RU2551651C2 - Высокочастотный электронно-ионный микроскоп - Google Patents

Высокочастотный электронно-ионный микроскоп Download PDF

Info

Publication number
RU2551651C2
RU2551651C2 RU2013115328/07A RU2013115328A RU2551651C2 RU 2551651 C2 RU2551651 C2 RU 2551651C2 RU 2013115328/07 A RU2013115328/07 A RU 2013115328/07A RU 2013115328 A RU2013115328 A RU 2013115328A RU 2551651 C2 RU2551651 C2 RU 2551651C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
vacuum chamber
charged particles
frequency
magnetic field
electron
Prior art date
Application number
RU2013115328/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2013115328A (ru
Inventor
Игорь Николаевич Ефимов
Евгений Александрович Морозов
Евгений Сергеевич Косов
Денис Евгеньевич Германюк
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Ижевский государственный технический университет имени М.Т. Калашникова
Priority to RU2013115328/07A priority Critical patent/RU2551651C2/ru
Publication of RU2013115328A publication Critical patent/RU2013115328A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2551651C2 publication Critical patent/RU2551651C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

Изобретение относится к системам электронно-ионной оптики и предназначено для изучения структуры вещества путем просвечивания его мощным потоком заряженных частиц. Высокочастотный электронно-ионный микроскоп состоит из вакуумной камеры и находящихся в ней источника заряженных частиц, исследуемого объекта, апертурной диафрагмы, флуоресцирующего экрана. Снаружи вакуумной камеры расположена система контуров с током, соединенная в высокочастотным генератором тока, создающая высокочастотное аксиально-симметричное магнитное поле, обладающее эффектом двойной фокусировки и одновременно индуцирующее электрическое поле, ускоряющее поток заряженных частиц. Вакуумная камера имеет вид участка кольцевой трубы на торцах которого расположены источник заряженных частиц и флуоресцирующий экран. Высокочастотное магнитное поле выполняет одновременно функции ускорителя, объектива и проектора заряженных частиц. Технический эффект заключается в увеличении энергии потока заряженных частиц, светосилы, разрешающей способности и толщины исследуемого объекта при снижении габаритов системы. 2 ил.

Description

Изобретение относится к области электронно-ионной оптики и предназначено для изучения структуры вещества путем просвечивания мощными потоками электронов или ионов.
В качестве аналога изобретения взята конструкция электронного магнитного спектрометра (патент РФ №2338295, МПК H01J 49/48), состоящая из помещенных в вакуумную камеру источника и регистратора заряженных частиц - электронов, а также системы, контуров с током (катушек). Вакуумная камера имеет вид кольцевой трубы (тора) и выполнена из немагнитного материала. Ампер витки катушек и их геометрическое положение выбраны таким образом, что в области движения электронов внутри вакуумной камеры создается аксиально-симметричное магнитное поле, индукция которого спадает в плоскости симметрии прибора пропорционально расстоянию ρ от аксиальной оси по закону B~ρ, где α=0,62-0,76. Электроны, выходящие из анализируемого образца (источника), движутся вдоль стационарной траектории - окружности радиуса ρ0, и фокусируются на счетчике, совершив ~0,7 оборота.
Недостатком электронного магнитного спектрометра является малая интенсивность потока электронов, следовательно, малая светосила прибора, а отсутствие системы для ускорения электронов в процессе движения ограничивает их кинетическую энергию (мощность потока).
В качестве аналога ускоряющей системы взята ускоряющая система бетатрона (БСЭ, т.27. Третье издание. - М.: Изд. «Советская энциклопедия», 1977, с.110), предназначенного для ускорения электронов (бета-частиц) движущихся в вакуумной камере в переменном магнитном поле. Магнитное поле бетатрона создается расположенным снаружи вакуумной камеры электромагнитом, который состоит из токопроводящих обмоток и ферромагнитных профильных сердечников. Вакуумная камера бетатрона имеет вид кольцевой трубы (тора) и выполнена из диэлектрического материала. Электромагнит, подключен к генератору переменного тока и создает в области движения электронов внутри вакуумной камеры переменное аксиально-симметричное магнитное поле, индукция которого спадает в плоскости симметрии прибора пропорционально расстоянию ρ от аксиальной оси по закону B~ρ, где α~0,6. Частота изменения поля составляет 10-103 Гц. Переменное магнитное поле индуцирует в области движения вихревое электрическое поле, которое ускоряет электроны. Дополнительным требованием, обеспечивающим постоянство радиуса стационарной траектории в бетатроне, является так называемое бетатронное условие B0=0,5·Bcp, то есть магнитное поле B0 на стационарной траектории - окружности радиуса ρ0, должно составлять половину среднего магнитного поля Bcp внутри этой окружности. Генерируемые источником электроны движутся ускоренно вдоль стационарной траектории - окружности радиуса ρ0, совершая порядка 105-106 оборотов, и после достижения необходимой энергии 1-150 МэВ выводятся из области стационарной траектории на приемник (мишень).
Недостатком ускоряющей системы бетатрона является большое количество оборотов, которые совершают заряженные частицы в процессе ускорения, что делает невозможным прецизионную фокусировку на исследуемом образце и установку экрана формирующего изображение.
В качестве прототипа применен сверхвысоковольтный электронный микроскоп, предназначенный для исследования структуры вещества методом просвечивания объектов толщиной 1-6 мкм потоками электронов, ускоренных до энергий 1-5 МэВ (БСЭ, т.30. Третье издание. - М.: Изд. «Советская энциклопедия», 1978, с.261). Сверхвысоковольтный электронный микроскоп состоит из следующих основных элементов: вакуумной камеры в виде прямой трубы, помещенной в ней электронной пушки, электростатического ускорителя прямого действия, расположенного в баке, заполненном электроизоляционным газом под давлением, конденсорных магнитных линз, фокусирующих электронный поток на исследуемом объекте, магнитной линзы-объектива, а также системы магнитных проекционных линз, формирующих изображение на экране. Все линзы представляют собой осесимметричные катушки с током, установленные соосно с вакуумной камерой. Общее число линз, используемых в приборе, достигает шести и более единиц, а высота прибора составляет от 5 до 15 м.
Укажем недостатки прототипа.
Увеличение толщины исследуемого объекта связано с повышением энергии электронов в потоке, которое ограничено пределом электрической прочности конструкционных материалов, и приводит к увеличению габаритов микроскопа.
Система магнитных конденсорных линз не позволяет использовать линейно протяженные высокоинтенсивные источники заряженных частиц и, как следствие, ограничивает светосилу прибора.
Наличие большого количества магнитных линз приводит к значительным сферическим аберрациям, ограничивает разрешение прибора и затрудняет его настройку.
Задачей высокочастотного электронно-ионного микроскопа является увеличение энергии потока заряженных частиц, светосилы и разрешающей способности прибора, толщины просвечиваемого образца при снижении габаритов прибора.
Предлагаемое изобретение предназначено для наблюдения и фиксирования многократно увеличенного до 105 раз изображения объектов с пределом разрешения до 5·10-11 м, методом их просвечивания интенсивными 1А и более, потоками ускоренных электронов до 150 мэВ или ионов до 10 мэВ.
Высокочастотный электронно-ионный микроскоп состоит из вакуумной камеры в виде участка кольцевой трубы, на торцах которого расположен источник заряженных частиц и флуоресцирующий экран, а внутри вакуумной камеры по траектории движения заряженных частиц расположены исследуемый объект и апертурная диафрагма под аксиальными углами друг к другу. Снаружи вакуумной камеры, параллельно ее плоскости, расположена система контуров, соединенных с генератором высокочастотного переменного тока, которая создает аксиально-симметричное фокусирующее магнитное поле и индуцирует ускоряющееся электрическое поле с разностью потенциалов между источником заряженных частиц, исследуемым объектом, апертурной диафрагмой и флуоресцирующим экраном.
Указанный технический результат достигается использованием аксиально-симметричного высокочастотного 105-107 Гц магнитного поля, индукция которого спадает в плоскости симметрии прибора пропорционально расстоянию ρ от аксиальной оси по закону B~ρ, где α=0,67-0,75, при выполнении бетатронного условия. Высокие фокусирующие свойства указанного поля позволяют значительно увеличить разрешение микроскопа.
Высокочастотное магнитное поле индуцирует электрическое поле, создает разность потенциалов между источником заряженных частиц, исследуемым объектом и флуоресцирующим экраном. Электрическое поле вытягивает из источника поток заряженных частиц, ускоряет его на пути к исследуемому объекту и затем проецирует на флуоресцирующем экране. Кинетическая энергия, полученная заряженными частицами в процессе ускорения, превосходит энергию в существующих электронных микроскопах, что позволяет увеличить толщину исследуемого объекта до 10-100 мкм.
Большая интенсивность потока и, как следствие, большая светосила прибора обеспечивается использованием источника заряженных частиц в виде системы соосно расположенных цилиндров, кромки которых имеют радиус закругления ~10-6 м.
Устройство высокочастотного электронно-ионного микроскопа поясняется чертежами, где на фигуре 1 показана схема расположения основных элементов микроскопа в плане, а на фигуре 2 - в разрезе, и состоит из следующих основных элементов: вакуумной камеры 1; расположенным в ней источником заряженных частиц 2; исследуемого объекта 3; флуоресцирующего экрана, на котором формируется изображение 4; апертурной диафрагмы 5, системы, создающей магнитное поле в виде круговых контуров с током 6, 7, соединенных с источником высокочастотного тока (на фигурах не показан).
Устройство работает в импульсном режиме следующим образом. При нарастании во времени аксиально-симметричного магнитного поля, создаваемого системой контуров с током 6, 7 в области вакуумной камеры 1 между источником заряженных частиц 2, исследуемым объектом 3 и экраном 4 возникает индукционное электрическое поле. Вследствие малости радиуса закругления кромок цилиндров источника заряженных частиц вблизи них напряженность электрического поля оказывается достаточной для возникновения туннельной эмиссии электронов (автоэлектронная эмиссия) или ионов (жидкометаллическая автоэмиссия). Эмитируемые заряженные частицы под действием индукционного электрического поля движутся ускоренно в аксиально-симметричном магнитном поле, которое фокусируют их на исследуемом объекте 3 в виде пятна, диаметр которого при регулировке может меняться от 10-5 до 10-7 м. После прохождения сквозь исследуемый объект (3) часть заряженных частиц рассеивается и задерживается апертурной диафрагмой 5. Нерассеянные заряженные частицы проходят через отверстие диафрагмы и формируют изображение на флуоресцирующем экране 4, который светится под воздействием заряженных частиц. Настройка прибора осуществляется изменением взаимного расположения источника, исследуемого объекта, апертурной диафрагмы и флуоресцирующего экрана.

Claims (1)

  1. Высокочастотный электронно-ионный микроскоп состоит из вакуумной камеры, находящихся в ней источника заряженных частиц, исследуемого объекта, флуоресцирующего экрана, апертурной диафрагмы, расположенной вне вакуумной камеры, системы контуров, создающей магнитное поле, и системы юстировки, отличающийся тем, что вакуумная камера выполнена в виде участка трубы на концах которого находятся источник заряженных частиц и исследуемый объект, контуры с током расположены параллельно плоскости вакуумной камеры, соединены с генератором высокочастотного переменного тока и создают аксиально-симметричное фокусирующее магнитное поле с частотой 105-107 герц, которое индуцирует ускоряющее электрическое поле с разностью потенциалов между источником заряженных частиц, исследуемым объектом, апертурной диафрагмой и флуоресцирующим экраном, источник заряженных частиц состоит из соосных цилиндров, кромки которых имеют радиус закругления 10-6 м.
RU2013115328/07A 2013-04-05 2013-04-05 Высокочастотный электронно-ионный микроскоп RU2551651C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013115328/07A RU2551651C2 (ru) 2013-04-05 2013-04-05 Высокочастотный электронно-ионный микроскоп

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013115328/07A RU2551651C2 (ru) 2013-04-05 2013-04-05 Высокочастотный электронно-ионный микроскоп

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013115328A RU2013115328A (ru) 2014-10-10
RU2551651C2 true RU2551651C2 (ru) 2015-05-27

Family

ID=53294656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013115328/07A RU2551651C2 (ru) 2013-04-05 2013-04-05 Высокочастотный электронно-ионный микроскоп

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2551651C2 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999030342A1 (en) * 1997-12-11 1999-06-17 Philips Electron Optics B.V. Correction device for correcting the spherical aberration in particle-optical apparatus
EP1770752A2 (en) * 2005-09-27 2007-04-04 Jeol Ltd. Electron microscope
RU2338295C1 (ru) * 2007-01-30 2008-11-10 ЗАО "Торгово-промышленая компания "Удмуртия" Электронный магнитный спектрометр
RU2362234C1 (ru) * 2007-10-03 2009-07-20 Вячеслав Данилович Саченко Корпускулярно-оптическая система формирования изображения (варианты)

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999030342A1 (en) * 1997-12-11 1999-06-17 Philips Electron Optics B.V. Correction device for correcting the spherical aberration in particle-optical apparatus
EP1770752A2 (en) * 2005-09-27 2007-04-04 Jeol Ltd. Electron microscope
RU2338295C1 (ru) * 2007-01-30 2008-11-10 ЗАО "Торгово-промышленая компания "Удмуртия" Электронный магнитный спектрометр
RU2362234C1 (ru) * 2007-10-03 2009-07-20 Вячеслав Данилович Саченко Корпускулярно-оптическая система формирования изображения (варианты)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
БСЭ, т.30, Третье издание, Москва, Советская энциклопедия, 1978, с.261. *

Also Published As

Publication number Publication date
RU2013115328A (ru) 2014-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6386679B2 (ja) 荷電粒子線装置及び走査電子顕微鏡
JP4795847B2 (ja) 電子レンズ及びそれを用いた荷電粒子線装置
JP5239026B2 (ja) 粒子を電界放出する装置および製作方法
US10290463B2 (en) Compact deflecting magnet
US9953798B2 (en) Method and apparatus for generation of a uniform-profile particle beam
Zhou et al. Demonstration of single-shot high-quality cascaded high-energy-electron radiography using compact imaging lenses based on permanent-magnet quadrupoles
RU2551651C2 (ru) Высокочастотный электронно-ионный микроскоп
JP4790511B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置
JP2011171296A (ja) イオンを集束および蓄積する装置、および圧力領域を分離する装置
JP2011159625A (ja) エネルギー伝達および/またはイオン輸送装置、およびこのような装置を備える粒子ビーム装置
US2713635A (en) Electron-cyclotron discharge apparatus
Gehrke Design of permanent magnetic solenoids for REGAE
JP2020509548A (ja) イオン源デバイス
RU2614046C1 (ru) Фокусирующе-отклоняющая система для электронных пушек
Beck et al. An angular-selective electron source for the KATRIN experiment
RU2647123C2 (ru) Способ коллективного ускорения заряженных частиц и устройство для его реализации
JP2012142139A (ja) イオンビーム生成方法及びイオンビーム生成装置
CN110192262A (zh) 用于电子源的提取器电极
KR101707219B1 (ko) 간섭 회피 양극 로드를 가진 엑스레이 튜브 및 이를 가진 검사 장치
Parkhomchuk et al. Status of the 2.5 MeV electron cooling system for NICA Collider
JP2012003843A (ja) 対物レンズ系及び電子顕微鏡
RU2427056C1 (ru) Фокусирующая система (варианты)
RU136921U1 (ru) Модуль для анализа состава нанослоев
Mutsaers Emittance measurements of electron beams produced by the 100 kV Smart* Light photo electrongun
RU2559288C1 (ru) Способ аккумуляции энергии потока заряженных частиц

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20160406