KR0148647B1 - 근접 효과를 보정할 수 있는 전자빔 노광시스템 - Google Patents

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KR0148647B1 KR1019950013223A KR19950013223A KR0148647B1 KR 0148647 B1 KR0148647 B1 KR 0148647B1 KR 1019950013223 A KR1019950013223 A KR 1019950013223A KR 19950013223 A KR19950013223 A KR 19950013223A KR 0148647 B1 KR0148647 B1 KR 0148647B1
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가네꼬 히사시
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Abstract

전자빔 노광 시스템에서, 전자빔 (1) 은 조정되어 마스크 (7') 의 다수 패턴 개구부 (7'a) 에 조사된다. 다수 패턴 개구부를 통과하는 전자빔은 편향체 (9X, 9Y, 10X, 10Y) 에 의해 편향되고, 감광제로 코팅된 타겟 (13) 에 조사된다. 상기 타겟은 패턴 개구부의 크기와 동일한 크기를 갖는 다수의 부영역으로 분할된다. 타겟의 감광제에 축적되는 에너지가 일정한 에너지에 근접하도록 부영역에 대한 노광시간이 계산된다.

Description

근접 효과를 보정할 수 있는 전자빔 노광시스템
제1도는 제1 종래기술의 전자빔 노광시스템을 설명하는 개략도.
제2도는 제2 종래기술의 전자빔 노광시스템을 설명하는 개략도.
제3도는 근접효과를 설명하는 DRAM 소자를 나타내는 평면도.
제4a, 4b, 5b 및 5b 도는 제3도의 DRAM 소자를 나타내는 단면도.
제6도는 본 발명에 따른 전자빔 노광시스템의 실시예를 설명하는 개략도.
제7도는 제6도의 제어회로의 작동을 보여주는 플로우차트.
제8도는 제7도에서 보는 바와같은 작동이 적용되는 DRAM 소자를 설명하는 평면도.
제9a도와 제9b도는 제8도의 DRAM 소자의 상세한 평면도 및 단면도.
제10도는 제7도의 단계 (701) 를 설명하는 DRAM 소자의 평면도.
제11도는 제7도의 단계 (702) 를 설명하는 DRAM 소자의 평면도.
제12도는 제7도의 단계 (703) 을 설명하는 DRAM 소자의 평면도.
제13도는 제7도의 단계 (704) 를 설명하는 DRAM 소자의 평면도.
제14a도와 제14b도는 제7도의 루우틴에 의해서 얻어진 증착 에너지를 보여주는 다이아그램.
제15도는 제6도의 제어회로의 또 다른 작동을 보여주는 플로우 차트.
제16도는 제15도의 단계 (1502) 를 설명하는 DRAM 소자의 평면도.
제17도는 제15도의 단계 (703) 을 설명하는 DRAM 소자의 평면도.
제18도는 제15도의 루우틴에 의해서 얻어진 증착 에너지를 보여주는 다이아그램.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 전자총 2 : 전자빔
3 : 블랭킹 전극 (blanking electrodes)
4, 7 : 마스크 5 : 렌즈
6X, 6Y, 9X, 9Y ,10X, 10Y, : 편향체
11, 8 : 축소 렌즈 13 : 감광제 코팅 타겟
314 : 감광층 311 : 실리콘 기판
312 : 실리콘 산화층
본 발명은, 전자빔이 다수의 반복성 패턴 개구부를 갖는 마스크를 통하여 타겟에 조사되고, 다수의 반복성 패턴을 갖는 전자빔이 마스크를 통과한 후에, 타겟에 조사되는 전자빔의 노광 시스템에 관한 것이다.
제1 종래 기술의 전자빔의 노광 시스템에서는, 다양한 형태의 빔이 사용되어 왔다. 즉, 직사각형의 제1 개구부를 갖는 제1 마스크와, 직사각형의 제2 개구부를 갖는 제2 마스크, 및 제1 과 제2 마스크 사이에 배치된 편향체들이 제공된다. 전자빔은, 제1 마스크의 직사각형의 제1 개구부와 제2 마스크의 직사각형의 제2 개구부를 통과하여, 전자빔의 직사각형의 단면을 형성한다. 이 전자빔의 직사각형의 단면은 편향체에 의해서 변화되어, 전자빔의 다양한 직사각형의 단면을 얻게 된다. 이는 이후에 상세히 설명한다.
하지만, 다양한 형태의 전자빔을 사용하는 제1 종래 기술의 전자빔의 노광 시스템은, 다이나믹 랜덤 엑세스 메모리 (DRAM) 장치의 셀들과 같은 다수의 동일한 패턴등을 노광시킬 경우, 상기 시스템의 처리량을 감소시키는 다수의 편향작용이 요구된다.
상기 시스템의 처리량을 강화시키기 위하여, 한 묶음의 패턴을 갖는 전자빔을 사용하는, 제2 의 종래 기술의 전자빔 노광 시스템이 공지되어 있다 (일본국 특개평 제 3-174716 의 제3도 참조). 즉, 전자빔이 다수의 패턴을 갖는 마스크에 조사되고, 이 마스크를 통과한 후에, 그 다수의 패턴을 갖는 전자빔이 타겟에 조사하게 된다.
따라서, 상기 다수의 패턴을 타겟에 동시에 노광시켜 상기 시스템의 처리량을 상당히 강화한다. 또한, 제2 종래기술 전자빔 노광시스템에서는, 각각이 분해 한계치보다 작은 미세 메시와 같은 실드 (shield) 가 마스크의 각 패턴 개구부내에 설치되어서, 전자빔의 전류밀도를 실제적으로 감소시킨다. 이후에, 상세하게 설명한다. 따라서, 감광제내에 축적된 에너지의 차이에 의해서 패턴들중의 근접효과가 보정된다.
이 근접효과는 다음에 설명한다. 일반적으로, 감광제내의 전자빔의 축적에너지 E (r) 는 다음의 이중 가우스식에 의해서 나타낼 수 있다.
여기서, r 은 전자빔의 입사점과 계산된 점의 거리;
βf는 감광제내의 전자 산란으로 인한 전방 산란 영역 ;
βb는 감광제와 밑에 있는 기판사이의 경계로부터의 전자 산란으로 인한 후방산란 영역 ;
η 는 전방 산란에 의해서 축적된 에너지와 후방 산란에 의해서 축적된 에너지의 비를 각각 나타낸다.
상술한 제2 종래기술의 노광시스템에서도, 타겟이, 숫자가 마스크의 패턴수가 배수가 아닌 다수의 동일한 패턴을 갖는 경우에는, 다양한 직사각형의 전자빔을 사용하는 제1 종래기술의 전자빔 시스템이 타겟의 주변부분에 이용되어지고, 따라서 시스템의 처리량을 감소시킨다.
또한, 근접효과를 보정하는 마스크의 각 패턴 개구부내에 제공된 실드는 제조하는데 어려움이 많다. 또한, 상기 실드는 마스크의 기계적 강도를 저하시킨다.
본 발명의 목적은, 타겟의 감광제에 축적된 에너지를 쉽게 동등화함으로써, DRAM 소자의 셀 (cell) 과 같은 다수의 반복 패턴을 조사하는데 알맞은 전자빔 노광시스템의 처리량을 강화하는데 있다.
본 발명에 따라서, 전자빔 노광시스템에서, 전자빔은 조절되어지고, 마스크의 다수의 패턴 개구부에 조사된다. 상기 패턴 개구부를 통과한 전자빔을 편향제에 의해서 편향되고, 감광제 코팅 타겟에 조사된다. 타겟은 다수의 부영역 (sub area) 로 나누어지는데, 부영역의 크기는 패턴 개구부의 크기와 일치한다. 타겟의 감광제에 축적된 에너지가 일정한 에너지에 근접하도록 노광시간이 부영역에 대해 계산되어 진다.
따라서, 전자빔에 의해서 조사된 부영역의 조사량은 타겟의 노광부에 따라서 변화한다. 결국, 전방 산란과 후방 산란으로 인한 감광제내에 축적된 전자빔의 에너지의 차는 동등하게 될 수 있다. 즉, 근접효과가 보정될 수 있다.
또한, 근접효과를 보정하는 실드는 마스크의 각 패턴 개구부내에 제공되지 않는다. 그러므로, 마스크의 기계적 강도가 증가할 수 있다.
본 발명은, 첨부된 도면을 참조하여, 종래기술과 비교해 봄으로써, 하기의 설명으로부터 좀 더 명확히 이해되어 질 것이다.
실시예를 설명하기 전에, 종래기술의 전자빔 노광 시스템을 제1도와 제2도에 따라서 설명한다.
다양한 형태의 전자빔을 사용하는 종래기술의 전자빔 노광시스템을 설명하는 제1도에 있어서, 참조부호 (1) 은 전자빔 (2) 을 방출하는 전자총을 가르킨다. 전자빔 (2) 은 블랭킹 전극 (3) 을 통과하고, 나아가 마스크 (에퍼처 수단 (aperture means)) (4) 의 직사각형의 개구부 (4a) 를 통과한다. 상기 전자빔 (2) 은 렌즈 (5) 와 정전기판으로 구성된 편향체 (6X 와 6Y) 를 통과하여 마스크 (7) (에퍼처 수단) 에 이르게 된다.
상기 마스크 (7) 은 또한, 직사각형의 개구부 (7a) 를 갖는다. 그러므로, 전자빔 (2) 의 직사각형의 형태는 편향체 (6X 와 6Y) 에 의해서 조절될 수 있다.
마스크 (7) 의 직사각형의 개구부 (7a) 를 통과한 전자빔 (2) 은 축소렌즈 (8), 정전기적 코일로 구성된 주편향체 (9X 와 9Y), 정전기적 판으로 구성된 부편향체 (10X, 10Y), 및 투사렌즈로 불리우는 축소렌즈 (11) 를 통과하고, 스테이지 (12) 에 장착된 감광제코팅 타겟 (13) 에 조사된다.
상기 편향체 (9X 와 9Y) 와 편향체 (10X 와 10Y) 는 조절되어서 쇼트 (shot) (편향작동) 을 반복한다. 따라서, 타겟 (13) 의 감광제에 잠상 (latent images) 이 형성된다.
제1도에서 나타냈듯이, 종래기술의 전자빔 노광시스템에 있어서, 각 직사각형의 영역의 조사량이 조절될 수 있기 때문에, 근접효과를 쉽게 보정할 수 있다. 하지만, 상술했듯이, DRAM 소자의 셀과같은, 다수의 동일한 패턴을 노광시킨 경우, 상기 시스템의 처리량을 감소시키는, 다수의 편향작용이 요구된다.
제2도에 있어서, 한묶음의 패턴을 갖는 전자빔을 사용하는 또다른 종래기술의 전자빔 시스템이 설명되어 있고, 다수의 반복 패턴개구부(7'a) 를 갖는 마스크 (7') 가 제1도의 마스크 (7) 대신에 제공된다.
한 묶음의 다수의 반복 패턴들의 제어를 행할경우, 편향체 (9X 와 9Y) 와 편향체 (10X 와 10Y) 가 제어되어서, 마스크 (4) 의 직사각형의 개구부 (4'a) 를 통과한 전자빔 (2) 이 개구부 (7'a) 의 전영역에 조사된다.
또한, 각각이 분해 한계치 보다 작은 미세 메시 (7'b) 가 개구부 (7'a) 내에 설치되어 전자빔 (2) 의 전류밀도를 실제적으로 감소시킨다.
따라서, 빔의 흐트러짐을 감소시키는데 도움을 주도록, 근접효과가 보정될 수 있다.
예를 들어서, 제3도에 나타나 있듯이, 다수의 워드라인과, 워드라인과 비트라인 사이의 중간부분에 다수의 비트라인과 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이 (31) 와, 어드레스 버퍼 (buffer) 및 어드레스 디코더 등을 포함하는 주변회로 (32) 에 의해서 DRAM 소자가 형성된다. 주변회로 (32) 는 다양한 형태의 빔을 사용함으로서 조사된다.
메모리 셀 어레이 (31) 에서 조차, 워드라인의 밀도는 상이하다. 예를 들어서, 부분 (B) 에서는 주변 회로 (32) 가 근접해 있지 않으므로 워드라인의 밀도가 높은 반면에, 부분 (A) 에서는 주변 회로 (32) 가 근접해 있으므로 워드라인의 밀도가 낮다. 즉, 제4a도와 제4b도에 나타나 있듯이, 실리콘 산화층 (312) 이 실리콘 기판 (311) 상에 형성되고, 전도성층 (313) 이 실리콘 산화층 (312) 에 축적되고, 네가티브타입 감광층 (314) 은 그 위에 코팅된다. 전도성층 (313) 을 패턴화하기 위하여, 동일한 전류밀도와 동일한 노광 시간을 갖는 전자가 조사될 경우, 부분 (A) 에서 감광층 (314) 에 축적된 에너지는 부분 (B) 에서 감광층 (314) 에 축적된 에너지보다 작게된다. 결과적으로, 부분 (A) 에서 하나의 워드라인을 위한 잠상의 폭 (W1) 이 부분 (B) 에서 하나의 워드라인을 위한 잠상의 폭 (W2) 보다 작다. 그러므로, 잠상을 현상한 이후에, 잠상의 마스크로 전도성층 (313) 을 에칭하고 나면, 부분 (A) 에서 하나의 워드라인의 폭 (W1) 은 부분 (B) 에서 하나의 워드라인의 폭 (W2) 보다 작게 된다. 이는 포지티브 타입 감광층이 사용되는 경우와 반대적이다. 즉 폭 (W1) 은 폭 (W2) 보다 크게 된다.
상술한 제2 종래기술 전자빔 노광 시스템은 제2도에 나타나 있고, 미세 메시 (7'b) 가 부분 (B) 의 마스크 (7') 에 설치되어, 제조비용을 증가시키고, 마스크 (7') 의 기계적 강도을 저하시킨다. 또한, 만약 부분 (A) 의 마스크 (7') 의 패턴개구부가 부분 (B) 의 마스크 (7') 의 패턴 개구부와 상이하게 만들어진다면, 제조하는 단계가 증가하며, 따라서 제조비용도 상승하게 된다.
제6도에서는, 본 발명에 따른 전자빔 노광 시스템의 실시예를 설명하며, 이 시스템은 기본적으로 제2도의 시스템과 동일하다. 다시 말해서, 블랭킹 전극 (3) 을 제어하기 위한 제어회로 (14), 편향체 (6X 와 6Y) 와, 주편향체 (9X 와 9Y), 그리고 부편향체 (10X 와 10Y) 가 설명되어 있다. 제어회로 (14) 의 작동은 제2도의 제어회로 (나타나 있지않음) 의 작동과는 상이하다. 상기 제어회로 (14) 는 마이크로 컴퓨터 등으로 구성된다.
제6도의 제어회로의 작동은 제7도에 나타나 있다. 이 작동은 제8도에 나타나 있듯이 DRAM 소자에 적용된다. 즉, 이 DRAM 소자는 메모리 셀 어레이 (81) 와 주변회로 (82) 에 의해서 형성된다. 상기 메모리 셀 어레이 (81) 는 다수의 병렬 워드라인 (WL) 과, 다수의 병렬 비트라인 (BL), 그리고 상기 워드라인 (WL) 과 상기 비트라인 (BL) 사이의 중간부에 위치한 메모리 셀 (MC) 를 포함한다. 또한, 상기 메모리 셀 어레이 (81) 는 모서리부 (81X -1 과 81X - 2) 와 모서리부 (81Y - 1, 81Y - 2) 에 의해 규정된다. 또한, 제8도의 DRAM 소자의 부분확대도인 제9a도와 제9a도의 선 B - B 을 따라 취한 단면도인 제9b도에 있어서, 실리콘 산화층 (812) 이 실리콘 기판 (811) 에 형성되며, 전도성층 (813) 이 형성되고, 0.7 ㎛ 두께의 네가티브타입 감광층 (814) 이 그 위에 코팅된다.
첫번째로, 단계 (701) 에 있어서, 타겟, 이 경우, 제8도와 제9a도 그리고 제9b도에서 나타낸 DRAM 소자의 추출이 수행된다. 즉, 제10도에 나타냈듯이, 모서리부 (81X - 1, 81X -2, 81Y - 1, 81Y - 2) 에 의해서 규정된 메모리 셀 어레이 (81) 의 영역이 추출된다.
다음 단계 (702) 에 있어서, 상기 추출된 영역 (81) 은 5㎛ × 5㎛ 와 같은 동일한 크기를 갖는 다수의 부영역 (S11, S12… ) 으로 분할된다.
다음 단계 (703) 에 있어서, 부영역 (S11, S12… ) 의 조사량이 계산된다. 이 경우에 있어서, 전자빔 (2) 의 전류밀도가 일정한 경우, 부영역 (S11, S12… ) 의 노광시간이 제12도에 나타냈듯이 계산된다.
제12도에서는 전자빔 (2) 의 전자가속 전압이 50 kev 이며, 결과적으로, 후방산란 영역 (βb) 는 약 10㎛ 이다. 그러므로, 모서리부 (81Y - 1, 81X - 2) 로부터 10㎛ 또는 그 이상 떨어진 부영역 (S33, S34, … ,S43, S44, … , S53, S54… ) 에서, 감광제에 축적된 에너지가 거의 일정하고, 그러므로, 이들 부영역의 조사량은, 예를 들어, (1.00) = 23 μC/㎠ 이 된다.
상기 부영역 (S32, S42, S52, … , S23, S24, S25… ) 은 모서리부 (81Y - 1 또는 81X - 2) 의 외부에 의한 영향이 적다. 그러므로, 이들 부영역의 조사량은 (1.02) = 23.46 μC/㎠이 된다.
상기 부영역 (S22) 은 양 모서리부 (81Y - 1, 81X - 2) 의 외부에 의한 영향이 적다. 그러므로 부영역 (S22) 의 조사량은 (1.04) = 23.92 μC/㎠ 이 된다.
상기 부영역 (S31, S41, S51, … , S13, S14, S15… ) 은 모서리부 (81Y - 1, 81X - 2) 의 외부에 의해서 상당한 영향을 받는다. 그러므로, 이들 부영역으로서 조사량은 (1.18) = 27.14 μC/㎠ 이 된다.
상기 부영역 (S11) 은 양 모서리부 (81Y - 1, 81X - 2) 의 외부에 의해서, 상당한 영향을 받는다. 그러므로, 부영역 (S11) 의 조사량은 (1.38) = 31.74 μC/㎠ 이 된다.
마지막으로, 단계 (704) 에 있어서는, 마스크 (7) 의 개구부 (7'a) 를 통과한 전자빔 (2) 이 편향체 (9X, 9Y, 10X, 10Y) 에 의해서 제어되어, 단계 (703) 에서 계산된 조사량에 따른 타겟 (12) 의 부영역에 조사된다.
그런다음, 단계 (705) 에서, 제7도의 루우틴이 완료된다.
상기 식 (1) 을 사용함으로써 제12도의 조사량에 기초를 두어 계산된 축적 에너지가, 제14a도와 제14a도의 부분확대도인 제14b도에서 나타낸 것처럼 얻어진다. 이 경우에 있어서, 하나의 워드라인의 잠상의 폭 (W) 은 0.2 ㎛ 이고, 이 잠상들 사이의 공간 (S) 은 0.2 ㎛ 이다. 제14a도는 제14b도에서 보는바와같이, 축적 에너지의 차는, 동일한 조사량이 모든 부영역에 할당되는 종래기술과 비교해 볼때 상당히 감소되었다. 따라서, 상기 잠상은 균일하게 되고, 결과적으로, 상기 워드라인이 균일하게 된다.
제15도는 제6도의 제어회로 (14) 의 또 다른 작동을 보여주고 있으며, 단계 (1501 과 1502) 가 제7도의 루우틴에 첨가된다. 즉, 단계 1501 에서 잠상들 사이에 축적된 에너지와 차가 일정한 에너지 (α) 보다 작은지 또는 작지 않은지를 결정한다. 예를 들어서, 모서리부 (81Y - 1, 81X - 2) 를 대면하는 부영역 (S31, S41, … , S13, S14, S15… ) 에서 축적된 에너지가, S44와 같은 중심 부영역에서 축적된 에너지로 부터 대단히 벗어나 있는지 또는 아닌지를 결정한다. 결과적으로, 만약, 잠상들 사이에 축적된 에너지의 차이가 일정치 (α) 보다 작다면, 상기 제어는 단계 (704) 까지 진행한다. 그렇지 않으면, 상기 제어는 단계 (1502) 까지 진행한다.
단계 (1502) 에 있어서는, 추출된 영역 (81) 이 재분할된다. 예를들어서, 제16도에 나타난 바와같이, 모서리부 (81Y - 1, (81Y - 2)) 와 (81X - 2 (81X - 1)) 를 대면하는 부영역 (S11, S21, S31, … , S12, S13, … ) 이, 2.5 ㎛ × 5 ㎛ 의 크기를 갖는 부영역 (S111, S112, S113, S114, S211, S212… ) 으로 더 분할된다. 이어서, 상기 제어는 단계 (703) 으로 되돌아간다.
다시, 단계 (703) 에서는 부영역의 조사량이 계산된다. 이 경우에 있어서는 제17도에 나타나 있듯이 새로운 부영역 (S111, S112, S113, S114, S211, S212… ) 의 조사량이 계산된다. 그런 다음에, 상기 제어가 단계 (1501) 를 거쳐서 단계 (704) 로 진행된다.
상기 식 (1) 을 사용함으로써 제17도의 조사량에 기초하여 계산된 축적 에너지는 제18도에 나타나 있듯이 얻어진다. 제18도에서 보는 바와 같이, 축적에너지의 차는 제14a도의 차와 비교해 볼때 감소 하였다. 따라서, 잠상이 좀더 균일하게 되었고, 워드라인이 좀 더 균일하게 되었다.
상술했듯이, 본 발명에 따라서, 시스템의 처리량을 강화시키면서 타겟의 감광제에 축적된 에너지가 균일해 질 수 있다.

Claims (9)

  1. 전자빔 (2) 을 방사하기 위한 전자빔 방사 수단 (1) 과, 다수의 반복 패턴 개구부 (7'a) 를 갖는 에퍼처 수단 (7') 과, 상기 전자빔을 상기 다수의 반복 패턴 개구부상에 조사하기 위해, 상기 전자빔 방사 수단과 상기 에퍼처 수단 사이에 배치되는 제1 편향수단 (6X, 6Y) 과, 상기 다수의 반복 패턴 개구부를 통과한 상기 전자빔을 감광제로 코팅된 타겟 (13) 로 편향시키기 위한 제2 편향수단 (9X, 9Y, 10X, 10Y) 을 갖는 전자빔 노광 시스템에 있어서, 상기 감광제로 코팅된 타겟의 영역을 상기 다수의 반복 패턴 개구부에 대응하는 동일한 크기를 갖는 다수의 부영역 (S11, S12… ) 으로 분할하는 수단; 상기 다수의 부영역의 각각에 대한 각각의 조사량을 계산하는 수단으로서, 상기 감광제로 코팅된 타겟에 축적되는 에너지가 실질적으로 일정하도록 상기 각각의 조사량이 계산되는, 조사량을 계산하는 수단; 및 상기 각 조사량에 따라서 상기 다수의 반복 패턴 개구부를 통과한 전자빔을 상기 감광제로 코팅된 타겟의 다수의 부영역의 각각에 조사하기 위하여 상기 제2 편향수단을 구동하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  2. 전자빔 (2) 을 방사하기 위한 전자빔 방사 수단 (1) 과, 다수의 반복 패턴 개구부 (7'a) 를 갖는 에퍼처 수단 (7')과, 상기 전자빔을 상기 다수의 반복 패턴 개구부상에 조사하기 위해, 상기 전자빔 방사 수단과 상기 에퍼처 수단 사이에 배치되는 제1 편향수단 (6X, 6Y)과, 상기 다수의 반복 패턴 개구부를 통과한 상기 전자빔을 감광제로 코팅된 타겟 (13) 로 편향시키기 위한 제2 편향수단 (9X, 9Y, 10X, 10Y) 을 갖는 전자빔 노광 시스템에 있어서, 상기 감광제로 코팅된 타겟의 주변부 보다 중심부가 큰 영역을 갖도록, 상기 감광제로 코팅된 타겟의 영역을 다수의 부영역 (S11, S12… ) 으로 분할시키는 수단; 상기 다수의 부영역의 각각에 대한 각각의 조사량을 계산하는 수단으로서, 상기 감광제로 코팅된 타겟에 축적된 에너지가 실질적으로 일정하도록 상기 각각의 조사량이 계산되는, 조사량을 계산하는 수단; 상기 부영역의 각각의 크기에 따라 상기 전자빔에 의해 조사되는 상기 다수의 반복 패턴 개구부를 조절하기 위하여 상기 제1 편향수단을 구동하기 위한 수단; 및 상기 각각의 조사량에 따라 상기 다수의 반복 패턴 개구부를 통과한 상기 전자빔을 상기 감광제로 코팅된 다수의 부영역의 각각에 조사하기 위하여 상기 제2 편향수단을 구동하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전자빔 (2) 은 일정한 전류 밀도를 가지며, 상기 조사량을 계산하는 수단은, 상기 부영역에 대한 노광 시간을 계산하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 노광 시간 계산 수단은, 상기 타겟의 주변부에 있는 각각의 부영역에 대한 각각의 노광시간이 상기 타겟의 중심부에 있는 각각의 부영역에 대한 각각의 노광시간보다 커지도록, 상기 노광 시간을 계산하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 노광시간 계산 수단은, 상기 타겟의 코너부에 있는 각각의 부영역에 대한 각각의 노광시간이 상기 타겟의 주변부에 있는 각각의 부영역에 대한 각각의 노광시간보다 커지도록, 상기 노광 시간을 계산하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  6. 제3항에 있어서, 상기 노광시간 계산 수단은, 전자의 후방 산란 범위에 의해서 상기 타겟의 모서리부로부터 떨어져 있는 상기 부영역에 대한 각각의 상기 노광시간은 일정한 값이 되고, 상기 타겟의 모서리에 인접한 부영역에 대한 각각의 노광시간은 상기 일정한 값에 비해 서서히 증가되도록, 상기 노광 시간을 계산하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  7. 제2항에 있어서, 상기 전자빔 (2) 은 일정한 전류 밀도를 가지며, 상기 조사량을 계산하는 수단은, 상기 부영역에 대한 노광 시간을 계산하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 노광시간 계산 수단은, 상기 타겟의 주변부에 있는 각각의 부영역에 대한 각각의 노광시간이 상기 타겟의 중심부에 있는 각각의 부영역에 대한 각각의 노광시간 보다 커지도록, 상기 노광시간을 계산하는 것은 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 노광시간 계산 수단은, 상기 타겟의 코너부에 있는 각각의 부영역에 대한 각각의 노광시간이 상기 타겟의 주변부에 있는 각각의 부영역에 대한 각각의 노광시간보다 커지도록, 상기 노광 시간을 계산하는 것을 특징으로 하는 전자빔 노광시스템.
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