-
Die Erfindung betrifft eine teilchenoptische Vorrichtung,
die aufweist: eine Teilchenquelle zur Erzeugung eines Strahls elektrisch
geladener Teilchen, die sich längs
einer optischen Achse der Vorrichtung bewegen, um einen Gegenstand
zu bestrahlen, der in der Vorrichtung mittels des Teilchenstrahls
bestrahlt werden soll, eine Fokussierlinse zur Fokussierung des
Strahls elektrisch geladener Teilchen, und eine Korrekturvorrichtung
zur Korrektur von Linsenfehlern der Fokussierlinse, wobei die Korrekturvorrichtung
eine Korrektureinheit aufweist, die mit mindestens zwei Hexapolen
versehen ist, wozwischen ein erstes Abbildungsübertragungssystem angeordnet
ist, um einen Hexapol auf den anderen Hexapol abzubilden, und wobei
die Korrekturvorrichtung außerdem
ein zweites Übertragungssystem
zur Abbildung einer komafreien Ebene der Fokussierlinse auf den
Eingang der Korrektureinheit aufweist.
-
Die Erfindung betrifft außerdem eine
Korrekturvorrichtung zur Verwendung in einer solchen Vorrichtung.
-
Eine Korrekturvorrichtung dieser
Art zur Verwendung in einer solchen Vorrichtung ist aus dem US-Patent
Nr. 5,084,622 bekannt.
-
Allgemein sind teilchenoptische Vorrichtungen,
wie Elektronenmikroskope oder Elektronenlithographie-Vorrichtungen
dazu bestimmt, einen Gegenstand zu bestrahlen, der mittels eines
Strahls elektrisch geladener Teilchen (meist einem Elektronenstrahl)
untersucht oder behandelt werden soll, der mittels einer Teilchenquelle,
wie einer thermischen Elektronen quelle oder einer Elektronenquelle
des Feldemissionstyps, erzeugt wird. Die Bestrahlung des Gegenstands
kann auf die Abbildung der Gegenstände, die in solchen Vorrichtungen
untersucht werden (Proben in Elektronenmikroskopen) oder auf die Bildung
sehr kleiner Strukturen auf dem Gegenstand abzielen, zum Beispiel
für die
Mikroelektronik (Elektronenlithographievorrichtungen). In beiden
Fällen sind
Fokussierlinsen erforderlich, um den Elektronenstrahl zu fokussieren.
-
Der Elektronenstrahl kann im Prinzip
auf zwei Arten fokussiert werden. Gemäß dem ersten Verfahren wird
eine zu untersuchende Probe mehr oder weniger gleichmäßig durch
den Elektronenstrahl bestrahlt und es wird ein vergrößertes Bild
der Probe mittels der Fokussierlinse gebildet. Die Fokussierlinse
ist in diesem Fall die Objektivlinse eines Abbildungslinsensystems;
die Auflösung
der Objektivlinse entscheidet dann die Auflösung der Vorrichtung. Vorrichtungen
dieser Art sind als Transmissions-Elektronenmikroskope (TEM) bekannt.
Gemäß einem
zweiten Fokussierverfahren wird die emittierende Oberfläche der
Elektronenquelle oder ein Teil derselben meist in einem stark verkleinerten
Maßstab
(im Rasterelektronenmikroskop oder REM oder im Rastertransmissionselektronenmikroskop
oder RTEM) auf die zu untersuchende Probe oder (in der Lithographievorrichtung)
auf einen Gegenstand abgebildet, auf dem die relevante Mikrostruktur
bereitgestellt werden soll. Das Bild der Elektronenquelle (der „Punkt", der über den
Gegenstand mittels zum Beispiel Ablenkungsspulen verschoben wird)
wird wiederum mittels eines Abbildungslinsensystems gebildet. Im
letztgenannten Fall wird die Fokussierlinse durch die Objektivlinse
des punktbildenden Linsensystems gebildet; die Auflösung dieser
Objektivlinse entscheidet die Punktgröße des Strahls und folglich die
Auflösung
der Vorrichtung.
-
Die Linsen, die in allen Vorrichtungen
dieser Art verwendet werden, sind meist magnetische Linsen, können jedoch
auch elektrostatische Linsen sein. Beide Arten von Linsen sind praktisch
immer rotationssymmetrische Linsen. Solche Linsen weisen unvermeidlich
ein nicht ideales Verhalten auf, d. h. sie weisen Linsenfehler auf,
unter denen die sogenannte sphärische
Aberration und die chromatische Aberration meist bezüglich der
Auflösung
der Linse entscheidend sind; diese Linsenfehler bestimmen folglich
die Grenze der Auflösung
der bekannten elektronenoptischen Vorrichtungen. Gemäß einem Theorem
der Teilchenoptik können
solche Linsenfehler nicht durch eine Kompensation mittels rotationssymmetrischer
elektrischer oder magnetischer Felder beseitigt werden.
-
Um nichtsdestoweniger die Auflösung der teilchenoptischen
Vorrichtung zu verbessern, ist es aus dem zitierten US-Patent Nr.
5,084,622 bekannt, die Linsenfehler mittels einer Korrekturvorrichtung
zu reduzieren, die eine Struktur aufweist, die nicht rotationssymmetrisch
ist. In einer solchen Struktur wird eine komafreie Ebene der Fokussierlinse,
die korrigiert werden soll, auf den Eingang der Korrektureinheit
mittels eines Übertragungslinsensystem
abgebildet, das aus rotationssymmetrischen Linsen besteht. Diese
Korrektureinheit wird durch zwei Hexapole gebildet, wozwischen ein
Abbildungsübertragungslinsensystem
angeordnet ist, das aus rotationssymmetrischen Linsen besteht und
dazu dient, einen Hexapol auf den anderen abzubilden. Der Eingang
der Korrektureinheit wird dann in die Richtung der einfallenden
Elektronen gesehen durch das Zentrum des ersten Hexapols gebildet.
-
Eine Anordnung dieser Art muß strenge
Anforderungen hinsichtlich der Herstellungstoleranzen, der mechanischen
Stabilität
(unter anderem in Hinblick auf eine thermische Drift) und der Ausrichtung der
verschiedenen Elemente relativ zuein ander erfüllen. Daher ist es das Ziel,
die Anzahl getrennter Bauteile zu minimieren, so daß die Anforderungen
hinsichtlich der Herstellungstoleranzen, der mechanischen Stabilität und der
Ausrichtung so leicht wie möglich
erfüllt
werden können.
-
Es ist eine Aufgabe der Erfindung,
eine Korrekturvorrichtung zur Korrektur von Linsenfehlern bereitzustellen,
deren Aufbau einfacher als der der bekannten Korrekturvorrichtung
ist. Zu diesem Zweck ist die erfindungsgemäße teilchenoptische Vorrichtung
dadurch gekennzeichnet, daß das
erste Übertragungssystem
aus mindestens vier Quadrupolen besteht, die im wesentlichen gleiche
Quadrupolstärken
aufweisen, wobei die Quadrupolwirkungen benachbarter Quadrupole
jeweils senkrecht zueinander gerichtet sind.
-
Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis
der Tatsache, daß die
strengen Anforderungen, die bezüglich
der Auflösung
einer solchen Korrekturvorrichtung gestellt werden, mittels eines Übertragungssystems
erfüllt
werden können,
das in der Form von vier Quadrupolen aufgebaut ist, anstelle eines Übertragungslinsensystems,
das als ein Zweilinser aus runden Linsen aufgebaut ist. Unter Verwendung
einer solchen Anordnung kann die sphärische Aberration des Objektivs
in einem hohen Maß korrigiert
werden. Diese Schritte zu unternehmen, bietet eine Reihe von Vorteilen.
Zuallererst sind im Gegensatz zu rotationssymmetrischen Linsen die
Bilder, die durch ein Abbildungsquadrupolsystem gebildet werden,
relativ zum abgebildeten Gegenstand rotationsfrei. Dies erleichtert
die Einstellung und Ausrichtung des gesamten optischen Systems der
teilchenoptischen Vorrichtung. Zweitens sind Quadrupole sogenannte
starke Linsen, was bedeutet, daß für eine gegebene
Brennweite im Vergleich mit entsprechenden rotationssymmetrischen
(runden) Linsen ein sehr viel kleinerer Erregungsstrom erforderlich
ist. Dies bietet den Vorteil, daß die Kühlung solcher Quadru pole sehr
viel leichter als die von runden Linsen ist, und daß eine thermische
Drift einer teilchenoptischen Vorrichtung, die sich nicht in einem
thermischen Gleichgewichtszustand befindet, stark reduziert wird.
-
In einer bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung besteht das zweite Übertragungssystem aus mindestens
vier Quadrupolen, die eine im wesentlichen gleiche Quadrupolstärke aufweisen,
wobei die Quadrupolwirkungen benachbarter Quadrupole jeweils senkrecht
zueinander gerichtet sind. Die Quadrupole im zweiten Übertragungssystem
ergeben dann dieselben Vorteile wie die Quadrupole in der Korrektureinheit.
-
In einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung sind die beiden Hexapole der Korrektureinheit im wesentlichen
identisch. Dies führt
zu einem hohen Maß an
Symmetrie der Korrektureinheit, so daß die Korrektureinheit für ein REM
(in dem sich die Elektronen durch die Korrektureinheit zu der Linse
bewegen, die korrigiert werden soll) als auch für ein TEM besonders geeignet
ist (in dem sich die Elektronen durch die Linse, die korrigiert
werden soll, zur Korrektureinheit bewegen).
-
In einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung, ist jeder der beiden Hexapole als ein Hexapol-Zweilinser
aufgebaut. Eine axiale Verschiebung der Zentren der Hexapole kann
folglich ohne eine physikalische Verschiebung dieser Elemente realisiert
werden; die macht es leichter, die Anforderungen zu erfüllen, die
hinsichtlich der mechanischen Präzision
und Ausrichtung gestellt werden.
-
In einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung sind die zentralen Quadrupole des ersten Übertragungssystems
als eine Multipoleinheit aufgebaut, die mindestens acht physikalische
Pole aufweist, von denen mindestens vier in einer gegenseitig unabhängigen Weise
auf ein elektrisches Potential eingestellt werden können. Wenn
die elektrischen Spannungen an den Polen geeignet gewählt werden,
wird ein elektrisches Quadrupolfeld gebildet; ein zusätzliches
magnetisches Quadrupolfeld wird ebenfalls erzeugt. Diese beiden
Felder, d. h. das elektrische Feld und das zusätzliche magnetische Feld, sind
dem magnetischen Quadrupolfeld überlagert,
das für
die Korrektur des sphärischen
Aberration vorhanden ist. Folglich ist diese Ausführungsform
nicht nur zur Korrektur der sphärischen
Aberration, sondern auch der chromatischen Aberration des Objektivs
der teilchenoptischen Vorrichtung geeignet.
-
In einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung, ist mindestens einer der Quadrupole des ersten und/oder
das zweiten Übertragungssystems und/oder
mindestens einer der Hexapole der Korrektureinheit als eine Multipoleinheit
aufgebaut, die mindestens acht physikalische Pole aufweist, die
in einer gegenseitig unabhängigen
Weise erregt werden können.
Die erwünschten
Quadrupolfelder und Hexapolfelder in dieser Ausführungsform werden durch eine spezifische
Erregung der physikalischen Pole verwirklicht. In dieser Ausführungsform
können
nicht nur die erwünschten
Quadrupol- und Hexapolfelder erzeugt werden, sondern es ist auch
möglich,
eine Vielzahl parasitärer
Symmetrien mit einer Symmetrie höherer
Ordnung zu korrigieren, die als Octupol-, Zehnpol- oder Zwölfpolfelder
auftreten. Überdies
bietet dieser Schritt den Vorteil, daß nur eine physikalische Komponente
hergestellt und vorrätig
gehalten werden muß,
so daß bedeutende
Herstellungs- und organisatorische Vorteile erhalten werden.
-
Die Erfindung wird im folgenden im
Detail unter Bezugnahme auf die Figuren beschrieben, in denen entsprechende
Bezugsziffern entsprechende Elemente bezeichnen. Es zeigen:
-
1 eine
schematische Querschnittansicht einer teilchenoptischen Vorrichtung
in der Form eines Elektronenmikroskops, in dem die Erfindung verwendet
wird;
-
2 eine
bekannte Korrekturvorrichtung zur Korrektur der sphärischen
Aberration in einem Elektronenmikroskop;
-
3 eine
schematische Darstellung der Elemente in einer erfindungsgemäßen Korrekturvorrichtung
zur Korrektur von Linsenfehlern in einem Elektronenmikroskop;
-
4 eine
Ausführungsform
einer Korrekturvorrichtung zur Korrektur der sphärischen und/oder chromatischen
Aberration in einem erfindungsgemäßen Elektronenmikroskop;
-
5 graphisch
den Effekt der Korrektur der sphärischen
Aberration in einem REM.
-
1 zeigt
eine teilchenoptische Vorrichtung in der Form eines Elektronenmikroskops.
Die Vorrichtung weist eine Elektronenquelle 1, ein Strahlausrichtungssystem 3 und
eine Strahlblende 4, eine Kondensorlinse 6, eine
Objektivlinse 8, ein Strahlabtastungssystem 10,
einen Gegenstandsraum 11 einem Probenhalter 13,
eine Beugungslinse 12, eine Zwischenlinse 14,
eine Projektionslinse 16 und einen Elektronendetektor 18 auf.
Die Objektivlinse 8, die Zwischenlinse 14 und
die Projektionslinse 16 bilden zusammen ein Abbildungslinsensystem.
Diese Elemente sind in einem Gehäuse
untergebracht, das mit einer elektrisch Versorgungsleitung 2 für die Elektronenquelle,
einem Sichtfenster 7 und einer Vakuumpumpenvorrichtung 17 versehen
ist. Die Erregerspulen für
die Objektivlinse 8 sind mit einer Steuereinheit 15 versehen,
die dazu bestimmt ist, die Erregung des Abbildungslinsensystems
zu steuern. Das Elektronenmikroskop weist auch eine Aufzeichnungsquelle mit
dem Elektronendetektor 18, eine Bildverarbeitungseinheit 5 und
eine Videoanzeige 9 zur Beobachtung der gebildeten Bilder
auf.
-
2 zeigt
eine Korrekturvorrichtung, wie sie aus dem zitierten US-Patent Nr.
5,084,622 bekannt ist, zur Korrektur der sphärischen Aberration in einem
Elektronenmikroskop. Diese Korrekturvorrichtung weist eine Korrektureinheit 22 auf,
die mit zwei identischen Hexapolen 24 und 26 versehen
ist, wozwischen ein Abbildungsübertragungslinsensystem 28 zur
Abbildung der Hexapole 24 und 26 aufeinander mit
einer Vergrößerung von –1 angeordnet
ist.
-
Es ist zu beachten, daß die in 2 gezeigte Korrekturvorrichtung
und die erfindungsgemäßen Korrekturvorrichtungen
in einem TEM als auch in einem REM oder einem RTEM verwendet werden
können.
Im Falle eines TEM gehen die Elektronen zuerst durch das Objektiv 8 und
anschließend
in die Korrekturvorrichtung; in der Figur bewegen sie sich dann von
links nach rechts. Im Falle eines REM oder eines RTEM gehen die
Elektronen zuerst durch die Korrekturvorrichtung und anschließend durch
das Objektiv 8; in diesem Fall bewegen sie sich von rechts
nach links in der Figur. In 2 wird
wie in der 3, die noch
beschrieben werden soll, angenommen, daß sich die Elektronen von links
nach rechts bewegen.
-
Die Fokussierlinse zur Fokussierung
des Elektronenstrahls ist in diesem Fall das Objektiv 8 eines
TEM, das korrigiert werden soll. Das Objektiv 8 weist eine
komafreie Ebene 32 auf, die durch ein zweites Übertragungslinsensystem 30 auf
die Eingangsebene 34 der Korrektureinheit 22 abgebildet wird.
Das System 30 ist notwendig, da die komafreie Ebene im
magnetischen Feld des Objektivs so angeordnet ist, daß sie nicht
mit der Eingangsebene 34 zusammenfallen könnte, die
mit der zentralen Ebene des Hexapols 24 zusammenfällt. Alle
Linsen der beiden Übertragungslinsensysteme 28 und 30 der
bekannten Korrekturvorrichtung weisen eine Brennweite ft auf.
Die Abstände
zwischen den verschiedenen Komponenten sind wie folgt. Der Abstand
zwischen dem Objektiv und der angrenzenden Linse des Systems 30 ist
ft; der Abstand zwischen den beiden Linsen
des Systems 30 ist 2ft; der Abstand
zwischen der Eingangsebene 34 und der angrenzenden Linse
des Systems 30 ist ft; der Abstand
zwischen der Eingangsebene 34 und der angrenzenden Linse
des Systems 28 ist ft; der Abstand
zwischen den beiden Linsen des Systems 28 ist 2ft; und der Abstand zwischen dem Hexapol 26 und
der angrenzenden Linse des Systems 28 ist ft.
Die Figuren zeigen den Weg zweier Elektronenstrahlen von der Gegenstandsebene 40 durch
das Übertragungslinsensystem 30 und die
Korrektureinheit 22. Ein Strahl 42 breitet sich
von einem Punkt auf der Achse in der Gegenstandsebene aus, wohingegen
der andere Strahl 44 sich von einem Punkt in der Gegenstandsebene
ausbreitet, der nicht auf der Achse angeordnet ist. Die Wege der Strahlen 42 und 44 zeigen
deutlich, daß die
komafreie Ebene 32 durch das System 30 auf den
Eingang der Korrektureinheit 22 abgebildet wird, und daß das Zentrum
des Hexapols 24 durch das System 28 auf das andere
Zentrum des Hexapols 26 abgebildet wird.
-
3 zeigt
eine erfindungsgemäße Korrektureinheit 22.
In dieser Korrektureinheit ist das Übertragungslinsensystem 28 durch
ein System 46 ersetzt worden, das vier identische magnetisch
Quadrupole 48, 50, 52 und 54 aufweist.
In dieser Figur werden die Quadrupole in der x-z-Ebene (oberer Teil der
Figur) als auch in der y-z-Ebene (unterer Teil der Figur) gezeigt,
wie aus den Darstellungen der verschiedenen Linseneffekte abgeleitet
werden kann: ein Quadrupol, der in der x-z-Ebene konvergiert, divergiert in der
y-z Ebene und umgekehrt.
-
Benachbarte Quadrupole im System 46 erstrecken
sich immer senkrecht zueinander, d. h. der Quadrupol 48 erstreckt
sich senkrecht zum Quadrupol 50, der sich selbst senkrecht
zum Quadrupol 52 erstreckt; der letztgenannte Quadrupol
erstreckt sich wiederum senkrecht zum Quadrupol 54. Jeder
Quadrupol im System 46 weist eine Brennweite fQ auf. Der
Abstand zwischen dem ersten Hexapol 24 (d. h. der Eingangsebene 34 der
Korrektureinheit 22) und dem ersten Quadrupol 48 ist
gleich fQ, wie der Abstand zwischen dem
ersten Quadrupol 48 und dem zweiten Quadrupol 50,
zwischen dem dritten Quadrupol 52 und dem vierten Quadrupol 54,
und zwischen dem zweiten Hexapol 26 und dem vierten Quadrupol 54.
Der Abstand zwischen dem zweiten Quadrupol 50 und dem dritten
Quadrupol 52 ist gleich 2fQ.
-
Es ergibt sich aus den Wegen des
Strahls 42, der von einem Punkt auf der Achse in der Gegenstandsebene
ausgeht, und dem Strahl 44, der von einem Punkt in der
Gegenstandsebene außerhalb
der Achse ausgeht, daß der
Hexapol 24 auf den Hexapol 26 mit einer Vergrößerung von –1 und umgekehrt
abgebildet wird.
-
Das in 2 gezeigte Übertragungslinsensystem 30 kann
auch durch ein System ersetzt werden, das aus vier identischen magnetischen
Quadrupolen besteht, wie das System 46. In diesem Fall
ist der Abstand zwischen der komafreien Ebene 32 des Objektivs 8 und
dem ersten Quadrupol 48 gleich fQ, wie
der Abstand zwischen dem vierten Quadrupol 54 und dem Eingang 34 der
Korrektureinheit 22. Die Quadrupole der Übertragungssystem
zwischen dem Objektiv 8 und der Korrektureinheit 2 weisen
eine Brennweite fQ auf, die gleich der Brennweite
fQ der Quadrupole im Übertragungssystem sein kann
(jedoch nicht sein muß),
die einen Teil der Korrektureinheit 22 bilden. In diesem
Fall sind die anderen Abstände
im Übertragungssystem
zwischen dem Objektiv 8 und der Korrektureinheit 22 dieselben
wie jene in der Korrektureinheit 22.
-
Die in 3 gezeigte
Anordnung ermöglicht auch
die Korrektur der chromatischen Aberration der Objektivlinse 8.
Zu diesem Zweck müssen
die Quadrupole 50 und 52 des Systems 46 ein
elektrisches Quadrupolfeld und ein zusätzliches magnetisches Quadrupolfeld
erzeugen (wobei sich beide Felder senkrecht zur optische Achse erstrecken).
Das elektrische Quadrupolfeld wird dann um 45° relativ zum magnetischen Quadrupolfeld
gedreht; es muß dann die
sogenannte Wien-Bedingung erfüllt
werden, d. h. für
ein Elektron der Geschwindigkeit v muß die Kraft, die auf das Elektron
durch das magnetische Feld ausgeübt
wird, gleich, jedoch entgegengesetzt zu der Kraft sein, die durch
das elektrische Feld ausgeübt wird,
es muß also
die Bedingung E = B × v
erfüllt
werden (B = zusätzliche
magnetische Quadrupolfeldstärke
und E elektrische Feldstärke).
Die Korrektur der chromatischen Aberration, während ein solches System verwendet
wird, ist als solche bekannt, d. h. aus einem Artikel von J. Zach: „Design
of a high-resolution low-voltage scanning electron microscope", in „Optik", B. 83, Nr. 1 (1989),
S. 30–40.
-
4 ist
eine perspektivische Ansicht einer Ausführungsform einer Multipolvorrichtung
zur Verwendung in einer Korrekturvorrichtung, die zur Verwendung
in einem teilchenoptischen Instrument bestimmt ist. Die Multipolvorrichtung
besteht aus einem magnetischen Kreis, der aus einer zylindrischen
Fläche 60 besteht,
in der eine Zahl von n Polen 62-1 bis 62-n so
vorgesehen sind, daß sie
gleichmäßig über den
Zylinder verteilt sind, wobei n in dieser Figur gleich 8 ist.
Obwohl diese Ausführungsform
der Erfindung im Prinzip keine Multipolfelder einer Ordnung benötigt, die
höher als
Hexapole ist, ist es für
die Kompensation von mechanischen Mängeln wünschenswert, die Möglichkeit
zu haben, auch Felder höherer
Ordnung zu erzeugen, zum Beispiel n = 8, wie in dieser Figur, jedoch
sind auch n = 10 oder n = 12 machbar und manchmal sogar wünschenswert. Wenn
die Korrekturvorrichtung zur Bildung eines Quadrupolsystems für die Korrektur
der sphärischen als
auch der chromatischen Aberration verwendet wird (wie für die Bildung
eines magnetischen Quadrupolfelds und eines elektrischen Quadrupolfelds,
das um 45° bezüglich dazu
gedreht ist), sollte die Anzahl der physikalischen Pole mindestens
acht sein. Wenn die Korrekturvorrichtung geeignet ausgerichtet ist, sollte
die Zylinderachse der Fläche 60 mit
der optischen Achse des teilchenoptischen Instruments zusammenfallen,
das in 1 gezeigt wird.
-
Die verschiedenen Multipolfelder,
d. h. die magnetischen als auch die elektrostatischen Felder, werden
mittels der n Pole erzeugt. Jeder dieser Pole ist dazu bestimmt,
ein elektrisches Feld als auch ein magnetisches Feld zu erzeugen;
die Polflächen,
die die Multipolfelder bestimmen, erstrecken sich parallel zur optischen
Achse der Vorrichtung. Jeder Pol 62-i ist mit einer Erregungsspule 64-i zur
Erzeugung eines magnetischen Felds und mit einer Polkappe 66-i zur
Erzeugung eines elektrischen Felds versehen. Jede der Erregerspulen 64-i und
jede der Polkappen 66-i kann einzeln erregt werden, so
daß jedes
erwünschte
Multipolfeld, elektrisch als auch magnetisch, mittels der acht Pole 62-1 bis 62-8 erzeugt
werden kann. Dies gilt für
die Quadrupole 48, 50, 52 und 54 als
auch für
die Hexapole 24 und 26. Es ist zu beachten, daß die beschriebene
Korrekturvorrichtung im Detail in der veröffentlichten europäischen Patentanmeldung
Nr. 0 868 739 (= US Nr. 08/932981 = PHN 15.991) beschrieben wird,
die vorher durch die Anmelderin eingereicht wurde.
-
5 stellt
graphisch den Effekt der Korrektur der sphärischen Aberration in einem
RTEM dar. In dieser Figur sind die Abmessungen des Abtastpunktes
auf der Probe vertikal in Nanometern aufgetragen, und der Abstand
zwischen dem Abtastpunkt auf der Probe und der optischen Achse ist
wiederum in Nanometern horizontal aufgetragen. Die gestrichelte Linie
repräsentiert
die Situation, in der die sphärische Aberration
des Objektivs nicht korrigiert ist, und die durchgezogene Linie
repräsentiert
die Situation, in der die erfindungsgemäße Korrektur der sphärischen Aberration
des Objektivs angewendet wird. Diese Figur zeigt deutlich, daß eine wesentliche
Verbesserung der Punktgröße und folglich
der Auflösung
der teilchenoptischen Vorrichtung über den gesamten interessierenden
Bereich der Probe erzielt wird.