JP2007134516A - リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 - Google Patents

リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】レジストの表面状態に関わらず現像残渣による現像欠陥を少なくすることができるリンス処理方法を提供すること。
【解決手段】露光パターンを現像処理した後の基板をリンス処理するリンス処理方法は、現像終了後、現像液パドルが存在している基板を停止した状態または回転させた状態とし、基板の中心部にリンス液を供給する工程(ステップ5)と、基板上の少なくとも外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止する工程(ステップ6)と、基板を高速回転させて基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程(ステップ7)とを有する。
【選択図】図7

Description

本発明は、露光パターンを現像処理した後の半導体ウエハ等の基板をリンス処理するリンス処理方法およびそのようなリンス処理を含む現像処理方法、さらにはそのような現像処理を行う現像処理装置、ならびに上記方法を実行する制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)の表面にレジスト液を供給してレジスト膜を形成し、レジスト塗布後のウエハに対して所定のパターンに対応して露光処理を行った後に当該ウエハのレジスト膜に形成された露光パターンを現像するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により所定のパターンを形成するためのマスクとしてレジストパターンが形成される。
このようなフォトリソグラフィー技術の各工程の中で現像処理においては、ウエハに現像液を供給し、その全面に現像液パドルを形成し、所定時間自然対流により現像処理を進行させた後、ウエハの中心部にリンス液(純水)を供給しながらウエハを回転させてウエハ上に残存する現像液を洗い流し、その後、ウエハを高速で回転してウエハ上に残存する現像液およびリンス液を振り切りウエハを乾燥させる手法が採用されている(例えば、特許文献1)。
ところで、近時、半導体デバイスの回路パターンの細線化、微細化、高集積化が急速に進み、これに伴って露光の解像性能をより一層向上させることが求められており、露光用のレーザーとしてフッ化アルゴン(ArF)やフッ化クリプトン(KrF)等のより短波長のものを用いる露光技術や、さらには、レンズと半導体ウエハとの間を純水等の液体で満たし、その中に光を透過させる液浸露光と称される露光技術が検討されている。
しかしながら、ArFやKrF用のレジストおよび液浸露光用のレジストは、表面状態が従来と異なっており、疎水性の傾向が強く、従来の現像処理方法では、現像工程で発生した溶解生成物等の現像残渣をリンス工程で十分除去することが困難であり、次の乾燥工程でパーティクルとしてウエハに付着してしまい、ウエハ上に多くの現像欠陥が残存する場合がある。
特開2001−057334号公報
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、レジストの表面状態に関わらず現像残渣による現像欠陥を少なくすることができるリンス処理方法およびこのようなリンス処理を含む現像処理方法、さらには現像処理装置を提供することを目的とする。また、そのような製造方法を実行する制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の第1の観点では、基板上に形成された露光パターンを有するレジスト膜上に現像液パドルを形成して現像処理した後の基板をリンス処理するリンス処理方法であって、現像終了後、前記現像液パドルが存在している基板を停止した状態または回転させた状態とし、基板の中心部にリンス液を供給する工程と、基板上の少なくとも外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止する工程と、基板を高速回転させて基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程とを有することを特徴とするリンス処理方法を提供する。
本発明の第2の観点では、基板上のレジスト膜に形成された露光パターンを現像する現像処理方法であって、基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布して現像液パドルを形成する工程と、前記現像液パドルを静止させて現像を進行させる工程と、現像終了後、前記現像液パドルが存在している基板を停止した状態または回転させた状態とし、基板の中心部にリンス液を供給する工程と、基板上の少なくとも外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止する工程と、基板を高速回転させて基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程とを有することを特徴とする現像処理方法を提供する。
上記第1および第2の観点において、前記リンス液が前記現像液パドルの上を基板の中心部から外側に広がって基板の外縁に到達する前にリンス液の供給を停止するようにすることができる。この場合に、前記リンス液が基板の中心から30〜130mmの範囲に達した時点で前記リンス液の供給を停止することが好ましく、典型的には、基板の中心から50mmである。また、前記リンス液の供給は、基板を回転しながら行い、その際に、リンス液が基板上の現像液パドルを押し広げ、その際に形成されるリンス液と現像液との境界面が基板の外縁に到達する前にリンス液の供給を停止するように構成することができる。この場合に、リンス液の供給を停止する直前に、短時間、基板の回転数を500〜2000rpmにすることが好ましく、前記リンス液と現像液との境界面が基板の中心から30〜130mmの範囲に到達した時点で前記リンス液の供給を停止することが好ましい。典型的には、基板の中心から50mmである。
さらに、上記第1および第2の観点において、前記リンス液の供給速度は500mL/min以下であることが好ましい。また、前記リンス液を供給する際の初期段階の基板の回転数を500rpm以下とすることが好ましく、より好ましくは100rpm以下である。さらにまた、前記リンス液の供給を停止する直前に、基板の回転数を上昇させることが好ましい。さらにまた、前記リンス液を停止する直前に、基板の中心部に不活性ガスを供給することが好ましく、また、前記現像液をリンス液とともに振り切る直前に、基板の中心部に不活性ガスを供給することも好ましい。さらにまた、前記基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程は、基板を1000rpm以上で回転させることが好ましい。このような方法は、基板表面の現像処理後における接触角が20〜50°である場合に好適である。
本発明の第3の観点では、基板上のレジスト膜に形成された露光パターンを現像する現像処理装置であって、基板を水平に保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、前記基板保持部に保持された基板に現像液を供給する現像液供給ノズルと、前記基板保持部に保持された基板にリンス液を供給するリンス液ノズルと、前記現像液供給ノズルおよび前記リンス液ノズルを移動させる移動機構と、前記回転機構、前記移動機構、前記現像液供給ノズルからの現像液の供給、および前記リンス液ノズルからのリンス液の供給を制御する制御部とを具備し、前記制御部は、基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布して現像液パドルを形成する工程と、前記現像液パドルを静止させて現像を進行させる工程と、現像終了後、前記現像液パドルが存在している基板を停止した状態または回転させた状態とし、基板の中心部にリンス液を供給する工程と、基板上の少なくとも外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止する工程と、基板を高速回転させて基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程とが実行されるように前記回転機構、前記移動機構、前記現像液供給ノズルからの現像液の供給、および前記リンス液ノズルからのリンス液の供給を制御することを特徴とする現像処理装置を提供する。
本発明の第4の観点では、コンピュータ上で動作し、実行時に、上記第1の観点または第2の観点の方法が行なわれるように、コンピュータに現像処理装置を制御させることを特徴とする制御プログラムを提供する。
本発明の第5の観点では、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第1の観点または第2の観点の方法が行われるように、コンピュータに現像処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
基板表面の疎水性の傾向が強い場合には、現像液を完全に洗い流した後にリンス液を振り切る従来の方法を採用すると、リンス液が基板全面に広がらずに基板の外側部分で切れてその部分に現像欠陥が残存しやすくなる。これに対して、本発明によれば、現像終了後、現像液が存在している基板を停止した状態または回転させた状態で基板の中心部にリンス液を供給し、基板上の少なくとも外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止し、その後基板を高速回転させて基板上の現像液をリンス液とともに振り切るので、基板上の現像液がリンス液に押し出されるようにして振り切られ、リンス液が基板の外側部分でとぎれることがなく、現像残渣をより確実に除去することが可能となり、基板の表面状態にかかわらず、現像欠陥を少なくすることができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は本発明の方法が実施される現像処理ユニットが搭載されたレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図、図2はその正面図、図3はその背面図である。
このレジスト塗布現像処理システム1は、搬送ステーションであるカセットステーション10と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション11と、処理ステーション11と隣接して設けられる露光装置2との間でウエハWを受け渡すためのインターフェイス部12とを具備している。
上記カセットステーション10は、被処理体としての複数枚のウエハWを搭載したウエハカセットCRを搬入出するためのものである。このカセットステーション10においては、図1に示すように、カセットCを載置する載置台20上に図中X方向に沿って4個の位置決め突起20aが形成されており、この突起20aの位置にウエハカセットCRが載置可能となっている。また、カセットステーション10は、ウエハカセット載置台20と処理ステーション11との間に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウエハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)およびその中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動可能およびθ方向に回転可能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬送アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに対して選択的にアクセス可能となっているとともに、処理ステーション11にもアクセスできるようになっている。
上記処理ステーション11は、ウエハWへ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウエハWが一枚ずつ処理される。この処理ステーション11は、図1に示すように、中心部に搬送路22aを有し、この中に主ウエハ搬送機構22が設けられ、搬送路22aの周りに全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理ユニット群に分かれており、各処理ユニット群は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置されている。
主ウエハ搬送機構22は、図3に示すように、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置46も一体的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これらの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハWの受け渡しを実現している。
また、図1に示すように、4個の処理ユニット群G,G,G,Gが搬送路22aの周囲に実際に配置されており、処理ユニット群Gは必要に応じて配置可能となっている。
これらのうち、第1および第2の処理ユニット群G,Gはシステム正面(図1において手前)側に並置され、第3の処理ユニット群Gはカセットステーション10に隣接して配置され、第4の処理ユニット群Gはインターフェイス部12に隣接して配置されている。第5の処理ユニット群Gは背面部に配置可能となっている。
第1の処理ユニット群Gでは、カップCP内でウエハWをスピンチャック(図示せず)に載置してウエハWにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット(COT)および同様にカップCP内でレジストのパターンを現像する現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第2の処理ユニット群Gも同様に、レジスト塗布処理ユニット(COT)および現像処理ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。
第3の処理ユニット群Gは、図3に示すように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられて構成されており、具体的には、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハWの搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、冷却処理を行うクーリングユニット(COL)、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハWに対して加熱処理を行う4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。
第4の処理ユニット群Gも、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられて構成されており、具体的には、クーリングユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット(EXTCOL)、エクステンションユニット(EXT)、クーリングユニット(COL)、および4つのホットプレートユニット(HP)が下から順に8段に重ねられている。
主ウエハ搬送機構22の背部側に第5の処理ユニット群Gを設ける場合には、案内レール25に沿って主ウエハ搬送機構22から見て側方へ移動できるようになっており、第5の処理ユニット群Gを設けた場合でも、メンテナンス作業を容易に行うことができる。
上記インターフェイス部12には、図1、図2に示すように、正面部に可搬性のピックアップカセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に配置され、背面部に周辺露光装置23が配設され、中央部にウエハ搬送機構24が配設されている。このウエハ搬送機構24は、X方向、Z方向に移動可能でありさらにθ方向に回転可能なウエハ搬送用アーム24aを有しており、両カセットCR,BRおよび周辺露光装置23、第4の処理ユニット群Gに属するエクステンションユニット(EXT)や、さらには隣接する露光装置2のウエハ受け渡し台(図示せず)にもアクセス可能となっている。
レジスト塗布現像処理システム1の各ユニットおよび各搬送機構等の各構成部は、CPUを備えたプロセスコントローラ101に接続されて制御される構成となっている。プロセスコントローラ101には、工程管理者がレジスト塗布現像処理システム1の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、レジスト塗布現像処理システム1の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス102と、レジスト塗布現像処理システム1で実行される各種処理をプロセスコントローラ101の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部103とが接続されている。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェイス102からの指示等を受けて、任意のレシピを記憶部103から呼び出してプロセスコントローラ101に実行させることで、プロセスコントローラ101の制御下で、レジスト塗布現像処理システム1において所望の各種処理が行われる。レシピは、例えば、CD−ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、不揮発性メモリなどの読み出し可能な記憶媒体に格納された状態のものであってもよく、さらに、適宜の装置から例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。なお、各構成部には下位のコントローラが設けられており、これらコントローラがプロセスコントローラ101の指令に基づいて各構成部の動作制御を行うようになっている。
このように構成されるレジスト塗布現像処理システムにおいては、まず、ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アーム21aがウエハカセットCRにアクセスして、そのカセットCRから一枚のウエハWを取り出し、処理ステーション11の第3の処理ユニット群Gのエクステンションユニット(EXT)に搬送する。
このウエハWは、主ウエハ搬送機構22のウエハ搬送装置46により、第3の処理ユニット群Gのアライメントユニット(ALIM)によりアライメントされた後、アドヒージョン処理ユニット(AD)に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理(HMDS処理)が施される。その後、ウエハWは、ウエハ搬送装置46により、クーリングユニット(COL)に搬送されて冷却される。
所定の温度に冷却されたウエハWは、引き続き、ウエハ搬送装置46によりレジスト塗布ユニット(COT)に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理終了後、ウエハWは処理ユニット群G,Gのいずれかのホットプレートユニット(HP)内でプリベーク処理され、その後いずれかのクーリングユニット(COL)にて所定の温度に冷却される。
このようにしてレジスト膜が形成されたウエハWは、第3の処理ユニット群Gのアライメントユニット(ALIM)に搬送され、そこでアライメントされた後、第4の処理ユニット群Gのエクステンションユニット(EXT)を介してインターフェイス部12に搬送される。
インターフェイス部12では、余分なレジストを除去するために周辺露光装置23によりウエハの周縁例えば1mmを露光し、次いで、インターフェイス部12に隣接して設けられた露光装置2により所定のパターンに従ってウエハWのレジスト膜に露光処理が施される。
露光後のウエハWは、再びインターフェイス部12に戻され、ウエハ搬送機構24により、第4の処理ユニット群Gに属するエクステンションユニット(EXT)に搬送される。そして、ウエハWは、ウエハ搬送装置46により、いずれかのホットプレートユニット(HP)に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット(COL)により所定の温度に冷却される。
その後、ウエハWは現像ユニット(DEV)に搬送され、そこで後述するように本実施形態の現像処理が行われる。現像処理終了後、ウエハWはいずれかのホットプレートユニット(HP)に搬送されてポストベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット(COL)により所定温度に冷却される。このような一連の処理が終了した後、第3処理ユニット群Gのエクステンションユニット(EXT)を介してカセットステーション10に戻され、いずれかのウエハカセットCRに収容される。
次に、本発明の一実施形態に係る方法が実施される現像処理ユニット(DEV)について詳細に説明する。図4は現像処理ユニットを示す断面図、図5はその平面図である。なお、図示するように、これらの図においても、水平面の直交する2方向をX方向、Y方向とし、垂直方向をZ方向としている。
これらの図に示すように、この現像処理ユニット(DEV)は筐体51を有し、筐体51の天井には筐体内に清浄空気のダウンフローを形成するためのファン・フィルタユニットFが設けられている。また、筐体51内の中央部には環状のカップCPが配置され、カップCPの内側にはスピンチャック52が配置されている。スピンチャック52は真空吸着によってウエハWを固定保持する。スピンチャック52の下方には駆動モータ53が配置されており、スピンチャック52は駆動モータ53によって回転駆動される。駆動モータ53は底板54に取り付けられている。
カップCPの中には、ウエハWを受け渡しする際の昇降ピン55がエアシリンダ等の駆動機構56により昇降可能に設けられている。また、カップCP内には、廃液用のドレイン口57が設けられている。このドレイン口57に廃液管58(図5参照)が接続され、この廃液管58は、図5に示すように、底板54と筐体51との間の空間Nを通って、下方の図示しない廃液口へ接続されている。
筐体51の側壁には、主搬送機構22におけるウエハ搬送装置46の保持部材48が侵入するための開口51aが形成されており、この開口51aはシャッタ59により開閉可能となっている。そしてウエハWの搬入出に際してはシャッタ59が開けられ、保持部材48が筐体51内に侵入する。保持部材48とスピンチャック52との間のウエハWの受け渡しは、上記昇降ピン55が上昇した状態で行われる。
カップCPの上方には、ウエハWの表面に現像液を供給するための現像液供給ノズル61と、現像後のウエハWに例えば純水からなるリンス液を供給するリンス液供給ノズル62とが、ウエハW上の供給位置とウエハWの外方の待機位置との間で移動可能に設けられている。
現像液供給ノズル61は、長尺状をなしその長手方向を水平にして配置され、下面に複数の吐出口を有しており、吐出された現像液が全体として帯状になるようになっている。そして、この現像液供給ノズル61は、第1のノズルスキャンアーム64の先端部に保持部材65によって着脱可能に取り付けられており、第1のノズルスキャンアーム64は、底板54の上にY方向に沿って敷設された第1のガイドレール71上から垂直方向に延びた第1の垂直支持部材72の上端部に取り付けられている。現像液供給ノズル61は、第1の垂直支持部材72とともにY軸駆動機構73によってY方向に沿って水平移動するようになっている。また、第1の垂直支持部材72はZ軸駆動機構74によって昇降可能となっており、現像液供給ノズル61は、第1の垂直支持部材72の昇降によってウエハWに近接した吐出可能位置とその上方の非吐出位置との間で移動されるようになっている。そして、現像液の塗布の際には、現像液供給ノズル61はウエハWの上方に位置され、現像液供給ノズル61から現像液を帯状に吐出させながら、ウエハWを1/2回転以上、例えば1回転させることにより、現像液がウエハW全面に塗布され、現像液パドルが形成される。なお、現像液吐出の際には、ウエハWを回転させずに現像液供給ノズル61を第1のガイドレール71に沿ってスキャンさせてもよい。
リンス液ノズル62は、ストレートノズルとして構成されており、現像工程終了後、ウエハW上に移動されて、ウエハW上の現像パターンが形成されたレジスト膜に例えば純水からなるリンス液を供給するようになっている。このリンス液供給ノズル62は、第2のノズルスキャンアーム66の先端部に着脱可能に取り付けられている。底板54の上の第1のガイドレール71の外側には第2のガイドレール75が敷設されており、第2のノズルスキャンアーム66は、この第2のガイドレール75上から垂直方向に延びた第2の垂直支持部材76の上端部にX軸駆動機構79を介して取り付けられている。リンス液供給ノズル62は、第2の垂直支持部材76とともにY軸駆動機構77によってY方向に沿って水平移動するようになっている。また、第2の垂直支持部材76はZ軸駆動機構78によって昇降可能となっており、リンス液供給ノズル62は、第2の垂直支持部材76の昇降によってウエハWに近接した吐出可能位置とその上方の非吐出位置との間で移動されるようになっている。また、第2のノズルスキャンアーム66は、上記X軸駆動機構79によりX方向に沿って移動可能に設けられている。なお、リンス液供給ノズル62の形状は特に限定されず、現像液供給ノズル61と同様、長尺で多数の吐出口が設けられているものであってもよく、吐出口がスリット状のスリットノズルであってもよい。
Y軸駆動機構73,77、Z軸駆動機構74,78、X軸駆動機構79および駆動モータ53は、コントローラ90により制御されるようになっている。
図5に示すように、カップCPの右側には、現像液供給ノズル61が待機する現像液供給ノズル待機部61aが設けられており、この現像液供給ノズル待機部61aには現像液供給ノズル61を洗浄する洗浄機構(図示せず)が設けられている。また、カップCPの左側にはリンス液供給ノズル62が待機するリンス液供給ノズル待機部62aが設けられており、このリンス液供給ノズル待機部62aにはリンス液供給ノズルを洗浄する洗浄機構(図示せず)が設けられている。
図6は、現像処理装置(DEV)の液供給系を示す概略図である。図6に示すように、現像液供給ノズル61には、現像液を貯留した現像液タンク91から現像液を供給する現像液供給配管92が接続されている。現像液供給配管92には、現像液を供給するためのポンプ93およびオン・オフバルブ94が介装されている。また、リンス液供給ノズル62には、リンス液として純水を貯留したリンス液(純水)タンク95から純水を供給するリンス液供給配管96が接続されている。リンス液供給配管96には、純水を供給するためのポンプ97およびオン・オフバルブ98が介装されている。
これらポンプ93,97、オン・オフバルブ94,98も、前記Y軸駆動機構73,77、Z軸駆動機構74,78、X軸駆動機構79および駆動モータ53と同様、コントローラ90に電気的に接続されて制御される。コントローラ90は、上記プロセスコントローラ101の指令に従って、これら駆動機構やポンプ、バルブの他、現像処理ユニット(DEV)のみならず、他の全ての構成部の制御を行うように構成されている。
次に、このように構成された現像処理ユニット(DEV)で行われる、本発明の一実施形態に係るリンス処理方法を含む現像処理方法について図7のフローチャートおよび図8の各工程の処理状態を示す図を参照しながら説明する。
所定のパターンが露光されポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウエハWが、ウエハ搬送装置46の保持部材48によってカップCPの真上まで搬送され、昇降ピン5によってスピンチャック2に搬送され真空吸着される(ステップ1)。
次いで、現像液供給ノズル61をウエハWの上方に移動させ、現像液供給ノズル61から現像液が帯状に吐出されながら、ウエハWが1/2回転以上、例えば1回転されることにより、図8の(a)に示すように、現像液がウエハW全面に塗布され、例えば1.2mmの厚さの現像液パドル201が形成される(ステップ2)。このとき、現像液供給ノズル61をガイドレール71に沿ってスキャンしながら吐出してもよい。
このようにして現像液をウエハW上に塗布した状態で適宜の時間、例えば60秒間静止させることにより現像を進行させる(ステップ3)。この際に、ノズルスキャンアーム66を移動させて、図8の(b)に示すように、リンス液供給ノズル62をウエハWの中心部の上方に位置させる(ステップ4)。
所定時間経過後、図8の(c)に示すように、リンス液供給ノズル62をウエハW中心部の吐出可能位置まで降下させ、現像液の上にリンス液202を供給する(ステップ5)。リンス液供給開始時には、ウエハWは停止させるか、または、所定の速度、好ましくは500rpm以下の低速で回転させる。さらに好ましくは100rpm以下である。また、この際のリンス液供給速度は、500mL/min以下であることが好ましい。これは、リンス液供給初期にウエハの回転数が高速であったり、リンス液の供給速度が大きいと、リンス液の広がる範囲を制御することが困難となるからである。
次いで、少なくともウエハWの外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止する(ステップ6)。具体的には、例えば、図8の(d)に示すように、リンス液がウエハWの中心部から外側に広がって外縁に到達する前にリンス液の供給を停止する。このとき、現像液パドル201は外側部分のみならず、ほとんどが残存したままである。この場合に、リンス液の広がる範囲は、ウエハWの中心から30〜130mmであることが好ましく、典型的には50mmである。このような状態を実現するためには、リンス液の供給速度およびウエハWの回転数との兼ね合いもあるが、リンス液供給開始からリンス液供給停止までの時間は数秒で十分である。このような図8の(d)に示す状態は、ウエハWへのリンス液の供給を停止する際に、ウエハWの回転が停止しているか、または回転している場合には初期状態の低速回転をそのまま維持することにより達成することができる。
また、ステップ6は、例えば図8の(e)に示すように、ウエハWの回転によりリンス液がウエハ上の現像液パドルを押し広げ、その際に形成されるリンス液と現像液との境界面203が基板の外縁に到達する前にリンス液の供給を停止するようにしてもよい。この場合にも、少なくともウエハの外側部分には現像液パドル201が残存している。
リンス液の供給を停止した時点で図8の(e)の状態を形成するためには、リンス液の供給を停止する直前の極短時間、例えば1sec程度、ウエハWの回転数を増加させることが好ましい。このときの回転数は500〜2000rpmが好ましく、例えば1000rpmである。このようにリンス液の供給を停止する直前に回転数を上昇させることにより、効果的にリンス液と現像液との境界面203を押し広げることができる。そして、このような手段等によってリンス液の供給を停止した際に現像液パドルを押し広げた状態とすることにより、ウエハW中心近辺のリンス液への置換効率を上げることができ、現像欠陥をより少なくすることができるという利点がある。この場合に、リンス液の供給を停止した際の境界面203の範囲は、ウエハWの中心から30〜130mmであることが好ましく、典型的には50mmである。なお、リンス液の供給を停止した時点で図8の(e)の状態を形成する場合には、リンス液は遠心力によって現像液パドル201の上面を通ってウエハWの外側に流れることもある。しかし、この場合でも現像液パドル201の少なくとも外側部分が残存していればよい。
次いで、ウエハWを高速回転させて、ウエハW上の現像液をリンス液とともに振り切る(ステップ7)。この際のウエハの回転数は1000〜5000rpmであることが好ましく、例えば2000rpmである。
このステップ7においては、リンス液202が遠心力で外側に広がる際に、現像液パドル201を押し出すようにして広がる。具体的にはリンス液の供給を停止した時点で図8の(d)の状態のときは、図8の(e)に近い状態を経て、またリンス液の供給を停止した時点で図8の(e)の状態の場合は、リンス液と現像液との境界面203がさらに外側に広がる。そして、最終的には、リンス液202が現像液パドル201を外側へ押し出す。リンス液が外側へ広がる途中では、ウエハWの外側部分には現像液パドル201が存在しており、現像液はウエハW表面のレジストに対するぬれ性がよいので、ウエハWの外側部分でとぎれることがなく現像液およびリンス液が振り切られ乾燥される。したがって、ウエハW表面のレジストの疎水性の傾向が強い場合でも、従来生じていた純水からなるリンス液が途中で切れる現象が生じ難く、ウエハWに残存している現像残渣をより確実に除去することが可能となり、現像欠陥を少なくすることができる。
すなわち、従来の現像処理方法では、現像液を液盛りして現像液パドルを形成し、静止現像した後、2000rpm程度の高速でウエハWを回転させながらウエハWの中心部にリンス液を5sec程度供給し、その後500rpm程度まで回転数を落としてさらに10sec程度リンス液を供給し、最後にリンス液を4000rpm程度の高速で回転させてウエハW上に残存するリンス液を振り切って乾燥させるといったレシピを採用していたが、このようなレシピを採用すると、振り切りの際には、ウエハ上にはリンス液しか残存しておらず、ウエハWの表面に存在するレジスト膜が疎水性の傾向が強いものの場合、純水からなるリンス液はレジスト膜に十分にぬれないため、遠心力で振り切られる際に外側部分でリンス液が切れる現象が発生する。このようにリンス液が途中で切れると、図9に示すように現像残渣210がリンス液202とともに流されずにリンス液が切れた部分205に多数残存し、これが乾燥後に現像欠陥となるおそれがある。
これに対して、本実施形態では、上述したように、リンス液で現像液を流してしまうのではなく、少なくともウエハの外側部分に現像液パドルを残存させ、現像液パドルをリンス液で押し出すようにして振り切るので、このようなことは生じず、ウエハの表面状態にかかわらず現像欠陥を少なくすることができる。
このように、リンス液(純水)がウエハWの外側部分で切れる現象は、疎水性の傾向が強いレジストにおいて生じやすいから、このような手法は、最近注目されているArF線やKrF線用のレジスト、および液浸露光用の保護膜付きレジストのような表面の疎水性の傾向が強いレジスト、具体的には、現像後のリンス液(純水)に対する接触角が20〜50°のレジストに対して有効である。
さらに現像欠陥を減少させる観点からは、図10に示すように、上記ステップ6のリンスを停止する直前に、例えばNのような不活性ガスをウエハWの中心部に供給する工程(ステップ6a)を追加することが好ましい。また、図11に示すように、このような不活性ガスを供給する工程を、ステップ6のリンス液の供給を停止する後、ステップ7の現像液をリンス液とともに振り切る工程の直前に行ってもよいし、振り切る工程の途中で行ってもよい。このような不活性ガスを供給する工程は、特に、リンス液の供給停止直前にウエハWの回転数を上げて図8の(e)の状態を形成する場合に有効であり、その場合には、図10に示すタイミングでリンス液とともに供給することがより好ましい。
ウエハWの中心部は乾燥しにくいため、図12(a)に示すように、リンス液202と現像液パドル201の境界面203が外側に広がっても中心部では現像残渣210を含んだ状態のリンス液202が残存し、その後にリンス液が乾燥すると現像残渣が残って現像欠陥となるが、このように、ウエハWの中心部に不活性ガスを供給すると、図12(b)に示すように中心部に存在するリンス液202を現像残渣210とともに速やかに外方へ押し出すことができ、現像欠陥をより低減することができる。この際の不活性ガスの供給は極短時間でよく、例えば0.5sec程度で十分である。また、不活性ガスとしてはNに限らず、Ar等の他の不活性ガスであってもよい。
このようにウエハWの中心部に不活性ガスを供給するためには、図13に示すように、リンス液供給ノズル62と不活性ガス供給ノズル63とを一体化したノズルを用い、ステップ5のリンス液供給時には図13の(a)に示すように、リンス液ノズル62をウエハWの中心に位置させ、ステップ6aの不活性ガス供給時には図13の(b)に示すように不活性ガス供給ノズル63をウエハWの中心に位置するようにすればよい。
次に、本発明の効果を確認した実験について説明する。
ArFレジストを形成した300mmウエハに現像液パドルを形成した後、表1〜3に示すレシピでリンス処理を行った。表1に示すレシピ1は、本発明の範囲内の実施例であり、まず、ウエハを100rpmで回転させつつ、250mL/minの流量でリンス液として純水をウエハの中心に2sec間供給し、次にリンス液の流量を保ったまま、ウエハの回転数を加速度3000rpm/secで1000rpmまで上昇させて0.5sec保持し、引き続きウエハWの中心にリンス液の他にNガスブローを0.5sec行い、その後、リンス液とNガスの供給を停止して、ウエハの回転数を2000rpmまで上昇させて現像液とともにリンス液を振り切るものである。表2に示すレシピ2は、本発明の範囲内の実施例であり、レシピ1からNガスブローを除いたものである。レシピ1とレシピ2は、リンス液の供給を停止した時点において、リンス液と現像液との境界面がウエハの中心から130mmの範囲まで広がっていた。表3に示すレシピ3は、本発明の範囲外の比較例であり、レシピ1に対して、その最初のウエハを100rpmで回転させつつウエハにリンス液を供給する工程とウエハの回転数を1000rpmまで上昇させる工程との間に、リンス液を供給したまま8secの間、ウエハを回転数1500rpmで回転させる工程を追加したものである。レシピ3では、振り切り乾燥する前にウエハ上の現像液パドルが全てリンス液に置き換わっていた。
Figure 2007134516
Figure 2007134516
Figure 2007134516
レシピ1〜3によりリンス処理を行ったウエハの表面の現像欠陥を把握した結果を図14のウエハマップと表4に示す。図14は1つの点が1つの現像欠陥を示すものであり図14(a)がレシピ1、図14(b)がレシピ2、図14(c)がレシピ3を示す。図14および表4に示すように、実施例であるレシピ1、2は現像欠陥がそれぞれ24個、34個と少なかったのに対し、比較例であるレシピ3では現像欠陥が8714個と極めて多いものとなった。この結果から、本発明の効果が確認された。また、レシピ1とレシピ2を比較すると、Nブローの効果によりレシピ1のほうが現像欠陥が少ないことが確認された。
Figure 2007134516
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、リンス液として純水を例示したが、純水に界面活性剤等の他の物質を添加したものであってもよい。また、本発明は、通常のレジスト露光プロセスの後の現像処理に限らず、液浸露光プロセス後の現像処理にも適用可能である。さらに、上記実施形態では本発明を半導体ウエハの現像処理に適用したが、これに限らず、微細なレジストパターンが形成される基板であれば、液晶表示装置(LCD)用基板等、他の基板の現像処理にも適用することができる。さらに、本発明の範囲を逸脱しない限り、上記実施形態の要素を適宜組み合わせたもの、あるいは上記実施形態の要素を一部取り除いたものも本発明の範囲内である。
本発明の方法が実施される現像処理ユニットが搭載されたレジスト塗布現像処理システムを示す概略平面図。 図1のレジスト塗布現像処理システムを示す正面図。 図1のレジスト塗布現像処理システムを示す背面図。 本発明の一実施形態に係る方法が実施される現像処理ユニットを示す断面図。 本発明の一実施形態に係る方法が実施される現像処理ユニットを示す平面図。 図4および図5の現像処理ユニットの液供給系を示す概略図。 本発明の一実施形態に係るリンス処理方法を含む現像処理方法の工程を示すフローチャート。 各工程の処理状態を示す図。 現像処理後のリンス処理に従来のレシピを採用した際のウエハの状態を示す模式図。 本発明の他の実施形態に係るリンス処理方法の一部の工程を示すフローチャート。 本発明のさらに他の実施形態に係るリンス処理方法の一部の工程を示すフローチャート。 本発明の他の実施形態およびさらに他の実施形態の効果を説明するための図。 本発明の他の実施形態およびさらに他の実施形態に適用されるノズルおよびその動作を示す図。 実施例のレシピと比較例のレシピでリンス処理を行った際の現像欠陥を示すウエハマップ。
符号の説明
51……筐体
52……スピンチャック
61……現像液供給ノズル
62……リンス液供給ノズル
63……不活性ガス供給ノズル
90……コントローラ
91……現像液タンク
92……現像液供給配管
95……リンス液タンク
96……リンス液供給配管
101……プロセスコントローラ
102……ユーザーインターフェイス
103……記憶部
DEV……現像処理装置
W……半導体ウエハ

Claims (35)

  1. 基板上に形成された露光パターンを有するレジスト膜上に現像液パドルを形成して現像処理した後の基板をリンス処理するリンス処理方法であって、
    現像終了後、前記現像液パドルが存在している基板を停止した状態または回転させた状態とし、基板の中心部にリンス液を供給する工程と、
    基板上の少なくとも外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止する工程と、
    基板を高速回転させて基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程と
    を有することを特徴とするリンス処理方法。
  2. 前記リンス液が前記現像液パドルの上を基板の中心部から外側に広がって基板の外縁に到達する前にリンス液の供給を停止することを特徴とする請求項1に記載のリンス処理方法。
  3. 前記リンス液が基板の中心から30〜130mmの範囲に達した時点で前記リンス液の供給を停止することを特徴とする請求項2に記載のリンス処理方法。
  4. 前記リンス液が基板の中心から50mmに達した時点で前記リンス液の供給を停止することを特徴とする請求項3に記載のリンス処理方法。
  5. 前記リンス液の供給は、基板を回転しながら行い、その際に、リンス液が基板上の現像液パドルを押し広げ、その際に形成されるリンス液と現像液との境界面が基板の外縁に到達する前にリンス液の供給を停止することを特徴とする請求項1に記載のリンス処理方法。
  6. リンス液の供給を停止する直前に、短時間、基板の回転数を500〜2000rpmにすることを特徴とする請求項5に記載のリンス処理方法。
  7. 前記リンス液と現像液との境界面が基板の中心から30〜130mmの範囲に到達した時点で前記リンス液の供給を停止することを特徴とする請求項5または請求項6に記載のリンス処理方法。
  8. 前記リンス液と現像液との境界面が基板の中心から50mmの範囲に到達した時点で前記リンス液の供給を停止することを特徴とする請求項7に記載のリンス処理方法。
  9. 前記リンス液の供給速度は500mL/min以下であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
  10. 前記リンス液を供給する際の初期段階の基板の回転数を500rpm以下とすることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
  11. 前記リンス液を供給する際の初期段階の基板の回転数を100rpm以下とすることを特徴とする請求項10に記載のリンス処理方法。
  12. 前記リンス液の供給を停止する直前に、基板の回転数を上昇させることを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
  13. 前記リンス液を停止する直前に、基板の中心部に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
  14. 前記現像液をリンス液とともに振り切る直前に、基板の中心部に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
  15. 前記基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程は、基板を1000rpm以上で回転させることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
  16. 基板表面の現像処理後における接触角が20〜50°であることを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載のリンス処理方法。
  17. 基板上のレジスト膜に形成された露光パターンを現像する現像処理方法であって、
    基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布して現像液パドルを形成する工程と、
    前記現像液パドルを静止させて現像を進行させる工程と、
    現像終了後、前記現像液パドルが存在している基板を停止した状態または回転させた状態とし、基板の中心部にリンス液を供給する工程と、
    基板上の少なくとも外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止する工程と、
    基板を高速回転させて基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程と
    を有することを特徴とする現像処理方法。
  18. 前記リンス液が前記現像液パドルの上を基板の中心部から外側に広がって基板の外縁に到達する前にリンス液の供給を停止することを特徴とする請求項17に記載の現像処理方法。
  19. 前記リンス液が基板の中心から30〜130mmの範囲に達した時点で前記リンス液の供給を停止することを特徴とする請求項18に記載の現像処理方法。
  20. 前記リンス液が基板の中心から50mmに達した時点で前記リンス液の供給を停止することを特徴とする請求項19に記載の現像処理方法。
  21. 前記リンス液の供給は、基板を回転しながら行い、その際に、リンス液が基板上の現像液パドルを押し広げ、その際に形成されるリンス液と現像液との境界面が基板の外縁に到達する前にリンス液の供給を停止することを特徴とする請求項17に記載の現像処理方法。
  22. リンス液の供給を停止する直前に、短時間、基板の回転数を500〜2000rpmにすることを特徴とする請求項21に記載の現像処理方法。
  23. 前記リンス液と現像液との境界面が基板の中心から30〜130mmの範囲に到達した時点で前記リンス液の供給を停止することを特徴とする請求項21または請求項22に記載の現像処理方法。
  24. 前記リンス液と現像液との境界面が基板の中心から50mmの範囲に到達した時点で前記リンス液の供給を停止することを特徴とする請求項23に記載の現像処理方法。
  25. 前記リンス液の供給速度は500mL/min以下であることを特徴とする請求項17から請求項24のいずれか1項に記載の現像処理方法。
  26. 前記リンス液を供給する際の初期段階の基板の回転数を500rpm以下とすることを特徴とする請求項17から請求項25のいずれか1項に記載の現像処理方法。
  27. 前記リンス液を供給する際の初期段階の基板の回転数を100rpm以下とすることを特徴とする請求項26に記載の現像処理方法。
  28. 前記リンス液の供給を停止する直前に、基板の回転数を上昇させることを特徴とする請求項17から請求項27のいずれか1項に記載の現像処理方法。
  29. 前記リンス液を停止する直前に、基板の中心部に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項17から請求項28のいずれか1項に記載の現像処理方法。
  30. 前記現像液をリンス液とともに振り切る直前に、基板の中心部に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項17から請求項28のいずれか1項に記載の現像処理方法。
  31. 前記基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程は、基板を1000rpm以上で回転させることを特徴とする請求項17から請求項30のいずれか1項に記載の現像処理方法。
  32. 基板表面の現像処理後における接触角が20〜50°であることを特徴とする請求項17から請求項31のいずれか1項に記載の現像処理方法。
  33. 基板上のレジスト膜に形成された露光パターンを現像する現像処理装置であって、
    基板を水平に保持する基板保持部と、
    前記基板保持部を回転させる回転機構と、
    前記基板保持部に保持された基板に現像液を供給する現像液供給ノズルと、
    前記基板保持部に保持された基板にリンス液を供給するリンス液ノズルと、
    前記現像液供給ノズルおよび前記リンス液ノズルを移動させる移動機構と、
    前記回転機構、前記移動機構、前記現像液供給ノズルからの現像液の供給、および前記リンス液ノズルからのリンス液の供給を制御する制御部と
    を具備し、
    前記制御部は、
    基板上の露光後のレジスト膜に現像液を塗布して現像液パドルを形成する工程と、
    前記現像液パドルを静止させて現像を進行させる工程と、
    現像終了後、前記現像液パドルが存在している基板を停止した状態または回転させた状態とし、基板の中心部にリンス液を供給する工程と、
    基板上の少なくとも外側部分に現像液パドルが残存している状態でリンス液の供給を停止する工程と、
    基板を高速回転させて基板上の現像液をリンス液とともに振り切る工程と
    が実行されるように前記回転機構、前記移動機構、前記現像液供給ノズルからの現像液の供給、および前記リンス液ノズルからのリンス液の供給を制御することを特徴とする現像処理装置。
  34. コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項1から請求項32のいずれか1項に記載の方法が行なわれるように、コンピュータに現像処理装置を制御させることを特徴とする制御プログラム。
  35. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項32のいずれか1項に記載の方法が行われるように、コンピュータに現像処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
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