JPS6320375B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6320375B2 JPS6320375B2 JP56055070A JP5507081A JPS6320375B2 JP S6320375 B2 JPS6320375 B2 JP S6320375B2 JP 56055070 A JP56055070 A JP 56055070A JP 5507081 A JP5507081 A JP 5507081A JP S6320375 B2 JPS6320375 B2 JP S6320375B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- exposure
- substrate
- charged beam
- charged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は荷電ビーム露光方法に関する。
電子回路基板の製造に際して、荷電ビーム露光
により微細レジストパターンを形成することはよ
く知られている。このような微細レジストパター
ンは通常１〜2μｍの位置精度をもつて形成され
なければならない。しかしながら、荷電ビーム露
光を効率化するために最近では高電流密度を用い
るようになり、そのため荷電ビームによりレジス
トがチヤージアツプ（帯電）され得られるレジス
トパターンの位置精度がはなはだしく低下して所
望のレジストパターンが得られないという問題が
ある。例えば、電子ビーム露光法によりウエーハ
上のレジストを露光すると、電子ビームのために
レジストがチヤージアツプし、その結果得られる
レジストパターンの位置が約１〜2μｍもずれて
しまうことがある。このような問題を解消するた
めに基板のレジスト上に導電性皮膜として金属膜
を形成せしめることが提案されているけれども、
この方法は金属膜の形成及び除去の工程が複雑と
なり、レジストパターンの形成を非効率的にする
という欠点を有する。
により微細レジストパターンを形成することはよ
く知られている。このような微細レジストパター
ンは通常１〜2μｍの位置精度をもつて形成され
なければならない。しかしながら、荷電ビーム露
光を効率化するために最近では高電流密度を用い
るようになり、そのため荷電ビームによりレジス
トがチヤージアツプ（帯電）され得られるレジス
トパターンの位置精度がはなはだしく低下して所
望のレジストパターンが得られないという問題が
ある。例えば、電子ビーム露光法によりウエーハ
上のレジストを露光すると、電子ビームのために
レジストがチヤージアツプし、その結果得られる
レジストパターンの位置が約１〜2μｍもずれて
しまうことがある。このような問題を解消するた
めに基板のレジスト上に導電性皮膜として金属膜
を形成せしめることが提案されているけれども、
この方法は金属膜の形成及び除去の工程が複雑と
なり、レジストパターンの形成を非効率的にする
という欠点を有する。
本発明の目的は、レジストパターンを形成する
ための荷電ビーム露光における上記の如き問題を
解消し、レジストパターンの位置精度を低下させ
ることなく効率的な荷電ビーム露光を行うことの
できる方法を提供することにある。
ための荷電ビーム露光における上記の如き問題を
解消し、レジストパターンの位置精度を低下させ
ることなく効率的な荷電ビーム露光を行うことの
できる方法を提供することにある。
本発明によれば即ち荷電ビーム露光装置のXY
ステージ上に置かれた露光基板を、荷電ビームよ
り露光すると同時に紫外光、可視光などの光線を
用いて照射する方法が提供される。
ステージ上に置かれた露光基板を、荷電ビームよ
り露光すると同時に紫外光、可視光などの光線を
用いて照射する方法が提供される。
電子ビームやイオンビームの如き荷電ビームに
よる露光装置においては、通常その露光室は暗黒
に保持されている。しかるに、露光基板のレジス
トとして光導電性を有する有機物半導体を用いた
場合や、露光基板のレジスト上にかかる有機物半
導体を塗布した場合においても、荷電ビーム露光
に際してレジスト上にチヤージアツプが発生す
る。即ち、本発明においては、そのようなレジス
ト材料を有する露光基板を荷電ビーム露光するに
当り、その露光の間に露光基板を紫外光や可視光
などの光線により照射して導電性を与えることに
より、レジスト上のチヤージアツプを防止しよう
とするものである。
よる露光装置においては、通常その露光室は暗黒
に保持されている。しかるに、露光基板のレジス
トとして光導電性を有する有機物半導体を用いた
場合や、露光基板のレジスト上にかかる有機物半
導体を塗布した場合においても、荷電ビーム露光
に際してレジスト上にチヤージアツプが発生す
る。即ち、本発明においては、そのようなレジス
ト材料を有する露光基板を荷電ビーム露光するに
当り、その露光の間に露光基板を紫外光や可視光
などの光線により照射して導電性を与えることに
より、レジスト上のチヤージアツプを防止しよう
とするものである。
以下、添付図面を参照しながら、例により、本
発明を更に詳しく説明する。
発明を更に詳しく説明する。
添付第１図は本発明方法の実施に有用な装置の
一実施態様を模式的に示す図である。
一実施態様を模式的に示す図である。
図はそのような装置の一例として電子ビーム露
光装置を示すものであり、１は電子光学系であつ
て、電子銃２、３〜４個のレンズ３、ブランキン
グ電極４、デフレクタ５及び反射電子検出器６な
どからなる。露光室７内にはXYステージ８が置
かれ、その上にウエーハ９が載置される。１０は
アンプ類、１１は電気制御系、１２は電子計算
機、１３は電子光学系電極、１４は真空排気ポン
プ、１５は紫外光源そして１６はオプテイカルフ
アイバーである。即ち、この装置では、電子ビー
ム露光に際して、露光室７内の基板９に対してオ
プテイカルフアイバー１６を介して紫外光源１５
より紫外線が照射されるのである。
光装置を示すものであり、１は電子光学系であつ
て、電子銃２、３〜４個のレンズ３、ブランキン
グ電極４、デフレクタ５及び反射電子検出器６な
どからなる。露光室７内にはXYステージ８が置
かれ、その上にウエーハ９が載置される。１０は
アンプ類、１１は電気制御系、１２は電子計算
機、１３は電子光学系電極、１４は真空排気ポン
プ、１５は紫外光源そして１６はオプテイカルフ
アイバーである。即ち、この装置では、電子ビー
ム露光に際して、露光室７内の基板９に対してオ
プテイカルフアイバー１６を介して紫外光源１５
より紫外線が照射されるのである。
以下の実施例では、この電子ビーム露光装置に
よる操作の例を説明する。
よる操作の例を説明する。
実施例 １
基板としてSiウエーハ又はガラス乾板を用意
し、その上に有機物半導体、例えばポリビニルカ
ルバゾール、を含有するレジストを塗布する。塗
布はスピンコーターにより、3000r.p.m.により20
秒間行い、膜厚1μｍとする。次に、これを60℃
で20分間プリベークし、これにより得られた露光
基板を第１図に示す電子ビーム露光装置のXYス
テージ上に置き、電子ビーム露光を電圧20kV、
電子密度２×10-5C／cm2下に行う。同時に、この
露光領域に対して0.5ｍＷ／cm2の紫外線を照射す
る。次いで、露光基板をベンゼン／トルエン
（１／１）混合液により１分間現像し、キシレン
により１分間リンスする。次に、これを150℃で
20分間ポストベークして、所望のレジストパター
ンを有する基板を得る。
し、その上に有機物半導体、例えばポリビニルカ
ルバゾール、を含有するレジストを塗布する。塗
布はスピンコーターにより、3000r.p.m.により20
秒間行い、膜厚1μｍとする。次に、これを60℃
で20分間プリベークし、これにより得られた露光
基板を第１図に示す電子ビーム露光装置のXYス
テージ上に置き、電子ビーム露光を電圧20kV、
電子密度２×10-5C／cm2下に行う。同時に、この
露光領域に対して0.5ｍＷ／cm2の紫外線を照射す
る。次いで、露光基板をベンゼン／トルエン
（１／１）混合液により１分間現像し、キシレン
により１分間リンスする。次に、これを150℃で
20分間ポストベークして、所望のレジストパター
ンを有する基板を得る。
得られた基板には、チヤージアツプによるレジ
ストパターンの位置ずれは全く認められなかつ
た。
ストパターンの位置ずれは全く認められなかつ
た。
実施例 ２
実施例１の操作を繰り返すが、ここではレジス
ト塗布は、通常のレジスト、例えばポリジアリル
オルソフタレート、を3000r.p.m.において20秒間
で膜厚1μｍに塗布して行い、その上に有機物半
導体、例えばアントラセン、を6000r.p.m.におい
て20秒間で膜厚0.2μｍに塗布する。また、現像液
にはモノクロルベンゼン／酢酸イソアミル（１／
１）混液を用い、リンス液には酢酸イソアミルを
用い、そしてポストベークは120℃で行う。
ト塗布は、通常のレジスト、例えばポリジアリル
オルソフタレート、を3000r.p.m.において20秒間
で膜厚1μｍに塗布して行い、その上に有機物半
導体、例えばアントラセン、を6000r.p.m.におい
て20秒間で膜厚0.2μｍに塗布する。また、現像液
にはモノクロルベンゼン／酢酸イソアミル（１／
１）混液を用い、リンス液には酢酸イソアミルを
用い、そしてポストベークは120℃で行う。
得られた基板には、レジストパターンの位置ず
れは認められず、所望のレジストパターンが形成
された。
れは認められず、所望のレジストパターンが形成
された。
第１図は本発明方法の実施に有用な装置の一実
施態様を示す模式図である。 １……電子光学系、７……露光室、８……XY
ステージ、１５……紫外光源、１６……オプテイ
カルフアイバー。
施態様を示す模式図である。 １……電子光学系、７……露光室、８……XY
ステージ、１５……紫外光源、１６……オプテイ
カルフアイバー。
Claims (1)
- １ 荷電ビーム露光装置のXYステージ上に置か
れた露光基板を、荷電ビームにより露光すると同
時に紫外光、可視光などの光線を用いて照射する
に当り、上記露光基板のレジストとして光導電性
を有する有機物半導体を用いるかまたは上記露光
基板のレジスト上に光導電性を有する有機物半導
体を塗布することを特徴とする荷電ビーム露光方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5507081A JPS57170526A (en) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | Exposing method and device for charged beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5507081A JPS57170526A (en) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | Exposing method and device for charged beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57170526A JPS57170526A (en) | 1982-10-20 |
| JPS6320375B2 true JPS6320375B2 (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=12988429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5507081A Granted JPS57170526A (en) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | Exposing method and device for charged beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57170526A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61125019A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-12 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 集積回路製造方法及びその方法に使用する光導電性フオトレジスト複合体 |
| US5994007A (en) * | 1997-12-19 | 1999-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method utilizing first insulative and then conductive overlayer and underlayer |
| US6507029B1 (en) | 1998-03-25 | 2003-01-14 | Hitachi, Ltd. | Sample processing apparatus and method for removing charge on sample through light irradiation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138232A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-28 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Drawing device |
-
1981
- 1981-04-14 JP JP5507081A patent/JPS57170526A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138232A (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-28 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Drawing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57170526A (en) | 1982-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hatzakis | Electron resists for microcircuit and mask production | |
| US4119688A (en) | Electro-lithography method | |
| US4373018A (en) | Multiple exposure microlithography patterning method | |
| JPS6222527B2 (ja) | ||
| US2748288A (en) | Electron photography plate construction | |
| US3636836A (en) | Photographic process for preparing a screen structure for a cathode-ray tube | |
| US4746587A (en) | Electron emissive mask for an electron beam image projector, its manufacture, and the manufacture of a solid state device using such a mask | |
| JP2883798B2 (ja) | 半導体素子のパターン化方法 | |
| ATE49678T1 (de) | Photoresistbelichtungsverfahren und geraet unter verwendung eines elektronenstrahls, dessen energie und ladung gesteuert werden. | |
| US4101782A (en) | Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith | |
| JPS6320375B2 (ja) | ||
| JPS63244844A (ja) | イメージ形成方法 | |
| US4476216A (en) | Method for high resolution lithography | |
| US4647523A (en) | Production of a resist image | |
| GB1597595A (en) | Manufacture of semiconductor elements | |
| JP2890431B2 (ja) | 超電導回路の製造方法 | |
| JPS63271924A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JP2894772B2 (ja) | Ｘ線窓の製造方法 | |
| KR0177587B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH01283824A (ja) | ポジ型フォトレジスト | |
| KR100442968B1 (ko) | 반도체소자의감광막형성방법 | |
| JPH02174216A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59184525A (ja) | パタ−ンの形成方法 | |
| JPS59125729A (ja) | ドライ現像ポジ型レジスト組成物 | |
| JPH02257635A (ja) | パターン形成方法 |