DE2460715C3 - Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparats in Form eines Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen Flächenelementen - Google Patents
Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparats in Form eines Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen FlächenelementenInfo
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparates
in Form eines Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen Flächenelemente, wobei entsprechende
Teilbereiche der Flächenelemente gleichzeitig bestrahlt werden und durch eine Relativbewegung
zwischen den Korpuskularstrahlen und dem Präparat das Flächenmuster erzeugt wird, mit einer
integral mit Korpuskeln bestrahlten Maske, die eine der Anzahl der Flächenelemente entsprechende Zahl von
Löchern aufweist.
Es ist üblich, bei der Herstellung von Halbleiterschaltungen, beispielsweise von gedruckten oder integrierten
Schaltungen, mehrere derartige Schaltungen auf einem Halbleiterplättchen zu erzeugen. Darüber hinaus ist es
z. B. üblich, funktioneile Einzelheiten derartiger Schaltungen mehrfach herzustellen, um im Falle eines
Fabrikationsfehlers innerhalb dieser Einheiten nicht die gesamte Schaltung aussondern zu müssen.
Ein Gerät der eingangs genannten Art ist aus der DE-OS 21 02 592 bekannt Hier werden zur gleichzeitigen
Bestrahlung mehrerer Flächenelemente aus einem monochromatischen, zu einem großen Strahlquerschnitt
aufgeweiteten Ionenstrahl, welcher integral eine Maske bestrahlt, durch Mikrolinsen mehrere Mikroionenstrahlen
kleinen Querschnitts erzeugt und auf das Präparat fokussiert. Zum Schreiben eines Flächenmusters wird
das Präparat motorisch verschoben. Bei dieser Ionenimplantation können durch Wahl der Ionenart und deren
Energie direkt unterschiedliche Dotierungen vorgenommen werden. Die mechanische und damit nicht
spielfreie Verschiebung des Präparats begrenzt jedoch die Genauigkeit des erzeugten Flächenmusters. Darüber
hinaus stellen auch die Mikrolinsen ein sehr aufwendiges und damit störanfälliges System dar.
Darüber hinaus werden Flächenmuster bei bekannten Vorrichtungen mit Hilfe eines Raster-Elektronenschreibers
erzeugt In diesem Fall wird der Elektronenstrahl rasterförmig über das gesamte Präparat hinweggeführt;
die Hell- bzw. Dunkeltastung des Strahls erfolgt dabei unter Verwendung eines Lichtpunkt-Abtasters (Flying
Spot Scanner). Dieser besteht aus einer Kathodenstrahlröhre, deren Leuchtschirm vom Elektronenstrahl
gleichmäßig beschrieben wird. Der auf der Röhre erzeugte Lichtpunkt beleuchtet eine Maske, die ein dem
zu erzeugenden Flächenmuster entsprechendes Muster aufweist Das die Maske durchsetzende Licht dient als
Hellsteuersignal des mit der Kathodenstrahlröhre synchronisierten Raster-Elektronenschreibers
(Rev.Sci. Instr.44[19731 Seiten 1282-1285).
In einem anderen Fall wird der Elektronenstrahl des Schreibers mit Hilfe eines Digitalrechners gesteuert
Die zu belichtenden Flächen werden dabei nacheinander mit dem Elektronenstrahl jeweils rasterförmig
beschrieben (J. Vac. Sei. Technol. 10 [1973], Seiten
1052-1055).
Während im erstgenannten Fall die Belichtungszeit des Präparats von der Form des Flächenmusters
unabhängig und gleich dem Produkt aus der Zahl der Bildpunkte des Rasterfeldes und der Belichtungszeit
eines derartigen Punktes ist ergibt sich die Belichtungszeit im Falle der zuletzt genannten Vorrichtung aus dem
Produkt der untereinander gleichen Flächenelemente mit der Belichtungszeit eines derartigen Flächenelementes.
Dabei ist unter Bildpunkt des Rasterfeldes eine Fläche zu verstehen, die gleich der Querschnittsfläche
des Elektronenstrahls auf dem Präparat ist während die Herstellungszeit eines derartigen Flächenelementes
sich aus dem Produkt der Zahl der Bildpunkte dieses Elementes und der Belichtungszeit eines derartigen
Punktes ergibt
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gerät der eingangs genannten Art zu schaffen, das mit
einfachen Mitteln und großer Genauigkeit arbeitet Die Lösung dieser Aufgabe ist gekennzeichnet durch eine
korpuskularstrahloptische Linse (5), die die Maske (6) auf das Präparat (8) verkleinert abbildet, und durch ein
am Ort der Eintrittspupille (10) der Linse (5) liegendes Ablenksystem (U, 11'), mit dem das Bild der Maske (6)
auf dem Präparat (8) in zwei Koordinaten verschiebbar ist.
Auf diese Weise wird das Präparat an verschiedenen Stellen gleichzeitig und in gleicher Weise belichtet.
Ist es erforderlich, einzelne Flächenmuster mit zusätzlichen belichteten Flächen zu versehen, so kann
mit Vorteil eine Abdeckmaske vorgesehen sein, die einen Teil der Löcher abdeckt. Alternativ dazu ist es
möglich, unter Teilen der Lochmaske elektrostatische Ablenkelemente anzuordnen, bei deren Erregung Teile
der die Maske durchsetzenden Strahlen zur Abbildung nicht beitragen.
In den F i g. 1 bis 4 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Es zeigt
F i g. 1 ein elektronenoptisches Verkleinerungsgerät zur gleichzeitigen Erzeugung von Flächenmustern mit
untereinander gleichen Flächenelementen,
Fig.3 die sich auf dem Präparat ergebenden Flächenmuster,
Γ i g. 4 eine weitere Ausführungsform der Maske im Schnitt
Das in F i g. 1 gezeigte elektronenoptische Verkleinerungsgerät 1 dient der gleichzeitigen Herstellung von
untereinander gleichen Teilen integrierter Schaltungen. £s weist eine Elektronenquelle 2, einen Kondensor 3,
eine magnetische Feldlinse 4 und eine Verkleinerungs-Hnse
5 auf. In der Mitte der Feldlinse 4 befindet sich eine Maske 6, die gleichmäßig bestrahlt ist (vgl. den s
eingezeichneten Strahlengang 7) und der?n elektronenoptisches Bild in der Bildebene 9 des Gerätes 1
abgebildet ist Am Ort der Eintrittspupille 10 der Verkleinerungslinse 5 befinden sich elektrostatische
Ablenkplattetipaare U, 11', die eine Auslenkung des in
der Bildebene 9 vorliegenden, verkleinerten elektronenoptischen Bildes der Maske 6 in zwei zueinander
senkrechten Richtungen ermöglichen. In der Figur ist ferner ein Elektronenmikroskop 12 dargestellt, das dem
Verkleinerungsgerät 1 nachgeordnet ist und das zur Positionierung und Scharfstellung des elektronenoptischen
Bildes in der Ebene 9 dient Das Elektronenmikroskop 12 weist eine Objektivlinse 13, eine Projektivlinse
14 und einen Leuchtschirm 15 auf. Es Jient der Kontrolle der Abbildung der Maske 6 in die Ebene 9. Zu
diesem Zweck bildet es die Ebene 9 vergrößert auf dem Leuchtschirm 15 ab.
In der Ebene 9 des Verkleinerungsgerätes 1 ist ein Präparat 8 angeordnet, das mit einer elektronenempfindlichen
Schicht, z. B. Fotoresist-Lack, bedeckt ist Zur
Bestrahlung des Präparates 8 in Form eines Flächenmusters mit untereinander gleichen Flächenelementen
besitzt die Maske 6 z. B. die in F i g. 2 wiedergegebene Gestalt Die Maske 6 ist als elektronenundurchlässige,
z. B. metallische Platte 16 ausgebildet die Löcher 17 zum Durchtritt von Elektronen aufweist Je sechs dieser
Löcher sind einem integrierten Schaltkreis zugeordnet
Die die Löcher 17 durchsetzenden Elektronen fallen auf das Präparat 8 und belichten es an den den Löchern
entsprechenden Stellen. In F i g. 3 sind diese Stellen mit A bezeichnet Während der Belichtung des Präparates 8
sind die Ablenkplattenpaare 11, U' derart erregt, daß das elektronenoptische Bild A jedes Loches 17
gleichförmig längs eines Weges W (F i g. 3) ausgelenkt wird; der Weg W ist in eines der Flächenelemente F
eingezeichnet. Die Erregung der Ablenkplattenpaare 11,11' erfolgt dabei mittels andeutungsweise dargestellter
Spannungsquellen 20, 20'. Auf dem Präparat ergibt sich ein Bestrahlungsmuster, das in F i g. 3 dargestellt ist
Es besteht aus vier einander gleichen Teilen /, innerhalb derer wiederum jeweils sechs Flächenelemente F
einander gleich sind. Die Teile / stellen dabei jeweils eine integrierte Schaltung dar; davon tind die
Flächenelemente F Teile der Anschlußelemente der nicht dargestellten Schaltkreise C der integrierten ■><>
Schaltungen /.
Zur Belichtung der Verbindungsbahnen V zwischen den Flächen Fund den Schaltkreisen Cder integrierten
Schaltungen / ist eine in Fig.2 andeutungsweise dargestellte Abdeckmaske 18 vorgesehen, die, Vorzugs- v>
weise mit Hilfe eines von außen bedienbaren, nicht dargestellten Antriebes, über die Maske 6 geschoben
werden kann und die jeweils fünf der sechs den Schaltungen /zugeordneten Löcher abdeckt. Nach dem
Einschieben der Abdeckmaske 18 in den Strahlengang 7 bo
des Gerätes 1 werden die Ablenkplattenpaare 11, W zunächst derart erregt, daß Elektronen, die die frei
bleibenden Löcher durchsetzen, auf einen Anfangspunkt A des Weges W einer der zu belichtenden Flächen V
fallen. Um während der dazu vorgenommenen Änderung der Erregung dieser Ablenkplattenpaare 11, 11'
eine Belichtung des Präparats zu vermeiden, ist ein nach Art eines Belichtungsverschlusses wirkendes magnetisches
Ablenkspuienpaar 19 unterhalb der Kondensorlinse 3 vorgesehen, das beispielsweise über einen Schalter
25 erregt werden kann. Sind nun die Ablenkplattenpaare 11, 11' in der beschriebenen Weise mit einer
konstanten Vorerregung versehen, so wird zusätzlich eine gleichförmige Spannung an diese angelegt und die
erste der zu belichtenden Flächen V gleichmäßig beschrieben, wobei der Schalter 25 geöffnet ist
Anschließend wird der Schalter 25 geschlossen, und die Ablenkplattenpaare 11,11' werden mit einer veränderten,
konstanten Vorspannung derart versehen, daß Elektronen, die nach öffnen des Schalters 25 die frei
bleibenden Löcher durchsetzen, auf die nächste der zu belichtenden Flächen der Verbindungsbahnen V fallen.
Auf diese Weise werden alle zu belichtenden Flächen der Verbindungsbahnen V in der dargestellten Weise
innerhalb einer integrierten Schaltung / nacheinander belichtet
Alternativ zur Ausblendung von jeweils fünf der sechs
Löcher 17 mit der genannten Abdeckmaske 18 ist es möglich, unter Teilen der Lochmaske elektrostatische
Ablenkelemente anzuordnen, bei deren Erregung Teile der die Maske durchsetzenden Strahlen zur Abbildung
nicht beitragen. Eine derartige Maske, die in ihrer Funktion der Maske von F i g. 2 entspricht ist in F i g. 4
wiedergegeben.
F i g. 4 zeigt den Schnitt dieser Maske 6' längs einer Linie, die der in F i g. 2 eingezeichneten Linie IV-IV der
Maske 6 entspricht Die Maske 6' weist ebenso wie diese eine elektronenundurchlässige, z. B. metallische Platte
auf, die mit 16 bezeichnet ist und in der Löcher 17 vorgesehen sind. Auf der der Elektronenquelle abgewandten
Seite besitzt die Maske 6' elektrostatische Ablenkelemente 21, die von der Platte 16 durch eine
Isolierschicht 22 getrennt sind und denen jeweils ein geerdetes Element 26 gegenübersteht Die elektrostatischen
Ablenkelemente 21 sind dabei unterhalb der Löcher 17 angeordnet deren Bilder im Bedarfsfall
ausgeblendet werden sollen. Die Ablenkelemente 21 sind parallel geschaltet und können durch einen Schalter
23 an eine Spannungsquelle 24 angeschlossen oder geerdet werden. Sind die Ablenkelemente 21 geerdet, so
werden alle Löcher 17 auf dem Präparat abgebildet Ist es nun erforderlich, einen Teil der Löcher 17 unwirksam
zu machen, so wird der Schalter 23 in die gezeichnete Stellung gebracht. Zwischen jeweils einem Ablenkelement
21 und dem zugeordneten Element 26 entsteht dann ein elektrisches Feld, das zur Auslenkung der die
zugehörigen Löcher 17 durchsetzenden Elektronen führt.
Nach entsprechender Behandlung, beispielsweise Ablösen der elektronenempfindlichen Schicht an den
belichteten Stellen, lassen sich auf dem Präparat Flächen erzeugen, die sich in ihrer Funktion von den
umgebenden Flächen unterscheiden. Die in F i g. 3 dargestellten Anschlußelemente F der integrierten
Schaltungen / lassen sich beispielsweise durch Galvanisierung oder Bedampfung bilden.
Es ist möglich, die Erfindung bei ionenoptischen Bestranlungsgeräten zu verwenden.
Claims (3)
1. Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparates in Form eines
Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen Flächenelementen, wobei entsprechende Teilbereiche
der Flächenelemente gleichzeitig bestrahlt werden und durch eine Relativbewegung zwischen
den Korpuskularstrahlen und dem Präparat das Flächenmuster erzeugt wird, mit einer integral mit
Korpuskeln bestrahlten Maske, die eine der Anzahl der Flächenelemente entsprechende Zahl von
Löchern aufweist, gekennzeichnet durch eine Korpuskularstrahloptische Linse (5), die die
Maske (6) und das Präparat (8) verkleinert abbildet und durch ein am Ort der Eintrittspupille (10) der
Linse (5) liegendes Ablenksystem (11, 1Γ) mit dem das Bild der Maske (6) auf dem Präparat (8) in zwei
Koordinaten verschiebbar ist
2. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß wenigstens
eine Abdeckmaske (18) einführbar ist, die einen Teil der Löcher (17) abdeckt
3. Korpuskularstrahloptisches Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß unter den
Löchern (17) der Maske (6') elektrostatische Ablenkelemente (21) angeordnet sind, bei deren
Erregung die diese Löcher (17) durchsetzenden Strahlen zur Abbildung nicht beiti agen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742460715 DE2460715C3 (de) | 1974-12-19 | 1974-12-19 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparats in Form eines Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen Flächenelementen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742460715 DE2460715C3 (de) | 1974-12-19 | 1974-12-19 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparats in Form eines Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen Flächenelementen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2460715A1 DE2460715A1 (de) | 1976-06-24 |
DE2460715B2 DE2460715B2 (de) | 1979-02-15 |
DE2460715C3 true DE2460715C3 (de) | 1979-10-31 |
Family
ID=5934155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742460715 Expired DE2460715C3 (de) | 1974-12-19 | 1974-12-19 | Korpuskularstrahloptisches Gerät zur Korpuskelbestrahlung eines Präparats in Form eines Flächenmusters mit mehreren untereinander gleichen Flächenelementen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2460715C3 (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE403440B (sv) * | 1977-01-05 | 1978-08-21 | Svenska Flaektfabriken Ab | Anordning for inspenning av ett kassettfilter i ett filterhus |
JP3299632B2 (ja) * | 1994-06-24 | 2002-07-08 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画装置 |
US6093246A (en) * | 1995-09-08 | 2000-07-25 | Sandia Corporation | Photonic crystal devices formed by a charged-particle beam |
US7244369B2 (en) | 1997-07-05 | 2007-07-17 | Deutsche Telekom Ag | Method for producing active or passive components on a polymer basis for integrated optical devices |
-
1974
- 1974-12-19 DE DE19742460715 patent/DE2460715C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2460715B2 (de) | 1979-02-15 |
DE2460715A1 (de) | 1976-06-24 |
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