JP7110831B2

JP7110831B2 - マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

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Publication number: JP7110831B2
Application number: JP2018160592A
Authority: JP
Inventors: 裕史松本
Original assignee: Nuflare Technology Inc
Current assignee: Nuflare Technology Inc
Priority date: 2018-08-29
Filing date: 2018-08-29
Publication date: 2022-08-02
Anticipated expiration: 2038-08-29
Also published as: JP2020035871A

Description

本発明は、マルチビーム用アパーチャセット、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法に関する。

ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。

マルチビームを使った描画装置は、複数ビームで画素毎の露光を行い、画素の集合としてパターンを表現する。複雑で微細なパターンでもすべてのビームが使用可能であるが、一方で可変成型方式の描画装置では図形の大きさや形に合わせてビーム寸法を小さく成型して描画する必要があり露光に用いるビーム電流は小さくなる。このため、マルチビーム描画装置では複雑なパターンを描画する場合のスループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置の一形態であるブランキングアパーチャアレイを使ったマルチビーム描画装置では、例えば、１つの電子銃から放出された電子ビームを複数の開口を持った成形アパーチャアレイに通してマルチビーム（複数の電子ビーム）を形成する。マルチビームは、ブランキングアパーチャアレイのそれぞれ対応するブランカ内を通過する。ブランキングアパーチャアレイはビームを個別に偏向するための電極対と、その間にビーム通過用の開口を備えており、電極対（ブランカ）の一方をグラウンド電位で固定して他方をグラウンド電位とそれ以外の電位に切り替えることにより、それぞれ個別に、通過する電子ビームのブランキング偏向を行う。ブランカによって偏向された電子ビームは遮蔽され、偏向されなかった電子ビームは試料上に照射される。

ブランキングアパーチャアレイは、多数の開口が所定間隔で設けられたアレイ領域と、アレイ領域の周囲に設けられた周辺回路領域とを有する大型のＬＳＩチップである。そのため、製造歩留まりが低く、コストがかかっていた。また、ブランキングアパーチャアレイはＬＳＩプロセスで製造するため、スキャナで処理可能なチップサイズに上限があり、ビームアレイの拡大は困難であった。

特開２０１３－６９８１３号公報特開２０１６－８６１０３号公報特開２００１－１５４２８号公報特開２０１２－２４３９１７号公報特許第４４２３４９０号公報

本発明は、ブランキングアパーチャアレイの製造歩留まりを向上し、かつ大規模なビームアレイの実現を可能とするマルチビーム用アパーチャセット、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法を提供することを課題とする。

本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットは、複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極が設けられた第１ブランキングプレート、及び前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第３開口が形成され、各第３開口にビームのブランキング偏向を行う１対のブランキング電極が設けられた第２ブランキングプレートを有するブランキングアパーチャアレイと、を備えるものである。

本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットにおいて、前記第１ブランキングプレート及び前記第２ブランキングプレートは、同じ実装基板上に実装されている。

本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットにおいて、前記第１ブランキングプレートは第１実装基板上に実装され、前記第２ブランキングプレートは第２実装基板上に実装されている。

本発明の一態様によるマルチビーム用アパーチャセットにおいて、前記成形アパーチャアレイは、前記第１ブランキングプレートに対応する第１成形アパーチャアレイと前記第２ブランキングプレートに対応する第２成形アパーチャアレイとが別チップで構成されている。

本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、前記放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う対となる２つの電極の組からなるブランカが設けられた第１ブランキングプレート、及び前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第３開口が形成され、各第３開口にビームのブランキング偏向を行う対となる２つの電極の組からなるブランカが設けられた第２ブランキングプレートを有するブランキングアパーチャアレイと、前記複数の第２開口を通過したビーム及び前記複数の第３開口を通過したビームをまとめて偏向し、描画対象の基板上でのビーム照射位置を調整する偏向器と、を備えるものである。

本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを放出する工程と、複数の第１開口が形成された成形アパーチャアレイに前記荷電粒子ビームを照射し、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する工程と、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う対となる２つの電極の組からなるブランカが設けられた第１ブランキングプレート、及び前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第３開口が形成され、各第３開口にビームのブランキング偏向を行う対となる２つの電極の組からなるブランカが設けられた第２ブランキングプレートを有するブランキングアパーチャアレイを用いて、各ビームのオンオフ制御を行う工程と、偏向器を用いて、前記複数の第２開口を通過したビーム及び前記複数の第３開口を通過したビームをまとめて偏向し、描画対象基板上にビームを照射する工程と、を備え、前記複数の第２開口を通過したビームを用いて、前記描画対象基板の描画領域の全域を照射すると共に、前記複数の第３開口を通過したビームを用いて、前記描画領域の全域を照射して多重描画を行うものである。

本発明によれば、ブランキングアパーチャアレイの製造歩留まりを向上し、かつ大規模なビームアレイの実現を可能とする。

本発明の実施形態に係る描画装置の概略図である。成形アパーチャアレイの平面図である。（ａ）は（ｂ）のIIIa-IIIa線断面図であり、（ｂ）は実装基板に搭載されたブランキングプレートの斜視図である。（ａ）は描画領域を説明する図であり、（ｂ）はストライプ領域の描画の様子を示す図である。同実施形態に係る描画方法を説明するフローチャートである。ビームアレイの例を示す図である。照射量分配の一例を示す図である。（ａ）は（ｂ）のVIIIa-VIIIa線断面図であり、（ｂ）は実装基板に搭載されたブランキングプレートの斜視図である。別の実施形態に係るアパーチャセットの概略図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。本実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等でもよい。

図１は、実施形態に係る描画装置の概略構成図である。図１に示す描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画装置１００は、電子鏡筒１０２と描画室１０３とを備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃１１１、照明レンズ１１２、アパーチャセットＳ、縮小レンズ１１５、制限アパーチャ部材１１６、対物レンズ１１７及び偏向器１１８が配置されている。

アパーチャセットＳは、成形アパーチャアレイ１０、ブランキングプレート２０，３０、及び実装基板４０を有する。ブランキングアパーチャアレイを構成する２枚のブランキングプレート２０，３０は、チップマウンタ５０を介して実装基板４０上に実装（搭載）される。ブランキングプレート２０，３０の回路と、実装基板４０の回路とが、ワイヤボンディング等により接続されている。

実装基板４０の中央部には、電子ビーム（マルチビーム１３０Ｍ）が通過するための開口４２（第４開口）が形成されている。成形アパーチャアレイ１０はマルチビーム１３０Ｍを成形する際、電子ビーム１３０の大部分を阻止するため発熱して熱膨張する。このため成形アパーチャアレイ１０は可動ステージ上に設置され、マルチビーム１３０Ｍがブランキングプレート２０，３０の貫通穴を通過するように位置調整される。

アパーチャセットＳは、他のアパーチャを含んでいてもよい。例えば、ブランキングプレート２０，３０の下方、または上方に、成形アパーチャアレイ１０で発生した散乱電子を阻止するコントラストアパーチャを設置してもよい。

描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。

図２に示すように、成形アパーチャアレイ１０には、開口（第１開口）１２が所定の配列ピッチで形成された第１アレイ領域１０Ａ、第２アレイ領域１０Ｂが設けられている。例えば、第１アレイ領域１０Ａ、第２アレイ領域１０Ｂのそれぞれに、縦ｍ列×横ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の開口１２が形成される。各開口１２は、共に同じ寸法形状の矩形又は円形で形成される。これらの複数の開口１２を電子ビーム１３０の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム１３０Ｍが形成される。

第１アレイ領域１０Ａはブランキングプレート２０に対応し、第１アレイ領域１０Ａの開口１２を通過して形成された複数のビームは、ブランキングプレート２０へ向かって進む。第２アレイ領域１０Ｂはブランキングプレート３０に対応し、第２アレイ領域１０Ｂの開口１２を通過して形成された複数のビームは、ブランキングプレート３０へ向かって進む。

第１アレイ領域１０Ａと第２アレイ領域１０Ｂとの間隔Ｌは、開口１２の配列ピッチよりも大きくなっている。

ブランキングプレート２０，３０は、成形アパーチャアレイ１０の下方（ビーム進行方向の下流側）に設けられている。ブランキングプレート２０には、成形アパーチャアレイ１０の第１アレイ領域１０Ａの開口１２の配置位置に合わせて、開口（第２開口）２２が形成されている。ブランキングプレート３０には、成形アパーチャアレイ１０の第２アレイ領域１０Ｂの開口１２の配置位置に合わせて、開口（第３開口）３２が形成されている。

各開口２２，３２の近傍には、対となる２つの電極の組からなるブランカ（図示略）が配置される。ブランカの一方の電極はグラウンド電位で固定されており、他方の電極をグラウンド電位と別の電位とに切り替える。

各開口２２，３２を通過する電子ビームは、ブランカに印加される電圧によってそれぞれ独立に偏向される。このように、複数のブランカが、成形アパーチャアレイ１０の複数の開口１２を通過したマルチビーム１３０Ｍのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。

図３（ａ）（ｂ）に示すように、２枚のブランキングプレート２０，３０は、チップマウンタ５０を介して実装基板４０上に実装されている。チップマウンタ５０は、例えばシリコンからなるプレートである。チップマウンタ５０には、ブランキングプレート２０，３０の開口２２，３２の配置位置に合わせて開口５２（第５開口）が設けられている。開口５２の径は、開口２２，３２の径と同程度かやや大きい。開口５２の代わりに、ビームアレイの部分を一括で開口した構成としてもよい。

ブランキングプレート２０，３０は、厚みが１００μｍ以下の薄い基板であるため、厚みが３００～１０００μｍ程度のチップマウンタ５０上に搭載することで、強度を向上させることができる。

このようなアパーチャセットＳが設置された描画装置１００において、電子銃１１１（放出部）から放出された電子ビーム１３０は、照明レンズ１１２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ１０全体を照明する。電子ビーム１３０が成形アパーチャアレイ１０の複数の開口１２を通過することによって、複数の電子ビーム（マルチビーム）１３０Ｍが形成される。マルチビーム１３０Ｍは、ブランキングプレート２０，３０のそれぞれ対応する開口２２，３２を通過し、次いでチップマウンタ５０の開口５２、実装基板４０の開口４２を通過する。

したがって、ブランキングプレート２０，３０は、成型アパーチャアレイ１０から出たビームがブランキングプレート２０，３０上の対応する開口を通過できるよう、開口位置を精密に調整して取り付けることが必要である。ブランキングプレート２０，３０の開口は、成型アパーチャアレイ１０の開口またはブランキングプレート２０，３０上でのビームの寸法より大きいが、両者の差よりも高い精度でブランキングプレート２０，３０の開口の相対位置を調整して取り付けることが必要になる。または、後述するように、ブランキングプレート２０，３０に対応する成型アパーチャを独立に設置することにより、ブランキングプレート２０，３０の穴の相対位置がずれても成型アパーチャの位置を調節してビームがブランキングプレート２０，３０の穴を通過するようにしてもよい。

実装基板４０を通過したマルチビーム１３０Ｍは、縮小レンズ１１５によって、縮小され、制限アパーチャ部材１１６の中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングプレート２０，３０のブランカによって偏向された電子ビームは、制限アパーチャ部材１１６の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材１１６によって遮蔽される。一方、ブランカによって偏向されなかった電子ビームは、制限アパーチャ部材１１６の中心の穴を通過する。ブランカのオン／オフによって、ブランキング制御が行われ、ビームのオン／オフが制御される。

このように、制限アパーチャ部材１１６は、複数のブランカによってビームオフの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームオンになってからビームオフになるまでに形成された、制限アパーチャ部材１１６を通過したビームにより１回分のショットのビームが形成される。

制限アパーチャ部材１１６を通過したマルチビームは、対物レンズ１１７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となる。偏向器１１８によってマルチビーム全体が同方向にまとめて偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。ＸＹステージ１０５が連続移動している時、ビームの照射位置がＸＹステージ１０５の移動に追従するように偏向器１１８によって制御される。

一度に照射されるマルチビームは、理想的には成形アパーチャアレイ１０の複数の開口１２の配列ピッチに、上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置１００は、ショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、不要なビームはブランキング制御によりビームオフに制御される。

図４（ａ）に示すように、試料１０１の描画領域６０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域６２に仮想分割される。例えば、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１番目のストライプ領域６２の左端から描画が開始される。図４（ｂ）に示すように、ＸＹステージ１０５を－ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めることができる。

ストライプ領域６２は、例えば、マルチビームのビームサイズでメッシュ状の複数の微小領域に分割される。各微小領域が描画対象画素（描画位置）となる。一回のマルチビームの照射で複数の画素が照射される。照射画素間のピッチが、マルチビームの各ビーム間のピッチとなる。

偏向器１１８は、ブランキングプレート２０のブランカによりオンオフ制御されるビームアレイＢＡ１、及びブランキングプレート３０のブランカによりオンオフ制御されるビームアレイＢＡ２の照射位置をまとめて制御する。偏向器１１８は、ビームアレイＢＡ１及びＢＡ２が、それぞれ、ストライプ領域６２の全画素（全域）を露光し、２パス（多重度＝２）の多重描画が実現されるように制御する。すなわち、各画素は、ビームアレイＢＡ１のいずれかのビームと、ビームアレイＢＡ２のいずれかのビームとに１回ずつ露光される。

次に、描画装置１００を制御する制御装置２００の処理を、図５に示すフローチャートを用いて説明する。

制御装置２００が、記憶装置２１０に格納されている描画データを読み出す（ステップＳ１）。描画データは、例えば、各図形パターンの配置位置、図形種、及び図形サイズ等が定義されている。

制御装置２００は、描画領域を１０ｎｍ角程度の小さいメッシュに分割し、描画データ内に定義された図形パターンをメッシュ領域に割り当てる（ステップＳ２）。このメッシュの寸法は、試料面上でのマルチビーム１３０Ｍの寸法と略同一に設定する。制御装置２００は、メッシュ領域毎に配置される図形パターンの面積密度を算出し、面積密度に基づいてメッシュ領域（ビーム照射位置）毎の照射量を算出し、メッシュ領域毎の照射量を規定した照射量データを生成する（ステップＳ３）。

制御装置２００は、描画領域を数μｍ角の大きいメッシュに分割し、描画データ内に定義された図形パターンをメッシュ領域に割り当てる（ステップＳ４）。制御装置２００は、近接効果補正計算を行い、近接効果を抑制するためのメッシュ位置毎の照射量を算出し、メッシュ位置毎の照射量を定義した照射量データを生成する（ステップＳ５）。

制御装置２００は、ステップＳ３で算出した照射量データと、ステップＳ５で算出した照射量データとを合成する（ステップＳ６）。

制御装置２００は、メッシュ位置（ビーム照射位置に対応する画素）毎に、照射量を多重描画の各パスに均等に割り振り、各パスに対応する照射量データを生成する（ステップＳ７）。例えば、本実施形態では、２枚のブランキングプレート２０，３０を使用し、多重度が２となるため、各画素の照射量を２で割り、ブランキングプレート２０用の第１照射量データと、ブランキングプレート３０用の第２照射量データとを生成する。

描画装置１００では、ブランキングプレート２０，３０の加工精度や取付精度、レンズ歪み等の影響で、ビームアレイＢＡ１やビームアレイＢＡ２にビームの位置ずれが生じ得る。図６は、ビームアレイＢＡ２に位置ずれが生じている場合の模式図である。

このような位置ずれがあると、ビームがレジストに与えるドーズ分布が設計と変わってしまい、パターン寸法の均一性が劣化する。ビーム位置ずれのドーズ分布への影響を補正するために、事前にＸＹステージ１０５上に設けられた反射マーク（図示略）をマルチビームでスキャンし、反射電子を検出して各ビームのビーム位置を算出し、ビームアレイＢＡ１、ＢＡ２のビーム位置ずれマップを作成しておく。そして、図７に示すように、ビームの位置ずれに応じて近接するビームに照射量を分配し、ビームの位置ずれの影響をビーム毎の照射量、つまりビーム毎の照射時間を調節して補正する。図７に示す例では、近接する３つのビームに照射量を分配している。分配された照射量を合計して、各画素（各ビーム）の照射量を補正する。

制御装置２００は、ビームアレイＢＡ１の位置ずれマップを用いて、ビームアレイＢＡ１のビーム位置ずれを補正するように、第１照射量データの照射量を補正する（ステップＳ８）。また、制御装置２００は、ビームアレイＢＡ２の位置ずれマップを用いて、ビームアレイＢＡ２のビーム位置ずれを補正するように、第２照射量データの照射量を補正する（ステップＳ９）

制御装置２００が、補正後の第１照射量データを用いて、ブランキングプレート２０用のショット毎のショットデータを生成する（ステップＳ１０）。また、制御装置２００が、補正後の第２照射量データを用いて、ブランキングプレート３０用のショット毎のショットデータを生成する（ステップＳ１１）。

制御装置２００が、ショットデータを用いて、描画装置１００を制御し、描画処理を実行する（ステップＳ１２）。制御装置２００は、マルチビームを偏向する偏向量データを生成して偏向器１１８へ出力し、ＸＹステージ１０５の移動に追従しながら、所望の位置にビームが照射されるようにする。また、制御装置２００は、ブランキングプレート２０，３０のブランカのオンオフ制御を行い、各画素の照射時間を制御する。

このように、本実施形態によれば２枚のブランキングプレート２０，３０を使用してビームのオンオフ制御を行いながら、マルチビーム描画を行うことができる。

上記実施形態では、２枚のブランキングプレート２０，３０を使用する例について説明したが、ブランキングプレートは３枚以上であってもよい。Ｎ枚のブランキングプレートを使用することで、多重度Ｎの多重描画が行われる。

ブランキングアパーチャアレイを複数枚のブランキングプレートで構成することで、ブランキングアパーチャアレイを１チップで構成する場合と比較して、ブランキングプレート１枚あたりのサイズを小さくすることができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、複数枚のブランキングプレートを用いることで、大規模なビームアレイの実現が容易になる。

上記実施形態では、チップマウンタ５０を介して実装基板４０上にブランキングプレート２０，３０を搭載する例について説明したが、チップマウンタ５０を省略してもよい。

１枚の実装基板上に１枚のブランキングプレートを搭載したものを複数設けてもよい。例えば、図８（ａ）（ｂ）に示すように、実装基板４０Ａ上にブランキングプレート２０を搭載し、実装基板４０Ｂ上にブランキングプレート３０を搭載する。例えば、実装基板４０Ａ、４０Ｂは、ビーム通過孔となる切り欠き（凹部）４２Ａ、４２Ｂが設けられた、平面形状がコ字状の基板である。実装基板４０Ａ、４０Ｂをそれぞれ独立なアライメント調整用ステージに搭載することが好ましい。

複数のブランキングプレートに対応させて、成形アパーチャアレイを複数チップで構成してもよい。例えば、図９に示すように、ブランキングプレート２０に対応する成形アパーチャアレイ１０Ａと、ブランキングプレート３０に対応する成形アパーチャアレイ１０Ｂを設ける。成形アパーチャアレイ１０Ａ、１０Ｂ上に、開口８２，８４が形成されたプレアパーチャプレート８を設ける。開口８２を通過したビームが、成形アパーチャアレイ１０Ａを照明し、開口８４を通過したビームが、成形アパーチャアレイ１０Ｂを照明する。

成形アパーチャアレイ１０Ａの開口１２Ａを通過して形成された複数のビームは、ブランキングプレート２０へ向かって進む。成形アパーチャアレイ１０Ｂの開口１２Ｂを通過して形成された複数のビームは、ブランキングプレート３０へ向かって進む。成形アパーチャアレイ１０Ａ、１０Ｂは、共通のホルダに取り付けてもよいし、それぞれ独立なアライメント調整用ステージに搭載してもよい。成形アパーチャアレイの１枚あたりのサイズを小さくできるため、製造歩留まりを向上できる。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１０成形アパーチャアレイ
２０，３０ブランキングプレート
４０実装基板
５０チップマウンタ
１００描画装置
１０２電子鏡筒
１０３描画室
１１１電子銃
１１２照明レンズ
１１５縮小レンズ
１１６制限アパーチャ部材
１１７対物レンズ
１１８偏向器

Claims

荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に、前記放出部から放出された荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャアレイと、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う対となる２つの電極の組からなるブランカが設けられた第１ブランキングプレート、及び前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第３開口が形成され、各第３開口にビームのブランキング偏向を行う対となる２つの電極の組からなるブランカが設けられた第２ブランキングプレートを有するブランキングアパーチャアレイと、
前記複数の第２開口を通過したビーム及び前記複数の第３開口を通過したビームをまとめて偏向し、描画対象の基板上でのビーム照射位置を調整する偏向器と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
荷電粒子ビームを放出する工程と、
複数の第１開口が形成された成形アパーチャアレイに前記荷電粒子ビームを照射し、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する工程と、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第２開口が形成され、各第２開口にビームのブランキング偏向を行う対となる２つの電極の組からなるブランカが設けられた第１ブランキングプレート、及び前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームが通過する複数の第３開口が形成され、各第３開口にビームのブランキング偏向を行う対となる２つの電極の組からなるブランカが設けられた第２ブランキングプレートを有するブランキングアパーチャアレイを用いて、各ビームのオンオフ制御を行う工程と、
偏向器を用いて、前記複数の第２開口を通過したビーム及び前記複数の第３開口を通過したビームをまとめて偏向し、描画対象基板上にビームを照射する工程と、
を備え、
前記複数の第２開口を通過したビームを用いて、前記描画対象基板の描画領域の全域を照射すると共に、前記複数の第３開口を通過したビームを用いて、前記描画領域の全域を照射して多重描画を行うことを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。