JPS58113925A - 電子ビ−ム描画用レジスト - Google Patents
電子ビ−ム描画用レジストInfo
- Publication number
- JPS58113925A JPS58113925A JP56213990A JP21399081A JPS58113925A JP S58113925 A JPS58113925 A JP S58113925A JP 56213990 A JP56213990 A JP 56213990A JP 21399081 A JP21399081 A JP 21399081A JP S58113925 A JPS58113925 A JP S58113925A
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- JP
- Japan
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- electron beam
- resist
- polyvinyl alcohol
- methacrylate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/093—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antistatic means, e.g. for charge depletion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し念高速電子ビーム描画に適する電子ビーム描画用レジ
ストに関する。
ストに関する。
（２）技術の背景
電子ビーム描画用レジストはフォトマスク製造等に広く
用いられているが、最近電子ビーム装置の性能向上に伴
い高速描画が可能になって来た。
用いられているが、最近電子ビーム装置の性能向上に伴
い高速描画が可能になって来た。
電子ビーム描画技術は印光よシ波長の短かい電子ビーム
を用いるため波長による精細度の限界が従来より微小と
なり微細パターンを精度よく形成することができる。（
４パターン・ゼネレータとフオトレヒ０−夕で行う工程
が同時になされるので工程数が減少し、欠陥の少ないマ
スクが得られると（ロ）時にマスク製作時間が短縮され
る。、ビ１更にＣＡＤ（Ｏｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ
Ｄｅｓｉｇｏ ）技術の発展と相まって、設計からマ
スクまでの一貫し次自動化、制（至）化が可能になる等
の特徴を持っている。一方、フォトレジストハ投影露光
方法による従来の元の波長用フォトレジストとして例え
ば架橋硬化ネガ型フォトレジスト、ＫＰＲなど一般的な
感光材料が用いられて来た。さらに電子ビーム用レジス
トとしてメタクリレート系の高分子物質、例えばポリグ
リシル・メタクリレートやポジ型のポリメチルメ、タク
リレート等の代表的なレジストが微細パターン形成のホ
トレジストとして用いられている。
を用いるため波長による精細度の限界が従来より微小と
なり微細パターンを精度よく形成することができる。（
４パターン・ゼネレータとフオトレヒ０−夕で行う工程
が同時になされるので工程数が減少し、欠陥の少ないマ
スクが得られると（ロ）時にマスク製作時間が短縮され
る。、ビ１更にＣＡＤ（Ｏｏｍｐｕｔｅｒ Ａｉｄｅｄ
Ｄｅｓｉｇｏ ）技術の発展と相まって、設計からマ
スクまでの一貫し次自動化、制（至）化が可能になる等
の特徴を持っている。一方、フォトレジストハ投影露光
方法による従来の元の波長用フォトレジストとして例え
ば架橋硬化ネガ型フォトレジスト、ＫＰＲなど一般的な
感光材料が用いられて来た。さらに電子ビーム用レジス
トとしてメタクリレート系の高分子物質、例えばポリグ
リシル・メタクリレートやポジ型のポリメチルメ、タク
リレート等の代表的なレジストが微細パターン形成のホ
トレジストとして用いられている。
（３）従来技術の問題点
上記のような種々の利点及び％性を有する電子ビームの
描画技術において問題となっていた点は投影露光等の方
法に比べて描画時間が長くかかるということである。こ
の問題点ｆ：解決する定めに１１描画装置におけるビー
ム強度、ビームパルス速度等の性能改善がなされ、Ｒ近
では従来の数倍以上の描画速度を有する高速描画装置が
提供されるようになっ几〇 一方、電子ビーム用レジストこして用いられている前述
の高分子物質のネガ形のポリグリシル・メタクリレート
系及びポジ形のポリメチル・メタクリレート系等のレジ
ストはフォトマスクパターン等の微細パターン特にサブ
ミクロン化に向け。
描画技術において問題となっていた点は投影露光等の方
法に比べて描画時間が長くかかるということである。こ
の問題点ｆ：解決する定めに１１描画装置におけるビー
ム強度、ビームパルス速度等の性能改善がなされ、Ｒ近
では従来の数倍以上の描画速度を有する高速描画装置が
提供されるようになっ几〇 一方、電子ビーム用レジストこして用いられている前述
の高分子物質のネガ形のポリグリシル・メタクリレート
系及びポジ形のポリメチル・メタクリレート系等のレジ
ストはフォトマスクパターン等の微細パターン特にサブ
ミクロン化に向け。
その材質の長所を引き出しつつ多用されている。
しかし一般に上記レジストのポリグリシル・メタクリレ
ート及びポリメチル・メタクリレートの両者等は１０１
１ （Ω・１〕程度の高い体積固有抵抗を有する絶縁物
であるために、電子ビームによる高速描画を行り九際に
は、負電荷を持つ電子ビームで叩かれて電子ビームレジ
スト膜表面に負電荷が誘起され、それがレジスト膜内を
通ってレジスト膜か被着されている基板に放電しきれず
、レジスト膜表面に負電荷が蓄積され、この蓄積された
負１１Ｅ荷Ｋ ！って、電子ビームがホトレジスト表面
近くで曲げられてしまい描画ずれが生じてしまうという
問題がある◇ ％に電子ビームレジスト膜がドライエ、チング用のマス
クの如く厚くなると０．５〜ｌＩＩｍ＠にも達すること
があるので微細パターン形成の精度が著しく低下すると
いう問題がある。
ート及びポリメチル・メタクリレートの両者等は１０１
１ （Ω・１〕程度の高い体積固有抵抗を有する絶縁物
であるために、電子ビームによる高速描画を行り九際に
は、負電荷を持つ電子ビームで叩かれて電子ビームレジ
スト膜表面に負電荷が誘起され、それがレジスト膜内を
通ってレジスト膜か被着されている基板に放電しきれず
、レジスト膜表面に負電荷が蓄積され、この蓄積された
負１１Ｅ荷Ｋ ！って、電子ビームがホトレジスト表面
近くで曲げられてしまい描画ずれが生じてしまうという
問題がある◇ ％に電子ビームレジスト膜がドライエ、チング用のマス
クの如く厚くなると０．５〜ｌＩＩｍ＠にも達すること
があるので微細パターン形成の精度が著しく低下すると
いう問題がある。
（４） 発明の目的
本発明は上記の問題を解決するため電子ビームによる高
速描画時においても、多量の負電荷が蓄積されることの
ない様に電子ビームレジストを提供やることを目的とす
るものである。
速描画時においても、多量の負電荷が蓄積されることの
ない様に電子ビームレジストを提供やることを目的とす
るものである。
（５）発明の構成
即ち、上記の目的は電子ビーム用レジスト上に半導電性
高分子材料からなる帯電性防止１ｇ１ｉ１に形成してな
ることを特徴とする！子ビーム描画用レジストを提供す
ることＫより達成される。
高分子材料からなる帯電性防止１ｇ１ｉ１に形成してな
ることを特徴とする！子ビーム描画用レジストを提供す
ることＫより達成される。
１６）発明の実施例
以下本発明の１実施例について詳細に説明する。前述の
電子ビームレジストのネガ型のポリグリシル・メタクリ
レートに例を取り説明すると体積固有抵抗は１０１１（
Ω・傷〕程度であり一方この表面に塗布するポリビニー
ル・アルコールは１０７〔Ω・工〕以下の体積固有抵抗
の特性のものを用いる。ポリグリシル・メタクリレート
は酢酸エチル−セロソルブ等の溶媒を用い、所望のレジ
スト膜厚を得るのに通常８〜ｘｏｏ（ｏｐ）８ｍの粘度
に溶媒の量を加減しスピンコード等の方法によって塗布
皮膜を形成する。１几上記の特性を有するポリビニール
・アルコールは極めて親水性で水に溶解でき、濃度８〜
ｔＯＳ溶液として用“いる。
電子ビームレジストのネガ型のポリグリシル・メタクリ
レートに例を取り説明すると体積固有抵抗は１０１１（
Ω・傷〕程度であり一方この表面に塗布するポリビニー
ル・アルコールは１０７〔Ω・工〕以下の体積固有抵抗
の特性のものを用いる。ポリグリシル・メタクリレート
は酢酸エチル−セロソルブ等の溶媒を用い、所望のレジ
スト膜厚を得るのに通常８〜ｘｏｏ（ｏｐ）８ｍの粘度
に溶媒の量を加減しスピンコード等の方法によって塗布
皮膜を形成する。１几上記の特性を有するポリビニール
・アルコールは極めて親水性で水に溶解でき、濃度８〜
ｔＯＳ溶液として用“いる。
次に使用例について説明すると、ポリグリシルメタクリ
レートを用い直接描画法によって例えばマスターマスク
を形成する際には通常クロム・ブランク板（遮光膜とし
て５００（Ａ）程のクロム層が上面に被着形成されてな
るガラス基板）上に先ず通常のスピン・コート法虻よシ
１μｍ 程度の前述のポリグリシル・メタクリレート液
を塗布してさらにその上より前述のポリビニールアルコ
ール液を塗布する。次いで８０〜ｉｚｏ℃程度の通常の
プレベーキングを行ってポリグリシル・メタクリレート
膜中に含まれる溶媒の酢酸エチル・セロンルブ及ヒポリ
ビニールアルコール中に含まれる水分を完全に除去する
。次いでこのポリグリシルメタクリレート膜を例えばｌ
ｘ １０−’ Ｏ／ｃＩＲ”程度のドーズ量を有する
電子ビームで高速描画した後、水で洗浄して上層のポリ
ビニールアルコールを洗い １落す。次にポ
リグリシルメタクリレート膜管通常通セにメチル書エチ
ル・ トン等からなる現儂液で現倫して、パターンを形
成する。なお前述し念ようにポリグリシルメタクリレー
ト上に１０’Ωα以下の体積固有抵抗を有するポリビニ
ールアルコール膜を形成する念め４桁以上の表面抵抗を
低下させであるので電子ビーム描画に際してレジスト膜
面に誘起された負電荷は速かにボリビ、ニールアルコー
ル膜を通ってブランク板あるいはＥＢ露元装置の描画ホ
ルダー上に逃げ、レジスト膜面に多量の負電荷が蓄積さ
れることがない。従ってレジスト上で負１荷に反発され
て電子ビームが極端に曲げられることがなくなるのでＯ
２１〜ＯＪＮｍ程度の誤差範囲内・で描画がなされ、高
精度のレジストパターンが形成される。次いでレジスト
パターンをマスクとして通常のりアクティブ拳イオン・
エ、°チング法等によりレジスト・パターンカ除去され
てクロム−パターンを有するｉスタマスクが形成される
。
レートを用い直接描画法によって例えばマスターマスク
を形成する際には通常クロム・ブランク板（遮光膜とし
て５００（Ａ）程のクロム層が上面に被着形成されてな
るガラス基板）上に先ず通常のスピン・コート法虻よシ
１μｍ 程度の前述のポリグリシル・メタクリレート液
を塗布してさらにその上より前述のポリビニールアルコ
ール液を塗布する。次いで８０〜ｉｚｏ℃程度の通常の
プレベーキングを行ってポリグリシル・メタクリレート
膜中に含まれる溶媒の酢酸エチル・セロンルブ及ヒポリ
ビニールアルコール中に含まれる水分を完全に除去する
。次いでこのポリグリシルメタクリレート膜を例えばｌ
ｘ １０−’ Ｏ／ｃＩＲ”程度のドーズ量を有する
電子ビームで高速描画した後、水で洗浄して上層のポリ
ビニールアルコールを洗い １落す。次にポ
リグリシルメタクリレート膜管通常通セにメチル書エチ
ル・ トン等からなる現儂液で現倫して、パターンを形
成する。なお前述し念ようにポリグリシルメタクリレー
ト上に１０’Ωα以下の体積固有抵抗を有するポリビニ
ールアルコール膜を形成する念め４桁以上の表面抵抗を
低下させであるので電子ビーム描画に際してレジスト膜
面に誘起された負電荷は速かにボリビ、ニールアルコー
ル膜を通ってブランク板あるいはＥＢ露元装置の描画ホ
ルダー上に逃げ、レジスト膜面に多量の負電荷が蓄積さ
れることがない。従ってレジスト上で負１荷に反発され
て電子ビームが極端に曲げられることがなくなるのでＯ
２１〜ＯＪＮｍ程度の誤差範囲内・で描画がなされ、高
精度のレジストパターンが形成される。次いでレジスト
パターンをマスクとして通常のりアクティブ拳イオン・
エ、°チング法等によりレジスト・パターンカ除去され
てクロム−パターンを有するｉスタマスクが形成される
。
なお、上記実施例においては本発明をネガ形の電子ビー
ム用レジストＩｃついて説明したが、その他の実施例で
はポジ形の電子ビーム用レジストに対しても同様に適用
することができる。
ム用レジストＩｃついて説明したが、その他の実施例で
はポジ形の電子ビーム用レジストに対しても同様に適用
することができる。
（７） 発明の詳細
な説明したように本発明の電子ビーム用レジストにおい
ては高速描画時゛ずれが大幅に減少できて、しかも親水
性のポリビニールアルコールを用いているため皮膜形成
及び洗浄し洗い落しが容易に行えフォトマスク等の微細
化対策としては極めて有効な手段である。
ては高速描画時゛ずれが大幅に減少できて、しかも親水
性のポリビニールアルコールを用いているため皮膜形成
及び洗浄し洗い落しが容易に行えフォトマスク等の微細
化対策としては極めて有効な手段である。
１４３−
Claims (1)
- 電子ビーム用レジスト上に半導電性高分子材料からなる
帯電防止膜を形成してなることを特徴とする電子ビーム
描画用レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213990A JPS58113925A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 電子ビ−ム描画用レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56213990A JPS58113925A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 電子ビ−ム描画用レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58113925A true JPS58113925A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16648423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56213990A Pending JPS58113925A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 電子ビ−ム描画用レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58113925A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0459255A2 (en) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | Hitachi, Ltd. | Method for suppression of electrification |
| EP0604054A1 (en) * | 1992-12-23 | 1994-06-29 | AT&T Corp. | Electron beam lithography with reduced charging effects |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP56213990A patent/JPS58113925A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0459255A2 (en) * | 1990-05-30 | 1991-12-04 | Hitachi, Ltd. | Method for suppression of electrification |
| US5256454A (en) * | 1990-05-30 | 1993-10-26 | Hitachi, Ltd. | Method for suppression of electrification |
| EP0604054A1 (en) * | 1992-12-23 | 1994-06-29 | AT&T Corp. | Electron beam lithography with reduced charging effects |
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