JPS59107348A - パタ−ン形成材料 - Google Patents

パタ−ン形成材料

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Publication number
JPS59107348A
JPS59107348A JP21900482A JP21900482A JPS59107348A JP S59107348 A JPS59107348 A JP S59107348A JP 21900482 A JP21900482 A JP 21900482A JP 21900482 A JP21900482 A JP 21900482A JP S59107348 A JPS59107348 A JP S59107348A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
resist
forming material
electron beam
pattern forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21900482A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Takechi
敏 武智
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP21900482A priority Critical patent/JPS59107348A/ja
Publication of JPS59107348A publication Critical patent/JPS59107348A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (a)  発明の技術分野 本@ψノは電子線に感曳をイyするネガ型パターン形成
材料の改良に関する。
(b)  技術の背景 最近IO,LSI等の半導体装置Ii!li造において
該装置を高密度に形成する必要力)ら、該装置を形成す
る工程において、レジスト族を露光する際、波長の短い
電子線が用いられている。
(c)  従来技術と同融点 このような′亀を梅に対して1麟度を有するネガ型のパ
ターン形成材料の一つとしてポリスチレンが考えられる
ところでこのようなポリスチレンは、該ポリスチレンを
例えばベンゼンあるいはメチルセロソルブアセテートの
ような浴剤に漕力)シた後、スピンコード法を用いてS
i基板とに塗布仮、乾燥したのち電子線を用いて所定の
パターンを描画した際該レジスト材を形成するポリスチ
レン膜に[4が蓄積され、そのためパターンに位置ずれ
を生じる欠点がある。
また上述したポリスチレンの他ヅ例えばポリアセチレン
のような材料に臭素(Br2)や、沃素(1)等のハロ
ゲン元素、あるいは五弗化砒素(AsFs)のようなハ
ロゲン元素の化合物等を混合する七ポリスチレン等のネ
ガ型パターン形成材料の導伝性が良くなることが報告さ
れている。
(d)  発明の目的 本発明は上述した点に齢みてなされたもので前述した導
伝性を良好にするハロゲン元素や、ハロゲン元素の化合
物をレジスト形成材料に添加し、該レジスト形成材料に
電子線を照射して所定のパターンを描画した際、該レジ
スト材料中に電荷が蓄積されないようにし、もってパタ
ーンの位置ずれを生しないようにしたパターン形成材料
の提供を1」的とするものである。
(e)  発明の構成 かかる目的を達成するための本発明のパターン形成材料
は電子機レジストにハロゲン元素、またはハロゲン化合
゛勿を混合したことを特徴とするものである。
(f)  発明の史〃il+1列 以T:本つ6明のI施例につき叶細に説明する。
′醒f線にric!!度を・11シ、ネガ型のパターン
Jし紗、拐料となるポリスチレンをメチルセロソルブア
セテートのような+Fj斉1■こtd解したのち、[ノ
リ、;己ホリスチレンに対して2〜311(ル%の芙禦
(Br2)を゛^イ温にて混合、fw、拌する。
その優このようにしてJl>成したレジス)4N料を8
1 ウェハー上に2.0μmの=aでスピンコード1人
を用いて蓋イHシたイ〆、ベーキングしその仮刀In屯
圧20KVのは子ビーム露光装置を用いてレジスト朕り
にパターンを1.OX 10   クーロン/ cAの
露光域で描画する。この遊子ビームでパターンを描画す
る方法について述べると、第1図(A)の丸印Aを拡大
した沿1図(13)のパターンのうち中央の・1μmx
41iynの方形のパターン1を所定のピンチで露光す
る8次に方形のパターンの周囲の4μnt x伎li 
m (J)長方形のパターン2を描画した区、第1図(
4)に示す500μyzX500μmの方形のパターン
3を第2図に示す12卿XP2J!aの方形の領域4内
に形成するO ここで第2図の丸印Bを拡大したパターンが第1図(A
)のパターン8である。このようにしてパターンをル成
した伐、光学顕微鏡を用いて第1図(B)の中央の方形
のパターンlを検査すると、従来のパターレl1多成材
料でパターンをJし成した際の位置すれか、縦、横の方
向に対して1μ〃lの値であったものか、4ζ光明のパ
ターン形成材料を用いJしは0.5μ〃l以内の範囲内
に収まるようになった。
すなわち#獣性を増大せしめるようなハロゲン元素また
は該ハロゲン元素の化合物をネガ型のポリスチレンより
なるポリマーに混合することで、ポリスチレン〃・電子
機に照射されて露光する際に該ポリスチレン1戻に′磁
性がM相される現象かなく1fす、そのためlIh+中
1されたパターンのイメf反力1同トしこのようなパタ
ーン形成材f!トを用いることで牛専体装置!製造の歩
留か向上する利点を生しる〇(g)  ヴ6明の効果 以上述べたように仝発明のパターン形成材料によれば、
電子酬をI幀射されたレジスト材料に磁動が4槓される
ような火点が除去でき、ル我されるパターンのm反か同
りする利点を生じる。
【図面の簡単な説明】
101図(A)、・1)1図(B)、第2図は本発明の
パターン形成拐科を用いて描画したパターン図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電子線レジストにハロゲン元素またはハロゲン化合物を
    混合したことを特徴とするパターン形成材料。
JP21900482A 1982-12-13 1982-12-13 パタ−ン形成材料 Pending JPS59107348A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140425A (ja) * 1985-12-16 1987-06-24 Hitachi Ltd エツチング方法
JPS63183437A (ja) * 1987-01-27 1988-07-28 Fujitsu Ltd 二層構造電子線レジスト
DE102013109370A1 (de) 2013-03-29 2014-10-02 Showa Corporation Hydraulikstoßdämpfungsvorrichtung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140425A (ja) * 1985-12-16 1987-06-24 Hitachi Ltd エツチング方法
JPS63183437A (ja) * 1987-01-27 1988-07-28 Fujitsu Ltd 二層構造電子線レジスト
DE102013109370A1 (de) 2013-03-29 2014-10-02 Showa Corporation Hydraulikstoßdämpfungsvorrichtung

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