JPH07135136A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH07135136A JPH07135136A JP14935993A JP14935993A JPH07135136A JP H07135136 A JPH07135136 A JP H07135136A JP 14935993 A JP14935993 A JP 14935993A JP 14935993 A JP14935993 A JP 14935993A JP H07135136 A JPH07135136 A JP H07135136A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resist pattern
- developing
- rpm
- development
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光済のレジスト膜の現像方法に関し、高ア
スペクト比のレジストパターンを形成する際にパターン
の蛇行や傾きが発生しないようにする現像方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 ウェーハ上に形成された露光済のフォトレジ
スト膜に、ウェーハを２００〜５００ｒｐｍの回転速度
で回転させながら薬液を滴下して現像または現像とリン
スとをなし、薬液の滴下を停止した後、引き続きウェー
ハを３０００ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍの回転速度で回転
させてウェーハ上から薬液を飛散させて乾燥する工程を
複数回繰り返し実行する。
スペクト比のレジストパターンを形成する際にパターン
の蛇行や傾きが発生しないようにする現像方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 ウェーハ上に形成された露光済のフォトレジ
スト膜に、ウェーハを２００〜５００ｒｐｍの回転速度
で回転させながら薬液を滴下して現像または現像とリン
スとをなし、薬液の滴下を停止した後、引き続きウェー
ハを３０００ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍの回転速度で回転
させてウェーハ上から薬液を飛散させて乾燥する工程を
複数回繰り返し実行する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光済のレジスト膜の
現像方法に関する。
現像方法に関する。
【０００２】近年、集積回路の集積度の向上に伴ってレ
ジストパターンを安定して形成することが求められてい
る。特に、アスペクト比（レジスト膜厚／パターン最小
幅）の高いレジストパターンを安定して形成することが
必要になっている。
ジストパターンを安定して形成することが求められてい
る。特に、アスペクト比（レジスト膜厚／パターン最小
幅）の高いレジストパターンを安定して形成することが
必要になっている。
【０００３】
【従来の技術】ウェーハを停止させた状態で現像液を滴
下してウェーハ上に広げるか、または、ウェーハを５０
〜１００ｒｐｍ程度の低回転速度で回転させながら現像
液を滴下してウェーハ上に広げた後、ウェーハを停止し
て現像する所謂液盛り現像、または、ウェーハを１００
０〜３０００ｒｐｍの回転速度で回転させながら現像液
を滴下して現像する滴下現像がこれまで使用されてい
る。なお、いずれの場合も、現像後にウェーハを回転さ
せながらリンス液を滴下してリンスする。
下してウェーハ上に広げるか、または、ウェーハを５０
〜１００ｒｐｍ程度の低回転速度で回転させながら現像
液を滴下してウェーハ上に広げた後、ウェーハを停止し
て現像する所謂液盛り現像、または、ウェーハを１００
０〜３０００ｒｐｍの回転速度で回転させながら現像液
を滴下して現像する滴下現像がこれまで使用されてい
る。なお、いずれの場合も、現像後にウェーハを回転さ
せながらリンス液を滴下してリンスする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】アスペクト比の高いレ
ジストパターンを形成する場合、従来の方法ではレジス
トパターンが蛇行したり、微小な傾き（倒れ）が発生
し、下地材料をエッチングする際のマスクとして使用す
る場合に問題となっている。
ジストパターンを形成する場合、従来の方法ではレジス
トパターンが蛇行したり、微小な傾き（倒れ）が発生
し、下地材料をエッチングする際のマスクとして使用す
る場合に問題となっている。
【０００５】本発明の目的は、この欠点を解消すること
にあり、高アスペクト比のレジストパターンを形成する
際にパターンの蛇行や傾きが発生しないようにする現像
方法を提供することにある。
にあり、高アスペクト比のレジストパターンを形成する
際にパターンの蛇行や傾きが発生しないようにする現像
方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、ウェーハ
上に形成された露光済のフォトレジスト膜に、前記のウ
ェーハを２００〜５００ｒｐｍの回転速度で回転させな
がら薬液を滴下して現像または現像とリンスとをなし、
この薬液の滴下を停止した後、引き続き前記のウェーハ
を３０００ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍの回転速度で回転さ
せて前記のウェーハ上から薬液を飛散させて乾燥する工
程を複数回繰り返し実行することによって達成される。
上に形成された露光済のフォトレジスト膜に、前記のウ
ェーハを２００〜５００ｒｐｍの回転速度で回転させな
がら薬液を滴下して現像または現像とリンスとをなし、
この薬液の滴下を停止した後、引き続き前記のウェーハ
を３０００ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍの回転速度で回転さ
せて前記のウェーハ上から薬液を飛散させて乾燥する工
程を複数回繰り返し実行することによって達成される。
【０００７】
【作用】現像・リンス・乾燥工程を複数回繰り返して実
行し、１回当りの現像時間を短くすることによって、各
現像時にレジストパターンに吸収される現像液が少なく
なるので、リンス処理によって現像液が中和・除去され
易くなり、レジストパターンの膨潤が抑制される。ま
た、現像・リンス処理時に２００〜５００ｒｐｍの低回
転速度でウェーハを回転することによって、ウェーハ中
心に滴下した薬液が外周に向かって流れるときのレジス
トパターンに作用する応力が低減され、レジストパター
ンの変形が防止される。さらにまた、乾燥時にはウェー
ハを３０００〜６０００ｒｐｍと言う高回転速度で回転
して薬液を飛散させるので、現像むらがなくなり、現像
の均一性が向上する。
行し、１回当りの現像時間を短くすることによって、各
現像時にレジストパターンに吸収される現像液が少なく
なるので、リンス処理によって現像液が中和・除去され
易くなり、レジストパターンの膨潤が抑制される。ま
た、現像・リンス処理時に２００〜５００ｒｐｍの低回
転速度でウェーハを回転することによって、ウェーハ中
心に滴下した薬液が外周に向かって流れるときのレジス
トパターンに作用する応力が低減され、レジストパター
ンの変形が防止される。さらにまた、乾燥時にはウェー
ハを３０００〜６０００ｒｐｍと言う高回転速度で回転
して薬液を飛散させるので、現像むらがなくなり、現像
の均一性が向上する。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例に係
る現像処理方法について説明する。
る現像処理方法について説明する。
【０００９】ウェーハ上に例えばＣＭＳ（クロロメチル
スチレン）系のネガレジストを１．５μｍ厚に塗布し、
線幅１．０μｍのパターンを露光したものを以下のよう
に現像処理する。
スチレン）系のネガレジストを１．５μｍ厚に塗布し、
線幅１．０μｍのパターンを露光したものを以下のよう
に現像処理する。
【００１０】表１に示す現像処理工程を１サイクルと
し、これを８サイクル繰り返し実行する。
し、これを８サイクル繰り返し実行する。
【００１１】
【表１】
【００１２】図１（ａ）、図２参照 形成されたレジストパターンのアスペクト比は１．５
（厚さ１．５μｍ／幅１μｍ）であり、このレジストパ
ターンの傾き角（θ）（図２参照）と露光量（μＣ／ｃ
ｍ2 ）との関係を図１（ａ）のグラフＡに示す。傾きは
極めて僅かとなり、また、蛇行も殆ど発生しないレジス
トパターンが得られた。
（厚さ１．５μｍ／幅１μｍ）であり、このレジストパ
ターンの傾き角（θ）（図２参照）と露光量（μＣ／ｃ
ｍ2 ）との関係を図１（ａ）のグラフＡに示す。傾きは
極めて僅かとなり、また、蛇行も殆ど発生しないレジス
トパターンが得られた。
【００１３】図１（ｂ）、図３参照 レジストパターンの傾き角（θ）のウェーハ面内分布を
図１（ｂ）のグラフＡに示す。図１（ｂ）の横軸の数字
はウェーハ面内の測定位置を示し、図３に数字をもって
示す位置に対応する。こゝで、ウェーハ上に形成された
１μｍ幅のレジストパターンは、図３において、左右方
向に直線状に形成されている。
図１（ｂ）のグラフＡに示す。図１（ｂ）の横軸の数字
はウェーハ面内の測定位置を示し、図３に数字をもって
示す位置に対応する。こゝで、ウェーハ上に形成された
１μｍ幅のレジストパターンは、図３において、左右方
向に直線状に形成されている。
【００１４】参考例１ 表２に示す１サイクルの現像工程を８サイクル実施した
場合の露光量（μＣ／ｃｍ2 ）とレジストパターンの傾
き角（θ）との関係を図１（ａ）のグラフＢに示し、レ
ジストパターンの傾き角（θ）のウェーハ面内分布を図
１（ｂ）のグラフＢに示す。いづれも、実施例に比して
劣っている。
場合の露光量（μＣ／ｃｍ2 ）とレジストパターンの傾
き角（θ）との関係を図１（ａ）のグラフＢに示し、レ
ジストパターンの傾き角（θ）のウェーハ面内分布を図
１（ｂ）のグラフＢに示す。いづれも、実施例に比して
劣っている。
【００１５】
【表２】
【００１６】参考例２ 表３に示す１サイクルの現像工程を８サイクル実施した
場合の露光量（μＣ／ｃｍ2 ）とレジストパターンの傾
き角（θ）との関係を図１（ａ）のグラフＣに示し、レ
ジストパターンの傾き角（θ）のウェーハ面内分布を図
１（ｂ）のグラフＣに示す。いづれも、実施例に比して
劣っている。
場合の露光量（μＣ／ｃｍ2 ）とレジストパターンの傾
き角（θ）との関係を図１（ａ）のグラフＣに示し、レ
ジストパターンの傾き角（θ）のウェーハ面内分布を図
１（ｂ）のグラフＣに示す。いづれも、実施例に比して
劣っている。
【００１７】
【表３】
【００１８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係る半導
体装置の製造方法においては、現像・乾燥または現像・
リンス・乾燥工程を繰り返し複数回実施し、しかも、現
像時とリンス時のウェーハの回転速度を２００〜５００
ｒｐｍと低くし、乾燥時のウェーハの回転速度を３００
０〜６０００ｒｐｍと高くすることによって、現像処理
時のレジストの膨潤とレジストパターンに作用する薬液
の応力を抑制することができるので、傾きや蛇行の少な
い良好な、高アスペクト比のレジストパターンを形成す
ることができる。
体装置の製造方法においては、現像・乾燥または現像・
リンス・乾燥工程を繰り返し複数回実施し、しかも、現
像時とリンス時のウェーハの回転速度を２００〜５００
ｒｐｍと低くし、乾燥時のウェーハの回転速度を３００
０〜６０００ｒｐｍと高くすることによって、現像処理
時のレジストの膨潤とレジストパターンに作用する薬液
の応力を抑制することができるので、傾きや蛇行の少な
い良好な、高アスペクト比のレジストパターンを形成す
ることができる。
【図１】レジストパターンの傾き角を示す図であり、同
図（ａ）は露光量との関係を示し、同図（ｂ）はウェー
ハ面内分布を示す。
図（ａ）は露光量との関係を示し、同図（ｂ）はウェー
ハ面内分布を示す。
【図２】レジストパターンの傾き角を示す図である。
【図３】ウェーハ面内の位置を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェーハ上に形成された露光済のフォト
レジスト膜に、前記ウェーハを２００〜５００ｒｐｍの
回転速度で回転させながら薬液を滴下して現像または現
像とリンスとをなし、該薬液の滴下を停止した後、引き
続き前記ウェーハを３０００ｒｐｍ〜６０００ｒｐｍの
回転速度で回転させて前記ウェーハ上から薬液を飛散さ
せて乾燥する工程を複数回繰り返し実行する工程を有す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14935993A JPH07135136A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14935993A JPH07135136A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07135136A true JPH07135136A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=15473412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14935993A Pending JPH07135136A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07135136A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887710A3 (en) * | 1997-06-26 | 1999-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| KR100307632B1 (ko) * | 1999-06-02 | 2001-11-14 | 윤종용 | 감광막 패턴 형성방법 |
| JP2007134516A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Tokyo Electron Ltd | リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP2015216403A (ja) * | 2011-02-24 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置 |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP14935993A patent/JPH07135136A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0887710A3 (en) * | 1997-06-26 | 1999-09-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Resist development process |
| KR100307632B1 (ko) * | 1999-06-02 | 2001-11-14 | 윤종용 | 감광막 패턴 형성방법 |
| JP2007134516A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Tokyo Electron Ltd | リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| US7841787B2 (en) | 2005-11-10 | 2010-11-30 | Tokyo Electron Limited | Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium |
| JP4684858B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2011-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | リンス処理方法、現像処理方法、現像処理装置、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| US8147153B2 (en) | 2005-11-10 | 2012-04-03 | Tokyo Electron Limited | Rinsing method, developing method, developing system and computer-read storage medium |
| JP2015216403A (ja) * | 2011-02-24 | 2015-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020702 |