TWI725730B - 多重射束用孔徑基板組及多重帶電粒子束裝置 - Google Patents

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Abstract

實施方式涉及多重射束用孔徑基板組及多重帶電粒子束裝置。 涉及實施方式的多重射束用孔徑基板組具備：第1成形孔徑陣列基板，其被形成有複數個第1開口，在包含前述複數個第1開口的區域接受帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個第1開口從而形成第1多重射束；和第2成形孔徑陣列基板，其被形成有前述第1多重射束之中分別對應的射束的一部分通過的複數個第2開口，形成第2多重射束。前述第2多重射束的各射束的形狀被透過前述第1開口的相向之邊和前述第2開口的相向之邊而成形。

Description

多重射束用孔徑基板組及多重帶電粒子束裝置
本發明涉及多重射束用孔徑基板組及多重帶電粒子束裝置。
隨著LSI的高積體化，半導體裝置所要求的電路線寬逐年微細化。要對半導體裝置形成期望的電路圖案，採用使用縮小投影型曝光裝置將形成於石英上的高精度的原始影像圖案(遮罩，或尤其在步進曝光機、掃描曝光機所使用者亦稱為倍縮光罩。)縮小轉印於晶圓上的手法。高精度的原始影像圖案被透過電子束描繪裝置而描繪，使用所謂電子束光刻技術。 使用多重射束之下的描繪裝置比起以1個電子束進行描繪的情況，可一次照射多重的射束，故可使處理量大幅提升。在多重射束描繪裝置的一方式之使用了遮沒孔徑陣列的多重射束描繪裝置，例如使從1個電子槍放出的電子束通過具有複數個開口的成形孔徑陣列而形成多重射束(複數個電子束)。多重射束通過與遮沒孔徑陣列的各者對應的遮沒器內。遮沒孔徑陣列，係具有為了個別使射束偏向用的電極對，在電極對之間形成射束通過用的開口。將電極對(遮沒裝置)的其中一個電極以接地電位進行固定，將另一個電極切換為接地電位與其以外的電位，從而進行通過的電子束的遮沒偏向。透過遮沒裝置被偏向的電子束被遮蔽，未被偏向的電子束被照射於樣品上。 在多重射束描繪裝置，雖可增加電流量從而縮短描繪時間，惟過於增加電流量時存在因庫侖效應使得射束的軌道變化且描繪準確度劣化如此的課題。期望依製品的等級切換以大電流高速進行描繪、或以小電流高精度地進行描繪。於是，已提出調整多重射束的各射束的尺寸而切換電流量的手法。 例如，於美國專利第8546767號，已揭露具有形成多重射束的第1孔徑基板、和第1開口陣列與第2開口陣列具有偏移而配置的第2孔徑基板的描繪裝置。第1開口陣列的各開口是尺寸比第2開口陣列的各開口大。調整第1孔徑基板與第2孔徑基板的相對位置，切換多重射束通過第1開口陣列、或通過第2開口陣列，從而可切換射束尺寸。 其中，在如此的手法，射束尺寸受形成於第2孔徑基板的開口陣列的種類限定。例如，在第2孔徑基板形成第1開口陣列與第2開口陣列的2種類的開口陣列的情況下，可形成的射束尺寸僅為2種類。
本發明提供可將多重射束的各射束調整為各種的尺寸的多重射束用孔徑基板組及多重帶電粒子束裝置。 涉及本發明的一態樣之多重射束用孔徑基板組具備：第1成形孔徑陣列基板，其被形成有複數個第1開口，在包含前述複數個第1開口的區域接受帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個第1開口從而形成第1多重射束；和第2成形孔徑陣列基板，其被形成有前述第1多重射束之中分別對應的射束的一部分通過的複數個第2開口，形成第2多重射束；前述第2多重射束的各射束的形狀被透過前述第1開口的相向之邊和前述第2開口的相向之邊而成形。
以下，就本發明的實施方式根據圖式進行說明。在實施方式，作為帶電粒子束的一例，就使用了電子束之構成進行說明。其中，帶電粒子束不限於電子束，亦可為離子束等。 圖1為涉及實施方式的描繪裝置的示意構成圖。示於圖1的描繪裝置100為多重帶電粒子束描繪裝置的一例。描繪裝置100具備電子鏡筒102與描繪室103。於電子鏡筒102內，配置電子槍111、照明透鏡112、孔徑基板組S、遮沒孔徑陣列基板30、縮小透鏡115、限制孔徑構材116、接物鏡117及偏向器118。 孔徑基板組S具有第1成形孔徑陣列基板10及第2成形孔徑陣列基板20。第1成形孔徑陣列基板10將到達其之射束的大部分進行遮蔽，故電子束的動能被轉換的熱在孔徑表面產生。為了降低第1成形孔徑陣列基板10的熱負載，亦可在第1成形孔徑陣列基板10之上方，進一步設置具有比第1成形孔徑陣列基板10的開口大的尺寸的開口的前孔徑陣列基板50。以下，雖就設置有前孔徑陣列基板50的態樣進行說明，惟亦可不設置前孔徑陣列基板50。 於描繪室103內，配置XY載台105。於XY載台105上，配置在描繪時成為描繪對象基板的遮罩等的基板101。基板101方面，包括製造半導體裝置之際的曝光用遮罩、或被製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，基板101方面，包括被塗佈抗蝕層的遮罩基底。 如示於圖2(a)及(b)，第1成形孔徑陣列基板10被搭載於可動台40。第2成形孔徑陣列基板20被搭載於可動台42，配置於第1成形孔徑陣列基板10的下方。遮沒孔徑陣列基板30被搭載於可動台44，配置於第2成形孔徑陣列基板20的下方。另外，雖將可動台對第1成形孔徑陣列基板10、第2成形孔徑陣列基板20、遮沒孔徑陣列基板30的各者進行設置，惟設於此等3個基板之中任兩個基板即可。 於第1成形孔徑陣列基板10，以既定的配列間距形成縱m行×橫n行(m、n≧2)的開口(第1開口)12。各開口12呈如示於圖3(a)的沿著既定方向而延伸的細長的形狀。開口12為具有1組的對邊12a、12b和非平行的1組的對邊12c、12d的四角形。沿著開口12的延伸方向(圖中上下方向、長邊方向)，與延伸方向正交的方向(圖中左右方向、短邊方向)上的寬度具有變化。例如，開口12的形狀為具有1組的平行的邊(底)12a、12b和1組的非平行的邊(腰)12c、12d的等腰梯形。從邊12a朝邊12b寬度逐漸變大。 於第2成形孔徑陣列基板20，依第1成形孔徑陣列基板10的各開口12的配置位置形成開口(第2開口)22。各開口22呈如示於圖3(b)的沿著既定方向而延伸的細長的形狀。開口22的延伸方向(長邊方向)與開口12的延伸方向正交，開口22呈使開口12在水平面內旋轉90°的形狀。 具體而言，開口22為具有1組的平行的邊(底)22a、22b和1組的非平行的邊(腰)22c、22d的等腰梯形。沿著開口22的延伸方向(圖中左右方向、長邊方向)，與延伸方向正交的方向(圖中上下方向、短邊方向)上的寬度具有變化。從邊22a朝邊22b寬度逐漸變大。 於前孔徑陣列基板50，依第1成形孔徑陣列基板10的各開口12的配置位置形成開口(第4開口)52。開口52的形狀可為矩形，亦可為圓形。為了降低往第1成形孔徑陣列基板10的熱負載，開口52在比使用開口12及22而成形的射束的最大尺寸大的範圍內盡可能小為適。例如，開口52的尺寸比開口12的邊12a、22a大，比邊12c、12d、22c、22d小為適。 通過前孔徑陣列基板50的開口52的射束對第1成形孔徑陣列基板10的開口12進行照明。如示於圖4、圖5，通過第1成形孔徑陣列基板10的開口12的射束(第1多重射束130m)的一部分通過第2成形孔徑陣列基板20的開口22。電子束130的一部分分別通過複數個開口12及22，從而形成多重射束130M(第2多重射束，圖1參照)。 使用示於圖3的孔徑形狀的情況下，雖多重射束的各射束B的形狀非完全的矩形，成為相向的邊稍微非平行的四角形，惟此形狀不會使描繪準確度劣化。原因在於，光學系統起因所致的射束像的模糊、及抗蝕層中的反應物質的擴散所致的模糊所作用的劑量的分布決定抗蝕層顯影後的圖案的尺寸與形狀，故只要射束的電流量被校正，則前述模糊的寬度小的射束的形狀偏差不會對圖案的尺寸與形狀造成影響。 開口12與開口22在俯視下被配置為長邊方向正交。透過可動台40、42調整開口12與開口22的相對位置，使得可調整多重射束130M的各射束B的尺寸。 此時，使可動台移動於開口12的長邊方向時，與開口12的移動方向正交的方向的射束尺寸僅變化比開口12的移動量小的尺寸。開口22方面亦同。因此，可就大致矩形的射束的兩方向的尺寸獨立地以比可動台的機械的位置精度高的精度進行調整。此外，描繪裝置運用中的非意圖的可動台的位置偏差、孔徑及孔徑保持部的溫度變動所致的孔徑位置的相對位置偏差的影響以比相對位置偏差的量小的變化而顯現於射束尺寸。因此，獲得射束尺寸的高穩定性。 例如，如示於圖6(a)，調整可動台位置而將第1成形孔徑陣列基板10及第2成形孔徑陣列基板20配置為通過開口12的寬大部的射束通過開口22的寬大部，使得可增加各射束B的尺寸。 此外，如示於圖6(b)，調整可動台位置而將第1成形孔徑陣列基板10及第2成形孔徑陣列基板20配置為通過開口12的寬窄部的射束通過開口22的寬窄部，使得可縮小各射束B的尺寸。 在本實施方式，透過開口12的相向的1組的邊12c及12d、和開口22的相向的1組的邊22c及22d使得各射束被成形。 遮沒孔徑陣列基板30設於第2成形孔徑陣列基板20的下方，依第2成形孔徑陣列基板20的各開口22的配置位置形成開口(第3開口)32。在各開口32的附近，配置由成對的兩個電極(圖2(a)參照)之組所成的遮沒裝置34。兩個電極夾著開口32而相向配置。其中一個電極被以接地電位固定，將另一個電極切換為與接地電位別的電位。 通過各開口32的電子束是透過施加於遮沒裝置34的電壓而被按射束獨立地控制為射束導通或射束關斷的狀態。射束導通的情況下遮沒裝置的相向的電極被控制為同電位，遮沒裝置不使射束偏向。射束關斷的情況下遮沒裝置的相向的電極被控制為彼此不同的電位，遮沒裝置使射束偏向。如此般，複數個遮沒裝置進行通過第1成形孔徑陣列基板10的複數個開口12及第2成形孔徑陣列基板20的複數個開口22的多重射束130M之中分別對應的射束的遮沒偏向。 於設置由第1成形孔徑陣列基板10及第2成形孔徑陣列基板20所成的孔徑基板組S的描繪裝置100，從電子槍111(放出部)放出的電子束130透過照明透鏡112對前孔徑陣列基板50進行照明。電子束130通過前孔徑陣列基板50的複數個開口52、第1成形孔徑陣列基板10的複數個開口12、及第2成形孔徑陣列基板20的複數個開口22，從而形成複數個電子束(多重射束)130M。多重射束130M通過遮沒孔徑陣列基板30的分別對應的遮沒裝置34的電極間及開口32。 通過遮沒孔徑陣列基板30的多重射束130M被透過縮小透鏡115而縮小，全射束導通的狀態下，在限制孔徑構材116上理想上通過相同的點。以未圖示的對準線圈將射束的軌道調整為此點位於限制孔徑構材116的孔之中。於此，被控制為射束關斷狀態的射束透過遮沒孔徑陣列基板30的遮沒裝置34而被偏向，通過穿過限制孔徑構材116的孔之外的軌道，故透過限制孔徑構材116而被遮蔽。另一方面，控制為射束關斷狀態的射束不被透過遮沒裝置34偏向，故通過限制孔徑構材116的孔。如此般透過遮沒孔徑陣列基板30的遮沒控制，從而控制射束的導通/關斷。 如此般，限制孔徑構材116遮蔽被以透過複數個遮沒裝置34成為射束關斷的狀態的方式而偏向的多重射束的各射束。然後，透過成為射束導通後直到成為射束關斷前形成的通過限制孔徑構材116的射束而形成1次份的照射的射束。 通過限制孔徑構材116的多重射束，係透過接物鏡117被對焦，以期望的縮小率投影於基板101。透過偏向器118使得多重射束整體被朝同方向共同偏向，被照射於多重射束的各射束的基板101上的個別的照射位置。XY載台105連續移動時，射束的照射位置被以追隨XY載台105的移動的方式透過偏向器118進行控制。 如上述般，依本實施方式時，調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，使得可就多重射束的各射束將縱向、橫向的尺寸獨立地以比成形孔徑的移動量小的範圍調整為各種的尺寸。描繪圖案的尺寸方面在水平方向與垂直方向上存在差異的情況下，以將此消除的方式使縱與横的射束尺寸存在差而使射束成形為適。 開口12、22為短邊方向的寬度產生變化的形狀即可，不限定於等腰梯形，亦可為如示於圖7(a)的等腰三角形、如示於圖7(b)的直角三角形。此外，如示於圖7(c)，亦可為相向的2邊為非平行的四角形。 如示於圖8(a)及(b)，開口12、22亦可為具有寬度變化部12E、22E、連於寬度變化部12E、22E的一端的寬度固定部12F、22F、和連於寬度變化部12E、22E的另一端的寬度固定部12G、22G的形狀。寬度固定部12F、22F、12G、22G是相向的邊為平行，短邊方向的寬為一定的區域。寬度固定部12F、22F對應於寬度變化部12E、22E的最小寬，寬度固定部12G、22G相當於寬度變化部12E、22E的最大寬。 如示於圖9(a)，以通過開口12的寬度變化部12E的射束通過開口22的寬度變化部22E的方式調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，從而可調整多重射束的各射束的尺寸。各射束透過寬度變化部12E的相向的1組的對邊和寬度變化部22E的相向的1組的對邊被成形。 如示於圖9(b)，以通過開口12的寬度固定部12F的射束通過開口22的寬度固定部22F的方式調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，從而可將多重射束的各射束設定為既定的小尺寸。各射束透過寬度固定部12F的相向的1組的對邊和寬度固定部22F的相向的1組的對邊被成形。 如示於圖9(c)，以通過開口12的寬度固定部12G的射束通過開口22的寬度固定部22G的方式調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，從而可將多重射束的各射束設定為既定的大尺寸。各射束透過寬度固定部12G的相向的1組的對邊和寬度固定部22G的相向的1組的對邊被成形。 在示於圖9(b)(c)之例，即使第1成形孔徑陣列基板10、第2成形孔徑陣列基板20的位置稍微偏移，仍可將射束尺寸保持為一定。此外，將矩形的孔徑以一個孔徑而成形的情況下，孔徑開口的形狀方面雖難以高精度形成矩形的角部，惟在示於圖9(b)(c)之例，可使用二個孔徑容易地使矩形射束的角部成形。 如示於圖10(a)及(b)，開口12、22可為寬大的矩形狀的寬度固定部12J、22J連接於寬窄的矩形狀的寬度固定部12H、22H的八角形。 以如示於圖11(a)，通過開口12的寬度固定部12H的射束通過開口22的寬度固定部22H的方式調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，從而可將多重射束的各射束設定為既定的小尺寸。各射束透過寬度固定部12H的相向的1組的對邊和寬度固定部22H的相向的1組的對邊被成形。 如示於圖11(b)，以通過開口12的寬度固定部12J的射束通過開口22的寬度固定部22J的方式調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，從而可將多重射束的各射束設定為既定的尺寸。各射束透過寬度固定部12J的相向的1組的對邊和寬度固定部22J的相向的1組的對邊而被成形。 於示於圖11(a)及(b)之例，亦即使第1成形孔徑陣列基板10、第2成形孔徑陣列基板20的位置稍微偏移，仍可將射束尺寸保持為一定。 另外，多重射束的各射束不必設定為相似形，可變更形狀。例如可將為正方形者設定為長方形。如示於圖11(c)，以通過開口12的寬度固定部12H的射束通過開口22的寬度固定部22J的方式調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，從而可將多重射束的各射束非如示於圖11(a)及(b)之例的正方形而設定為成為長方形之既定之中尺寸。 如示於圖12(a)及(b)，開口12、22亦可為寬大的矩形狀的寬度固定部12L、22L連接於寬窄的矩形狀的寬度固定部12K、22K的六角形。 如示於圖13(a)，通過開口12的寬度固定部12K的射束以通過開口22的寬度固定部22K的方式調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，從而可將多重射束的各射束設定為既定的小尺寸。各射束透過寬度固定部12K的相向的1組的對邊和寬度固定部22K的相向的1組的對邊而被成形。此時，即使第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置稍微偏移，成形的射束的尺寸仍不變。 如示於圖13(b)，以通過開口12的寬度固定部12L的角落部C1的射束通過開口22的寬度固定部22L的角落部C2方式調整第1成形孔徑陣列基板10與第2成形孔徑陣列基板20的相對位置，從而可將多重射束的各射束調整為各種的尺寸。 角落部C1相當於開口12的鄰接的邊12p與邊12r的一端彼此連接的部分。角落部C2相當於開口22的鄰接的邊22p與邊22r的一端彼此連接的部分。亦即，在示於圖13(b)之例，透過開口12的鄰接的邊12p及12r和開口22的鄰接的邊22p及22r而使多重射束的各射束被成形。 在示於圖13(a)之例，即使第1成形孔徑陣列基板10、第2成形孔徑陣列基板20的位置稍微偏移，仍可將射束尺寸保持為一定。在示於圖13(b)之例，可增加射束尺寸的可變範圍。 另外，在本實施方式雖使用可動台而調整射束尺寸，惟可不使用可動台而透過射束的偏向而調整射束尺寸。亦即，將成形偏向器設置於比第2成形孔徑陣列基板20上的位置，透過射束偏向控制通過第1成形孔徑陣列基板10的射束像的第2成形孔徑陣列基板20上的位置，從而調整通過第2成形孔徑陣列基板20而投影於基板101上的射束的射束尺寸。成形偏向器亦可為了補償用於成形的射束軌道的偏向而為2段偏向。第2成形偏向器設置於比第1成形偏向器下、比第2成形孔徑陣列基板20上或下。 此時，成形偏向器總括使多重射束整體偏向，可總括調整多重射束的各射束的尺寸。此外，可將多重射束分割為複數個區域，按區域進行偏向，按區域調整射束尺寸。此外，可個別使多重射束的各射束偏向，按射束調整射束尺寸。 於上述實施方式，雖舉電子束描繪裝置為例進行說明，惟亦可適用於帶電粒子束檢查裝置等、其他帶電粒子束裝置。 另外，本發明不限定於上述實施方式原樣，在實施階段在不脫離其要旨的範圍內可將構成要素變形而具體化。此外，透過揭露於上述實施方式的複數個構成要素的酌情的組合，使得可形成各種的發明。例如，可從示於實施方式的全構成要素刪除幾個構成要素。再者，亦可酌情組合涉及不同的實施方式之構成要素。
10:第1成形孔徑陣列基板 12:開口 12a,12b:1組的平行的對邊 12c,12d:1組的非平行的邊(腰) 12E:寬度變化部 12F:寬度固定部 12G:寬度固定部 12H:寬度固定部 12J:寬度固定部 12K:寬度固定部 12L:寬度固定部 12p:開口12的鄰接的邊 12r:開口12的鄰接的邊 20:第2成形孔徑陣列基板 22:開口 22a,22b:1組的平行的邊(底) 22c,22d:1組的非平行的邊(腰) 22E:寬度變化部 22F:寬度固定部 22G:寬度固定部 22H:寬度固定部 22J:寬度固定部 22K:寬度固定部 22L:寬度固定部 22p:開口22的鄰接的邊 22r:開口22的鄰接的邊 30:遮沒孔徑陣列基板 32:開口 34:遮沒裝置 40:可動台 42:可動台 44:可動台 50:前孔徑陣列基板 52:開口 100:描繪裝置 101:基板 102:電子鏡筒 103:描繪室 105:XY載台 111:電子槍 112:照明透鏡 115:縮小透鏡 116:限制孔徑構材 117:接物鏡 118:偏向器 130:電子束 130M:多重射束 B:射束 C1:角落部 C2:角落部 S:孔徑基板組
[圖1]為依本發明的實施方式下之描繪裝置的示意圖。 [圖2](a)為孔徑基板組的示意圖，圖2(b)為成形孔徑陣列基板的實施例的示意圖。 [圖3](a)及(b)為就開口形狀之例進行繪示的圖。 [圖4]為就射束成形之例進行繪示的圖。 [圖5]為就射束成形之例進行繪示的圖。 [圖6](a)及(b)為就射束成形之例進行繪示的圖。 [圖7](a)～(c)為就開口形狀之例進行繪示的圖。 [圖8](a)及(b)為就開口形狀之例進行繪示的圖。 [圖9](a)～(c)為就射束成形之例進行繪示的圖。 [圖10](a)及(b)為就開口形狀之例進行繪示的圖。 [圖11](a)～(c)為就射束成形之例進行繪示的圖。 [圖12](a)及(b)為就開口形狀之例進行繪示的圖。 [圖13](a)及(b)為就射束成形之例進行繪示的圖。
10:第1成形孔徑陣列基板
12:開口
20:第2成形孔徑陣列基板
22:開口
30:遮沒孔徑陣列基板
32:開口
50:前孔徑陣列基板
52:開口
100:描繪裝置
101:基板
102:電子鏡筒
103:描繪室
105:XY載台
111:電子槍
112:照明透鏡
115:縮小透鏡
116:限制孔徑構材
117:接物鏡
118:偏向器
130:電子束
130M:多重射束
S:孔徑基板組

Claims (11)

  1. 一種多重射束用孔徑基板組，具備：第1成形孔徑陣列基板，其被形成有複數個第1開口，在包含前述複數個第1開口的區域接受帶電粒子束的照射，前述帶電粒子束的一部分分別通過前述複數個第1開口從而形成第1多重射束；和第2成形孔徑陣列基板，其被形成有前述第1多重射束之中分別對應的射束的一部分通過的複數個第2開口，形成第2多重射束；前述第2多重射束的各射束具有透過前述第1開口的相向之邊而形成的一組的邊和透過前述第2開口的相向之邊而形成的另一組的邊。
  2. 如請求項1的多重射束用孔徑基板組，其中，前述第1開口及前述第2開口分別包含相向的邊互相非平行的寬度變化部。
  3. 如請求項2的多重射束用孔徑基板組，其中，前述第1開口的長邊方向與前述第2開口的長邊方向正交，前述第1開口及前述第2開口是短邊方向的寬度具有變化。
  4. 如請求項3的多重射束用孔徑基板組，其中，前述第1開口或前述第2開口為等腰梯形。
  5. 如請求項2的多重射束用孔徑基板組，其 中，寬度固定部連於前述寬度變化部。
  6. 如請求項1的多重射束用孔徑基板組，其中，前述第1開口或前述第2開口為等腰三角形或直角三角形。
  7. 如請求項1的多重射束用孔徑基板組，其中，前述第1開口及前述第2開口分別包含相向的邊互相平行的寬度固定部。
  8. 如請求項7的多重射束用孔徑基板組，其中，前述第1開口及前述第2開口分別具有第1寬度固定部和寬度比前述第1寬度固定部大的第2寬度固定部。
  9. 一種多重帶電粒子束裝置，具備：放出部，其放出帶電粒子束；如請求項1的多重射束用孔徑基板組；遮沒孔徑陣列基板，其將前述第2多重射束個別進行遮沒；偏向器，其以前述第2多重射束之中至少一部分的射束照射於照射對象基板上的既定位置的方式，使前述多重射束偏向；和複數個可動台，其獨立調整前述第1成形孔徑陣列基板、前述第2成形孔徑陣列基板、及前述遮沒孔徑陣列基板之中至少2個位置。
  10. 如請求項9的多重帶電粒子束裝置，其進一步具備設於前述放出部與前述第1成形孔徑陣列基板之間並依前述複數個第1開口的配置位置而被形成有開口 的前孔徑陣列基板。
  11. 如請求項10的多重帶電粒子束裝置，其中，形成於前述前孔徑陣列基板的開口的尺寸比前述第1開口的短邊方向的邊的長度大，比前述第1開口的長邊方向的邊的長度小。
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