JPS58214151A - 微細レジストパタ−ン形成の現像方法 - Google Patents
微細レジストパタ−ン形成の現像方法Info
- Publication number
- JPS58214151A JPS58214151A JP9614582A JP9614582A JPS58214151A JP S58214151 A JPS58214151 A JP S58214151A JP 9614582 A JP9614582 A JP 9614582A JP 9614582 A JP9614582 A JP 9614582A JP S58214151 A JPS58214151 A JP S58214151A
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- Japan
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- time
- developing
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体プロセスにおけるレジストパターン形
成時の現像に係り、特にパターン解像に好適な現像方法
に関する。
成時の現像に係り、特にパターン解像に好適な現像方法
に関する。
ＶＬＳＩ製造用リングラフィの微細化が進んでいるカ、
実際に微細レジストパターンを形成しても、上記レジス
トパターンをマスクとして基板加工を行なうと、１μｍ
程度のギャップパターン部では、レジストギャップ底部
にレジストの半溶解物（スカムと呼ぶ）が残存するため
、基板加工ができなくなる。従来は、このスカムの影Ｉ
Ｉ′！！ｉ−なくすため、０、によるプラズマアッシャ
を利用し、スカムを取り除く方法が行なわれていた。し
かし、この方法によってスカムは除去できるが、同時に
レジストが全面薄くなるためパターン寸法が細くなる。
実際に微細レジストパターンを形成しても、上記レジス
トパターンをマスクとして基板加工を行なうと、１μｍ
程度のギャップパターン部では、レジストギャップ底部
にレジストの半溶解物（スカムと呼ぶ）が残存するため
、基板加工ができなくなる。従来は、このスカムの影Ｉ
Ｉ′！！ｉ−なくすため、０、によるプラズマアッシャ
を利用し、スカムを取り除く方法が行なわれていた。し
かし、この方法によってスカムは除去できるが、同時に
レジストが全面薄くなるためパターン寸法が細くなる。
また、ウェーハ内の寸法がばらつくなどの欠点があった
。
。
本発明の目的は、上記、寸法精度に悪影＊１与えるＯ鵞
プラズマアッシャ処理などを利用せずに、高精度レジス
トパターンを形成するための、現像処理方法を提供する
ことにある。
プラズマアッシャ処理などを利用せずに、高精度レジス
トパターンを形成するための、現像処理方法を提供する
ことにある。
微細パターンを形成する時、解儂度を低下させるのはレ
ジストを現像液で処理する間にレジストパターン側面か
ら半溶解のレジストがパターン周囲に流れ出し、残るた
めである。この半溶解レジスト（スカム］が、パターン
間のギャップの解像を妨げる。レジスト現像後の水洗に
よシわずかにスカムは除去されるが、一度形成されたス
カムは、現像工程後の上記水洗では完全に取り除くこと
ができない。そこで、スカムの堆積を防ぐため、本発明
は、同−現像処理内で現像工程を数回に分け、スカムが
多量に堆積する前に水洗によシスカムを取シ除きながら
現像を繰シ返すという現像法でめる。
ジストを現像液で処理する間にレジストパターン側面か
ら半溶解のレジストがパターン周囲に流れ出し、残るた
めである。この半溶解レジスト（スカム］が、パターン
間のギャップの解像を妨げる。レジスト現像後の水洗に
よシわずかにスカムは除去されるが、一度形成されたス
カムは、現像工程後の上記水洗では完全に取り除くこと
ができない。そこで、スカムの堆積を防ぐため、本発明
は、同−現像処理内で現像工程を数回に分け、スカムが
多量に堆積する前に水洗によシスカムを取シ除きながら
現像を繰シ返すという現像法でめる。
以下に本発明の効果を明確にするために、従来技術と、
本発明による工程とを比較しながら実施例によって説明
する。
本発明による工程とを比較しながら実施例によって説明
する。
先に、現像による解像実験の結果を示す。Ｓｔウェーハ
にポジ型レジスタＡ Ｚ １３５０ Ｊ （ＡＺｏｐｌ
ａｔｅＳｈｉｐｌｅ）’ 社曲品名）ｖＩ−通常の方
法で１μｍの膜厚に形成する。その恢通常の方法で露光
し、次に現１駅液Ｍ Ｐ −３１２（Ａｚｏｐｌａｔｅ
５ｈｉｐｌｅｙ社商品名）で現像を行ないレジストパ
ターンを形成した。このときの現像時間と１．２μｍ角
の微細孔２０個の形成率の関係を第１図曲線Ａで示す。
にポジ型レジスタＡ Ｚ １３５０ Ｊ （ＡＺｏｐｌ
ａｔｅＳｈｉｐｌｅ）’ 社曲品名）ｖＩ−通常の方
法で１μｍの膜厚に形成する。その恢通常の方法で露光
し、次に現１駅液Ｍ Ｐ −３１２（Ａｚｏｐｌａｔｅ
５ｈｉｐｌｅｙ社商品名）で現像を行ないレジストパ
ターンを形成した。このときの現像時間と１．２μｍ角
の微細孔２０個の形成率の関係を第１図曲線Ａで示す。
図から明らかなように現像時間３０秒で形成された１、
２μｍ角の微細孔は、さらに現像することによ＃）６０
秒では形成されなくなる。この現象から現像時間を増す
ことにより、スカムがより多く生成されることが明らか
となった。さらに上記実施例では、１．０μｍμｍ下の
微細孔は、いかなる現像時間においても形成はできなか
った。
２μｍ角の微細孔は、さらに現像することによ＃）６０
秒では形成されなくなる。この現象から現像時間を増す
ことにより、スカムがより多く生成されることが明らか
となった。さらに上記実施例では、１．０μｍμｍ下の
微細孔は、いかなる現像時間においても形成はできなか
った。
次に、本発明の一実施例の結果を示す。上記の解像実験
と同じ工程で露光まで行ない、現塚工程で現像１０秒、
水洗５秒を３回繰り返した。このときの、１μｍμｍ細
微細孔成率を図の曲＋１！Ｈに示す。図よシ明らかなよ
うに、従来法で見られ九現揮時間を長くすることによる
微細孔形成率の低下現象は起きていないことがわかる。
と同じ工程で露光まで行ない、現塚工程で現像１０秒、
水洗５秒を３回繰り返した。このときの、１μｍμｍ細
微細孔成率を図の曲＋１！Ｈに示す。図よシ明らかなよ
うに、従来法で見られ九現揮時間を長くすることによる
微細孔形成率の低下現象は起きていないことがわかる。
これは、本発明の現像法では、現像、水洗を短時間の丈
イクルで繰り返し行なっているので、現像で生成された
スカムは、すぐに水洗で除去されレジスタ１ｌｉ１１部
に多量に堆積することがないためである。なお、微細パ
ターンの解像限界は、主に露光手法により決定１れるも
のでめム本発明の解像限界は０．６μｍでめる。露光手
法に適用した例においても、良好にパターンの現ｉｓを
行なうことができた。
イクルで繰り返し行なっているので、現像で生成された
スカムは、すぐに水洗で除去されレジスタ１ｌｉ１１部
に多量に堆積することがないためである。なお、微細パ
ターンの解像限界は、主に露光手法により決定１れるも
のでめム本発明の解像限界は０．６μｍでめる。露光手
法に適用した例においても、良好にパターンの現ｉｓを
行なうことができた。
以上の結果のように、本実施例によれは流れ出す半溶解
レジストパターンの途中で取り除くため、現１＃！後に
半浴解しジス）ｔ−残さない効果がある。
レジストパターンの途中で取り除くため、現１＃！後に
半浴解しジス）ｔ−残さない効果がある。
本発明によれば、現像で発生するスカムの生成會防ぐこ
とができるので、微細パターンの高解像化が達成できる
と同時に、シャープなパターン金形成することができる
。なお、実施例では、基板としてＳｉウエーノ・を用い
たが、本発明の効果はこれに限定されずいかなる基板材
料においても、また、レジスト、現像液材料に関しても
同様な効果が得られた。また、本発明の方法によれば、
リンス液が不用となるためリンス液用のノズルが取シ除
け、現１象装置の構造も簡略化できる。
とができるので、微細パターンの高解像化が達成できる
と同時に、シャープなパターン金形成することができる
。なお、実施例では、基板としてＳｉウエーノ・を用い
たが、本発明の効果はこれに限定されずいかなる基板材
料においても、また、レジスト、現像液材料に関しても
同様な効果が得られた。また、本発明の方法によれば、
リンス液が不用となるためリンス液用のノズルが取シ除
け、現１象装置の構造も簡略化できる。
図は、現ＩＪＩ！時間と微細孔の形成率の関係を示す線
図である。 Ａ・・・１．２μｍμｍ細微細孔成率曲線、Ｂ・・・１
．０μｍ角微細孔の形成率曲線。 代理人 弁理士 薄田利拳 Ｏ２０４θ ６０ ｇθ ｌθθ 硬像暗像晴間）
図である。 Ａ・・・１．２μｍμｍ細微細孔成率曲線、Ｂ・・・１
．０μｍ角微細孔の形成率曲線。 代理人 弁理士 薄田利拳 Ｏ２０４θ ６０ ｇθ ｌθθ 硬像暗像晴間）
Claims (1)
- １、パターンを露光したレジストの同−現像処理内で現
像工程、水洗工程をそれぞれ２回以上複数回繰シ返し行
なうことによシ良好なパターン形成を可能にすることを
特徴とする微細レジストパターン形成の現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9614582A JPS58214151A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 微細レジストパタ−ン形成の現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9614582A JPS58214151A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 微細レジストパタ−ン形成の現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214151A true JPS58214151A (ja) | 1983-12-13 |
Family
ID=14157209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9614582A Pending JPS58214151A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 微細レジストパタ−ン形成の現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58214151A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121436A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法 |
| JPS63298242A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 感光性樹脂層の形成法 |
| EP0419073A2 (en) * | 1989-09-20 | 1991-03-27 | Fujitsu Limited | Process for production of a semiconductor device |
| EP0512117A1 (en) * | 1990-11-28 | 1992-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of and device for removing resist |
| US5783367A (en) * | 1989-09-20 | 1998-07-21 | Fujitsu Limited | Process for production of semiconductor device and resist developing apparatus used therein |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP9614582A patent/JPS58214151A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121436A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Fujitsu Ltd | レジスト現像方法 |
| JPS63298242A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 感光性樹脂層の形成法 |
| EP0419073A2 (en) * | 1989-09-20 | 1991-03-27 | Fujitsu Limited | Process for production of a semiconductor device |
| US5783367A (en) * | 1989-09-20 | 1998-07-21 | Fujitsu Limited | Process for production of semiconductor device and resist developing apparatus used therein |
| EP0512117A1 (en) * | 1990-11-28 | 1992-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of and device for removing resist |
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