))を塗布およびベーキングしてレジスト膜を有する基板を準備した。得られた基板を露光および現像して、現像済みレジストパターンを形成させた。このとき、現像液の量を少なくし、かつ現像時間を短くすることによって、基板表面に意図的にレジスト残渣が残留するようにした。
シリコン基板上にKrF露光に対応した底面反射防止膜用組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製KrF−17B(商品名))を用いて80nmの膜厚で反射防止膜を製膜した。その上にKrFレジスト組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製DX7260P(商品名))を膜厚200nmになるように塗布し、120℃/90秒の条件でベーク処理してレジスト膜を有する基板を準備した。得られた基板をKrF露光装置(キャノン株式会社製FPA−EX5(商品名))で露光し、現像して、ピッチ1:1の250nmのラインパターンを有する現像済みレジスト基板を作製した。
シリコン基板上にArF露光に対応した底面反射防止膜用組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製ArF1C5D(商品名))を用いて37nmの膜厚で反射防止膜を製膜した。その上にArFレジスト組成物(AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製AX1120P(商品名))を膜厚200nmになるように塗布し、120℃/90秒の条件でベーク処理してレジスト膜を有する基板を準備した。得られた基板をArF露光装置(ニコン株式会社製NSR−S306C(商品名))で露光し、現像して、ピッチ1:1の120nmのラインパターンを有する現像済みレジスト基板を作製した。
Claims (12)
- 現像済みフォトレジストパターンを有するレジスト基板を処理するためのレジスト基板処理液であって、前記フォトレジストパターンを溶解しない溶媒と、前記溶媒に溶解しえるポリマーとを含んでなることを特徴とするレジスト基板処理液。
- 前記ポリマーが水溶性ポリマーである、請求項1に記載のレジスト基板処理液。
- 前記水溶性ポリマーが、アクリル酸、メタクリル酸、ビニルアルコール、およびビニルピロリドン、ならびにそれらの誘導体からなる群から選択される単量体に由来する繰り返し単位を有する共重合体である、請求項2に記載のレジスト基板処理液。
- 前記溶媒が、水、アルコール、およびそれらの混合物から選択される、請求項1〜3のいずれか1項に記載のレジスト基板処理液。
- 前記溶媒が水を含んでなるものである、請求項4に記載のレジスト基板処理液。
- 前記フォトレジスト層を溶解しえる溶解性調整剤を、前記レジスト基板処理液の総重量を基準として0.1〜10重量%含んでなる、請求項1〜5のいずれか1項に記載のレジスト基板処理液。
- 界面活性剤をさらに含んでなる、請求項1〜6のいずれか1項に記載のレジスト基板処理液。
- 現像処理後のレジスト基板を、前記レジスト基板の表面に存在するフォトレジストパターンを溶解しない溶媒と、前記溶媒に溶解しえるポリマーとを含んでなるレジスト基板処理液に接触させ、リンス処理に付すことを特徴とする、レジスト基板の処理方法。
- 現像処理後のレジスト基板を前記レジスト基板処理液に接触させ、引き続きベーク処理を行い、その後にリンス処理に付す、請求項8に記載のレジスト基板の処理方法。
- 前記ポリマーが、前記リンス処理に用いられるリンス液に対して溶解しえるものである、請求項8または9に記載のレジスト基板の処理方法。
- 現像処理後のレジスト基板を、前記レジスト基板の表面に存在するフォトレジストパターンを溶解しない溶媒と、前記溶媒に溶解しえるポリマーとを含んでなるレジスト基板処理液に接触させ、リンス処理に付すことによって、レジスト基板表面に付着するレジスト残渣を除去することを特徴とする、レジスト残渣の除去方法。
- 現像処理後のレジスト基板を、前記レジスト基板の表面に存在するフォトレジストパターンを溶解しない溶媒と、前記溶媒に溶解しえるポリマーとを含んでなるレジスト基板処理液に接触させ、リンス処理に付すことによって、レジストパターンの表面を除去し、レジストパターンの寸法を調整することを特徴とする、レジストパターン寸法の調整方法。
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