JP2674289B2 - 電子ビーム露光装置及び露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置及び露光方法Info
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- JP2674289B2 JP2674289B2 JP2236670A JP23667090A JP2674289B2 JP 2674289 B2 JP2674289 B2 JP 2674289B2 JP 2236670 A JP2236670 A JP 2236670A JP 23667090 A JP23667090 A JP 23667090A JP 2674289 B2 JP2674289 B2 JP 2674289B2
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- electron beam
- static electricity
- exposed
- beam exposure
- exposure apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 電子ビーム露光装置及び露光方法の改良に関し、 電子ビーム露光を行おうとするレジスト膜を形成した
被露光物の荷電を除去することが可能となる電子ビーム
露光装置及び露光方法の提供を目的とし、 〔１〕電子銃から出た電子ビームを、XYステージ上に搭
載した被露光物の表面に形成したレジスト膜に照射し、
該レジスト膜にパターンを描画する電子ビーム露光装置
において、該電子ビーム露光装置を収容するメインチャ
ンバと、静電気モニタと静電気除去器とを備えた静電気
除去チャンバと、前記被露光物を高湿度の雰囲気に保持
する高湿度チャンバとを具備するよう構成し、 〔２〕請求項１記載の電子ビーム露光装置を用い、前記
レジスト膜を塗布した被露光物を前記高湿度チャンバ内
に載置して荷電を除去し、つぎに前記静電気除去チャン
バ内で前記被露光物の荷電量を前記静電気モニタにて計
測し、前記静電気除去器により荷電を除去し、ついで前
記メインチャンバ（21）内の前記電子ビーム露光装置を
用いて前記レジスト膜にパターンを描画するよう構成す
る。
被露光物の荷電を除去することが可能となる電子ビーム
露光装置及び露光方法の提供を目的とし、 〔１〕電子銃から出た電子ビームを、XYステージ上に搭
載した被露光物の表面に形成したレジスト膜に照射し、
該レジスト膜にパターンを描画する電子ビーム露光装置
において、該電子ビーム露光装置を収容するメインチャ
ンバと、静電気モニタと静電気除去器とを備えた静電気
除去チャンバと、前記被露光物を高湿度の雰囲気に保持
する高湿度チャンバとを具備するよう構成し、 〔２〕請求項１記載の電子ビーム露光装置を用い、前記
レジスト膜を塗布した被露光物を前記高湿度チャンバ内
に載置して荷電を除去し、つぎに前記静電気除去チャン
バ内で前記被露光物の荷電量を前記静電気モニタにて計
測し、前記静電気除去器により荷電を除去し、ついで前
記メインチャンバ（21）内の前記電子ビーム露光装置を
用いて前記レジスト膜にパターンを描画するよう構成す
る。
本発明は、電子ビーム露光装置及び露光方法の改良に
関するものである。
関するものである。
近年の半導体装置の微細化に伴い、レチクルパターン
の配置精度向上に対する要求が高まっているが、このパ
ターンを描画する電子ビームが、基板自体が予め有して
いる静電気や電子ビームの照射に起因するチャージアッ
プの影響を受けて、パターンの配置精度が悪化してい
る。
の配置精度向上に対する要求が高まっているが、このパ
ターンを描画する電子ビームが、基板自体が予め有して
いる静電気や電子ビームの照射に起因するチャージアッ
プの影響を受けて、パターンの配置精度が悪化してい
る。
以上のような状況から、パターンを描画する電子ビー
ムに悪影響を与える静電気や電子ビームの照射に起因す
るチャージアップを除去することが可能な電子ビーム露
光装置及び露光方法が要望されている。
ムに悪影響を与える静電気や電子ビームの照射に起因す
るチャージアップを除去することが可能な電子ビーム露
光装置及び露光方法が要望されている。
従来の電子ビーム露光装置及び露光方法を、被露光物
が透明基板の場合について第２図により詳細に説明す
る。
が透明基板の場合について第２図により詳細に説明す
る。
第２図は電子ビーム露光装置の概略構造を示す図であ
る。
る。
図において１は電子銃、２はブランキング電極、３及
び５はコンデンサレンズ、４及び６は矩形アパーチャ、
７は縮小投影レンズ、８はメインデフレクタ、９はサブ
デフレクタ、10は被露光物、10aはレジスト膜、11はXY
ステージである。
び５はコンデンサレンズ、４及び６は矩形アパーチャ、
７は縮小投影レンズ、８はメインデフレクタ、９はサブ
デフレクタ、10は被露光物、10aはレジスト膜、11はXY
ステージである。
電子銃１からでた電子ビームはコンデンサレンズ３及
び５で収束され、矩形アパーチャ４及び６で成形され、
縮小投影レンズ７で縮小されるが、この成形された電子
ビームはXYステージ11の移動と、メインデフレクタ８、
サブデフレクタ９からなる偏向系によって被露光物10の
表面に形成されているレジスト膜10aの全面に照射され
る。
び５で収束され、矩形アパーチャ４及び６で成形され、
縮小投影レンズ７で縮小されるが、この成形された電子
ビームはXYステージ11の移動と、メインデフレクタ８、
サブデフレクタ９からなる偏向系によって被露光物10の
表面に形成されているレジスト膜10aの全面に照射され
る。
このような電子ビーム露光装置を用いて電子ビームを
露光すると、被露光物10がチャージされるので、第３図
に詳細を示すように導通ピンをレジスト膜10aを貫通し
て被露光物10に接触させてチャージを除去するか、或い
はレジスト膜10aに導通レジストを用いている。
露光すると、被露光物10がチャージされるので、第３図
に詳細を示すように導通ピンをレジスト膜10aを貫通し
て被露光物10に接触させてチャージを除去するか、或い
はレジスト膜10aに導通レジストを用いている。
以上説明した従来の電子ビーム露光装置及び露光方法
においては、導通ピンをレジスト膜を貫通して被露光物
に接触させてチャージを除去しているが、被露光物に塗
布したレジスト膜がチャージした場合には電子ビームが
このチャージによって偏向させられ、精度の高いパター
ンを有するレチクルを製造するのが困難になっている。
においては、導通ピンをレジスト膜を貫通して被露光物
に接触させてチャージを除去しているが、被露光物に塗
布したレジスト膜がチャージした場合には電子ビームが
このチャージによって偏向させられ、精度の高いパター
ンを有するレチクルを製造するのが困難になっている。
更に種々の実験を行った結果、電子ビーム照射時にこ
のレジスト膜の表面に蓄積される電子による負の荷電よ
りも、被露光物自体が予め負に帯電されており、この荷
電により露光精度が悪化することが明確になったという
問題点があった。
のレジスト膜の表面に蓄積される電子による負の荷電よ
りも、被露光物自体が予め負に帯電されており、この荷
電により露光精度が悪化することが明確になったという
問題点があった。
本発明は以上のような状況から、電子ビーム露光を行
おうとするレジスト膜を形成した被露光物の荷電を除去
することが可能となる電子ビーム露光装置及び露光方法
の提供を目的としたものである。
おうとするレジスト膜を形成した被露光物の荷電を除去
することが可能となる電子ビーム露光装置及び露光方法
の提供を目的としたものである。
本発明の電子ビーム露光装置は、 電子銃から出た電子ビームを、XYステージ上に搭載し
た被露光物の表面に形成したレジスト膜に照射し、この
レジスト膜にパターンを描画する電子ビーム露光装置に
おいて、この電子ビーム露光装置を収容するメインチャ
ンバと、静電気モニタと静電気除去器とを備えた静電気
除去チャンバと、この被露光物を高湿度の雰囲気に保持
する高湿度チャンバとを具備するよう構成し、 本発明の電子ビーム露光方法は、 上記の電子ビーム露光装置を用い、このレジスト膜を
塗布した被露光物を高湿度チャンバ内に載置して荷電を
除去し、つぎに静電気除去チャンバ内でこの被露光物の
荷電量を静電気モニタにて計測し、静電気除去器により
荷電を除去し、ついでメインチャンバ内の電子ビーム露
光装置を用いてこのレジスト膜にパターンを描画するよ
う構成する。
た被露光物の表面に形成したレジスト膜に照射し、この
レジスト膜にパターンを描画する電子ビーム露光装置に
おいて、この電子ビーム露光装置を収容するメインチャ
ンバと、静電気モニタと静電気除去器とを備えた静電気
除去チャンバと、この被露光物を高湿度の雰囲気に保持
する高湿度チャンバとを具備するよう構成し、 本発明の電子ビーム露光方法は、 上記の電子ビーム露光装置を用い、このレジスト膜を
塗布した被露光物を高湿度チャンバ内に載置して荷電を
除去し、つぎに静電気除去チャンバ内でこの被露光物の
荷電量を静電気モニタにて計測し、静電気除去器により
荷電を除去し、ついでメインチャンバ内の電子ビーム露
光装置を用いてこのレジスト膜にパターンを描画するよ
う構成する。
即ち本発明においては、電子ビーム露光装置を収容す
るメインチャンバと、静電気モニタと静電気除去器とを
備えた静電気除去チャンバと、被露光物を高湿度の雰囲
気に保持する高湿度チャンバとを隣接して具備している
ので、被露光物が予め有している静電気を湿度により除
去し、つぎに静電気モニタにより残存する荷電量を計測
し、静電気除去器によりイオンを照射して被露光物の保
有する荷電を中和して、電子ビームを正確に露光するこ
とが可能となる。
るメインチャンバと、静電気モニタと静電気除去器とを
備えた静電気除去チャンバと、被露光物を高湿度の雰囲
気に保持する高湿度チャンバとを隣接して具備している
ので、被露光物が予め有している静電気を湿度により除
去し、つぎに静電気モニタにより残存する荷電量を計測
し、静電気除去器によりイオンを照射して被露光物の保
有する荷電を中和して、電子ビームを正確に露光するこ
とが可能となる。
以下第１図により本発明による一実施例の電子ビーム
露光装置及び露光方法について詳細に説明する。
露光装置及び露光方法について詳細に説明する。
電子ビーム露光装置本体は従来のものと同じである
が、本実施例においては第１図に示すように電子ビーム
露光装置を収容したメインチャンバ21と、静電気モニタ
22aと静電気除去器22bとを備えた静電気除去チャンバ22
と、高湿度チャンバ23とがこのメインチャンバ21に隣接
して設けられている。
が、本実施例においては第１図に示すように電子ビーム
露光装置を収容したメインチャンバ21と、静電気モニタ
22aと静電気除去器22bとを備えた静電気除去チャンバ22
と、高湿度チャンバ23とがこのメインチャンバ21に隣接
して設けられている。
本実施例の電子ビーム露光方法は、レジスト膜10aを
形成した被露光物10、例えば透明基板をまず高湿度チャ
ンバ23内に載置し、その高湿度雰囲気により透明基板と
レジスト膜10aに荷電されている静電気を除去する。
形成した被露光物10、例えば透明基板をまず高湿度チャ
ンバ23内に載置し、その高湿度雰囲気により透明基板と
レジスト膜10aに荷電されている静電気を除去する。
つぎに被露光物10をこの高湿度チャンバ23内から静電
気除去チャンバ22内に移動させて載置し、静電気モニタ
22a、例えばトレック社製表面電位計Model 344を用いて
荷電量を計測し、その荷電量に応じて静電気除去器22
b、例えばイオナイザーガンを用いてイオンを照射する
ことにより荷電を放電させる。
気除去チャンバ22内に移動させて載置し、静電気モニタ
22a、例えばトレック社製表面電位計Model 344を用いて
荷電量を計測し、その荷電量に応じて静電気除去器22
b、例えばイオナイザーガンを用いてイオンを照射する
ことにより荷電を放電させる。
ついで被露光物10をメインチャンバ21内に移動してXY
ステージ11の上に載置し、通常の電子ビーム露光を行
う。
ステージ11の上に載置し、通常の電子ビーム露光を行
う。
このように高湿度チャンバ23内で荷電を除去し、静電
気除去チャンバ22内でイオンを照射して荷電を除去した
被露光物10にメインチャンバ21内で電子ビームを露光す
るので、被露光物10やその表面に形成したレジスト膜10
aにパターンを正確に描画することが可能となる。
気除去チャンバ22内でイオンを照射して荷電を除去した
被露光物10にメインチャンバ21内で電子ビームを露光す
るので、被露光物10やその表面に形成したレジスト膜10
aにパターンを正確に描画することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、極め
て簡単な静電気除去チャンバと、高湿度チャンバとを備
えて、電子ビームを照射する被露光物の有する静電気を
除去し、電子ビームが被露光物及びレジスト膜の有する
荷電により曲げられるのを防止することが可能となり、
配置精度の高いパターンを描画することが可能となる利
点があり、著しい品質向上の効果が期待できる電子ビー
ム露光装置及び露光方法の提供が可能となる。
て簡単な静電気除去チャンバと、高湿度チャンバとを備
えて、電子ビームを照射する被露光物の有する静電気を
除去し、電子ビームが被露光物及びレジスト膜の有する
荷電により曲げられるのを防止することが可能となり、
配置精度の高いパターンを描画することが可能となる利
点があり、著しい品質向上の効果が期待できる電子ビー
ム露光装置及び露光方法の提供が可能となる。
第１図は本発明による一実施例の電子ビーム露光装置の
概略構造を示す図、 第２図は従来の電子ビーム露光装置の概略構造を示す
図、 第３図は導通ピンと被露光物との接触状態を示す図、 である。 図において、 １は電子銃、 ２はブランキング電極、 ３はコンデンサレンズ、 ４は矩形アパーチャ、 ５はコンデンサレンズ、 ６は矩形アパーチャ、 ７は縮小投影レンズ、 ８はメインデフレクタ、 ９はサブデフレクタ、 10は被露光物、 10aはレジスト膜、 11はXYステージ、 12は導通ピン、 21はメインチャンバ、 22は静電気除去チャンバ、 22aは静電気モニタ、 22bは静電気除去器、 23は高湿度チャンバ、 を示す。
概略構造を示す図、 第２図は従来の電子ビーム露光装置の概略構造を示す
図、 第３図は導通ピンと被露光物との接触状態を示す図、 である。 図において、 １は電子銃、 ２はブランキング電極、 ３はコンデンサレンズ、 ４は矩形アパーチャ、 ５はコンデンサレンズ、 ６は矩形アパーチャ、 ７は縮小投影レンズ、 ８はメインデフレクタ、 ９はサブデフレクタ、 10は被露光物、 10aはレジスト膜、 11はXYステージ、 12は導通ピン、 21はメインチャンバ、 22は静電気除去チャンバ、 22aは静電気モニタ、 22bは静電気除去器、 23は高湿度チャンバ、 を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】電子銃（１）から出た電子ビームを、XYス
テージ（11）上に搭載した被露光物（10）の表面に形成
したレジスト膜（10a）に照射し、該レジスト膜（10a）
にパターンを描画する電子ビーム露光装置において、 該電子ビーム露光装置を収容するメインチャンバ（21）
と、 静電気モニタ（22a）と静電気除去器（22b）とを備えた
静電気除去チャンバ（22）と、 前記被露光物（10）を高湿度の雰囲気に保持する高湿度
チャンバ（23）と、 を具備することを特徴とする電子ビーム露光装置。 - 【請求項２】請求項１記載の電子ビーム露光装置を用
い、前記レジスト膜（10a）を塗布した被露光物（10）
を前記高湿度チャンバ（23）内に載置して荷電を除去
し、つぎに前記静電気除去チャンバ（22）内で前記被露
光物（10）の荷電量を前記静電気モニタ（22a）にて計
測し、前記静電気除去器（22b）により荷電を除去し、
前記メインチャンバ（21）内の前記電子ビーム露光装置
を用いて前記レジスト膜（10a）にパターンを描画する
ことを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2236670A JP2674289B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2236670A JP2674289B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115454A JPH04115454A (ja) | 1992-04-16 |
| JP2674289B2 true JP2674289B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=17004045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2236670A Expired - Lifetime JP2674289B2 (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 電子ビーム露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674289B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4916505B2 (ja) * | 2008-12-24 | 2012-04-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および方法 |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP2236670A patent/JP2674289B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04115454A (ja) | 1992-04-16 |
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