JPS59107347A - パタ−ン形成材料 - Google Patents
パタ−ン形成材料Info
- Publication number
- JPS59107347A JPS59107347A JP21900382A JP21900382A JPS59107347A JP S59107347 A JPS59107347 A JP S59107347A JP 21900382 A JP21900382 A JP 21900382A JP 21900382 A JP21900382 A JP 21900382A JP S59107347 A JPS59107347 A JP S59107347A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- electron beam
- electron
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は電子線に感度を有するネガ型パターン形成材料
の改良に関する。
の改良に関する。
（ｂ） 技術の背景
最近１（ｊ−ＬＳＩ寿の半導体装置製造において、該装
置を高密度に形成する必要から該装置を形成する工程に
おいて、レジスト膜を露光する際、波長の短い電子線が
、用いられている。
置を高密度に形成する必要から該装置を形成する工程に
おいて、レジスト膜を露光する際、波長の短い電子線が
、用いられている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
このような′電子線に対して感度を有するネガ型のパタ
ーン形成材料の一つとしてポリスチレンが考えられる。
ーン形成材料の一つとしてポリスチレンが考えられる。
しかしポリスチレンは、該ポリスチレンを例えバー＜ン
ゼンあるいはメチルセロソルブアセテートのような溶剤
に溶解した後、スピンコード法を用いてＳｉ基板りに塗
布後、乾燥したのち電子線を用いて所定のパターンを描
画した際、該レジスト材を形成するポリスチレン膜に電
荷が蓄積され、そのためパターンに位置ずれを生じる欠
点を生じている。
ゼンあるいはメチルセロソルブアセテートのような溶剤
に溶解した後、スピンコード法を用いてＳｉ基板りに塗
布後、乾燥したのち電子線を用いて所定のパターンを描
画した際、該レジスト材を形成するポリスチレン膜に電
荷が蓄積され、そのためパターンに位置ずれを生じる欠
点を生じている。
（ｄ） 発明の目的
本発明は上述した欠点を除去し、前述した電子線を用い
てレジスト材料にパターンを描画する際、該レジスト膜
に電荷が蓄積されないようにし、もってパターンの位置
ずれを生じないようなパ・ターン形成材料の提供を目的
とするものである。
てレジスト材料にパターンを描画する際、該レジスト膜
に電荷が蓄積されないようにし、もってパターンの位置
ずれを生じないようなパ・ターン形成材料の提供を目的
とするものである。
（ｅ） 発明の構成
力・かる目的を達成するための本発明のパターン形成材
料は電子線レジストに電子受容体となる有機物を混合し
たことを特徴とするものである。
料は電子線レジストに電子受容体となる有機物を混合し
たことを特徴とするものである。
（ｆ） 発明の実施例
以下本発明の一実施例につ自詳細に説明する。
電子線に感度を有し、ネガ型のパターン形成材料のポリ
スチレンをメチルセロソルブアセテートのような１〔７
剤に浴馴したのち、前記ポリスチレンに％） シて５〜
６ 「ｌｉ ｋｋ％のテトラシアノキノジメタン（以Ｆ
″ｌ’ Ｃｊ Ｎ Ｑ上相；する）を’／ｊ’ｊ渇にて
混イ子したのちＪＬ七拌する。。
スチレンをメチルセロソルブアセテートのような１〔７
剤に浴馴したのち、前記ポリスチレンに％） シて５〜
６ 「ｌｉ ｋｋ％のテトラシアノキノジメタン（以Ｆ
″ｌ’ Ｃｊ Ｎ Ｑ上相；する）を’／ｊ’ｊ渇にて
混イ子したのちＪＬ七拌する。。
その伊このようにして形成したレジスト材料をＳｉウェ
ハーＬに２μｍのＩ’Ｊ’Ｊでスピンコード法を用いて
堕布したｒ７シ、ぺ−千ングしその後加ｆｌｌ！電圧２
０ ＫＶ（／Ｊ ｔｔ ｆ−ヒ〜ム露光装置を用いてレ
ジスト膜Ｊ―にパターンを１．、ＯＸ １０ クーロ
ン／ｃｍ の露光量で描画する７、このｍ子ビームで
パターンヲＪｌｉ ｌｉＩ する方θ、について！小べ
ると、第１図（Ａ、）の丸印Ａを福大した弔＋ １剥（
Ｂ）のパターンのうち中央の４μ？ｎｘ ４１ｒｍ（Ｊ
） ｈ形のパターンｌを所ポリピンチでｓ′ｇ光する０
７欠に力）１シのパターンの１図囲の４ ｔｔｍ ｘ
１． ’２７７ ｍの長方ノ１乏のパターン２を描凹１
したイ表、ＩＡＳ １図（Ａ）に示ず５０ Ｑ ｐ ｔ
ｒｒ ｘ ５０ （ｌ ｔｔ ｍ Ｉ）方形のパターン
３を第２図に示ずｌ ２ｎｔｒｓｘ ｌ ２Ｍｍの方形
の鉋り曳４内に形成する。
ハーＬに２μｍのＩ’Ｊ’Ｊでスピンコード法を用いて
堕布したｒ７シ、ぺ−千ングしその後加ｆｌｌ！電圧２
０ ＫＶ（／Ｊ ｔｔ ｆ−ヒ〜ム露光装置を用いてレ
ジスト膜Ｊ―にパターンを１．、ＯＸ １０ クーロ
ン／ｃｍ の露光量で描画する７、このｍ子ビームで
パターンヲＪｌｉ ｌｉＩ する方θ、について！小べ
ると、第１図（Ａ、）の丸印Ａを福大した弔＋ １剥（
Ｂ）のパターンのうち中央の４μ？ｎｘ ４１ｒｍ（Ｊ
） ｈ形のパターンｌを所ポリピンチでｓ′ｇ光する０
７欠に力）１シのパターンの１図囲の４ ｔｔｍ ｘ
１． ’２７７ ｍの長方ノ１乏のパターン２を描凹１
したイ表、ＩＡＳ １図（Ａ）に示ず５０ Ｑ ｐ ｔ
ｒｒ ｘ ５０ （ｌ ｔｔ ｍ Ｉ）方形のパターン
３を第２図に示ずｌ ２ｎｔｒｓｘ ｌ ２Ｍｍの方形
の鉋り曳４内に形成する。
ここで第２図の丸印Ｂを拡大したパターンが第１図（Ａ
）のパターン８である。このようにしてパターンを形成
したイ麦、光学顕微鏡を用いて第１図（Ｂ）の中央の方
形のパターン１を検古、すると、従来のパターン形成材
料でパターンを力〉成した際の位置すれがに（１、崩の
方向に対して１μかｚずつ生じていたのに対して、本発
明のパターン形成材料を用いれば０５μか１以内の範囲
内に収まるようになった。
）のパターン８である。このようにしてパターンを形成
したイ麦、光学顕微鏡を用いて第１図（Ｂ）の中央の方
形のパターン１を検古、すると、従来のパターン形成材
料でパターンを力〉成した際の位置すれがに（１、崩の
方向に対して１μかｚずつ生じていたのに対して、本発
明のパターン形成材料を用いれば０５μか１以内の範囲
内に収まるようになった。
すなわち′１ｄ子受答体となる有１噛化合物の’Ｉ’
ＯＮ Ｑをポリスチレンよりなるネガ型のホ゛リマーに
混合することで、ポリスチレンが電子線照射されて露光
する１浄に、該ポリスチレン膜に電荷が斎稍される現象
かなくなり、そのため描Ｉｎ！ＩＩされたバタ・−ンの
精度か同」−シ、このようなパターンフ「〉或材料を用
いることで半導体装置製造の歩留が同上する利点を生じ
る。
ＯＮ Ｑをポリスチレンよりなるネガ型のホ゛リマーに
混合することで、ポリスチレンが電子線照射されて露光
する１浄に、該ポリスチレン膜に電荷が斎稍される現象
かなくなり、そのため描Ｉｎ！ＩＩされたバタ・−ンの
精度か同」−シ、このようなパターンフ「〉或材料を用
いることで半導体装置製造の歩留が同上する利点を生じ
る。
（ｇ） 発明の効果
以上述べたように本発明のパターン形成材料によれば電
子線をＪｌ（４則されたレジスト材料に′ｇ荷か蓄積さ
れるような欠点が除去でき、ル成されるパターンの精度
が同上する利点を生じる。
子線をＪｌ（４則されたレジスト材料に′ｇ荷か蓄積さ
れるような欠点が除去でき、ル成されるパターンの精度
が同上する利点を生じる。
Ｌ ’ｃＪｕａの１゛１１シ単な・況明弔１１Ａ（Ａ
） 、弔１図（Ｂ）、第２図は杢）自明のパターンノド
； ＩＪ、Ｑ、材＋ｔ（Ｌ月）いて描画したバクーン図
である。
） 、弔１図（Ｂ）、第２図は杢）自明のパターンノド
； ＩＪ、Ｑ、材＋ｔ（Ｌ月）いて描画したバクーン図
である。
１−？；においてｌｉは方形のパターン、２け長方形の
／ぐターン、４１ｒ、ｉパターンノ（摂Ｊん゛み７１＋
表を２１くず。
／ぐターン、４１ｒ、ｉパターンノ（摂Ｊん゛み７１＋
表を２１くず。
Claims (1)
- 電子線レジストに電子受容体となる有機物を混合したこ
とを特徴とするパターン形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21900382A JPS59107347A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | パタ−ン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21900382A JPS59107347A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | パタ−ン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59107347A true JPS59107347A (ja) | 1984-06-21 |
Family
ID=16728735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21900382A Pending JPS59107347A (ja) | 1982-12-13 | 1982-12-13 | パタ−ン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59107347A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100442A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 非帯電性レジスト |
| JPS63183437A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-28 | Fujitsu Ltd | 二層構造電子線レジスト |
| JPH01210944A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH0290166A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-29 | Fujitsu Ltd | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JPH02101461A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JPH03137649A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| US5168030A (en) * | 1986-10-13 | 1992-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Positive type o-quinone diazide photo-resist containing antistatic agent selected from hydrazones, ethylcarbazole and bis(dimethylamino)benzene |
-
1982
- 1982-12-13 JP JP21900382A patent/JPS59107347A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100442A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 非帯電性レジスト |
| US5168030A (en) * | 1986-10-13 | 1992-12-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Positive type o-quinone diazide photo-resist containing antistatic agent selected from hydrazones, ethylcarbazole and bis(dimethylamino)benzene |
| JPS63183437A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-07-28 | Fujitsu Ltd | 二層構造電子線レジスト |
| JPH01210944A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-24 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| JPH0290166A (ja) * | 1988-09-28 | 1990-03-29 | Fujitsu Ltd | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JPH02101461A (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| JPH03137649A (ja) * | 1989-10-24 | 1991-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
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