JP2012104610A - 偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法 - Google Patents
偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012104610A JP2012104610A JP2010251162A JP2010251162A JP2012104610A JP 2012104610 A JP2012104610 A JP 2012104610A JP 2010251162 A JP2010251162 A JP 2010251162A JP 2010251162 A JP2010251162 A JP 2010251162A JP 2012104610 A JP2012104610 A JP 2012104610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deflector
- base substrate
- openings
- chips
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000002039 particle-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/08—Deviation, concentration or focusing of the beam by electric or magnetic means
- G21K1/087—Deviation, concentration or focusing of the beam by electric or magnetic means by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
- H01J2237/0437—Semiconductor substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31752—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques
- H01J2237/31754—Lithography using particular beams or near-field effects, e.g. STM-like techniques using electron beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 偏向器アレイは、複数の開口が形成されたベース基板と、複数の開口が形成され、前記複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に設けられた複数の電極対を有する複数の偏向器チップと、を備える。
さらにベース基板の複数の開口に対応する位置に偏向器チップの複数の開口が配置されるように、1枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定される。
【選択図】 図4
Description
図1は本発明の第1実施形態によるマルチ荷電粒子線描画装置の構成を示した図である。電子銃(荷電粒子線源)109はクロスオーバ110を形成する。112、113はクロスオーバ110から発散した荷電粒子線の軌道を示している。
図2は3×3の荷電粒子線を偏向できる偏向器チップ116を示す。
工程S2において、母体に配線パターン(配線部)が形成される。配線パターンはリソグラフィにより形成される。配線パターンは、配線層として形成されてもよい。
工程S3において、電気特性試験が行われる。
工程S4において、例えばメッキ法により母体に複数の電極対201が形成される。
工程S5において、母体に複数の入力端子が形成される。
工程S6において、例えばエッチングにより、母体に複数の開口が形成される。
工程S7において、ダイシングにより母体は切断され、複数のチップに分割される。
工程S9において、性能検査で欠陥がないと判断されたチップのみを、用意されたベース基板に固定する。
図6、図7(a)、(b)は、第2実施形態におけるブランキング偏向器アレイ117の構成を説明する図である。本実施形態は、ベース基板の構成、および配線接続の構成が第1実施形態と異なる。本実施形態において特に言及しない箇所については第1実施形態の構成と同様であるものとする。
図8は、第3実施形態におけるブランキング偏向器アレイ117の構成を説明する図である。先の実施形態に対し、偏向器チップ116のベース基板401に対する配置が異なる。本実施形態において特に言及しない箇所については第1実施形態の構成と同様であるものとする。
図9は第4実施形態におけるマルチ荷電粒子線描画装置の構成を示した図である。本実施形態において特に言及しない箇所については第1実施形態の構成と同様であるものとする。電子銃609はクロスオーバ610を形成する。612、613はクロスオーバ610から発散した荷電粒子線の軌道を示している。
116,616a,616b 偏向器チップ
117,617,620 ブランキング偏向器アレイ
122,624 基板
201,701,709,710 電極対
204,705 ドライバ
203 配線部
Claims (10)
- 複数の開口が形成されたベース基板と、
複数の開口が形成され、前記複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に設けられた複数の電極対を有する複数の偏向器チップと、
を備え、
前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に前記偏向器チップの複数の開口が配置されるように、前記1枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定されることを特徴とする偏向器アレイ。 - 前記複数の偏向器チップは、前記電極対に電圧を印加するための配線部を備えることを特徴とする請求項1に記載の偏向器アレイ。
- 前記複数の偏向器チップは、前記電極対に電圧を印加するためのドライバを備えることを特徴とする請求項2に記載の偏向器アレイ。
- 前記ベース基板に固定される複数の偏向器チップは、同一の形状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の偏向器アレイ。
- 前記複数の偏向器チップの少なくとも2つは、互いに異なる取り付け角度で前記ベース基板に固定されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の偏向器アレイ。
- 前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に複数の開口が形成された第2のベース基板を備え、
前記第2のベース基板の複数の開口に対応する位置に前記偏向器チップの複数の開口が配置されるように、1枚の前記第2のベース基板に対して複数の偏向器チップが並列して固定されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の偏向器アレイ。 - 前記ベース基板に固定される複数の偏向器チップと、前記第2のベース基板に固定される複数の偏向器チップは同一の形状であり、かつ、前記偏向器チップの複数の開口のうち一部の開口には電極対が設けられておらず、
前記ベース基板及び第2のベース基板のいずれか一方に固定される複数の偏向器チップの電極対が設けられていない開口と、他方に固定される複数の偏向器チップの電極対が設けられた開口とが対応するように、前記ベース基板に固定される複数の偏向器チップと、前記第2のベース基板に固定される複数の偏向器チップとが互いにずれた状態で固定されることを特徴とする請求項6に記載の偏向器アレイ。 - 複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
複数の荷電粒子線を形成するアパーチャアレイと、
前記複数の荷電粒子線を偏向させてブランキングを行うためのブランキング偏向器アレイと、を備え、
前記ブランキング偏向器アレイは、
前記複数の荷電粒子線が通過可能な複数の開口が形成されたベース基板と、
複数の開口が形成され、前記複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に設けられた複数の電極対を有する複数の偏向器チップと、
を備え、
前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に前記偏向器チップの複数の開口が配置されるように、前記1枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定されることを特徴とする荷電粒子線描画装置。 - 請求項8に記載の荷電粒子線描画装置を用いて基板にパターンを描画する工程と、
その基板を現像する工程と、を有することを特徴とするデバイス製造方法。 - 複数の開口と、複数の電極対とを基板に形成する工程と、
前記基板を複数のチップに分割する工程と、
複数の開口を備えたベース基板を用意する工程と、
前記ベース基板の複数の開口に対応する位置に前記偏向器チップの複数の開口が配置されるように、前記複数のチップをベース基板に固定する工程と、
を備えることを特徴とする偏向器アレイの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010251162A JP5679774B2 (ja) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法 |
TW100140335A TWI467618B (zh) | 2010-11-09 | 2011-11-04 | 偏轉器陣列、帶電粒子束描繪設備、裝置製造方法、以及偏轉器陣列製造方法 |
US13/289,350 US20120115306A1 (en) | 2010-11-09 | 2011-11-04 | Deflector array, charged particle beam drawing apparatus, device manufacturing method, and deflector array manufacturing method |
KR1020110115598A KR20120049821A (ko) | 2010-11-09 | 2011-11-08 | 편향기 어레이, 하전 입자 묘화 장치, 디바이스 제조 방법, 편향기 어레이의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010251162A JP5679774B2 (ja) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012104610A true JP2012104610A (ja) | 2012-05-31 |
JP5679774B2 JP5679774B2 (ja) | 2015-03-04 |
Family
ID=46020013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010251162A Active JP5679774B2 (ja) | 2010-11-09 | 2010-11-09 | 偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120115306A1 (ja) |
JP (1) | JP5679774B2 (ja) |
KR (1) | KR20120049821A (ja) |
TW (1) | TWI467618B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014156170A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 国立大学法人東北大学 | 電子ビーム照射装置 |
JP2019009208A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 半導体装置 |
JP2020035871A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用アパーチャセット、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013008878A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Canon Inc | 描画装置、物品の製造方法、及び処理装置 |
JP2013069813A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Canon Inc | 描画装置、および、物品の製造方法 |
NL2010759C2 (en) * | 2012-05-14 | 2015-08-25 | Mapper Lithography Ip Bv | Modulation device and power supply arrangement. |
JP6500383B2 (ja) * | 2014-10-03 | 2019-04-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ブランキングアパーチャアレイ及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2016096270A (ja) * | 2014-11-14 | 2016-05-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム用のブランキングシステム及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2017168574A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置、マルチ荷電粒子ビームのブランキング方法、及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP7189794B2 (ja) * | 2019-02-12 | 2022-12-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7275647B2 (ja) * | 2019-02-27 | 2023-05-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用アパーチャ基板セット及びマルチ荷電粒子ビーム装置 |
JP7409946B2 (ja) * | 2020-04-13 | 2024-01-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03174715A (ja) * | 1989-05-19 | 1991-07-29 | Fujitsu Ltd | ブランキングアパーチャアレイ、その製造方法、荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
JPH07254540A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JP2004282038A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Canon Inc | 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置 |
JP2005116743A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2008235571A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6169594B1 (en) * | 1998-08-24 | 2001-01-02 | Physical Optics Corporation | Beam deflector and scanner |
US6521896B1 (en) * | 2000-06-01 | 2003-02-18 | Applied Materials, Inc. | Blanker assembly employing dielectric material |
JP4756776B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2011-08-24 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法 |
JP4648087B2 (ja) * | 2005-05-25 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 偏向器の作製方法、荷電粒子線露光装置、および、デバイス製造方法 |
JP5491704B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2014-05-14 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 対向電極アレイ板を有するパターン定義装置 |
JP5844269B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2016-01-13 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 調整装置を有する荷電粒子複数ビームレット・リソグラフィ・システム |
-
2010
- 2010-11-09 JP JP2010251162A patent/JP5679774B2/ja active Active
-
2011
- 2011-11-04 TW TW100140335A patent/TWI467618B/zh active
- 2011-11-04 US US13/289,350 patent/US20120115306A1/en not_active Abandoned
- 2011-11-08 KR KR1020110115598A patent/KR20120049821A/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03174715A (ja) * | 1989-05-19 | 1991-07-29 | Fujitsu Ltd | ブランキングアパーチャアレイ、その製造方法、荷電粒子ビーム露光装置及び荷電粒子ビーム露光方法 |
JPH07254540A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置 |
JP2004282038A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Canon Inc | 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置 |
JP2005116743A (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2008235571A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014156170A1 (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | 国立大学法人東北大学 | 電子ビーム照射装置 |
JP2019009208A (ja) * | 2017-06-22 | 2019-01-17 | 東芝デバイス&ストレージ株式会社 | 半導体装置 |
JP2020035871A (ja) * | 2018-08-29 | 2020-03-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用アパーチャセット、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7110831B2 (ja) | 2018-08-29 | 2022-08-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5679774B2 (ja) | 2015-03-04 |
KR20120049821A (ko) | 2012-05-17 |
TW201225145A (en) | 2012-06-16 |
US20120115306A1 (en) | 2012-05-10 |
TWI467618B (zh) | 2015-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5679774B2 (ja) | 偏向器アレイ、荷電粒子描画装置、デバイス製造方法、偏向器アレイの製造方法 | |
EP1453076B1 (en) | Deflector, method of its manufacture and its use in a charged particle beam exposure apparatus | |
EP1993118B1 (en) | Pattern definition device having distinct counter-electrode array plate | |
JP7030663B2 (ja) | 半導体装置及び荷電粒子線露光装置 | |
CN111153378B (zh) | 一种mems驱动器及成像防抖装置 | |
US10784073B2 (en) | Blanking deflector, and multi charged particle beam writing apparatus using three deflector electrodes and a transmission line | |
KR20230123975A (ko) | 전자 렌즈 | |
US9697981B2 (en) | Blanking system for multi charged particle beams, and multi charged particle beam writing apparatus | |
JP5253532B2 (ja) | 偏向器アレイ、偏向器アレイの製造方法、描画装置、および物品の製造方法 | |
JP5675249B2 (ja) | 電極対アレイ板、電極対アレイ板の製造方法、描画装置、および物品の製造方法 | |
JP4387755B2 (ja) | 偏向器アレイおよびその製造方法、ならびに該偏向器アレイを用いた荷電粒子線露光装置 | |
JP2015070213A (ja) | 描画装置、および物品の製造方法 | |
JP4939143B2 (ja) | 荷電粒子線偏向器アレイ、該アレイを用いた露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP5606292B2 (ja) | 描画装置、物品の製造方法、偏向装置の製造方法、および、描画装置の製造方法 | |
JP4252813B2 (ja) | 荷電ビーム用レンズ、荷電ビーム露光装置及びデバイス製造方法 | |
US20240321545A1 (en) | Semiconductor device | |
KR100670945B1 (ko) | Ltcc 기판을 이용한 웨이퍼 규모의 마이크로칼럼어레이 | |
JP2007019242A (ja) | 偏向器、荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP7016309B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20240013999A1 (en) | Mounting substrate, blanking aperture array chip, blanking aperture array system and multi charged particle beam irradiation apparatus | |
JP7222874B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR102530839B1 (ko) | 다중 빔렛 하전 입자 빔 장치를 위한 빔 블랭킹 디바이스 | |
JP2005136114A (ja) | 電極基板およびその製造方法、ならびに該電極基板を用いた荷電ビーム露光装置 | |
JP4455846B2 (ja) | 電極基板およびその製造方法、該電極基板を用いた偏向器、ならびに該偏向器を用いた荷電粒子線露光装置 | |
JP2022127247A (ja) | 半導体装置、荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150106 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5679774 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |