JPH0719061B2 - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPH0719061B2 JPH0719061B2 JP58154318A JP15431883A JPH0719061B2 JP H0719061 B2 JPH0719061 B2 JP H0719061B2 JP 58154318 A JP58154318 A JP 58154318A JP 15431883 A JP15431883 A JP 15431883A JP H0719061 B2 JPH0719061 B2 JP H0719061B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist layer
- substrate
- resist pattern
- additive
- Prior art date
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 イ）産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造工程に用いられるレジストパ
ターンの形成方法に関する。
ターンの形成方法に関する。
ロ）従来技術 集積化された半導体装置の製造工程においては一般にエ
ツチングの保護膜としてレジストが用いられる。レジス
トにはポジ型とネガ型があり、一般にポジ型はネガ型に
比べて解像度は良いが感度が悪い。このため、ポジ型レ
ジストの感度の改良に関し、レジスト材料や増感剤の研
究が進められ、高感度化が図られている。
ツチングの保護膜としてレジストが用いられる。レジス
トにはポジ型とネガ型があり、一般にポジ型はネガ型に
比べて解像度は良いが感度が悪い。このため、ポジ型レ
ジストの感度の改良に関し、レジスト材料や増感剤の研
究が進められ、高感度化が図られている。
然し乍ら、増感剤をレジスト内に添加した状態でレジス
ト層を形成すると、レジスト層の現像時に増感剤が現像
液に溶出して現像液を劣化せしめると云う問題があつ
た。
ト層を形成すると、レジスト層の現像時に増感剤が現像
液に溶出して現像液を劣化せしめると云う問題があつ
た。
ハ）発明の目的 本発明はこのような点に鑑みて為されたものであつて、
現像液の劣化を招くことなく、レジストの感度を向上せ
しめることを目的とする。
現像液の劣化を招くことなく、レジストの感度を向上せ
しめることを目的とする。
ニ）発明の構成 本発明の特徴とするところは、テトラ−ｎ−ブチルアン
モニウムパークロレートを添加剤として含有した、主成
分がPMMAから成るレジスト層を、基板上に塗布する工程
と、上記基板上に形成されたレジスト層中の上記添加剤
を、メチルアルコールを溶媒として該レジスト層から除
去し、乾燥することに因り、上記レジスト層に多孔性を
備えさせる工程と、上記基板上の該レジスト層に所望の
パターンを露光し現像する工程と、からなることにあ
る。
モニウムパークロレートを添加剤として含有した、主成
分がPMMAから成るレジスト層を、基板上に塗布する工程
と、上記基板上に形成されたレジスト層中の上記添加剤
を、メチルアルコールを溶媒として該レジスト層から除
去し、乾燥することに因り、上記レジスト層に多孔性を
備えさせる工程と、上記基板上の該レジスト層に所望の
パターンを露光し現像する工程と、からなることにあ
る。
ホ）実施例 第１図乃至第３図は本発明レジストパターン形成方法を
工程順に示した断面図であつて、これ等の図を用いて本
発明を詳述する。まず、酢酸メチルセロリルブ（以下MC
Aと称す）に25％のポリメタクリル酸メチル（以下PMMA
と称す）を溶解するとともに、このPMMAに対し、15％の
粒状のテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムパークロレート
（以下TnBAPと称す）を添加剤として添加してポジ型レ
ジストを調整する。このレジスト液を半導体基板（１）
上にレジスト膜厚が約0.5μｍになるように回転塗布し
窒素雰囲気中180℃で60分間加熱してTnBAP（２）を含む
レジスト層（３）を形成する（第１図）。次にこの基板
をメチルアルコール中に常温で５分間浸漬してレジスト
層（３）中のTnBAP（２）を抽出除去後常温で真空乾燥
して多数の孔（４）（４）…を有するレジスト層
（３）′を得る（第２図）。しかる後、所望部分に加速
電圧20KVで電子線（５）を照射しMCAを用いて22℃で現
像して所望のレジストパターンを形成する（第３図）。
このとき、レジスト（３）は多孔性を有するため、現像
液であるMCAがレジスト層（３）′内にしみ込んで現像
液とレジストとの接触面積が大きくなり、僅か３分30秒
の短時間で現像が完了した。従つて結果として感度が上
昇することになる。また、現像時にレジスト層（３）′
は添加剤を含有しないので添加剤が現像液内に溶出する
ことは全くない。尚、この実験結果を従来の場合ととも
に下表に示す。
工程順に示した断面図であつて、これ等の図を用いて本
発明を詳述する。まず、酢酸メチルセロリルブ（以下MC
Aと称す）に25％のポリメタクリル酸メチル（以下PMMA
と称す）を溶解するとともに、このPMMAに対し、15％の
粒状のテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムパークロレート
（以下TnBAPと称す）を添加剤として添加してポジ型レ
ジストを調整する。このレジスト液を半導体基板（１）
上にレジスト膜厚が約0.5μｍになるように回転塗布し
窒素雰囲気中180℃で60分間加熱してTnBAP（２）を含む
レジスト層（３）を形成する（第１図）。次にこの基板
をメチルアルコール中に常温で５分間浸漬してレジスト
層（３）中のTnBAP（２）を抽出除去後常温で真空乾燥
して多数の孔（４）（４）…を有するレジスト層
（３）′を得る（第２図）。しかる後、所望部分に加速
電圧20KVで電子線（５）を照射しMCAを用いて22℃で現
像して所望のレジストパターンを形成する（第３図）。
このとき、レジスト（３）は多孔性を有するため、現像
液であるMCAがレジスト層（３）′内にしみ込んで現像
液とレジストとの接触面積が大きくなり、僅か３分30秒
の短時間で現像が完了した。従つて結果として感度が上
昇することになる。また、現像時にレジスト層（３）′
は添加剤を含有しないので添加剤が現像液内に溶出する
ことは全くない。尚、この実験結果を従来の場合ととも
に下表に示す。
ヘ）発明の効果 以上述べた如く、本発明レジストパターン形成方法はレ
ジストに多孔性を与えているので、レジストと現像液の
接触面積が大きくなり、現像時間が短縮され、ひいては
感度の向上が図れる。また現像時にレジストは添加剤を
含有していないので現像液を劣化させることも無い。従
つて、現像液の劣化を招くことなく、レジストの感度向
上を図ることが出来る。
ジストに多孔性を与えているので、レジストと現像液の
接触面積が大きくなり、現像時間が短縮され、ひいては
感度の向上が図れる。また現像時にレジストは添加剤を
含有していないので現像液を劣化させることも無い。従
つて、現像液の劣化を招くことなく、レジストの感度向
上を図ることが出来る。
第１図乃至第３図は本発明レジストパターン形成方法を
工程順に示す断面図である。 （２）……TnBAP、（３）……レジスト膜、（４）
（４）……孔。
工程順に示す断面図である。 （２）……TnBAP、（３）……レジスト膜、（４）
（４）……孔。
Claims (1)
- 【請求項１】テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムパークロ
レートを添加剤として含有した、主成分がPMMAから成る
レジスト層を、基板上に塗布する工程と、 上記基板上に形成されたレジスト層中の上記添加剤を、
メチルアルコールを溶媒として該レジスト層から除去
し、乾燥することに因り、上記レジスト層に多孔性を備
えさせる工程と、 上記基板上の該レジスト層に所望のパターンを露光し現
像する工程と、 からなることを特徴とするレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154318A JPH0719061B2 (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154318A JPH0719061B2 (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046026A JPS6046026A (ja) | 1985-03-12 |
| JPH0719061B2 true JPH0719061B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15581502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154318A Expired - Lifetime JPH0719061B2 (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719061B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269746A (ja) * | 1988-08-01 | 1990-03-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ホトレジストの形成方法、ポリマー構造体、ホトレジスト |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111102A (en) * | 1975-03-24 | 1976-10-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive printing plates |
| JPS5646530A (en) * | 1979-09-25 | 1981-04-27 | Nec Corp | Preparation of resist pattern |
| JPS56156831A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive printing plate |
| JPS5882241A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | ポジ型放射線感応材料 |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP58154318A patent/JPH0719061B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6046026A (ja) | 1985-03-12 |
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