JP3299632B2 - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
- Publication number
- JP3299632B2 JP3299632B2 JP14286094A JP14286094A JP3299632B2 JP 3299632 B2 JP3299632 B2 JP 3299632B2 JP 14286094 A JP14286094 A JP 14286094A JP 14286094 A JP14286094 A JP 14286094A JP 3299632 B2 JP3299632 B2 JP 3299632B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- blanking
- array
- aperture
- blanking array
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/043—Beam blanking
- H01J2237/0435—Multi-aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31774—Multi-beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31776—Shaped beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
速な電子線描画装置に係わる。
制御する方法としては、ジャーナルオブバキュウムサイ
エンスアンドテクノロジー、ビー、第6刊第6号(19
88年)にてジョウンズ等が明らかにしている。ジョウ
ンズ等は図2のごとくドット状に電極を設けたブランキ
ングアレイを設けている。来れに尋がった電子ビームを
照射し、電子ビームを各開口に透過させる。描画する図
形に応じてブランキング電極に電圧を加えれば、電圧を
加えられた電子ビームは下流にある絞りにより遮断され
試料には到達しない。こうして任意の形状の図形状ビー
ムを形成出来る。即ち、電子ビームを点ビームとして独
立してブランキングする方法であり、画素毎に制御する
方式である。
の電子ビームを独立に制御するのでスループット向上の
ためにブランキングするビームの数を増やすとそれに比
例して制御系が複雑になることが問題となる。本発明の
目的は簡単な構造で電子ビームを制御する方法や装置を
提供することにある。
された電極により線状に電子ビームを偏向するブランキ
ングアレイ及びブランキングアレイをレンズの物面上に
搭載した電子線描画装置により解決される。言い換えれ
ば、列上の複数の画素を同時に制御することによりより
簡単な制御を可能とする。具体的には図3に示すように
開口上に複数の電極を設け、隣り合う2つの電極に加え
る電圧により線状に電子ビームを偏向するブランキング
アレイとそれを搭載した電子線描画装置である。偏向し
た電子ビームは電子鏡体下流に絞りを設けることにより
遮断され描画試料面には到達しない。
ためには図1のように複数のブランキングアレイを用い
る。図1では上下にブランキングアレイを設けている。
上のブランキングアレイ7の像を下のブランキングアレ
イ10上に形成すればどちらにもブランキングされない
領域のみ描画されることになる。図1では上下のブラン
キングアレイによりブランキングされた電子は共通の絞
り47により遮断される。ブランキングアレイ像の方向
は照射されるブランキングアレイと直交させるのが一般
的であるが45度など斜めにしても構わない。図1は画
素が正方状となり一番基本的な方式である。
2方向に電極を設ければ実質的に上記の2つのブランキ
ングアレイを用いるのと同様の効果が期待できる。ブラ
ンキングアレイの構造は複雑になるが1つのブランキン
グアレイで任意の矩形ビームを形成することができる。
数は2つに限定されるものではなく、3つ以上の組み合
わせも有効である。また、焦点深度内であれば近づけて
配置しても良い。
を従来の可変成形法の開口と兼用することにより可変成
形方式とブランキングアレイ方式の兼用を容易に行うこ
とができる。可変成形の開口と兼用する場合には大まか
な寸法を上部のアパーチャー像の移動で定め、細かい寸
法の規定はブランキングアレイを用いることにより行う
方法も可能である。
るアパーチャに斜めに形成された複数の電極19を有
し、隣り合う2つの電極に加える電圧によりやはり線状
に電子ビームを偏向し斜め線の描画を行なうことが出来
る。
いが機械的強度を向上させるために同じく線状の支持体
や電子光学系の分解能より小さなメッシュを有すること
も効果的である。支持体としては電子の吸収体、散乱体
どちらでも可能である。
時に複数並べて搭載することも効果的であり、特にブラ
ンキングアレイを照射する電子ビームを図6に示すよう
にアレイ選択偏向器29で偏向することによりブランキ
ングアレイを高速に選択することが出来る。複数のブラ
ンキングアレイを搭載するためには電源の供給を対向す
る方向から行なえば4つのアレイを独立に隣接させて制
御することが出来る。
ことは出来ないが、複数の露光に分割することにより効
果的に使用することができる。
るために電極と類似の形状の接地線を形成することも有
効である。
なる。その機械的強度を向上させる為には、電極の幅を
広くする必要がある。しかし、電極の試料面上での間隔
が電子光学系の分解能より大きくなると電極の像が試料
上に形成されてしまう。従ってこの場合は図7に示すよ
うにブランキングアレイの電極により露光出来なかった
領域をブランキングアレイ像をシフトさせて露光する。
図ではアレイの一つの線分の距離だけ2度目の露光でシ
フトさせている。この手法を適用するためにはブランキ
ングアレイの透過部と遮蔽部の幅が実質的に同じでなけ
ればならず、その差が20%以内であることが望まし
い。
ブランキングアレイとの兼用も有効である。
導や熱伝導のよい材料が適している。従って、電極を金
や銅のメッキで製作するのが簡便である。また、ブラン
キングアレイを支える。基板も重要であり、やはり電気
伝導性と熱伝導性が求められる。加工性も加味するとシ
リコンやシリコンカーバイトなどの軽元素化合物、ある
いは絶縁性の軽元素化合物に導電性膜を被覆したものが
良い。
イの原理を説明する。図3では12本の電極により電子
ビームの照射領域を分割している。各電線に電圧を加え
隣り合う電線間の電位差により電子ビームを偏向する。
図で0はアース電位+ーはそれぞれ正負の電圧を加える
ことを示している。分割された電子ビームの中で、隣り
合う電極に電位差があれば電子ビームは偏向され後段の
絞り45により遮断される。その他の電子ビームは試料
面15に到達し露光に寄与する。電子ビームの照射領域
は11に分離されている。更にこのアレイを図1のよう
に2つ設ける。そして、第1アレイ像11を第2アレイ
上10に形成し、することにより両者でブランキングさ
れなかった電子ビームのみが露光に寄与することにな
る。これにより11*11=121のドットビームを制
御することができる。即ち、121個の画素を12個の
画素からなる画素列ごとに制御することになる。これを
従来のブランキングアレイで個々に制御すると121個
の制御が必要であることに対して、本発明では24の電
線を制御すれば良い。ブランキングアレイで個々のビー
ムを制御する方式に対して一度に描画できるパターンに
制限が生じるが、制御やアレイ製作が著しく簡単にな
る。この差はスループットを向上させるために電子ビー
ムの照射面積を大きくすればするほど顕著になる。画素
を正方状に並べれば任意の矩形の描画が可能である。3
つ以上のブランキングアレイを用いればより複雑な制御
が可能となる。更に焦点深度以内であればブランキング
アレイを近接して設けることが可能であり、多くのブラ
ンキングアレイをレンズを多く用いずに使用することが
できる。
を示すが、従来では第1アパーチャー像27と第2アパ
ーチャー26の重ね合わせのための成形偏向器28の調
整が必要となる。これらは、微細パターンを描画する際
のショット接続や寸法精度の劣化要因となっている。し
かし、本発明により電子ビーム形状はブランキングする
画素により決まるためにごさ要因が少なく精度の向上が
図れる。なお、図1の方式では2方向に制御が出来るた
めに種々の大きさの矩形ビームを形成することが出来
る。また、ブランキングアレイ像の方向を照射されるブ
ランキングアレイと45度など斜めにすると種々の大き
さの3角形ビームを形成出来る。
を従来の可変成形法の開口と兼用することにより、ブラ
ンキングを全てオフの状態にしておけば矩形開口と可変
成形偏向器の組み合わせにより通常の可変成形法が可能
である。これにより両方式を容易に切り替えることが出
来る。
体や電子光学系の分解能より小さなメッシュを有するこ
とはブランキングアレイの機械的強度を増加させること
に有効である。支持体として電子の散乱体を用いても散
乱電子をブランキング絞りにより遮断することによりマ
スクとしての効果も期待出来る。
選択すれば様々な方向のブランキングが可能となり様々
なパターンを描画出来る。例えば、様々な方向のブラン
キングアレイやピッチの異なるブランキングアレイ等の
配置が考えられる。偏向器は静電でも電磁でも良いが高
速描画のためには応答の速い静電偏向器が適している。
複雑な図形も比較的少ないショット数で描画できる。例
えば図9の様に形成される。図9では最初に(a)を描
画し、2度目に(b)を描画すればより複雑な(c)パ
ターンを2度の露光で描画できる。このパターンを可変
成形で描画するためには100ショット必要となり1/
50のショット数の低減を図ることが出来る。
を形成することは偏向電圧によりブランキングを行う領
域以外の電子ビームの軌道が変化することを防止するこ
とに有効である。
の幅と開口の間隔を実質的に等しくすることにより、半
ピッチずらした2つのブランキングアレイにより相補的
に使用することが出来る。ショット数は幅の狭いブラン
キングアレイと比較して増加するが、アレイの作製は容
易になる。また、電極の幅と開口の間隔を実質的に等し
くするためにはその差は20%以内であることが望まし
い。
用すれば、小さく複雑な図形は画素ごとに制御するブラ
ンキングアレイで描画し、長い配線などは本発明による
ブランキングアレイを用いることができる。画素毎に制
御するブランキングアレイは多くの画素を必要とする大
面積は不得手であり本発明によるブランキングアレイと
の兼用が効果的となる。逆に一括図形照射法との併用す
れば、原理的に本発明のブランキングアレイでは一回の
露光で描画不可能な図形を、一括図形照射法を用いて一
回の露光で描画することにより高速化を図ることができ
る。
示す。電極30は101本のラインを構成するように並
べられている。各電線の間は1.6μm、高さは4μ
m、長さ200μmである。これらの電線に10Vの電
圧を加え電子を偏向する。図11に電子光学系を示す。
この電子光学系は従来の可変成型法の電子光学系とほと
んど同じである。ブランキングアレイを上下に配置して
おり上部のブランキングアレイの像と下部のブランキン
グアレイの方向を直交させた。ブランキングアレイを通
過した電子は縮小レンズにより1/40に縮小され最終
的にはウエハ上に結像される。電線の幅は0.4μmで
ありウエハ上では0.01μm以下となる。電子光学系
の分解能を0.1μm程度にすれば、電線は解像せずク
オーターミクロンは精度良く描画できる。電極間の距離
は0.05μmとなりこの単位で描画図形を制御でき
る。ブランキングアレイによって偏向された電子は対物
絞りにより遮断されウエハには到達しない。従って、ど
ちらのブランキングアレイの偏向も受けない電子のみウ
エハに到達することになる。これにより5μm角を0.
05μm角の画素を単位として描画出来る。
したパタ−ンの例を示す。図の点線で区切られた領域内
の描画図形が一回の露光で描画する領域である。ある程
度のパターンであればこのように一回で複数の図形を描
画することができる。
を示す。複雑なパターンは一回の露光では不可能である
が図に示すように図形を白抜きの部分と黒の部分に2種
類に分割すれば、同時に数図形を描画することが可能で
あり、比較的少ない回数の露光で描画ができる。このよ
うにブランキングアレイを用いることによりショット数
を大幅に低減することができる。256MDRAMでは
ショット数を6X1010から3X109へと低減でき
た。これにより時間当たり6インチウエハで10枚のス
ループットを得た。
と第2アパーチャー(可変成型ではブランキングアレイ
を配置する場所に第1アパーチャーと同様の矩形開口を
設ける。)の重なり具合の調整やその変動によるビーム
サイズの変動がない。このため従来0.05μm程度に
留まっていた描画図形の寸法精度を0.02μmにまで
低減することができた。
来これだけのビームを制御するためには10000の電
極を制御しなければならないために,大幅な制御の簡素
化を図ることができた。
取り除けば通常の可変成形用の矩形開口である。従っ
て、ブランキングアレイを動作させなければ通常の可変
成形の描画装置としても使用することが出来る。更に図
に示す様に可変成形法により大まかな寸法を定めブラン
キングアレイを動作させて最終的な寸法を規定する方法
も可能である。この方法を用いれば可変成形法に少しの
システムを追加するだけで高精度な描画が可能となる。
示す。電線30は50X50のメッシュを構成するよう
に2方向に並べられている。各電線には電子に電場を加
える為の電極が付けられている。各電極の間は1.7μ
m、高さは4μm、長さは250μmである。これらの
電極に10Vの電圧を加え電子を偏向する。図15に本
実施例の電子光学系を示す。従来の可変成形の第1転写
レンズのクロスオーバー像の位置に電子源6を設置す
る。これにより電子源より下方は従来の光学系を使用す
ることが出来る。これにより実施例1よりもレンズが1
つ少なくなる。縮小率を1/50とし最小描画単位を
0.04μmとした。これにより256MDRAMでは
ショット数を6X1010から1X109へと低減でき
た。時間当たり6インチウエハで15枚のスループット
である。
例の電子光学系を示す。図16では可変成型用の下の矩
形開口の上にブランキングアレイを形成する。従って、
ブランキングアレイを完全に無動作状態にすれば通常の
可変成形ビームを形成することが出来る。更に両者を組
み合わせることにより以下の使い方が出来る。図17に
ように可変成形で大まかな寸法を定めブランキングアレ
イにより最終的な寸法を定める。図17ではブランキン
グアレイの左下の縦7横3の21のみが描画されること
になる。電子ビームの寸法はブランキングアレイの構造
のみで決まるために精度の良い描画が可能である。これ
により第1アパーチャーで照射されない領域のブランキ
ングアレイを動作させることなく精度の良い描画が出来
る。本実施例ではブランキングアレイを矩形形成用に用
いたためスループットは従来と変わらず、寸法精度が
0.01μmと改善された。
図形作成用45のブランキングアレイを配置し四方に斜
の電線を有するブランキングアレイ46を配置した。斜
のブランキングアレイを用いることにより三角形を一度
の露光で描画できることになる。また、様々な方向の三
角形はブランキングアレイを光学的に選択することによ
り達成できる。図19に電子光学系を示す。矩形開口を
ブランキングアレイ上に結像することは実施例1と変わ
りがないが、本実施例ではさらにブランキングアレイ選
択偏向器29を設けている。これにより、ブランキング
アレイの高速な選択が可能となり、様々な方向の三角形
や矩形をそれぞれのブランキングアレイを用いて露光で
きる。これらのブランキングアレイを機械的に選択する
ことも可能であるが、高速性の観点で電気的な選択に劣
ることになる。
ような斜線に限らず、最小描画単位や最大描画面積の異
なるブランキングアレイを配置し描画パターンに応じて
選択するなどの応用も可能である。
配置すれば可変成形や一括図形照射法とブランキングア
レイを同一チップ上で用いることも可能となる。これに
より可変成形や一括図形照射法の容易な制御性とブラン
キングアレイの柔軟性を描画パターンにより選択するこ
とが出来る。
示す。電線は21本のラインを構成するように並べられ
ている。各電線のピッチは4μm、高さは4μm、長さ
は400μmである。電極線42は2μmの幅を持ち、
これらの電線に10Vの電圧を加え電子を偏向する。光
学系の縮小率は1/40のためブランキングを動作させ
ない状態では0.05μmのラインアンドスペースが形
成されることになる。従って、例えば10μm角を描画
する際には0.05μmシフトさせて2回露光すること
になる。しかし、電極の幅を厚くしたことから機械的強
度に優れ、ウエハ上10μm角の大面積ショットをブラ
ンキングアレイで実現することが出来た。結果として2
56MDRAMのショット数は可変成形に比べて1/2
0となり、スループットの向上を図ることが出来た。
す。実施例1と2では電線は電子に対して覆われていな
かった。このため、電線に電子が衝突し、汚染などによ
りのブランキングアレイの性能を長期的に劣化させる危
険性がある。本実施例ではブランキングアレイの電極上
下にアース電極44を設け電子と電線との直接の接触を
避けた。この結果ブランキングアレイの寿命を1年とす
ることができた。また、このことによりブランキング電
場の上下空間への漏洩を防止することが出来る。
口を設け、矩形像をブランキングアレイ及び一括図形開
口上に形成する。ブランキングアレイ49、50は垂直
方向に2つ配置されその距離は4mmである。ブランキ
ングアレイ上での焦点深度は深いため4mmでのビーム
ボケはウエハ上ではほとんど無視出来る。これにより簡
便に複数のブランキングアレイを使用することが可能に
なる。また、周辺に一括図形照射法のための複雑な図形
の開口が形成されている。
の平行電線から構成するブランキングアレイも可能であ
る。電線の方向を増せば、制御は複雑となるがより複雑
な図形(矩形と斜線の同時露光など)の一回での露光が
可能となる。又、本実施例ではブランキングアレイの基
本的な構造を示したが、電子ビームの通過する開口を電
線だけでなくメッシュ状の支持で行ない機械的強度を補
強する等の構造上の工夫も考えられる。
電子ビームを分割制御することができる。これにより、
従来の可変成形法の欠点であった上下のアパーチャーの
回転や位置の調整不良による精度低下や、膨大なショッ
ト数によるスループットの低下を比較的容易に解決でき
る。
学系の図。
光学系の図。
図。
系。
電子ビーム照射部、4…ブランキング電極、5…試料面
に到達する電子ビームの領域、6…電子源、7…第1ブ
ランキングアレイ、8…第1転写レンズ、9…第2転写
レンズ、10…第2ブランキングアレイ、11…第1ブ
ランキングアレイ像、12…縮小レンズ、13…対物レ
ンズ、14…対物偏向器、15…ウエハ、16…電極
線、17…ブランキング電極X、18…ブランキング電
極Y、19…ブランキング電極、20…直交する2辺を
有する開口部もしくは電子ビ…ム照射部、21…第2ブ
ランキングアレイ、22…二回目の露光、23…一回目
の露光、24…ブランキングアレイ領域、25…第1ア
パーチャー、26…第2アパーチャー、27…第1アパ
ーチャー像、28…可変成形偏向器、29…アレイ選択
偏向器、30…ブランキング電極、31…転写レンズ、
32…ブランキングアレイ、33…矩形開口、34…成
型偏向器、35…ブランキングアレイ及び矩形開口、3
6…矩形像、37…ブランキングする列、38…ブラン
キングアレイ及び矩形開口、39…ブランキングする
行、40…矩形開口像、41…ブランキングプレート、
42…ブランキング電極、43…ブランキング電極、4
4…アース電極、45…矩形ブランキングアレイ、46
…3角形ブランキングアレイ、47…絞り、49…ブラ
ンキングアレイ、50…ブランキングアレイ。
Claims (3)
- 【請求項1】 電子源と、前記電子源から電子ビームを矩
形ビームに形成するための第1アパチャーと、前記第1
アパチャーより下に配置された直交する2辺を有する開
口部を具備した第2アパチャーと、前記第2アパチャー
を通過した像を縮小する縮小レンズと、前記第1アパチ
ャーと前記縮小レンズとの間に有って、矩形ビームの焦
点深度内で前記開口部の直交する2辺に対し斜めに配置
されたブランキングアレと、前記縮小レンズを通過した
像を試料台上の基板に露光するための対物レンズ手段を
備えたことを特徴する電子線描画装置。 - 【請求項2】 前記ブランキングアレの上下にアース電極
を配置したことを特徴とする請求項1記載の電子線描画
装置。 - 【請求項3】 電子源からの電子ビームを矩形ビームに形
成するための第1アパチャーに照射する工程と、電子線
を第1のアパチャーに照射する工程と、前記第1アパチ
ャーより下に配置された直交する2辺を有する開口部を
具備した第2アパチャーと矩形ビームの焦点深度内で前
記開口部の直交する2辺に対し斜め配置されたブランキ
ングアレに前記第1のアパチャーを通過した第1のアパ
チャー像を照射する工程と、前記第2アパチャートと前
記ブンランキングアレーとにより形成された斜めに分割
されたビームを縮小レンズを通して縮小する工程と、縮
小された像を試料台上の基板に露光する工程と、を有す
ることを特徴する電子線描画方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14286094A JP3299632B2 (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 電子線描画装置 |
US08/470,592 US5650631A (en) | 1994-06-24 | 1995-06-07 | Electron beam writing system |
DE19522362A DE19522362C2 (de) | 1994-06-24 | 1995-06-20 | Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung und -Verfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14286094A JP3299632B2 (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 電子線描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0817698A JPH0817698A (ja) | 1996-01-19 |
JP3299632B2 true JP3299632B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=15325301
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14286094A Expired - Lifetime JP3299632B2 (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 電子線描画装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5650631A (ja) |
JP (1) | JP3299632B2 (ja) |
DE (1) | DE19522362C2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6175122B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-01-16 | International Business Machines Corporation | Method for writing a pattern using multiple variable shaped electron beams |
US6486480B1 (en) * | 1998-04-10 | 2002-11-26 | The Regents Of The University Of California | Plasma formed ion beam projection lithography system |
JP2000030647A (ja) | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Advantest Corp | 荷電粒子ビーム露光装置 |
KR20010046227A (ko) * | 1999-11-11 | 2001-06-05 | 박종섭 | 광학기기의 아파츄어 장치 |
US20040051053A1 (en) * | 2002-05-22 | 2004-03-18 | Barletta William A. | Universal pattern generator with multiplex addressing |
US7229742B2 (en) * | 2004-04-14 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Methods for improving angled line feature accuracy and throughput using electron beam lithography and electron beam lithography system |
JP4477436B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
JP4889105B2 (ja) * | 2006-08-23 | 2012-03-07 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム装置 |
US8546767B2 (en) * | 2010-02-22 | 2013-10-01 | Ims Nanofabrication Ag | Pattern definition device with multiple multibeam array |
EP2750165B1 (en) * | 2011-10-03 | 2016-07-13 | Param Corporation | Electron beam lithographic method |
JP6014342B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6103497B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2017-03-29 | 株式会社Param | 電子ビーム描画装置 |
JP6977528B2 (ja) | 2017-12-14 | 2021-12-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用アパーチャセット |
JP7275647B2 (ja) * | 2019-02-27 | 2023-05-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用アパーチャ基板セット及びマルチ荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3491236A (en) * | 1967-09-28 | 1970-01-20 | Gen Electric | Electron beam fabrication of microelectronic circuit patterns |
DE2460715C3 (de) * | 1974-12-19 | 1979-10-31 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparats in Form eines Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen Flächenelementen |
JPS52119178A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-06 | Toshiba Corp | Electron beam exposure device |
CA1100237A (en) * | 1977-03-23 | 1981-04-28 | Roger F.W. Pease | Multiple electron beam exposure system |
US4142132A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-27 | Control Data Corporation | Method and means for dynamic correction of electrostatic deflector for electron beam tube |
US4472636A (en) * | 1979-11-01 | 1984-09-18 | Eberhard Hahn | Method of and device for corpuscular projection |
EP0289885A1 (de) * | 1987-05-08 | 1988-11-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Blendensystem zur Erzeugung mehrerer Teilchensonden mit veränderbarem Querschnitt |
US4980567A (en) * | 1988-03-30 | 1990-12-25 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system using line beams |
US4902898A (en) * | 1988-04-26 | 1990-02-20 | Microelectronics Center Of North Carolina | Wand optics column and associated array wand and charged particle source |
US5144142A (en) * | 1989-05-19 | 1992-09-01 | Fujitsu Limited | Blanking aperture array, method for producing blanking aperture array, charged particle beam exposure apparatus and charged particle beam exposure method |
US5262341A (en) * | 1989-05-19 | 1993-11-16 | Fujitsu Limited | Blanking aperture array and charged particle beam exposure method |
JP2837743B2 (ja) * | 1990-06-27 | 1998-12-16 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法およびそれに用いるステンシルマスク |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP14286094A patent/JP3299632B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-06-07 US US08/470,592 patent/US5650631A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-20 DE DE19522362A patent/DE19522362C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5650631A (en) | 1997-07-22 |
DE19522362A1 (de) | 1996-01-11 |
DE19522362C2 (de) | 2002-03-14 |
JPH0817698A (ja) | 1996-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100495651B1 (ko) | 하전입자선노광장치와 디바이스의 제조방법 및하전입자선응용장치 | |
JP3299632B2 (ja) | 電子線描画装置 | |
US6137113A (en) | Electron beam exposure method and apparatus | |
US8026495B2 (en) | Charged particle beam exposure system | |
US7755061B2 (en) | Dynamic pattern generator with cup-shaped structure | |
US7075093B2 (en) | Parallel multi-electron beam lithography for IC fabrication with precise X-Y translation | |
KR100465117B1 (ko) | 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 복수의 전자빔을집속하는 다축전자렌즈, 반도체소자 제조방법 | |
KR20130036726A (ko) | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 | |
KR20110030466A (ko) | 이미징 시스템 | |
KR20020084288A (ko) | 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 반도체소자제조방법 | |
GB2340991A (en) | Multibeam particle lithography | |
JP2017216338A (ja) | マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射装置 | |
KR20030028461A (ko) | 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 반도체소자제조방법 | |
US5012105A (en) | Multiple-imaging charged particle-beam exposure system | |
US6573014B2 (en) | Charged-particle-beam microlithography methods for exposing a segmented reticle | |
JPH0789530B2 (ja) | 荷電ビ−ム露光装置 | |
US20010028043A1 (en) | Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a multi-axis electron lens and fabrication method of a semiconductor device | |
EP0221657B1 (en) | Charged-particle-beam lithography | |
US8253119B1 (en) | Well-based dynamic pattern generator | |
JPH0316775B2 (ja) | ||
JP2003045789A (ja) | 描画装置及び描画方法 | |
TW202036175A (zh) | 多重射束用孔徑基板組及多重帶電粒子束裝置 | |
KR20020084291A (ko) | 다축전자렌즈를 이용한 멀티빔 노광장치, 복수의 전자빔을집속하는 다축전자렌즈, 반도체소자 제조방법 | |
CN113341656A (zh) | 多射束描绘方法以及多射束描绘装置 | |
WO2023228675A1 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080419 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090419 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090419 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100419 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110419 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120419 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120419 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130419 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140419 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |