JP2890431B2 - 超電導回路の製造方法 - Google Patents

超電導回路の製造方法

Info

Publication number
JP2890431B2
JP2890431B2 JP1002340A JP234089A JP2890431B2 JP 2890431 B2 JP2890431 B2 JP 2890431B2 JP 1002340 A JP1002340 A JP 1002340A JP 234089 A JP234089 A JP 234089A JP 2890431 B2 JP2890431 B2 JP 2890431B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
thin film
ion beam
superconducting thin
focused ion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1002340A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02181984A (ja
Inventor
信治 長町
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimazu Seisakusho KK
Original Assignee
Shimazu Seisakusho KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimazu Seisakusho KK filed Critical Shimazu Seisakusho KK
Priority to JP1002340A priority Critical patent/JP2890431B2/ja
Publication of JPH02181984A publication Critical patent/JPH02181984A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2890431B2 publication Critical patent/JP2890431B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は超電導回路、詳しくは超電導薄膜回路、の製
造方法に関する。
<従来の技術> 超電導薄膜回路を製作するには、従来、基板上Nb等の
超電導体を蒸着させて一様な超電導薄膜を形成し、次い
でその表面にレジストを塗布し、露光および現像後にエ
ッチングを行い、更にレジストを除去するという工程に
より、所望のパターンを有する超電導薄膜を得ていた。
<発明が解決しようとする課題> 上述のような従来の超電導薄膜回路の製造方法による
と、工程が多く繁雑で、完成までに長時間を要するとと
もに、光露光のためにはフォトマスクを製作する必要が
あり、また、薄膜を大気中にさらし、あるいは大気中と
真空中を往復させる工程があるため、大気からの吸着汚
染の惧れもある。
本発明の目的は、簡単な工程で、しかも、工程途中で
超電導薄膜を大気にさらす必要のない、超電導薄膜回路
の製造方法を提供することにある。
<課題を解決するための手段> 上記の目的を達成するため、本発明では、実施例に対
応する第1図に示すように、基板1上の表面に、超電導
薄膜の素材をイオン化して作った集束イオンビームBを
所定のエネルギに減速して所定パターンで照射すること
により、そのイオンを基板1表面に直接蒸着させる。
<作用> 集束イオンビームをターゲットの直前であるエネルギ
以下に減速すると、そのイオンはターゲットの表面に蒸
着して膜を作る。
本発明はこの性質を利用したもので、超電導薄膜素材
をイオン化して集束イオンビームを作り、これを直接蒸
着可能なエネルギにまで減速して基板1上に所望のパタ
ーンで照射すれば、基板1の表面にそのパターンの超電
導薄膜2が形成される。
<実施例> 第1図は本発明実施例の工程説明図で、第2図はその
工程に使用される減速機能付の集束イオンビーム装置の
構造説明図である。
まず、石英、Si等の基板1の表面を清浄化し、これを
第2図に例示する減速機能付の集束イオンビーム装置の
サンプルステージ17上に装着する。
この減速機能付の集束イオンビーム装置は、チャンバ
(図示せず)内に液体金属イオン源11、引出し電極12、
静電型レンズ13aおよび13b、マスフィルタ14、偏向電極
15、減速電極16、およびサンプルステージ17等を設ける
とともに、イオンに加速エネルギを与える加速電源18
と、イオン源11と引出し電極12間に電位差を与える引出
し電源19、および、イオンに減速エネルギを与える減速
電源20を備えている。この構成により、イオン源11から
引出されたイオンビームBは静電型レンズ13a,13bで集
束されると同時に、マスフィルタ14で所望イオンのみが
選別されてサンプルステージ17に導かれるが、この集束
イオンビームBがサンプルステージ17に到達するときの
エネルギは、加速電源18と減速電源20との出力電圧差に
等しいものとなる。すなわち、集束イオンビームBは、
減速電源16に近づくまでは加速電源18で与えられるエネ
ルギを持っているが、減速電源16とサンプルステージ17
の電位を減速電源20によって上げると、基板1に入射す
る集束イオンビームBはその分だけ減速される。従っ
て、減速電源20の出力調整により、原理的には、0〜加
速電源18出力までの間で、連続的に集束イオンビームB
の基板1への到達エネルギを変化させ得ることになる。
さて、このような装置のチャンバ内を真空引きすると
ともに、イオン源11に例えばNb−Ni合金を封入し、Nb+
イオンをサンプルステージ16上の基板1に導くようセッ
ティングする。そして、減速電源20の調節により、Nb+
が基板1の表面に直接蒸着できる程度(200eV以下程
度)に減速した集束イオンビームBを発生させる。この
減速された集束イオンビームBを偏向電極15で偏向させ
ることにより、第1図に示すように基板1の表面に所定
のパターンで照射する。
これにより、基板1の表面にはそのパターンのNb製の
超電導薄膜2が形成される。
なお、超電導薄膜2の材質としては、Nbのほか、Pb,T
cあるいはV等を使用することができ、本発明の方法に
よってこれらを用いた超電導薄膜回路を製造することが
できる。
<発明の効果> 以上説明したように、本発明によれば、超電導薄膜素
材をイオン化した集束イオンビームを減速して基板に照
射することによって、そのイオンを基板表面に直接蒸着
させて所望のパターンの超電導薄膜を形成するので、従
来の製造方法に比してその工程を著しく簡略化すること
ができ、製造の所要時間の短縮とコストダウンを達成で
きる。
また、従来の製法のようにレジストの塗布工程や露
光、現像工程等を必要とせず、マスクの製作が不要とな
るとともに、工程の途中で大気中に超電導薄膜をさらす
必要がなくなり、吸着汚染の惧れがなく、信頼性の高い
超電導回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の工程説明図、 第2図はその工程で使用される減速機能付の集束イオン
ビーム装置の構造説明図である。 1……基板 2……超電導薄膜 B……集束イオンビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 39/00 H01L 39/22 H01L 39/24 H01L 21/3205 H01L 21/321 H01L 21/3213 C23C 14/00 - 14/58 H01B 112/00 - 12/16 H01B 13/00 H01L 21/203

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】超電導薄膜素材のイオンからなる集束イオ
    ンビームを、所定のエネルギに減速して基板の表面に所
    定パターンで照射し、そのイオンを基板表面に直接蒸着
    させることを特徴とする超電導回路の製造方法。
JP1002340A 1989-01-09 1989-01-09 超電導回路の製造方法 Expired - Lifetime JP2890431B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1002340A JP2890431B2 (ja) 1989-01-09 1989-01-09 超電導回路の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1002340A JP2890431B2 (ja) 1989-01-09 1989-01-09 超電導回路の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02181984A JPH02181984A (ja) 1990-07-16
JP2890431B2 true JP2890431B2 (ja) 1999-05-17

Family

ID=11526570

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1002340A Expired - Lifetime JP2890431B2 (ja) 1989-01-09 1989-01-09 超電導回路の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2890431B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2621752B2 (ja) * 1992-11-30 1997-06-18 株式会社島津製作所 集束イオンビーム蒸着装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57186342A (en) * 1981-05-13 1982-11-16 Toshiba Corp Manufacture of semiconductor device
JPS60137012A (ja) * 1983-12-26 1985-07-20 Ulvac Corp イオンビ−ムエピタキシヤル成長装置
JPH0691051B2 (ja) * 1986-10-13 1994-11-14 日本電気株式会社 半導体素子の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
日本学術振興会薄膜第131委員会編「薄膜ハンドブック」(昭63−5−30)オーム社,pp125−127

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02181984A (ja) 1990-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0020776A4 (en) METHOD OF FORMING PATTERNS.
JPS596506B2 (ja) 電子写真製版方法
JPH088245B2 (ja) 集束イオンビームエッチング装置
US2748288A (en) Electron photography plate construction
EP0215532A2 (en) An electron emissive mask for an electron beam image projector, its manufacture, and the manufacture of a solid state device using such a mask
US4101782A (en) Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith
JP2890431B2 (ja) 超電導回路の製造方法
JPS58124230A (ja) 微細パタ−ン形成方法
JP2900490B2 (ja) Mes型電界効果トランジスタの製造方法
JPH03129349A (ja) フォトマスクの製法
JP3168593B2 (ja) 高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法
JPS6358446A (ja) パタ−ン形成方法
JPS5824143A (ja) フオトマスク
JP3390181B2 (ja) 高輝度集束イオンビームを用いた化合物の薄膜パターン生成方法
US4368215A (en) High resolution masking process for minimizing scattering and lateral deflection in collimated ion beams
JPS6320375B2 (ja)
JP2730269B2 (ja) 半導体素子製造装置
JPS564238A (en) Forming of pattern
JPS63216257A (ja) イオンビ−ム装置
JPH02181483A (ja) 超電導回路の製造方法
JP2674289B2 (ja) 電子ビーム露光装置及び露光方法
JPH04272640A (ja) 集束イオンビームエッチング装置
JPS5884429A (ja) パタ−ン形成方法
JPH0626209B2 (ja) 蝕刻方法
JPS60178623A (ja) 荷電ビ−ム露光方法