JP2006030483A - リンス処理方法および現像処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光パターンを現像処理した後の基板に、臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給してリンス処理する。好ましくは、界面活性剤の分子量が1280以上であり、かつ、その疎水基の炭素数が14以上であり、さらに疎水基が二重結合および三重結合を有していない界面活性剤を用いる。
【選択図】図11
Description
このリンス処理方法では、さらに前記界面活性剤として、その分子量が1280以上であり、かつ、その疎水基の炭素数が14以上のものを用いることが好ましく、また、前記界面活性剤の疎水基が二重結合および三重結合を有していないものを用いることが好ましい。
このリンス処理方法では、さらに前記界面活性剤として、その疎水基が二重結合および三重結合を有していないものを用いることが好ましい。
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給する工程と、
前記基板を回転させて基板上の前記界面活性剤を含有するリンス液を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給する工程と、
基板に純水を供給して、基板上のリンス液を純水に置換する工程と、
基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、が提供する。
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に純水を供給する工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給して、基板上の純水を前記リンス液に置換する工程と、
前記基板を回転させて基板上のリンス液を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に純水を供給する工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給して、基板上の純水を前記リンス液に置換する工程と、
基板上に純水を供給して、基板上のリンス液を純水に置換する工程と、
基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給する工程と、
基板からリンス液を振り切る工程と、
基板上に再び現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に純水を供給する工程と、
基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を基板に供給する工程と、
基板から前記リンス液を振り切り、基板を乾燥させる工程と、
基板上に現像液を塗布し、前記レジスト膜の現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に純水を供給する工程と、
基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
図1は本発明の一実施形態に係る方法が実施される現像処理装置を示す平面図、図2はその断面図である。なお、図示するように、以下の説明では、水平面の直交する2方向をX方向、Y方向とし、垂直方向をZ方向としている。
2;スピンチャック
11;現像液供給ノズル
12;純水供給ノズル
13;リンス液供給ノズル
52;純水供給配管
54;ミキシングバルブ
56;界面活性剤溶液供給配管
DEV;現像処理装置
W;半導体ウエハ
Claims (20)
- 露光パターンを現像処理した後の基板に、臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給してリンス処理することを特徴とするリンス処理方法。
- さらに、前記界面活性剤の分子量が1280以上であり、かつ、その疎水基の炭素数が14以上であることを特徴とする請求項1に記載のリンス処理方法。
- さらに、前記界面活性剤の疎水基が二重結合および三重結合を有していないことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のリンス処理方法。
- 露光パターンを現像処理した後の基板に、水溶性であり、その分子量が1280以上であり、かつ、その疎水基の炭素数が14以上であるポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給してリンス処理することを特徴とするリンス処理方法。
- さらに、前記界面活性剤の疎水基が二重結合および三重結合を有していないことを特徴とする請求項4に記載のリンス処理方法。
- 露光パターンを現像処理した後の基板に、ポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の、その疎水基に二重結合および三重結合を含まない界面活性剤を含有するリンス液を供給してリンス処理することを特徴とするリンス処理方法。
- 前記ポリエチレングリコール系の界面活性剤は、ポリエチレングリコールソルビタン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール直鎖アルキルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、直鎖アルキル付加型のポリエチレングリコールフェニルエーテル、分岐鎖アルキル付加型のポリエチレングリコールフェニルエーテルのいずれかであり、前記アセチレングリコール系の界面活性剤はEO付加型のアセチレングリコールであることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
- 前記リンス液の前記基板への供給は、前記リンス液を略帯状に吐出するノズルを用いて、前記ノズルを前記基板上でスキャンさせながら前記ノズルから前記リンス液を略帯状に吐出することにより行われることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
- 前記リンス液の前記基板への供給は、前記リンス液を略帯状に吐出するノズルを用いて、前記ノズルを前記基板の径方向に一致するように前記基板上に配置し、基板を所定の回転数で回転させながら前記ノズルから前記リンス液を略帯状に吐出させることにより行われることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
- 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理方法であって、
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給する工程と、
前記基板を回転させて基板上の前記界面活性剤を含有するリンス液を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。 - 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理方法であって、
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給する工程と、
基板に純水を供給して、基板上のリンス液を純水に置換する工程と、
基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。 - 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理方法であって、
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に純水を供給する工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給して、基板上の純水を前記リンス液に置換する工程と、
前記基板を回転させて基板上のリンス液を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。 - 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理方法であって、
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に純水を供給する工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給して、基板上の純水を前記リンス液に置換する工程と、
基板上に純水を供給して、基板上のリンス液を純水に置換する工程と、
基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。 - 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理方法であって、
基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を供給する工程と、
基板からリンス液を振り切る工程と、
基板上に再び現像液を塗布し、現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に純水を供給する工程と、
基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。 - 基板上に形成されたレジスト膜を所定パターンに露光した後、露光パターンを現像する現像処理方法であって、
基板上に臨界ミセル濃度以下のポリエチレングリコール系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を含有するリンス液を基板に供給する工程と、
基板から前記リンス液を振り切り、基板を乾燥させる工程と、
基板上に現像液を塗布し、前記レジスト膜の現像を進行させる工程と、
現像後の基板から現像液を振り切る工程と、
基板上に純水を供給する工程と、
基板を回転させて基板上の純水を広げるとともに振り切り、基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。 - さらに、前記リンス液に含まれる界面活性剤の分子量が1280以上であり、かつ、その疎水基の炭素数が14以上であることを特徴とする請求項10から請求項15のいずれか1項に記載の現像処理方法。
- さらに、前記リンス液に含まれる界面活性剤の疎水基が二重結合および三重結合を有していないことを特徴とする請求項10から請求項16のいずれか1項に記載の現像処理方法。
- 前記ポリエチレングリコール系の界面活性剤は、ポリエチレングリコールソルビタン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール直鎖アルキルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、直鎖アルキル付加型のポリエチレングリコールフェニルエーテル、分岐鎖アルキル付加型のポリエチレングリコールフェニルエーテルのいずれかであり、前記アセチレングリコール系の界面活性剤はEO付加型のアセチレングリコールであることを特徴とする請求項10から請求項17のいずれか1項に記載の現像処理方法。
- 前記リンス液の前記基板への供給は、前記リンス液を略帯状に吐出するノズルを用いて、前記ノズルを前記基板上でスキャンさせながら前記ノズルから前記リンス液を略帯状に吐出させることにより行われることを特徴とする請求項10から請求項18のいずれか1項に記載の現像処理方法。
- 前記リンス液の前記基板への供給は、前記リンス液を略帯状に吐出するノズルを用いて、前記ノズルを前記基板の径方向に一致するように前記基板上に配置し、前記基板を所定の回転数で回転させながら前記ノズルから前記リンス液を略帯状に吐出することにより行われることを特徴とする請求項10から請求項18のいずれか1項に記載の現像処理方法。
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