JPS58105227A - 電子ビ−ム用レジスト - Google Patents
電子ビ−ム用レジストInfo
- Publication number
- JPS58105227A JPS58105227A JP20492681A JP20492681A JPS58105227A JP S58105227 A JPS58105227 A JP S58105227A JP 20492681 A JP20492681 A JP 20492681A JP 20492681 A JP20492681 A JP 20492681A JP S58105227 A JPS58105227 A JP S58105227A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- electron beam
- volume resistivity
- pattern
- electron beams
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（１）発明の技術分野
本発明は電子ビーム用レジストの組成に係シ、籍に高速
電子ビーム描−に適するレジスト組成に鴫する。 （２）技術の背景 近時フォト・マスク等の製造に電子ビーム描画技術が多
く用いられる。これは該電子ビーム描画技術が、ヒ）光
よシ波長の短かい電子ビームを用いるえめ、波長による
精細度の眼界が非常に微小とな〉微細パターンを精度よ
く形成することができる、幹）パターン・ゼネレータと
７オト・レピータで行う工程が同時になされるので工程
数が減少し欠陥の少ないマスクが得られると同時にマス
ク製作時間が短縮される、ｅ→１１ＩＩｃ ０ＡＤ（Ｏ
ｏｍｐｕｔ＊ｒムｌ＠ｌ Ｉ）ｓｓｉｇｎ）技術の発展
と相まって、設計からマスクまでの一貫し九自動化・制
御化が可能になる等の特徴を持りているためである。 （３）従来技術と問題点 上記のような種々の利点を有する電子ビーム描画技術に
験で問題に表る点は投影籐光尋の方法に比べて描画時間
が長くかかるということである。 この問題点を解決するために、描＊装置に於けるビーム
強＊、ビーム・パルス化速１ｍ勢の性能改善がなされ、
最近では従来の数倍以上の描画速度を有する＾速摘画装
置が提供されている。しかし従来から電子ビーム用（Ｂ
Ｂ）レジストとして用いられているメタクリレート系の
高分子物質、例えばネガ形のポリグリシル・メタクリレ
ート、ポジ形のポリメチル・メタクリレート等ｔｌ、Ｉ
Ｏ”（Ωａｍ）ｓｔｏｍａ体積固有抵抗を有する絶縁物
であるために１電子ビームによる高速描画を行った際に
は、負電荷を持つ電子ビームで叩かれてＢＢしジス）Ｊ
ＩＩＫ１１面に一起され九負電荷が、レジスト膜内を）
１１ってレジスト族が被着されている基体へ放電しきれ
ず、レジスト１１４表面に負電荷が蓄積され該蓄積負電
荷によりて電子ビームが曲けられるので描画ずれが生ず
るという問題があった。そしてとの摘−ずれは、ドライ
・エツチングのマスクとしてＩＢレジスト膜を用いる場
合のように膜厚が厚くなるとα５〜１〔声博〕にも達す
ることがあるので、微細パターンの形成歩留ｔＣが著し
く低下するという問題があり九。 （４）発明の目的 本発明は電子ビームによシ高速描画時に於ても多量の負
電荷が蓄積されることのない電子ビーム用レジストを提
供し、上記間魅点を除去することを目的とする。 ｔｌ、１（５） ”；ｃ蜀１１Ｏ構成 即ち本発明は電子ビーム用レジストに於て、低体Ｉｌ閤
有抵抗を有する非イオン性高分子物質が添加されてなる
ことを特徴とする。 （６）発明δ実施例 以下本実ＢＡＶｒ−実施例について詳細に説明する。 本発明のネガ形電子ビーム用（ＩＣＥ）レジストは例え
ｔｆｌＯ”（Ω・−〕１１度の体積固有抵抗を有するポ
リグリシル・メタクリレ−） （ＰＧＭＡ）ＫＩＯ’〔
Ω・−〕以下の体積固有抵抗を有する非イオン性高分子
物質例えばポリビニール・アルコール（ＰＶＡ）が１〜
５ ［ｗＨＩ］ １１度混合されてなっている。従りて
該ネガ形ＥＢレジストの体積固有抵抗は１０゜〜１０″
〔Ω゛・ｍｌ〕程度である。 そして該組成を有するｌｌ１Ｂレジストは、ＰＧＭＡが
酢酸エチル・セロソルブ等の溶媒に溶解されてなる通常
のネガ形ＩＣＥレジスト液に、所定量のＰＶＡを少量の
エタノール等に溶解して添加混合させることによ多形成
する。なお該ＩＢレジスト液の粘度は、スビ／・コート
勢の方法によって塗布形成するレジスト膜厚に従って、
該レジスト膜厚を得ｂｏに適しｆｔａ０００〜ａ０００
（ｏｐｌ ８度の所望の粘度に、前記溶媒の量を加減
して調節される。 次に上記実施例に示し九本発明のネガ形ＩＣＢレジスト
の使用例について説明する。 本発明のネガ形ＫＢレジメ）ｔ−用い、電子ビームによ
る直接描画法によりて例えはマスタ・マスクを形成する
に際しては、通常のクロム・ブランク板（ｍ光膜として
ｓｏｏｔＺ）ｍのクロム層が上面に被着形成されてなる
ガラス基板）上に、先ず通常のスピ／・コート法によシ
例先は１〔μｍ〕程匿の上記ネガ形ＩＣＢレジスト展を
塗布形成し、次いで８Ｏ−１２０Ｃ℃）程度の通常のプ
レ・ベーキングを行うてネガ形］ｅＢレジスト膜中に含
まれる前記酢酸エチル・セロソルブ及びエタノール勢の
溶媒を完全に除去する。この状態でレジスト膜の体積固
有抵抗は１０９〜１０″
電子ビーム描−に適するレジスト組成に鴫する。 （２）技術の背景 近時フォト・マスク等の製造に電子ビーム描画技術が多
く用いられる。これは該電子ビーム描画技術が、ヒ）光
よシ波長の短かい電子ビームを用いるえめ、波長による
精細度の眼界が非常に微小とな〉微細パターンを精度よ
く形成することができる、幹）パターン・ゼネレータと
７オト・レピータで行う工程が同時になされるので工程
数が減少し欠陥の少ないマスクが得られると同時にマス
ク製作時間が短縮される、ｅ→１１ＩＩｃ ０ＡＤ（Ｏ
ｏｍｐｕｔ＊ｒムｌ＠ｌ Ｉ）ｓｓｉｇｎ）技術の発展
と相まって、設計からマスクまでの一貫し九自動化・制
御化が可能になる等の特徴を持りているためである。 （３）従来技術と問題点 上記のような種々の利点を有する電子ビーム描画技術に
験で問題に表る点は投影籐光尋の方法に比べて描画時間
が長くかかるということである。 この問題点を解決するために、描＊装置に於けるビーム
強＊、ビーム・パルス化速１ｍ勢の性能改善がなされ、
最近では従来の数倍以上の描画速度を有する＾速摘画装
置が提供されている。しかし従来から電子ビーム用（Ｂ
Ｂ）レジストとして用いられているメタクリレート系の
高分子物質、例えばネガ形のポリグリシル・メタクリレ
ート、ポジ形のポリメチル・メタクリレート等ｔｌ、Ｉ
Ｏ”（Ωａｍ）ｓｔｏｍａ体積固有抵抗を有する絶縁物
であるために１電子ビームによる高速描画を行った際に
は、負電荷を持つ電子ビームで叩かれてＢＢしジス）Ｊ
ＩＩＫ１１面に一起され九負電荷が、レジスト膜内を）
１１ってレジスト族が被着されている基体へ放電しきれ
ず、レジスト１１４表面に負電荷が蓄積され該蓄積負電
荷によりて電子ビームが曲けられるので描画ずれが生ず
るという問題があった。そしてとの摘−ずれは、ドライ
・エツチングのマスクとしてＩＢレジスト膜を用いる場
合のように膜厚が厚くなるとα５〜１〔声博〕にも達す
ることがあるので、微細パターンの形成歩留ｔＣが著し
く低下するという問題があり九。 （４）発明の目的 本発明は電子ビームによシ高速描画時に於ても多量の負
電荷が蓄積されることのない電子ビーム用レジストを提
供し、上記間魅点を除去することを目的とする。 ｔｌ、１（５） ”；ｃ蜀１１Ｏ構成 即ち本発明は電子ビーム用レジストに於て、低体Ｉｌ閤
有抵抗を有する非イオン性高分子物質が添加されてなる
ことを特徴とする。 （６）発明δ実施例 以下本実ＢＡＶｒ−実施例について詳細に説明する。 本発明のネガ形電子ビーム用（ＩＣＥ）レジストは例え
ｔｆｌＯ”（Ω・−〕１１度の体積固有抵抗を有するポ
リグリシル・メタクリレ−） （ＰＧＭＡ）ＫＩＯ’〔
Ω・−〕以下の体積固有抵抗を有する非イオン性高分子
物質例えばポリビニール・アルコール（ＰＶＡ）が１〜
５ ［ｗＨＩ］ １１度混合されてなっている。従りて
該ネガ形ＥＢレジストの体積固有抵抗は１０゜〜１０″
〔Ω゛・ｍｌ〕程度である。 そして該組成を有するｌｌ１Ｂレジストは、ＰＧＭＡが
酢酸エチル・セロソルブ等の溶媒に溶解されてなる通常
のネガ形ＩＣＥレジスト液に、所定量のＰＶＡを少量の
エタノール等に溶解して添加混合させることによ多形成
する。なお該ＩＢレジスト液の粘度は、スビ／・コート
勢の方法によって塗布形成するレジスト膜厚に従って、
該レジスト膜厚を得ｂｏに適しｆｔａ０００〜ａ０００
（ｏｐｌ ８度の所望の粘度に、前記溶媒の量を加減
して調節される。 次に上記実施例に示し九本発明のネガ形ＩＣＢレジスト
の使用例について説明する。 本発明のネガ形ＫＢレジメ）ｔ−用い、電子ビームによ
る直接描画法によりて例えはマスタ・マスクを形成する
に際しては、通常のクロム・ブランク板（ｍ光膜として
ｓｏｏｔＺ）ｍのクロム層が上面に被着形成されてなる
ガラス基板）上に、先ず通常のスピ／・コート法によシ
例先は１〔μｍ〕程匿の上記ネガ形ＩＣＢレジスト展を
塗布形成し、次いで８Ｏ−１２０Ｃ℃）程度の通常のプ
レ・ベーキングを行うてネガ形］ｅＢレジスト膜中に含
まれる前記酢酸エチル・セロソルブ及びエタノール勢の
溶媒を完全に除去する。この状態でレジスト膜の体積固
有抵抗は１０９〜１０″
【Ω・−】となる。次いで該ｌ
Ｂレジスト膜上に所望のノ（ターノを、例えば１ｘｌＧ
−”（ｃ／ｊ）８度のドーズ量を有する電子ビームで高
速描画した後、鋏レジスト膜を通常通りメチル・エチル
・ケト／等からなるｌ＠偉液で現儂して、′！Ｂレジス
ト・バター／を形成する。なお前述のように骸ＩＣＢレ
ジスト膜は１０１０
Ｂレジスト膜上に所望のノ（ターノを、例えば１ｘｌＧ
−”（ｃ／ｊ）８度のドーズ量を有する電子ビームで高
速描画した後、鋏レジスト膜を通常通りメチル・エチル
・ケト／等からなるｌ＠偉液で現儂して、′！Ｂレジス
ト・バター／を形成する。なお前述のように骸ＩＣＢレ
ジスト膜は１０１０
【Ω・信】程度の従来よｊり１−２
［桁〕低い体積固有抵抗であるので、上記電子ビーム描
−に際してレジスト膜面Ｋｌｌ起された負電荷は速かに
プレ／り板に逃け、レジス）１１１面に多量の負電荷が
蓄積場れることがない。従２−１：！練負電荷に反撥さ
れて電子ビームが極端に曲げられることがなくなるので
０．１−０．２［μｍ３％ｇｉの高忠実度で描画がなさ
れ高１１［のレジスト・パターンが形成される。次イで
該レジスト・パターンをマスクとして通常のりアクティ
ブ・イオン・エツチング法等によシフロム展の選択エツ
チングがなされ、次いで通常の方法によりレジスト・バ
ター／が除去されてクロムパｐ−ｙｔ有するマスク・マ
スクが形成される。 なお上記実施例に於ては本発明をネガ形の電子ビーム用
レジストについて説明したが、本発明はポジ形電子ビー
ム用レジストに対しても同様に適用できる。 （７） 発明の詳細 な説明したように本発明の電子ビーム用レジストに於て
は高速描画時の描画ずれが大幅に減少する。従って本発
明性高速電子ビーム描ｌ１Ｉｌ法を用いるフォト・マス
ク等の製造歩貿の向上に対して他めて有効である。
［桁〕低い体積固有抵抗であるので、上記電子ビーム描
−に際してレジスト膜面Ｋｌｌ起された負電荷は速かに
プレ／り板に逃け、レジス）１１１面に多量の負電荷が
蓄積場れることがない。従２−１：！練負電荷に反撥さ
れて電子ビームが極端に曲げられることがなくなるので
０．１−０．２［μｍ３％ｇｉの高忠実度で描画がなさ
れ高１１［のレジスト・パターンが形成される。次イで
該レジスト・パターンをマスクとして通常のりアクティ
ブ・イオン・エツチング法等によシフロム展の選択エツ
チングがなされ、次いで通常の方法によりレジスト・バ
ター／が除去されてクロムパｐ−ｙｔ有するマスク・マ
スクが形成される。 なお上記実施例に於ては本発明をネガ形の電子ビーム用
レジストについて説明したが、本発明はポジ形電子ビー
ム用レジストに対しても同様に適用できる。 （７） 発明の詳細 な説明したように本発明の電子ビーム用レジストに於て
は高速描画時の描画ずれが大幅に減少する。従って本発
明性高速電子ビーム描ｌ１Ｉｌ法を用いるフォト・マス
ク等の製造歩貿の向上に対して他めて有効である。
Claims (1)
- 低体積固有抵抗を有する非イオン性高分子物質が添加さ
れてなることを特徴とする電子ビーム用レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20492681A JPS58105227A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電子ビ−ム用レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20492681A JPS58105227A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電子ビ−ム用レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105227A true JPS58105227A (ja) | 1983-06-23 |
Family
ID=16498645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20492681A Pending JPS58105227A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 電子ビ−ム用レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105227A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101461A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JPH03137649A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP20492681A patent/JPS58105227A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02101461A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JPH03137649A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
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