DE2832582A1 - Elektronenlinsenanordnung fuer grossflaechige elektronenstrahl-abtastung - Google Patents
Elektronenlinsenanordnung fuer grossflaechige elektronenstrahl-abtastungInfo
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Description
Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho
No. 2-3, 3-chome, Marunouchi
Chiyoda-ku, Tokyo, JAPAN L 11.296/Fl/ost
ELEKTRGNENLINSENANORDNUNG FÜR GRQSSFLÄCHIGE ELEKTRONENSTRAHL.
ABTASTUNG
Die Erfindung bezieht sich auf eine Elektronenlinsenanordnung mit den Merkmalen des Oberbegriffes des Anspruches 1,
die zum Einsatz bei Elektronenstrahl-Belichtungsgeräten für die Mikroherstellung, mit Elektronenstrahlen arbeitenden
Vorrichtungen, Elektronenstrahl-Bildgeneratoren oder Schreibsystemen und dergleichen geeignet sind.
Wie in Fig. 1 in einer vertikalen Querschnittsansicht einer bekannten Elektronenlinse gezeigt, umfaßt eine bekannte
Elektronenlinse ein zylindrisches Joch 2, das eine Erregerspule 1 trägt und mit einem einzigen Elektronenstrahlengang
5 versehen ist, der sich senkrecht zu gegenüberliegenden Magnetpolflächen 3 und 4 und koaxial zum Joch 2 erstreckt
Wenn ein beschleunigter Elektronenstrahl 6 den Elektronenstrahlengang 5 durchläuft, wirkt ein Magnetfeld, das zwi- !
j sehen den oberen und unteren Magnetpolflächen 3 und 4 erzeugt
wird, auf diesen, um ihn zu bündeln bzw. an einem gewünschten
Punkt zu fokussieren.
Fig. 2 zeigt ein schematisches Blockschaltbild der bekannten
Elektronenlinsenanordnung nach dem Vorbild gemäß Fig. 1 im Einsatz bei einem Elektronenstrahl-Belichtungsgerät für
das der Mikrofabrikation dienende Bestrahlen eines LSI
(Large scale integrated circuit = großer integrierter Schalt-
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Di|>l -Ing Htiiru Leüa^-i Dipl liicj uit.; Hjgul f\iti-i.i ι, -..-.ni,- ,. .- Mi.iichuii bi ι
<-y.· -.,.i-.u.-v ■ M
Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho
kreis); eine derartige bekannte Elektronenlinsenanordnung wird dabei als Kondensorlinse 7 und Objektiv 8 in einem
Elektronenstrahl-Belichtungsgerät betrieben, um ein LSI-BiId auf der Oberfläche eines Musters 9, beispielsweise
eines Silizium-Plättchens (silicon wafer), zu belichten.
Bei Auslenkung des Elektronenstrahl über eine weite Fläche des Musters 9 hinweg, ohne dieses zu bewegen, wird der
erforderliche Ablenkwinkel des Elektronenstrahls 6 oder die
Entfernung zwischen Objektiv 8 und Muster 9 entsprechend groB.
Normalerweise werden jedoch durch Vergrößern des Ablenkwinkels eines Elektronenstrahl Ablenkfehler verstärkt bzw.
vermehrt, wodurch ein verschwommenes oder verzerrtes Bild entsteht, was durch die im folgenden aufgeführten Gleichungen
ausgedrückt wird:
Angenommen ein Ablenkblech (deflector) 10 wird in einem idealen, gleichmäßigen, parallel ausgerichteten Magnetfeld
angeordnet, dan werden die Ablenkfehler Δ χ.. und £. y* wie
folgt ausgedrückt:
Δ χ = -A»2x + Βα2χ·
= -Da + Ea ν' +
wobei oC * Ablenkwinkel, A bis G = Funktionen der Weiten
der Ablenkblech-Magnetfeider und die Abstände zwischen den
Mustern 9 und den Ablenkblech-Magnetf elderm χ und y- =
° S J 8
Abszisse und Ordinate vor Einfall des Elektronenstrahls in die Ablenkblech-Magnetf eider und x1 und y1 = Neigungen
S 5
(Inklinationen) des E-lektronenstrahls 6 in bezug auf die
optische Achse (Z-Achse).
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Di|'l -"lug iWnii 1 «·.,' L.;.i .:... ■ ->. I uuji.i. : .. i.- u,. :i . ; l.i.:i:au:u t>i --Muiu. :..-i-· t ΐ
Kabushiki Kaisha Akashi Seisakushn
Weiterhin WBrden χ , y . xJ und y' wie folgt ausgedrückt:
-
χ = r cos TC χ ' _ β - Ιλ>
cos A,
ys = 2 sin X y's = -(j sin X
wobei r = Radiusvektor, "X = Neigung und CJ = öffnungswinkel
des Elektronenstrahls 6.
Wie aus vorstehender Gleichung hervorgeht, sollten die Ablenkwinkel <?C und die Neigung des Elektronenstrahls B in
bezug auf die optische Achse oder den öffnungswinkel to desselben
begrenzt werden, um die Ablenkfehler ^u x.. und
άΛ y-i innerhalb bestimmter Grenzen zu halten. Ohne diese
Begrenzung entsteht ein verschwommenes oder verzerrtes Bild.
Um die Entfernung zwischen Objektiv 8 und Muster 9 zu verlängern,
sollte die Brennweite des Objektivs 6 vergrößert werden. Die Vergrößerung der Brennweite erhöht jedoch einen
Koeffizienten von Öffnungsfehlern, wie z.B. sphärische Abweichungen,
wodurch es schwierig wird, den Elektronenstrahl E wie gewünscht zu konzentrieren bzw. zu fokussieren.
Aus diesem Grunde wurde bei der Herstellung von Elektronenstrahl-Belichtungsgeräten für LSI-Bilder mit bekannten
Elektronenlinsen 7 und S (Fig. 2) die Abtastfläche des
Elektronenstrahls 6 oder die Bildbreite bis auf ein MaB
verringert, das frei ist vom Einfluß von Ablenk- und öffnungj
fehlem. Gleichzeitig wurde das Muster 9 wiederholt vor und
zurückverschoben, und zwar durch Einsatz eines Laser-Positionsdetektors 1, eines Impulsmotors 12 und dergleichen,
so daß das gesamte LSI-BiId auf dem Muster 9 belichtet wird.
Zus-ätzlich dazu umfaßt das Objektiv 8 einen Stigmator 13,
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Di|-|-liiij Hem.: U',,.i I1I[I I:.: · ;:.. H..j.-I ■-■■■>
.,-..-.<.-■ n ■- Ι.-.:·ι. ii... t i
-B-
,XCUUOM.L.NX ,NCLCiia ^r-ccix oBxoarvuoiiu,
um die Genauigkeit der Bildbelichtung zu erhöhen·
In Fig. 2 wird mit der Bezugsziffer 14 eine Elektronenkanone
bezeichnet, die den Elektronenstrahl B erzeugt und mit einer Energiequelle 15 verbunden ist. 16 ist eine Anode, die den
Elektronenstrahl 6 beschleunigt, 17 eine Energiequelle für
die Elektronenlinsen 7 und 8, 18 eine Energiequelle für den Stigmator 13, 19 eine mit der Ablenkblechanordnung 10 verbundene
Energiequelle für die Abtast-Auslenkung des Elektronenstrahls 6. 20 ist ein Sekundär-Elektronenmonitor, 21 ist
eine Anpassungsschaltung (interface), hier mit einem Digital-Analog-Umsetzer, zum Umwandeln von Steuersignalen
von einem Computer 22 in Signale, die für den Positionsdetektor 11 sowie für die Aussteuerung der Energiequelle
für die Elektronenstrahl-Abtaatung 19 und den sekundären
Elektronenmonitor 20 geeignet sind.
Diese Art eines Elektronenstrahl-Belichtungsgerätes für
eine LSI-Bildeinrichtung unter Verwendung bekannter Elektronenlinsen
erfordert ein mühevolles, wiederholtes Verschieben des Musters 9, da dessen Bildbestrahlung (pattern
irradiation) durch einfaches Verschwenken des einzigen Elektronenstrahls 6 erfolgt. Dies resultiert in einer
höheren Belichtungszeit, die wiederum die Wirtschaftlichkeit
des Bildbelichtungsvorgangs stark herabsetzt.
Aufgabe der Erfindung ist es, die vorbeschriebenen Mangel
zu beseitigen und eine Elektronenlinsenanordnung zur Verfugung
zu stellen, mit der sich ein relativ großflächiges Muster bestrahlen läßt, ohne durch Ablenk- und öffnungsfehlei
bzw. -abweichungen beeinträchtigt zu sein.
Man könnte erwägen, die Verschiebefrequenz des Musters 9
zu senken bzw. zu vermindern, und zwar durch gleichzeitige Bestrahlung mit Elektronenstrahlen 6,6' und 6" auf demselben
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Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho
die durch bekannte Elektronenlinsen L, L' und L" (Fig. 1)
erzeugt werden, welche, wie in Fig. 3 gezeigt, parallel angeordnet sind. Wie jedoch aus Fig. 3 hervorgeht, sind die
gleichzeitig abgetasteten Bereiche erheblich voneinander beabstandet, und zwar aufgrund der Größenbegrenzung der
einzelnen Elektronenlinsen L, L' und L". Folglich läßt sich
eine Verschiebung des Plättchens 9 dadurch nicht ausschalpraktisch
ten oder nennenswert vermindern) eine/gleichzeitige Bildbelichtung
über die Gesamtfläche des Musters 9 läßt sich damit nicht erreichen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch den Gegenstand des
Anspruches 1 gelöst.
Dadurch, daß sie in der Lage ist, eine Vielzahl von eng
beabstandeten bestrahlenden Elektronenstrahlen zu erzeugen, kann die erfindungsgemäß ausgebildete Mehrfach-Elektronenlinsenanordnung
gleichzeitig eine Vielzahl von Bildern bzw. Bildabschnitten auf einem Muster belichten, wodurch die
Leistungsfähigkeit ganz erheblich gesteigert wird. Bei vergleichbarer Größe erübrigt sich die umständliche
Verschiebung des abzutastenden Bildes bzw. der zu bestrahle]! den Fläche eines Musters.
In bevorzugter Ausführung der Erfindung ist ein Stigmator für jeden der Elektronenstrahlengänge vorgesehen. Aufgrund
dieses individuellen Stigmators kann Astigmatismus jedes Bestrahlungs-Elektronenstrahls unabhängig präzise korrigiert
werden.
Vorzugsweise ist weiterhin eine Hi Ifs-Erregerspule für
jeden der Elektronenstrahlengänge vorgesehen, wodurch jeder Elektronenstrahl der Mehrfach-Elektronenlinsenanordnung
gemäß vorliegender Erfindung unabhängig und genau fokussiert werden kann.
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Di[.( iiKj Hkici/ u;,;r Li]-I Ii ■■; ■■■■{ f IuQkI I' i!<Mit;u:/. !.lc
-8-Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho
Insbesondere können eine Hi Ifs-Erregerspule und ein Stigmator
für jeden der Elektronenstrahlengange vorgesehen sein,
wodurch im Rahmen der Mehrfach-Elektronenlinsenanordnung
eine unabhängige und genaue Fokussierung und Astigmatismus-Korrektur im Hinblick auf jeden einzelnen bestrahlenden
Elektronenstrahl erreichbar ist, so daß man ein besonders gutes Bild erhält.
Die Erfindung wird anhand mehrerer, in den Zeichnungen dargestellter Ausführungsbeispiele nachstehend näher
erläutert.
Es zeigen: -
Fig. 1 bis 3 vorstehend bereits abgehandelte Darstellungen zur Erläuterung des Standes der Technik bzw,
der der Erfindung zugrundeliegenden Problematik
Fig. 4
Fig. 5
Fig. 6
eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispieles mit einer die Merkmale der Erfindung
aufweisenden Linsenanordnung, wobei dessen Hauptteil aufgeschnitten dargestellt istj
einen skizzenhaften senkrechten Querschnitt durch das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4j
eine Draufsicht auf ein Musterj
Fig. 7 bis 9 senkrechte Ouerschnittsansichten weiterer Ausführungsbeispiele der Erfindung.
Wie in den Fig. 4 und 5 gezeigt, ist ein säulenförmiger
oberer Vorsprung 32 vorgesehen, der sich von der oberen Wandung eines hohlen, zylindrischen Jochs 31 aus reinem
Eisen zu dessen Innenseite erstreckt, und ein unterer Vorsprung 33 mit einer Magnetpolflache 33a, die einer
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Magnetpolfläche 32a das oberen Vorsprung 32 gegenüberliegt,
welcher Vorsprung 33 sich von der unteren Wandung des Jochs 31 zu dessen Innenseite erstreckt.
Eine Haupt-Erregerspule 34 ist um die Vorsprünge 32 und
herumgewunden, wobei beide Enden der Haupt-Erregerspule mit einer nicht gezeigten Gleichstrom-Energiequelle verbunden
sind.
Es wird daher in einem Raum 35 zwischen Magnetpolfläche 32a
des oberen Vorsprungs 32 und der Magnetpolfläche 33a dBS
unteren Vorsprungs 33 ein Magnetfeld erzeugt, indem Strom durch die Haupt-Erregerspule 34 fließt.
Der obere Vorsprung 32 ist von drei Elektronenstrahlengängen
36 bis 38 durchbrochen» deruntere Vorsprung 33 weist ebenfalls drei als Elektronenstrahlengänge 36' bis 38'
dienende Durchbrechungen auf, welche fluchtend angeordnet sind, so daß die oberen öffnungen 36'b bis 38'b der Gänge
36' bis 38' den unteren öffnungen 36a bis 38a der Gänge
36 bis 38 gegenüberliegen. Die Elektronenstrahlengänge 36 bis 38 und 36' bis 38' verlaufen senkrecht zur Spulenachse
bzw. zu den Magnetpolflächen 32a und 33a der Vorsprünge und 33 und durchbrechen diese.
Wie in Fig. 4 veranschaulicht, ist eine Anode 39 mit drei öffnungen 39a, die fluchtend zu den oberen Öffnungen 36b bis
38b der Elektronenstrahlengänge 36 bis 38 angeordnet sind, am Joch 31 festgelegt, und eine Elektronenkanone 40, die
als Elektronenstrahlquelle arbeitet, ist gegenüber jeder Ano-denöffnung 39a angeordnet.
Gemäß diesem Ausführungsbeispiel werden als Elektronenstrahlenquelle so viele Elektronenkanonen wie Elektronenstrahlengänge
eingesetzt. Es ist auch möglich, einen
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ΠιρΙ iny Heinz I f ,s.-i [<i(-i ti.; --·.;. Hnyel t'.A^i Λ.ι... .ti ■ .. - i.h..,.n>ii. : : ·,...■. i...^. -I
Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho £U>*£nIO*.
ElektronenstrahlenfIuB, der von einer großen gemeinsamen
Elektronenquelle erzeugt wird, die eine Scheibe aus Oxyd, usw. aufweist, durch ein vielfach perforiertes Teil in eine
Vielzahl von Elektronenstrahlen zu teilen oder einen einzelnen Elektronenstrahl in eine Vielzahl von bestrahlenden
Elektronenstrahlen, nach dessen Divergieren durch eine geeignete Elektronenlinse zu teilen.
Unter dem Joch 31 sind drei Ablenkbleche 41 angeordnet,
und zwar fluchtend zu unteren öffnungen 36'a bis 38'a der
Elektronenstrahlengänge 36' bis 3B', so daß die drei Bestrahlungs-Elektronenstrahlen,
die durch die Elektronenstrahlengänge 3B bis 38 und 36' bis 38' hindurch verlaufen
sind, zwischen die Ablenkbleche gelangen und dadurch die gewünschten Bilder auf ein Musterstück 42 zeichnen oder
allgemein die zu bestrahlenden Flächen zu überstreichen in der Lage sind.
Die Aussteuerung des Feldes zwischen den Ablenkblechen 41 und damit die Ablenkung der Strahlen wird durch einen
Computer bestimmt, der dafür über eine nicht dargestellte Signalumsetzungsschaltung mit einer aussteuerbaren Energiequelle
für das Elektronenstrahlen-Abtasten verbunden ist.
Wie aus Fig. 4 und 5 ersichtlich, sind jeweils drei Stigmatoren 43 und Hilfs-Erregerspulen 44 im Raum 35 vorgesehen,
und zwar paarweise, erstere über den letzteren und fluchtend zu'den drei Elektronenstrahlengängen 36 bis 38 und 36' bis
38', wodurch Astigmatismus und Fokus jedes bestrahlenden Elektronenstrahl individuell eingestellt werden können.
Die Stigmatoren 43 und Hilfs-Erregerspulen 44 sind mit
jeweiligen,nicht gezeigten Energiequellen verbunden.
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L i|-l i'l j Inn,.· ii. ■ : ., ι ·. ·:. I iü-jüi ι
Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho
Es ist auch möglich, nur entweder die Hilfs-Erregerspulen
44 oder die Stigmatoren 43 jeweils fluchtend zu den Elektronenstrahlengängen 36 bis 38 und 36' bis 38' vorzusehen
.
Natürlich kann auch eine Vielzahl von Bildern ohne das Vorsehen von Stigmatoren 43 und Hilfs-Erregerspulen 44
belichtet werden.
Wenn die derart ausgebildete Mehrfach-Elektronenlinse dafür
eingesetzt wird, unmittelbar LSI-Bilder auf die Muster 42
aus z.B. Siliziumplättchen zu belichten, die mit photoresistentem
Material od.dgl. beschichtet sind, senden die Elektronenkanonen 40 zuerst bestrahlende Elektronenstrahlen
aus, wie in Fig. 4 gezeigt.
Nachdem sie durch die Anode 39 beschleunigt wurden, verlaufen die Elektronenstrahlen durch die entsprechenden
EIektron8nstrahlengänge 36 bis 38 im oberen Vorsprung 32,und
deren Astigmatismus wird durch die Stigmatoren 43 korrigiert, die im Raum 35 angeordnet sind. Daraufhin wirken die Haupt-Erregerspule
34 und die Hilfs-Erregerspulen 44 auf die Strahlen ein, um sie präzise zu fokussieren.
Die Elektronenstrahlen verlaufen durch die entsprechenden Elektronenstrahlengange 36' bis 38' im unteren Vorsprung
und werden durch die Ablenkbleche 41 zur Abtastung ausgesteuert, um die gewünschten Bilder 42 a auf die Muster 42
zu schreiben bzw. zu reproduzieren.
Die drei bestrahlenden Elektronenstrahlen können gleichzeitig
drei gewünschte Bilder 42a auf die Oberfläche des Musters 42 reproduzieren.
Die Abtastfläche des Elektronenstrahls und die Abbildungsbreite
innerhalb „solcher Grenzen, vorgesehen... die _fr.Bi._aind
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Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho
vom Einfluß von Ablenk- und öffnungsfehlernj üblicherweise
die Abtastfläche bei ungefähr 2mm auf 2mm und die Abbildungabreite bei ungefähr 1 /um.
Wenn das Muster 42 z.B. eine Scheibe von etwa 10cm Durchmesser
(Fig. 6) ist, dann ist es möglich, nicht weniger als 21 Elektronenstrahlengänge in den Vorsprüngen 32 und 33 an
zuordnen, da es nicht erforderlich ist diese mehr als 2cm voneinander beabstandet vorzusehen, sogar, wenn man den
Raum in Betracht zieht, um die Stigmatoren 43 und die Hilfs-Erragerspulen
44 (Fig. 4 und 5) unterzubringen.
Dies·gestattet eine gleichzeitige Bildbelichtung bei 21
Blöcken, was natürlich eine viel größere Leistungsfähigkeit
während des Betriebs mitsichbringt, als im Zusammenhang mit
einem einzigen Elektronenstrahl.
Wenn die Vielzahl von Bildern belichtet ist, wird bei
diesem Beispiel das Muster 42 in geeigneter Weise durch einen nicht gezeigten Impulsmotor bewegt, wobei dessen
Position mit einem Laser-Positionsdetektor od.dgl. ausfindig gemacht wird. Daraufhin werden die Bilder darauf belichtet,
wobei dem gleichen Verfahren gefolgt wird.
Indem das gleiche Verfahren wiederholt wird, werden die
Bilder in wirtschaftlicher Weise und rasch über der Gesamtfläche
des Musters 42 belichtet.
Die Fig. 7 bis 9 zeigen weitere Mehrfach-Elektronenlinsen, die das Prinzip der Erfindung verkörpern. In den Fig. 7 bis
9 bezeichnen ähnliche Bezugsziffern ähnliche Teile wie in der
Fig. 4 und 5. Alle diese Ausführungsbeispiele sind mit zwei
Elektronenstrahlengängen versehen.
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-13-Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho Ä
Eine Mehrfach-Elektronenlinsenanordnung gemäß Fig. 7 weist
eine Haupt-Erregerspule 34' auf, die um nur eine Seite des
Jochs 31 herumgawunden ist. Die Haupt-Erregerspule der
Mehrfach-Elektronenlinsenanordnung nach Fig, 8 besteht aus
koaxialen, zusammengesetzten Spulen 34" und 34"'.
Die Mehrfach-Elektronenlinse nach Fig. 9 west zwei Elektronenstrahlangänge
36 und 37 auf, die nur im oberen Vorsprung 32 des Joches 31 mit Löchern versehen sind.
Die in den Fig. 7 bis 9 veranschaulichten Mehrfach-Elaktronanlinsen
zeigen im wesentlichen die gleichen Arbeitsweisen und Ergebnisse, wie das in den Fig. 4 bis 6
gezeigte Ausführungsbeispiel.
Das Magnetfeld im Raum 35 kann entweder durch Verwendung eines E-lektromagneten oder eines Dauermagneten erzeugt
werden.
Wie vorstehend erläutert, weist die Mehrfach-Elektronen-Unse
gemäß der Erfindung eine Vielzahl von Elektronenstrahlengängen
in wenigstens einer der einander gegenüberliegenden MagnetpolfJächen auf, so daß eine Vielzahl von
bestrahlenden Elektronenstrahlen erzeugt werden. Diese Anordnung gestattet die Belichtung einer Vielzahl von Bilderr
gleichzeitig auf der Oberfläche eines einzigen Musters, Wenn angenommen wird, daß die Anzahl der Elektronenstrahlengänge
"n" ist, wird daher die Belichtungszeit von derjenigen, die durch die bekannte Elektronenlinse gemäß Fig. 1 erfordert
wird, auf - reduziert. Das Ergebnis ist somit eine einschneidende
Reduzierung der Belichtungszeit und bemerkenswerte Verbesserung der Leistungsfähigkeit.
Weiterhin gestattet die Zurverfügungstellung einer Hi Ifs-Erragerspule für
.jeden der Elektronanstrahlengänge, daß die
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Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho
Mehrfach-Elektronenlinsenanordnung sine geeignete Fokussierungskorrektur
im Hinblick auf jeden einzelnen bestrahlenden Elektronenstrahl durchführt. Folglich werden genaue Bilder
auf dem Muster erzeugt bzw. reproduziert.
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Leerseite
Claims (5)
- Dipl-Ing Hein? I p'w nipl" 'nt; O'!i Hnjot Patentfc.v.ille Π β München 81 CnsiniastiaPp R1Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho No. 2-3, 3-chome, Marunouchi,Chiyoda-ku, Tokyo, JAPAN L 11.296/Fl/ostPATENTANSPRÜCHE\iy Elektronenlinsenanordnung, insbesondere für den Einsatz bei Elektronenstrahlbelichtungsgeräten, mit einer magnetischen Hauptfokussiereinrichtung und einer Ablenk-Abtast-Steuereinrichtung zur Bündelung und Führung von wenigstens einer Elektronenstrahlquelle ausgesandten Elektronen, dadurch gekennzeichnet, daß innerhalb des magnetischen Feldes ein und derselben Fokussiereinrichtung mehrere Elektronenstrahlen entsprechend viele Elektronenstrahlgange (36, 37, 38j 36', 37') durchlaufend geführt sind, welche Gänge wenigstens eine magnetische Polfläche (32a, 33a) durchgreifen.
- 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß jedem Elektronenstrahl eine eigene Ablenk-Abtasteinrichtung (41) zugeordnet ist.
- 3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß für jeden der Elektronenstrahlgange (36, 37, 38| 37',38') ein Stigmator (43) vorgesehen ist.
- 4. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für jeden der Elektronenstrahlengänge (36, 37, 38i 36', 37') eine Hi Ifs-Erregerspulß (44) vorgesehen ist.80988S/1Q32 ORIGINALD-[I if. i IUl:..' : >- ...·.. . ;i ■Kabushiki Kaisha Akashi Seisakusho i Q J £ O Q
- 5. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektronenstrahlen durch Teilung der Strahlung einer gemeinsamen Elektronenstrahlquelle gewonnen sind.809885/1632
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