JP2001284205A - 荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
荷電粒子ビーム描画装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子ビームを用いてパターンを描画する
際、散乱電子による試料端面でのチャージアップ現象を
防止し、試料高さの変動を測定するための光又はレーザ
を遮ることなく高精度な描画を可能とする。 【解決手段】 描画される試料１は試料ホルダ３にセッ
トされ、試料高さ規制板４によって高さを決定され、パ
ターンを描画される。描画の際、試料１の表面さらには
描画装置内部で散乱された荷電粒子を遮るための散乱電
子遮蔽板２ａを設置する。この際、散乱電子遮蔽板２ａ
の上面の高さが試料面１１の高さとほぼ同じかわずか高
い位置となるように設置する。その結果、散乱電子遮蔽
板２ａは試料１の高さ測定用の光源５からの光又はレー
ザを遮ることがなくなるため、試料１周辺部での描画位
置精度を向上させることができる。
際、散乱電子による試料端面でのチャージアップ現象を
防止し、試料高さの変動を測定するための光又はレーザ
を遮ることなく高精度な描画を可能とする。 【解決手段】 描画される試料１は試料ホルダ３にセッ
トされ、試料高さ規制板４によって高さを決定され、パ
ターンを描画される。描画の際、試料１の表面さらには
描画装置内部で散乱された荷電粒子を遮るための散乱電
子遮蔽板２ａを設置する。この際、散乱電子遮蔽板２ａ
の上面の高さが試料面１１の高さとほぼ同じかわずか高
い位置となるように設置する。その結果、散乱電子遮蔽
板２ａは試料１の高さ測定用の光源５からの光又はレー
ザを遮ることがなくなるため、試料１周辺部での描画位
置精度を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビームなどの
荷電粒子ビームを用いて半導体ウエハなどの被処理基板
の表面にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に
関するもので、特に、描画の際にフォトマスクなどの試
料を保持するための試料ホルダあるいは描画ステージの
改良に関する。
荷電粒子ビームを用いて半導体ウエハなどの被処理基板
の表面にパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に
関するもので、特に、描画の際にフォトマスクなどの試
料を保持するための試料ホルダあるいは描画ステージの
改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化、大容量化が
進むにつれて半導体デバイスの設計ルールもますます微
細になり、それに伴って原版であるフォトマスク（ある
いはレチクル）のパターンも微細化して行く。このよう
に微細化したパターンを半導体ウエハ上に描画するため
には解像度の高い荷電粒子ビームを必要とし、そのため
に従来の荷電粒子ビーム描画装置においては、荷電粒子
ビームに高加速電圧を印加することによって解像度の向
上を図っている。
進むにつれて半導体デバイスの設計ルールもますます微
細になり、それに伴って原版であるフォトマスク（ある
いはレチクル）のパターンも微細化して行く。このよう
に微細化したパターンを半導体ウエハ上に描画するため
には解像度の高い荷電粒子ビームを必要とし、そのため
に従来の荷電粒子ビーム描画装置においては、荷電粒子
ビームに高加速電圧を印加することによって解像度の向
上を図っている。
【０００３】しかしながら、この高加速電圧化によって
パターンの解像度を向上させる方法は、その副作用とし
て、フォトマスクなどの試料の表面で散乱される荷電粒
子の量とエネルギー強度が増加し、描画装置内部で散乱
された荷電粒子（二次電子）が試料の導電膜が形成され
ていない端面部分でチャージアップを発生させ、このチ
ャージアップによって電場が不均一となり、試料の外周
部での描画位置精度を低下させるという問題が発生し
た。
パターンの解像度を向上させる方法は、その副作用とし
て、フォトマスクなどの試料の表面で散乱される荷電粒
子の量とエネルギー強度が増加し、描画装置内部で散乱
された荷電粒子（二次電子）が試料の導電膜が形成され
ていない端面部分でチャージアップを発生させ、このチ
ャージアップによって電場が不均一となり、試料の外周
部での描画位置精度を低下させるという問題が発生し
た。
【０００４】通常、フォトマスクは、高精度のガラス基
板上にクロム膜を蒸着し、その上にフォトレジストを塗
布し、このフォトレジストに設計ルールに従って荷電粒
子ビームを照射し、これを現像することによってフォト
レジストパターンが形成される。このフォトレジストパ
ターンをエッチングマスクとして使用することによって
クロム膜をエッチングし、クロム膜で形成されたフォト
マスクパターンを有するフォトマスク原版を得ている。
板上にクロム膜を蒸着し、その上にフォトレジストを塗
布し、このフォトレジストに設計ルールに従って荷電粒
子ビームを照射し、これを現像することによってフォト
レジストパターンが形成される。このフォトレジストパ
ターンをエッチングマスクとして使用することによって
クロム膜をエッチングし、クロム膜で形成されたフォト
マスクパターンを有するフォトマスク原版を得ている。
【０００５】このようにして得られるフォトマスクは、
ガラス基板周縁部に形成される面取り部までは導電膜で
あるクロム膜が被着されるが、垂直端面にまでクロム膜
を被着させることは困難である。そこで、その対策とし
て、特開平５−３４７２４２号公報にあるように、試料
であるフォトマスクの端面を覆うように散乱電子遮蔽板
（以下、単に遮蔽板と称する）を設置して散乱粒子の影
響を防ぐようにしている。
ガラス基板周縁部に形成される面取り部までは導電膜で
あるクロム膜が被着されるが、垂直端面にまでクロム膜
を被着させることは困難である。そこで、その対策とし
て、特開平５−３４７２４２号公報にあるように、試料
であるフォトマスクの端面を覆うように散乱電子遮蔽板
（以下、単に遮蔽板と称する）を設置して散乱粒子の影
響を防ぐようにしている。
【０００６】この遮蔽板を備えた従来の荷電粒子ビーム
描画装置用の試料ホルダについて、図７の断面図および
図８の上面図を参照して説明する。従来の試料ホルダ３
は、描画ステージ１３に載置して使用する構造となって
いる。そして、試料１を試料ホルダ３にセットし、バネ
１６で押し上げて試料ホルダ３に設けられた試料高さ規
制板４に押し付け、試料面１１の平面位置精度を出すよ
うにしている。試料１は、前述したように面取り部１４
までは導電膜が形成されているが、端面１５には全く付
着していない。
描画装置用の試料ホルダについて、図７の断面図および
図８の上面図を参照して説明する。従来の試料ホルダ３
は、描画ステージ１３に載置して使用する構造となって
いる。そして、試料１を試料ホルダ３にセットし、バネ
１６で押し上げて試料ホルダ３に設けられた試料高さ規
制板４に押し付け、試料面１１の平面位置精度を出すよ
うにしている。試料１は、前述したように面取り部１４
までは導電膜が形成されているが、端面１５には全く付
着していない。
【０００７】また、散乱粒子の影響を防ぐための遮蔽板
２は、導電性を有する金属などの材料から構成され、描
画ステージ１３に設けられた試料ホルダ高さ規制板１２
の先端部に設置されている。この遮蔽板２は、試料１の
周辺部を覆うように設置されるので、試料１の周辺部に
おいて試料高さ測定用光源５からの光又はレーザを遮っ
てしまい、試料周辺部での描画位置精度を低下させてし
まうという問題があった。
２は、導電性を有する金属などの材料から構成され、描
画ステージ１３に設けられた試料ホルダ高さ規制板１２
の先端部に設置されている。この遮蔽板２は、試料１の
周辺部を覆うように設置されるので、試料１の周辺部に
おいて試料高さ測定用光源５からの光又はレーザを遮っ
てしまい、試料周辺部での描画位置精度を低下させてし
まうという問題があった。
【０００８】そこで、従来の荷電粒子ビーム描画装置で
は、描画位置精度を低下させないために描画位置の補正
を行なっている。この補正方法について、図９を参照し
て説明する。図９は、試料面の高さが変動した場合の位
置ずれを説明するための図である。
は、描画位置精度を低下させないために描画位置の補正
を行なっている。この補正方法について、図９を参照し
て説明する。図９は、試料面の高さが変動した場合の位
置ずれを説明するための図である。
【０００９】ビーム源で発生した荷電粒子ビーム１７
は、位置決め用偏向電極６で電圧を印加され、ビームを
偏向させて描画を行なっている。位置決め用偏向電極６
から描画表面である試料面１１までの高さＨ（焦点距離
７）が、ΔＨ（試料面での高さ変動距離９）だけ変動す
ると、ビーム偏向幅Ｌ（偏向距離８）は相似法則により
ΔＬ（試料面での位置ずれ１０）だけ変動し、描画位置
に誤差が生じてしまう。
は、位置決め用偏向電極６で電圧を印加され、ビームを
偏向させて描画を行なっている。位置決め用偏向電極６
から描画表面である試料面１１までの高さＨ（焦点距離
７）が、ΔＨ（試料面での高さ変動距離９）だけ変動す
ると、ビーム偏向幅Ｌ（偏向距離８）は相似法則により
ΔＬ（試料面での位置ずれ１０）だけ変動し、描画位置
に誤差が生じてしまう。
【００１０】そこで従来は、試料面１１の高さを測定
し、その変動量に基づいて位置決め用偏向電極６に印加
する電圧を調節することによって、描画位置を補正して
いる。しかし、図７で示したように遮蔽板２の設置に伴
い、試料面１１での高さΔＨ測定用の光又はレーザが遮
断されてしまい、試料１の周辺部で描画位置精度が低下
するという問題が発生していた。
し、その変動量に基づいて位置決め用偏向電極６に印加
する電圧を調節することによって、描画位置を補正して
いる。しかし、図７で示したように遮蔽板２の設置に伴
い、試料面１１での高さΔＨ測定用の光又はレーザが遮
断されてしまい、試料１の周辺部で描画位置精度が低下
するという問題が発生していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、微細なパタ
ーンを描画するために荷電粒子ビームを高加速電圧化し
た際に、試料表面で散乱された荷電粒子が描画装置内部
で再度散乱されて試料の端面でチャージアップ現象を発
生させることを防ぐことにより、広い描画エリアを確保
するとともに、試料の高さを測定しその変動に合わせて
偏向位置を調整するための高さ測定光又はレーザを遮る
ことなく高精度な描画を可能にする荷電粒子ビーム描画
装置を提供する。
ーンを描画するために荷電粒子ビームを高加速電圧化し
た際に、試料表面で散乱された荷電粒子が描画装置内部
で再度散乱されて試料の端面でチャージアップ現象を発
生させることを防ぐことにより、広い描画エリアを確保
するとともに、試料の高さを測定しその変動に合わせて
偏向位置を調整するための高さ測定光又はレーザを遮る
ことなく高精度な描画を可能にする荷電粒子ビーム描画
装置を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の荷電粒子ビーム
描画装置は、パターンが形成された試料を試料ホルダに
セットし荷電粒子ビームを試料面に照射してパターン描
画を行なう際、発生する散乱電子による描画位置の位置
ずれを防止するための遮蔽板を前記試料ホルダに設置し
た荷電粒子ビーム描画装置において、前記遮蔽板の上面
位置が前記試料面よりわずか高い位置になるかあるいは
ほぼ同じ位置になるように遮蔽板を設置したことを特徴
とする。
描画装置は、パターンが形成された試料を試料ホルダに
セットし荷電粒子ビームを試料面に照射してパターン描
画を行なう際、発生する散乱電子による描画位置の位置
ずれを防止するための遮蔽板を前記試料ホルダに設置し
た荷電粒子ビーム描画装置において、前記遮蔽板の上面
位置が前記試料面よりわずか高い位置になるかあるいは
ほぼ同じ位置になるように遮蔽板を設置したことを特徴
とする。
【００１３】また、前記遮蔽板は、前記試料の周縁部に
形成された面取り部をちょうど覆う大きさの開口を有す
ることを特徴とするとともに、前記開口の側面に前記試
料の周縁部に形成された面取り部と同角度の傾斜面を備
えたことを特徴とする。
形成された面取り部をちょうど覆う大きさの開口を有す
ることを特徴とするとともに、前記開口の側面に前記試
料の周縁部に形成された面取り部と同角度の傾斜面を備
えたことを特徴とする。
【００１４】さらに、本発明の荷電粒子ビーム描画装置
は、パターンが形成された試料を直接描画ステージにセ
ットし荷電粒子ビームを試料面に照射してパターン描画
を行なう際、発生する散乱電子による描画位置の位置ず
れを防止するための遮蔽板を前記描画ステージに設置し
た荷電粒子ビーム描画装置において、前記遮蔽板の上面
位置が前記試料面よりわずか高い位置になるかあるいは
ほぼ同じ位置になるように遮蔽板を設置したことを特徴
とする。
は、パターンが形成された試料を直接描画ステージにセ
ットし荷電粒子ビームを試料面に照射してパターン描画
を行なう際、発生する散乱電子による描画位置の位置ず
れを防止するための遮蔽板を前記描画ステージに設置し
た荷電粒子ビーム描画装置において、前記遮蔽板の上面
位置が前記試料面よりわずか高い位置になるかあるいは
ほぼ同じ位置になるように遮蔽板を設置したことを特徴
とする。
【００１５】また、前記描画ステージに設置された遮蔽
板は対角線位置で４分割され、４個の可動遮蔽板分割片
で１枚の遮蔽板が構成されていることを特徴とし、ま
た、前記４個の可動遮蔽板分割片はそれぞれ遮蔽板駆動
部に取り付けられ、対向する２個の可動遮蔽板分割片同
士を一組とし、一方の組がＸ方向に、他方の組がＹ方向
にそれぞれ開閉可能に可動することを特徴とする。
板は対角線位置で４分割され、４個の可動遮蔽板分割片
で１枚の遮蔽板が構成されていることを特徴とし、ま
た、前記４個の可動遮蔽板分割片はそれぞれ遮蔽板駆動
部に取り付けられ、対向する２個の可動遮蔽板分割片同
士を一組とし、一方の組がＸ方向に、他方の組がＹ方向
にそれぞれ開閉可能に可動することを特徴とする。
【００１６】また、前記描画ステージに設置された散乱
電子遮蔽板は一対角線位置で２分割され、２個の可動遮
蔽板分割片で１枚の散乱電子遮蔽板が構成されているこ
とを特徴とし、また、前記２個の可動遮蔽板分割片はそ
れぞれ遮蔽板駆動部に取り付けられ、Ｘ方向あるいはＹ
方向に開閉可能に可動することを特徴とする。
電子遮蔽板は一対角線位置で２分割され、２個の可動遮
蔽板分割片で１枚の散乱電子遮蔽板が構成されているこ
とを特徴とし、また、前記２個の可動遮蔽板分割片はそ
れぞれ遮蔽板駆動部に取り付けられ、Ｘ方向あるいはＹ
方向に開閉可能に可動することを特徴とする。
【００１７】また、前記４分割または２分割された遮蔽
板は、それぞれの可動遮蔽板分割片が前記試料の周縁部
に形成された面取り部をちょうど覆う大きさの開口位置
になるように調整されていることを特徴とするととも
に、前記４分割または２分割された遮蔽板は、それぞれ
の可動遮蔽板分割片からなる前記開口の側面に、前記試
料の周縁部に形成された面取り部と同角度の傾斜面を備
えたことを特徴とする。
板は、それぞれの可動遮蔽板分割片が前記試料の周縁部
に形成された面取り部をちょうど覆う大きさの開口位置
になるように調整されていることを特徴とするととも
に、前記４分割または２分割された遮蔽板は、それぞれ
の可動遮蔽板分割片からなる前記開口の側面に、前記試
料の周縁部に形成された面取り部と同角度の傾斜面を備
えたことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施の形態において、試料ホルダを描画ステージに載
置した状態を示す断面図であり、図２は図１の上面図で
ある。
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
の実施の形態において、試料ホルダを描画ステージに載
置した状態を示す断面図であり、図２は図１の上面図で
ある。
【００１９】まず、試料ホルダ３を描画ステージ１３上
に載置する。そして、この試料ホルダ３は、試料ホルダ
高さ規制板１２によって描画ステージ１３上でその高さ
が規制される。次いで、ガラス基板で構成されるフォト
マスクなどの試料１が試料ホルダ３内にセットされる。
試料１にはその周縁部に面取り部１４が設けられ、ま
た、試料面１１にはクロム膜などの導電性金属膜によっ
てパターンが形成されている。この導電性金属膜は面取
り部１４までは施されているが、垂直な端面１５には全
く導電膜は存在しない。
に載置する。そして、この試料ホルダ３は、試料ホルダ
高さ規制板１２によって描画ステージ１３上でその高さ
が規制される。次いで、ガラス基板で構成されるフォト
マスクなどの試料１が試料ホルダ３内にセットされる。
試料１にはその周縁部に面取り部１４が設けられ、ま
た、試料面１１にはクロム膜などの導電性金属膜によっ
てパターンが形成されている。この導電性金属膜は面取
り部１４までは施されているが、垂直な端面１５には全
く導電膜は存在しない。
【００２０】このような構造の試料１を試料ホルダ３に
載置してバネ１６で押し上げ、試料面１１を試料ホルダ
３に取り付けられた試料高さ規制板４に押し付けて高さ
を決定し、試料面１１の平面位置精度を出す。この状態
で試料１に荷電粒子ビームを照射し、パターンを描画す
る。
載置してバネ１６で押し上げ、試料面１１を試料ホルダ
３に取り付けられた試料高さ規制板４に押し付けて高さ
を決定し、試料面１１の平面位置精度を出す。この状態
で試料１に荷電粒子ビームを照射し、パターンを描画す
る。
【００２１】さらに、試料ホルダ３には、導電性を有す
る金属などの材料からなる遮蔽板２ａが設置され、この
遮蔽板２ａは、パターン描画の際、試料１の表面で散乱
されるとともに描画装置内部で散乱された荷電粒子が、
試料１の端面１５でチャージアップ現象を発生させるこ
とを防ぐために設置されている。
る金属などの材料からなる遮蔽板２ａが設置され、この
遮蔽板２ａは、パターン描画の際、試料１の表面で散乱
されるとともに描画装置内部で散乱された荷電粒子が、
試料１の端面１５でチャージアップ現象を発生させるこ
とを防ぐために設置されている。
【００２２】この遮蔽板２ａは、その上面が試料１の試
料面１１からわずか上の位置となるかあるいはほぼ同じ
高さになるように設置される。そのために、遮蔽板２ａ
は、試料１の面取り部１４に沿って遮蔽できるように、
この面取り部１４をちょうど覆う大きさの開口１９を有
し、開口１９の側面には面取り部１４と同角度の傾斜面
を形成している。
料面１１からわずか上の位置となるかあるいはほぼ同じ
高さになるように設置される。そのために、遮蔽板２ａ
は、試料１の面取り部１４に沿って遮蔽できるように、
この面取り部１４をちょうど覆う大きさの開口１９を有
し、開口１９の側面には面取り部１４と同角度の傾斜面
を形成している。
【００２３】図３は、第１の実施の形態に用いる遮蔽板
２ａの構造を示す図で、図（ａ）は上面図、図（ｂ）は
図（ａ）の側面図、図（ｃ）は図（ａ）のＡ−Ａ断面図
である。すなわち、遮蔽板２ａは四角の枠状に形成さ
れ、３個所に試料高さ規制板４を逃げる溝１８を有し、
枠内の開口１９の側面には、試料１の面取り部１４の角
度に合わせて、例えば４５度の傾斜面２０が設けられて
いる。
２ａの構造を示す図で、図（ａ）は上面図、図（ｂ）は
図（ａ）の側面図、図（ｃ）は図（ａ）のＡ−Ａ断面図
である。すなわち、遮蔽板２ａは四角の枠状に形成さ
れ、３個所に試料高さ規制板４を逃げる溝１８を有し、
枠内の開口１９の側面には、試料１の面取り部１４の角
度に合わせて、例えば４５度の傾斜面２０が設けられて
いる。
【００２４】このように、本実施の形態に用いる遮蔽板
２ａは、図１に示すようにその上面の高さが試料面１１
からわずか高いだけかあるいはほぼ同じ高さに設置され
ているため、パターン描画時に発生する散乱粒子による
チャージアップ現象を防ぐと同時に、試料面１１の高さ
を測定する光源５からの光又はレーザを遮ることがなく
なり、広い描画エリアを確保できる。
２ａは、図１に示すようにその上面の高さが試料面１１
からわずか高いだけかあるいはほぼ同じ高さに設置され
ているため、パターン描画時に発生する散乱粒子による
チャージアップ現象を防ぐと同時に、試料面１１の高さ
を測定する光源５からの光又はレーザを遮ることがなく
なり、広い描画エリアを確保できる。
【００２５】次に、本発明における第２の実施の形態に
ついて、図面を参照して説明する。図４は第２の実施の
形態を示す断面図で、試料を直接描画ステージに載置し
た状態を示し、図５は図４の上面図である。
ついて、図面を参照して説明する。図４は第２の実施の
形態を示す断面図で、試料を直接描画ステージに載置し
た状態を示し、図５は図４の上面図である。
【００２６】荷電粒子ビーム描画装置には、試料ホルダ
を用いないで描画ステージに直接試料をセットする機構
を備えているものがあり、本実施の形態では、このよう
な機構を有する荷電粒子ビーム描画装置の描画ステージ
に散乱粒子を遮蔽する遮蔽板を直接設置し、遮蔽板駆動
部によるＸ−Ｙ移動機構を利用して試料の大きさに合わ
せて遮蔽板を可動させ、散乱粒子の影響を防ぐようにし
たものである。そのため、本実施の形態に使用する遮蔽
板は、一枚板ではなく４分割されたものを使用する。
を用いないで描画ステージに直接試料をセットする機構
を備えているものがあり、本実施の形態では、このよう
な機構を有する荷電粒子ビーム描画装置の描画ステージ
に散乱粒子を遮蔽する遮蔽板を直接設置し、遮蔽板駆動
部によるＸ−Ｙ移動機構を利用して試料の大きさに合わ
せて遮蔽板を可動させ、散乱粒子の影響を防ぐようにし
たものである。そのため、本実施の形態に使用する遮蔽
板は、一枚板ではなく４分割されたものを使用する。
【００２７】図４に示すように、試料１は試料ホルダを
用いないで直接描画ステージ１３にセットされ、バネ１
６で押し上げて試料高さ規制板４により試料１の高さが
規制される。一方、分割可動遮蔽板２ｂは、図５に示す
ように対角線位置で４分割され、対向する可動遮蔽板分
割片２Ａは可動部材としてＸ方向に開閉できるように遮
蔽板駆動部２１Ａに取り付けられ、同様に、対向する可
動遮蔽板分割片２Ｂは可動部材としてＹ方向に開閉でき
るように遮蔽板駆動部２１Ｂに取り付けられている。ま
た、可動遮蔽板分割片２Ａには、試料高さ規制板４を逃
げる溝（図示せず）が形成されている。なお、遮蔽板駆
動部２１Ａ、２１Ｂは、図示していないがモータやシリ
ンダなどを用いた駆動機構によって構成されている。
用いないで直接描画ステージ１３にセットされ、バネ１
６で押し上げて試料高さ規制板４により試料１の高さが
規制される。一方、分割可動遮蔽板２ｂは、図５に示す
ように対角線位置で４分割され、対向する可動遮蔽板分
割片２Ａは可動部材としてＸ方向に開閉できるように遮
蔽板駆動部２１Ａに取り付けられ、同様に、対向する可
動遮蔽板分割片２Ｂは可動部材としてＹ方向に開閉でき
るように遮蔽板駆動部２１Ｂに取り付けられている。ま
た、可動遮蔽板分割片２Ａには、試料高さ規制板４を逃
げる溝（図示せず）が形成されている。なお、遮蔽板駆
動部２１Ａ、２１Ｂは、図示していないがモータやシリ
ンダなどを用いた駆動機構によって構成されている。
【００２８】そして、それぞれの可動遮蔽板分割片２
Ａ、２Ｂが所望の位置に位置決めされることによって、
分割可動遮蔽板２ｂは１枚の遮蔽板として機能する。こ
のように、試料１の大きさに合わせて分割可動遮蔽板２
ｂの位置を調節することによって、開口１９の面積を広
げたり狭めたりできるようになっている。また、開口１
９を構成する可動遮蔽板分割片２Ａ、２Ｂのそれぞれの
側面には、試料１の面取り部１４の角度に合わせて傾斜
面が形成されている。そして、４分割された分割可動遮
蔽板２ｂは、それぞれの可動遮蔽板分割片２Ａ、２Ｂが
試料１の面取り部１４をちょうど覆う大きさの開口位置
になるように調整されている。
Ａ、２Ｂが所望の位置に位置決めされることによって、
分割可動遮蔽板２ｂは１枚の遮蔽板として機能する。こ
のように、試料１の大きさに合わせて分割可動遮蔽板２
ｂの位置を調節することによって、開口１９の面積を広
げたり狭めたりできるようになっている。また、開口１
９を構成する可動遮蔽板分割片２Ａ、２Ｂのそれぞれの
側面には、試料１の面取り部１４の角度に合わせて傾斜
面が形成されている。そして、４分割された分割可動遮
蔽板２ｂは、それぞれの可動遮蔽板分割片２Ａ、２Ｂが
試料１の面取り部１４をちょうど覆う大きさの開口位置
になるように調整されている。
【００２９】さらに、本発明における第３の実施の形態
として、分割遮蔽板を２分割した例について説明する。
図６は第３の実施の形態を示す上面図である。図６に示
すように、分割遮蔽板２ｃは、一対角線位置でＬ字型の
遮蔽板分割片２Ｃ、２Ｄに分割され、この分割片２Ｃ、
２Ｄはそれぞれ左右に設けられた遮蔽板駆動部２１Ａに
取り付けられている。
として、分割遮蔽板を２分割した例について説明する。
図６は第３の実施の形態を示す上面図である。図６に示
すように、分割遮蔽板２ｃは、一対角線位置でＬ字型の
遮蔽板分割片２Ｃ、２Ｄに分割され、この分割片２Ｃ、
２Ｄはそれぞれ左右に設けられた遮蔽板駆動部２１Ａに
取り付けられている。
【００３０】本実施の形態は、分割遮蔽板２ｃがＬ字型
の２片で１枚の遮蔽板を構成することから、Ｘ方向の
み、あるいはＹ方向のみに往復可動できればよく、遮蔽
板駆動部の構成を簡略化できるという利点がある。ま
た、遮蔽板分割片２Ｃ、２Ｄの内側面に傾斜面を設ける
など、具体的な構造や機能については第２の実施の形態
と同様である。
の２片で１枚の遮蔽板を構成することから、Ｘ方向の
み、あるいはＹ方向のみに往復可動できればよく、遮蔽
板駆動部の構成を簡略化できるという利点がある。ま
た、遮蔽板分割片２Ｃ、２Ｄの内側面に傾斜面を設ける
など、具体的な構造や機能については第２の実施の形態
と同様である。
【００３１】このように、第２、第３の実施の形態によ
れば、試料の大きさに応じて何種類もの遮蔽板を準備す
る必要がなくなり、１組の分割型の遮蔽板で大きさの異
なる複数の試料に対応できるという利点が得られる。
れば、試料の大きさに応じて何種類もの遮蔽板を準備す
る必要がなくなり、１組の分割型の遮蔽板で大きさの異
なる複数の試料に対応できるという利点が得られる。
【００３２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、遮
蔽板の上面が試料面よりわずか上の位置になるかほぼ同
じ位置になるように遮蔽板を設置し、かつ試料の面取り
された面に沿って遮蔽するようにしたので、微細なパタ
ーンを描画するために荷電粒子ビームを高加速電圧化し
た際に、試料表面で散乱された荷電粒子が描画装置内部
で再度散乱されて試料の端面でチャージアップ現象を発
生させることを防ぐことができる。
蔽板の上面が試料面よりわずか上の位置になるかほぼ同
じ位置になるように遮蔽板を設置し、かつ試料の面取り
された面に沿って遮蔽するようにしたので、微細なパタ
ーンを描画するために荷電粒子ビームを高加速電圧化し
た際に、試料表面で散乱された荷電粒子が描画装置内部
で再度散乱されて試料の端面でチャージアップ現象を発
生させることを防ぐことができる。
【００３３】そして、それと同時に、試料の高さを測定
しその変動に合わせて偏向位置を調整するための高さ測
定用の光又はレーザを遮ることもなくなったので、広い
描画エリアを確保するとともに高精度な描画を可能にす
る荷電粒子ビーム描画装置を提供することができる。
しその変動に合わせて偏向位置を調整するための高さ測
定用の光又はレーザを遮ることもなくなったので、広い
描画エリアを確保するとともに高精度な描画を可能にす
る荷電粒子ビーム描画装置を提供することができる。
【図１】本発明における第１の実施の形態を示す断面図
である。
である。
【図２】図１の上面図である。
【図３】第１の実施の形態に用いる遮蔽板を示す図で、
図（ａ）は上面図、図（ｂ）は図（ａ）の側面図、図
（ｃ）は図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
図（ａ）は上面図、図（ｂ）は図（ａ）の側面図、図
（ｃ）は図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明における第２の実施の形態を示す図で、
４分割した可動遮蔽板を示す断面図である。
４分割した可動遮蔽板を示す断面図である。
【図５】図４の上面図である。
【図６】本発明における第３の実施の形態を示す図で、
２分割した可動遮蔽板を示す断面図である。
２分割した可動遮蔽板を示す断面図である。
【図７】従来の試料ホルダを描画ステージに載置した状
態を示す断面図である。
態を示す断面図である。
【図８】図６の上面図である。
【図９】試料面の高さ変動による位置ずれを説明する図
である。
である。
１ 試料 ２、２ａ 散乱電子遮蔽板 ２ｂ、２ｃ 分割可動遮蔽板 ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ 可動遮蔽板分割片 ３ 試料ホルダ ４ 試料高さ規制板 ５ 試料高さ測定用光源 ６ 位置決め用偏向電極 ７ 焦点距離 ８ 偏向距離 ９ 試料面での高さ変動距離 １０ 試料面での位置ずれ １１ 試料面 １２ 試料ホルダ高さ規制板 １３ 描画ステージ １４ 面取り部 １５ 端面 １６ バネ １７ 荷電粒子ビーム １８ 溝 １９ 開口 ２０ 傾斜面 ２１Ａ、２１Ｂ 遮蔽板駆動部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｌ
Claims (12)
- 【請求項１】 パターンが形成された試料を試料ホルダ
にセットし荷電粒子ビームを試料面に照射してパターン
描画を行なう際、発生する散乱電子による描画位置の位
置ずれを防止するための散乱電子遮蔽板を前記試料ホル
ダに設置した荷電粒子ビーム描画装置において、前記散
乱電子遮蔽板の上面位置が前記試料面よりわずか高い位
置になるかあるいはほぼ同じ位置になるように散乱電子
遮蔽板を設置したことを特徴とする荷電粒子ビーム描画
装置。 - 【請求項２】 前記散乱電子遮蔽板は、前記試料の周縁
部に形成された面取り部をちょうど覆う大きさの開口を
有することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム
描画装置。 - 【請求項３】 前記散乱電子遮蔽板は、前記開口の側面
に前記試料の周縁部に形成された面取り部と同角度の傾
斜面を備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子
ビーム描画装置。 - 【請求項４】 パターンが形成された試料を直接描画ス
テージにセットし荷電粒子ビームを試料面に照射してパ
ターン描画を行なう際、発生する散乱電子による描画位
置の位置ずれを防止するための散乱電子遮蔽板を前記描
画ステージに設置した荷電粒子ビーム描画装置におい
て、前記散乱電子遮蔽板の上面位置が前記試料面よりわ
ずか高い位置になるかあるいはほぼ同じ位置になるよう
に散乱電子遮蔽板を設置したことを特徴とする荷電粒子
ビーム描画装置。 - 【請求項５】 前記描画ステージに設置された散乱電子
遮蔽板は対角線位置で４分割され、４個の可動遮蔽板分
割片で１枚の散乱電子遮蔽板が構成されていることを特
徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項６】 前記４個の可動遮蔽板分割片はそれぞれ
遮蔽板駆動部に取り付けられ、対向する２個の可動遮蔽
板分割片同士を一組とし、一方の組がＸ方向に、他方の
組がＹ方向にそれぞれ開閉可能に可動することを特徴と
する請求項５記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項７】 前記描画ステージに設置された散乱電子
遮蔽板は一対角線位置で２分割され、２個の可動遮蔽板
分割片で１枚の散乱電子遮蔽板が構成されていることを
特徴とする請求項４記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項８】 前記２個の可動遮蔽板分割片はそれぞれ
遮蔽板駆動部に取り付けられ、Ｘ方向あるいはＹ方向に
開閉可能に可動することを特徴とする請求項７記載の荷
電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項９】 前記４分割された散乱電子遮蔽板は、そ
れぞれの可動遮蔽板分割片が前記試料の周縁部に形成さ
れた面取り部をちょうど覆う大きさの開口位置になるよ
うに調整されていることを特徴とする請求項５記載の荷
電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項１０】 前記４分割された散乱電子遮蔽板は、
それぞれの可動遮蔽板分割片からなる前記開口の側面
に、前記試料の周縁部に形成された面取り部と同角度の
傾斜面を備えたことを特徴とする請求項５記載の荷電粒
子ビーム描画装置。 - 【請求項１１】 前記２分割された散乱電子遮蔽板は、
それぞれの可動遮蔽板分割片が前記試料の周縁部に形成
された面取り部をちょうど覆う大きさの開口位置になる
ように調整されていることを特徴とする請求項７記載の
荷電粒子ビーム描画装置。 - 【請求項１２】 前記２分割された散乱電子遮蔽板は、
それぞれの可動遮蔽板分割片からなる前記開口の側面
に、前記試料の周縁部に形成された面取り部と同角度の
傾斜面を備えたことを特徴とする請求項７記載の荷電粒
子ビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000091655A JP2001284205A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000091655A JP2001284205A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001284205A true JP2001284205A (ja) | 2001-10-12 |
Family
ID=18607096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000091655A Pending JP2001284205A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001284205A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266361A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nuflare Technology Inc | 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2009231614A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
| JP2011150903A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料保持装置、及び荷電粒子線装置 |
| JP2013074300A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Applied Materials Israel Ltd | 支持チャックにｅｕｖｌマスクを電気的に結合するための導電性要素 |
| JP2015159236A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線描画装置 |
-
2000
- 2000-03-29 JP JP2000091655A patent/JP2001284205A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007266361A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nuflare Technology Inc | 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2009231614A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Nuflare Technology Inc | 電子ビーム描画装置および電子ビーム描画方法 |
| JP2011150903A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料保持装置、及び荷電粒子線装置 |
| JP2013074300A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Applied Materials Israel Ltd | 支持チャックにｅｕｖｌマスクを電気的に結合するための導電性要素 |
| JP2015159236A (ja) * | 2014-02-25 | 2015-09-03 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線描画装置 |
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