JP2606127B2 - 電子線による描画方法および描画装置 - Google Patents
電子線による描画方法および描画装置Info
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
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- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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- H01J2237/31769—Proximity effect correction
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩ製造プロセスに
おけるリソグラフィ技術に係わり、電子線による描画方
法及び描画装置に関するものである。
おけるリソグラフィ技術に係わり、電子線による描画方
法及び描画装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、波長の短い電子線で一筆
書きのようにパターンの全てを描画する電子線描画方法
は、パターンをもつマスクに光を一括投射して該パター
ンを転写する光露光方法に比べより微細なパターンを描
画できかつマスクが不要である利点がるものの、一括投
射してパターンを転写する光露光方法に比べ処理速度が
遅くなることは否めない。そこで、この処理速度を上げ
るための一つ方法として、描画すべきパターンを一照射
フィ一ルド内で描画できる幾種類かのパターンに分割
し、それぞれの分割されたパターンを一括描画してそれ
らを継なぎ合せて描画すべきパターンの描画を完成させ
る部分一活描画方法がある。
書きのようにパターンの全てを描画する電子線描画方法
は、パターンをもつマスクに光を一括投射して該パター
ンを転写する光露光方法に比べより微細なパターンを描
画できかつマスクが不要である利点がるものの、一括投
射してパターンを転写する光露光方法に比べ処理速度が
遅くなることは否めない。そこで、この処理速度を上げ
るための一つ方法として、描画すべきパターンを一照射
フィ一ルド内で描画できる幾種類かのパターンに分割
し、それぞれの分割されたパターンを一括描画してそれ
らを継なぎ合せて描画すべきパターンの描画を完成させ
る部分一活描画方法がある。
【０００３】図５（ａ）および（ｂ）は従来の電子線描
画方法の一例を説明するための第２のアパーチャの部分
破断斜視図および第２のアパーチャを通過する電子線の
電流密度分布図である。従来、この種の電子線による部
分一括描画方法は、図５（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
２に予じめ複数のパターン開口部１が開けられたものを
第２のアパーチャとして準備し、この第２のアパーチャ
を矩形状の開口をもつ第１の矩形アパーチャの下側に装
填する。そして、電子銃により放射され加速された電子
線を第１のアパーチャを透過させ、矩形状に整形された
電子線を第２のアパーチャ上に結像させ、透過した電子
線で被加工面、例えば、ウェーハのレジストに第２のア
パーチャのパターンを描画していた。
画方法の一例を説明するための第２のアパーチャの部分
破断斜視図および第２のアパーチャを通過する電子線の
電流密度分布図である。従来、この種の電子線による部
分一括描画方法は、図５（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
２に予じめ複数のパターン開口部１が開けられたものを
第２のアパーチャとして準備し、この第２のアパーチャ
を矩形状の開口をもつ第１の矩形アパーチャの下側に装
填する。そして、電子銃により放射され加速された電子
線を第１のアパーチャを透過させ、矩形状に整形された
電子線を第２のアパーチャ上に結像させ、透過した電子
線で被加工面、例えば、ウェーハのレジストに第２のア
パーチャのパターンを描画していた。
【０００４】しかしながら、第２のアパーチャをを通過
した後の電子線の電子線形状（電流密度分布）３は、図
５（ｂ）に示すように、これら複数のパターンは同一レ
ベルの電子線形状（電流密度分布）３で描画されるた
め、パターン間に近接効果を生じさせ正確な形状あるい
は幅をもつパターンの描画できない。この近接効果を補
正するパターン毎の露光量補正することが考えられる
が、パターン毎に露光量を補正することは極めて困難で
あって実用に供しない。この対策として、正確にパター
ンを描画する近接効果補正手段をもつ電子線描画方法の
例が特開平４−１３７５２０号公報に開示されている。
した後の電子線の電子線形状（電流密度分布）３は、図
５（ｂ）に示すように、これら複数のパターンは同一レ
ベルの電子線形状（電流密度分布）３で描画されるた
め、パターン間に近接効果を生じさせ正確な形状あるい
は幅をもつパターンの描画できない。この近接効果を補
正するパターン毎の露光量補正することが考えられる
が、パターン毎に露光量を補正することは極めて困難で
あって実用に供しない。この対策として、正確にパター
ンを描画する近接効果補正手段をもつ電子線描画方法の
例が特開平４−１３７５２０号公報に開示されている。
【０００５】この方法によると、複数パターンの開口部
１を透過する電子線に電流密度分布を変える第３のアパ
ーチャを設けることで近接効果を補正を行なっている。
この第３のアパーチャは第２のパターン開口部１に対応
する面の全面あるいは特定領域に解像分解能以下の微少
な穴の分布で構成される格子状遮蔽物を設け、この第３
のアパーチャを第１のアパーチャ、もしくは、第１と第
２アパーチャの中間に配置し、第３のアパーチャの任意
の穴密度をもつ格子状遮蔽物のある開口パターンを選
び、この選ばれた開口パターンに第２のアパーチャを透
過した電子線を結像させ、レジストに描画されるパター
ンの電流密度分布を変えて隣接するパターン間あるいは
一パターン内における近接効果の補正を行ない描画する
ことを特徴としていた。
１を透過する電子線に電流密度分布を変える第３のアパ
ーチャを設けることで近接効果を補正を行なっている。
この第３のアパーチャは第２のパターン開口部１に対応
する面の全面あるいは特定領域に解像分解能以下の微少
な穴の分布で構成される格子状遮蔽物を設け、この第３
のアパーチャを第１のアパーチャ、もしくは、第１と第
２アパーチャの中間に配置し、第３のアパーチャの任意
の穴密度をもつ格子状遮蔽物のある開口パターンを選
び、この選ばれた開口パターンに第２のアパーチャを透
過した電子線を結像させ、レジストに描画されるパター
ンの電流密度分布を変えて隣接するパターン間あるいは
一パターン内における近接効果の補正を行ない描画する
ことを特徴としていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した近接効果補正
手段をもつ電子線描画方法では、第３のアパーチャに第
２のアパーチャのパターン開口部に対応して解像分解能
以下の微少な寸法の格子状遮蔽物を各パターンの面積や
形状毎に変えて作製する必要があり、このため、任意の
所望パターンを持つ第２のアパーチャを作製する毎にパ
ターンの近接効果を定量し、第２のアパーチャとは別に
第３のアパーチャを設計作製さなければならず、結果的
に作製パターンの設計時間の長時間化やアパーチャ作製
プロセスの複雑にするばかりかコストの増大を招くこと
になる。
手段をもつ電子線描画方法では、第３のアパーチャに第
２のアパーチャのパターン開口部に対応して解像分解能
以下の微少な寸法の格子状遮蔽物を各パターンの面積や
形状毎に変えて作製する必要があり、このため、任意の
所望パターンを持つ第２のアパーチャを作製する毎にパ
ターンの近接効果を定量し、第２のアパーチャとは別に
第３のアパーチャを設計作製さなければならず、結果的
に作製パターンの設計時間の長時間化やアパーチャ作製
プロセスの複雑にするばかりかコストの増大を招くこと
になる。
【０００７】また、このような微細な穴で遮蔽物の疎密
を決定する複数のパターンをもつアパーチャが仮りに製
作することができても、複数のパターンをもつアパーチ
ャのどのパターンを電子線の照射経路中に位置決めなど
する機構を設けなければならない。このことは、益々設
備コストを高めるだけではなくパターンを選んで位置決
めに要する時間がトータルで処理時間を遅られせるとい
う問題がある。
を決定する複数のパターンをもつアパーチャが仮りに製
作することができても、複数のパターンをもつアパーチ
ャのどのパターンを電子線の照射経路中に位置決めなど
する機構を設けなければならない。このことは、益々設
備コストを高めるだけではなくパターンを選んで位置決
めに要する時間がトータルで処理時間を遅られせるとい
う問題がある。
【０００８】しかも、このアパーチャの運用あるいはア
パーチャの保管の際に、疎密度を設定する微細な穴にご
みなどが付着し、穴に塞がらないまでも付着したごみの
電荷チャージによる通過する電子線に片寄れなど起し描
画されるパターン形状に欠陥を生じさせる問題を含み実
用に寄与できるかどうかははなはだ疑問である。
パーチャの保管の際に、疎密度を設定する微細な穴にご
みなどが付着し、穴に塞がらないまでも付着したごみの
電荷チャージによる通過する電子線に片寄れなど起し描
画されるパターン形状に欠陥を生じさせる問題を含み実
用に寄与できるかどうかははなはだ疑問である。
【０００９】従って、本発明の目的は、より簡単に近接
効果を補正しより短い時間でパターンを正確に描画でき
る電子線描画方法および描画装置を提供することであ
る。
効果を補正しより短い時間でパターンを正確に描画でき
る電子線描画方法および描画装置を提供することであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、電子銃
より加速放射され第１のアパーチャを透過する矩形状の
電子線を複数の開口パターンをもつ第２のアパーチャ上
に結像し、前記開口パターンより透過する電子線で被加
工面に前記開口パターンを描画する電子線による描画方
法において、前記開口パターンの開口端部に厚さを薄く
してなる少なくとも一つの段差部を有する構造に前記第
２のアパーチャを形成し、前記第１のアパーチャを透過
した前記矩形状の電子線を前記開口端部に段差部のある
該第２のアパーチャを透過させ前記被加工面に前記開口
パターンを描画する電子線による描画方法である。
より加速放射され第１のアパーチャを透過する矩形状の
電子線を複数の開口パターンをもつ第２のアパーチャ上
に結像し、前記開口パターンより透過する電子線で被加
工面に前記開口パターンを描画する電子線による描画方
法において、前記開口パターンの開口端部に厚さを薄く
してなる少なくとも一つの段差部を有する構造に前記第
２のアパーチャを形成し、前記第１のアパーチャを透過
した前記矩形状の電子線を前記開口端部に段差部のある
該第２のアパーチャを透過させ前記被加工面に前記開口
パターンを描画する電子線による描画方法である。
【００１１】また、前記段差部が複数であるとともにこ
れら複数の該段差部は前記開口端部から外側に向けて厚
みが階段状に厚くなるように形成されていることが望ま
しい。さらに、本発明の他の特徴は、前記開口端部に上
述したような前記段差部を有する前記第２アパーチャを
備える電子線描画装置である。
れら複数の該段差部は前記開口端部から外側に向けて厚
みが階段状に厚くなるように形成されていることが望ま
しい。さらに、本発明の他の特徴は、前記開口端部に上
述したような前記段差部を有する前記第２アパーチャを
備える電子線描画装置である。
【００１２】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１３】図１は本発明の電子線による描画方法およ
び描画装置における第１の実施例を説明するための第２
のアパーチャの開口パターンの断面とこの開口パターン
を透過する電子線の電流密度分布を示す図である。この
電子線による描画方法および描画装置は、図１に示すよ
うに、Ｓｉ基板２のパターン開口部１ａの開口部１の開
口端の外側に幅ｗで厚さｄをＳｉ基板２より薄くした段
差部７を設けた構造に第２のアパーチャを形成し、図示
してない第１のアパーチャを透過した矩形状の入射電子
線４をパターン開口部１ａに透過させ、この透過電子線
９でレジスト面にパターン開口部１ａで形成されるパタ
ーンを描画することである。
び描画装置における第１の実施例を説明するための第２
のアパーチャの開口パターンの断面とこの開口パターン
を透過する電子線の電流密度分布を示す図である。この
電子線による描画方法および描画装置は、図１に示すよ
うに、Ｓｉ基板２のパターン開口部１ａの開口部１の開
口端の外側に幅ｗで厚さｄをＳｉ基板２より薄くした段
差部７を設けた構造に第２のアパーチャを形成し、図示
してない第１のアパーチャを透過した矩形状の入射電子
線４をパターン開口部１ａに透過させ、この透過電子線
９でレジスト面にパターン開口部１ａで形成されるパタ
ーンを描画することである。
【００１４】このように、入射電子線４が透過するパタ
ーン開口部１ａに任意の幅ｗと厚さｄを有した段差部７
をパターン開口部１ａの開口端部に沿ってに作製するこ
とにより、入射電子線４はパターン開口部１を透過後に
おける透過電子線９の強度プロファイルは電子線形状８
となる。これは、パターン開口部１ａに設けた任意に設
定された幅ｗおよび厚さｄの段差部７の遮蔽作用により
入射電子線４は厚みｄおよび幅ｗに応じた電子数だけ段
差部７中でエネルギを消失し透過出来なくなるためであ
る。
ーン開口部１ａに任意の幅ｗと厚さｄを有した段差部７
をパターン開口部１ａの開口端部に沿ってに作製するこ
とにより、入射電子線４はパターン開口部１を透過後に
おける透過電子線９の強度プロファイルは電子線形状８
となる。これは、パターン開口部１ａに設けた任意に設
定された幅ｗおよび厚さｄの段差部７の遮蔽作用により
入射電子線４は厚みｄおよび幅ｗに応じた電子数だけ段
差部７中でエネルギを消失し透過出来なくなるためであ
る。
【００１５】ここで、入射電子線４の段差部７への透過
率は入射電子の加速電圧と段差部７の密度、厚さ等に依
存するものであり、予め所望パターン形状に合わせて設
定することが必要である。本発明では、第２のアパーチ
ャの材料としては、加工条件が既知であって微細な加工
がし易いところからシリコン基板（図中ではＳｉ基板）
を使用してみた。また、試みに段差部の厚みを１０μｍ
にして、加速電圧を５０ｋｖとしたところ、透過する電
子線が入射電子線量の３０％が得られた。しかも、透過
する電子線密度分布も分散の少ないガウス分布となっ
た。このことは厚みを変えるだけで電子線量を制御でき
ることが言える。
率は入射電子の加速電圧と段差部７の密度、厚さ等に依
存するものであり、予め所望パターン形状に合わせて設
定することが必要である。本発明では、第２のアパーチ
ャの材料としては、加工条件が既知であって微細な加工
がし易いところからシリコン基板（図中ではＳｉ基板）
を使用してみた。また、試みに段差部の厚みを１０μｍ
にして、加速電圧を５０ｋｖとしたところ、透過する電
子線が入射電子線量の３０％が得られた。しかも、透過
する電子線密度分布も分散の少ないガウス分布となっ
た。このことは厚みを変えるだけで電子線量を制御でき
ることが言える。
【００１６】従って、従来のように段差部７が無い電子
線形状３に比べ電子線形状８（電流密度分布）は任意に
制御できパターンエッヂ部の強度を減少させることが可
能となるため、例えば、単に細長い一本の矩形状パター
ンであれば、パターンの幅および近接効果が生ずる度合
を考慮し段差部７の厚さｄおよび幅ｗを適切に設定すれ
ば、一パターン内の自己近接効果の補正が容易に出来
る。言うなれば、レジストパターン形状の解像度向上を
図ることができる。
線形状３に比べ電子線形状８（電流密度分布）は任意に
制御できパターンエッヂ部の強度を減少させることが可
能となるため、例えば、単に細長い一本の矩形状パター
ンであれば、パターンの幅および近接効果が生ずる度合
を考慮し段差部７の厚さｄおよび幅ｗを適切に設定すれ
ば、一パターン内の自己近接効果の補正が容易に出来
る。言うなれば、レジストパターン形状の解像度向上を
図ることができる。
【００１７】また、この近接効果を補正する手段をパタ
ーン開口部１ａをもつ従来の第２のアパーチャに付加さ
せることができるので、従来例で述べたように第３のア
パーチャを設けることやそれらのパターンを選択し電子
線経路に位置決めする機構も不要になるし、それらを設
計製作に要する時間も無くすことができる。
ーン開口部１ａをもつ従来の第２のアパーチャに付加さ
せることができるので、従来例で述べたように第３のア
パーチャを設けることやそれらのパターンを選択し電子
線経路に位置決めする機構も不要になるし、それらを設
計製作に要する時間も無くすことができる。
【００１８】言い換えれば、この第２のアパーチャを設
計するのにも、単純に段差部７の幅ｗおよびｄの二つの
要因のみを考慮し近接効果を補正するように設計するだ
けで済み、製作においても、パターン開口部１ａを形成
するプロセスで同時にマスクを介してエッチングするこ
とによってこの段差部７も形成できるので、この近接効
果補正手段の設計製作には、従来例で述べたように新た
めて時間をかけることが無くなる。
計するのにも、単純に段差部７の幅ｗおよびｄの二つの
要因のみを考慮し近接効果を補正するように設計するだ
けで済み、製作においても、パターン開口部１ａを形成
するプロセスで同時にマスクを介してエッチングするこ
とによってこの段差部７も形成できるので、この近接効
果補正手段の設計製作には、従来例で述べたように新た
めて時間をかけることが無くなる。
【００１９】図２は本発明の電子線による描画方法およ
び描画装置における第２の実施例を説明するための第２
のアパーチャの開口パターンの断面とこの開口パターン
を透過する電子線の電流密度分布を示す図である。ま
た、描画すべきパターンが隣接しパターン間で相互近接
効果が起きる恐れがある場合は、図２に示すように、互
に向き合う側のパターン開口部１ｂの端部に沿って幅ｗ
および厚さｄを最適化して段差部６を設け、無にもない
側のパターン内の近接効果を補正する段差部６の厚さｄ
よりも厚く形成してやれば、上述したパターン内の近接
効果を補正できるし、隣接するパターン間の電子線形状
８ａを著しく減少させることにより向き合った側の近接
効果の補正もできる。
び描画装置における第２の実施例を説明するための第２
のアパーチャの開口パターンの断面とこの開口パターン
を透過する電子線の電流密度分布を示す図である。ま
た、描画すべきパターンが隣接しパターン間で相互近接
効果が起きる恐れがある場合は、図２に示すように、互
に向き合う側のパターン開口部１ｂの端部に沿って幅ｗ
および厚さｄを最適化して段差部６を設け、無にもない
側のパターン内の近接効果を補正する段差部６の厚さｄ
よりも厚く形成してやれば、上述したパターン内の近接
効果を補正できるし、隣接するパターン間の電子線形状
８ａを著しく減少させることにより向き合った側の近接
効果の補正もできる。
【００２０】図３および図４は本発明の電子線による描
画方法および描画装置における第３の実施例を説明する
ための第２のアパーチャの開口パターンの断面とこの開
口パターンを透過する電子線の電流密度分布を示す図で
ある。前述した実施例では一つの段差部の厚みで透過す
る電子線量を制御したものであるが、しかしながら、レ
ジストの高解像度に伴なってさらに精密な制御が必要に
なってくる。
画方法および描画装置における第３の実施例を説明する
ための第２のアパーチャの開口パターンの断面とこの開
口パターンを透過する電子線の電流密度分布を示す図で
ある。前述した実施例では一つの段差部の厚みで透過す
る電子線量を制御したものであるが、しかしながら、レ
ジストの高解像度に伴なってさらに精密な制御が必要に
なってくる。
【００２１】これには、図３に示すように、パターン開
口部１ｃにおける開口部１の開口端から外側に向かって
幅ｗの範囲内で傾斜するテーパ部１０を設ければ、外側
に行く程直線的に厚みが減じたテーパ部１０を透過する
透過電子線９の電子線形状８ｃは、理想的な電子線分布
密度となる。
口部１ｃにおける開口部１の開口端から外側に向かって
幅ｗの範囲内で傾斜するテーパ部１０を設ければ、外側
に行く程直線的に厚みが減じたテーパ部１０を透過する
透過電子線９の電子線形状８ｃは、理想的な電子線分布
密度となる。
【００２２】しかしながら、このようなテーパ部１０を
形成することは製作時間がかかるだけで得策な方法では
ない。そこで、図４に示すように、本発明は、段差部が
複数の段差部群１１を形成することで製作を容易にし
た。この段差部群１１は複数の段差部をパターン開口部
１ｄの開口部１の開口端から外側に向けて厚みが階段状
に厚くなるように形成されている。
形成することは製作時間がかかるだけで得策な方法では
ない。そこで、図４に示すように、本発明は、段差部が
複数の段差部群１１を形成することで製作を容易にし
た。この段差部群１１は複数の段差部をパターン開口部
１ｄの開口部１の開口端から外側に向けて厚みが階段状
に厚くなるように形成されている。
【００２３】このようにすれば、透過電子線９による電
子線形状８ｄは略直線状に近いプロファイルが得られ
る。勿論、この段差部の数を増やせば、直線状プロファ
イルが理想に近ずけることができるが、レジストの解像
度と製作コストを考慮して最適の段差数を設計すべきで
ある。
子線形状８ｄは略直線状に近いプロファイルが得られ
る。勿論、この段差部の数を増やせば、直線状プロファ
イルが理想に近ずけることができるが、レジストの解像
度と製作コストを考慮して最適の段差数を設計すべきで
ある。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電子線に
よる部分一括描画に用いられる第２のアパーチャにある
開口パターン部の開口端に透過電子線量を厚さで制御で
きる段差部を設けることによって、従来例で述べたよう
に近接効果を補正する手段をもつ第３のアパーチャやこ
の第３のアパーチャを電子線経路中に位置決めする機構
が不要となるばかりか、段差部の厚みや幅のみの変更で
種々のパターンの近接効果補正ができかつこの段差部が
開口パターン部の形成と同時に加工できるので、設計が
容易でしかも製作時間が著しく低減できるという効果が
ある。
よる部分一括描画に用いられる第２のアパーチャにある
開口パターン部の開口端に透過電子線量を厚さで制御で
きる段差部を設けることによって、従来例で述べたよう
に近接効果を補正する手段をもつ第３のアパーチャやこ
の第３のアパーチャを電子線経路中に位置決めする機構
が不要となるばかりか、段差部の厚みや幅のみの変更で
種々のパターンの近接効果補正ができかつこの段差部が
開口パターン部の形成と同時に加工できるので、設計が
容易でしかも製作時間が著しく低減できるという効果が
ある。
【００２５】また、近接効果補正手段が単純な形状であ
る段差部を設けるだけで済むので、従来例のように微細
な穴の疎密で補正する近接効果手段に比べ、運用上での
取扱いのトラブルが起き難く実用に寄与できる効果もあ
る。
る段差部を設けるだけで済むので、従来例のように微細
な穴の疎密で補正する近接効果手段に比べ、運用上での
取扱いのトラブルが起き難く実用に寄与できる効果もあ
る。
【図１】本発明の電子線による描画方法および描画装置
における第１の実施例を説明するための第２のアパーチ
ャの開口パターンの断面とこの開口パターンを透過する
電子線の電流密度分布を示す図である。
における第１の実施例を説明するための第２のアパーチ
ャの開口パターンの断面とこの開口パターンを透過する
電子線の電流密度分布を示す図である。
【図２】本発明の電子線による描画方法および描画装置
における第２の実施例を説明するための第２のアパーチ
ャの開口パターンの断面とこの開口パターンを透過する
電子線の電流密度分布を示す図である。
における第２の実施例を説明するための第２のアパーチ
ャの開口パターンの断面とこの開口パターンを透過する
電子線の電流密度分布を示す図である。
【図３】本発明の電子線による描画方法および描画装置
における第３の実施例を説明するための第２のアパーチ
ャの開口パターンの断面とこの開口パターンを透過する
電子線の電流密度分布を示す図である。
における第３の実施例を説明するための第２のアパーチ
ャの開口パターンの断面とこの開口パターンを透過する
電子線の電流密度分布を示す図である。
【図４】本発明の電子線による描画方法および描画装置
における第３の実施例を説明するための第２のアパーチ
ャの開口パターンの断面とこの開口パターンを透過する
電子線の電流密度分布を示す図である。
における第３の実施例を説明するための第２のアパーチ
ャの開口パターンの断面とこの開口パターンを透過する
電子線の電流密度分布を示す図である。
【図５】従来の電子線描画方法の一例を説明するための
第２のアパーチャの部分破断斜視図および第２のアパー
チャを通過する電子線の電流密度分布図である。
第２のアパーチャの部分破断斜視図および第２のアパー
チャを通過する電子線の電流密度分布図である。
１ 開口部 １ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ パターン開口部 ２ Ｓｉ基板 ３，８，８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ 電子線形状（電流
密度分布） ４ 入射電子線 ６，７，７ａ 段差部 ９ 透過電子線 １０ テーパ部 １１ 段差部群
密度分布） ４ 入射電子線 ６，７，７ａ 段差部 ９ 透過電子線 １０ テーパ部 １１ 段差部群
Claims (3)
- 【請求項１】 電子銃より加速放射され第１のアパーチ
ャを透過する矩形状の電子線を複数の開口パターンをも
つ第２のアパーチャ上に結像し、前記開口パターンより
透過する電子線で被加工面に前記開口パターンを描画す
る電子線による描画方法において、前記開口パターンの
開口端部に厚さを薄くしてなる少なくとも一つの段差部
を有する構造に前記第２のアパーチャを形成し、前記第
１のアパーチャを透過した前記矩形状の電子線を前記開
口端部に段差部のある該第２のアパーチャを透過させ前
記被加工面に前記開口パターンを描画することを特徴と
する電子線による描画方法。 - 【請求項２】 前記段差部が複数であるとともにこれら
複数の該段差部は前記開口端部から外側に向けて厚みが
階段状に厚くなるように形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の電子線による描画方法。 - 【請求項３】 前記開口端部に請求項１または請求項２
記載の前記段差部を有する前記第２アパーチャを備える
ことを特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084234A JP2606127B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 電子線による描画方法および描画装置 |
| KR1019950009521A KR0160362B1 (ko) | 1994-04-22 | 1995-04-22 | 전자빔 리소그래피 시스템 및 근접 효과의 영향을 받지 않는 미세 패턴 전사방법 |
| US08/818,907 US5895736A (en) | 1994-04-22 | 1997-03-17 | Method of transferring miniature pattern by using electron beam lithography system without proximity effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084234A JP2606127B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 電子線による描画方法および描画装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07297097A JPH07297097A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2606127B2 true JP2606127B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=13824789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6084234A Expired - Fee Related JP2606127B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 電子線による描画方法および描画装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5895736A (ja) |
| JP (1) | JP2606127B2 (ja) |
| KR (1) | KR0160362B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10255712A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Nec Corp | 電子線露光装置及びその露光方法 |
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| TW486753B (en) * | 1997-08-22 | 2002-05-11 | Toshiba Corp | Method for aligning pattern of optical mask and optical mask used in the method |
| US6090528A (en) * | 1999-10-27 | 2000-07-18 | Gordon; Michael S. | Spot-to-spot stitching in electron beam lithography utilizing square aperture with serrated edge |
| JP2002122977A (ja) * | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Sony Corp | フォトマスクの作成法、フォトマスク、並びに露光方法 |
| EP2998979A1 (en) * | 2014-09-22 | 2016-03-23 | Fei Company | Improved spectroscopy in a transmission charged-particle microscope |
Family Cites Families (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP0048291B1 (de) * | 1980-09-19 | 1985-07-03 | Ibm Deutschland Gmbh | Struktur mit einem eine durchgehende Öffnung aufweisenden Siliciumkörper und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| DE3677005D1 (de) * | 1986-05-06 | 1991-02-21 | Ibm Deutschland | Maske fuer die ionen-, elektronen- oder roentgenstrahllithographie und verfahren zur ihrer herstellung. |
| US4957835A (en) * | 1987-05-15 | 1990-09-18 | Kevex Corporation | Masked electron beam lithography |
| JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP6084234A patent/JP2606127B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-04-22 KR KR1019950009521A patent/KR0160362B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-03-17 US US08/818,907 patent/US5895736A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0160362B1 (ko) | 1999-02-01 |
| JPH07297097A (ja) | 1995-11-10 |
| US5895736A (en) | 1999-04-20 |
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