CN113341656A - 多射束描绘方法以及多射束描绘装置 - Google Patents

多射束描绘方法以及多射束描绘装置 Download PDF

Info

Publication number
CN113341656A
CN113341656A CN202110190014.4A CN202110190014A CN113341656A CN 113341656 A CN113341656 A CN 113341656A CN 202110190014 A CN202110190014 A CN 202110190014A CN 113341656 A CN113341656 A CN 113341656A
Authority
CN
China
Prior art keywords
deflection
beams
pixels
pixel
pitch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110190014.4A
Other languages
English (en)
Inventor
松本裕史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Publication of CN113341656A publication Critical patent/CN113341656A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/045—Beam blanking or chopping, i.e. arrangements for momentarily interrupting exposure to the discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1472—Deflecting along given lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H01J37/3026—Patterning strategy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/1504—Associated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30472—Controlling the beam
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31762—Computer and memory organisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31766—Continuous moving of wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31774—Multi-beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Vehicle Body Suspensions (AREA)
  • Metal Extraction Processes (AREA)
  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及多射束描绘方法和多射束描绘装置。一个方式的多射束描绘方法基于像素尺寸和射束阵列信息，取得用于使担当射束向试样上的描绘区域被多射束的射束间间距尺寸分割而成的多个射束间间距区域的各射束间间距区域内的多个像素偏转的多个偏转坐标、在为了使多射束的各射束一起追随工作台的移动而进行的各跟踪控制期间中担当射束在各射束间间距区域内进行曝光的像素数、以及在经过跟踪控制期间后进行将跟踪开始位置复位的跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量，制作使用多个偏转坐标、在各跟踪控制期间中进行曝光的像素数以及进行跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量而定义的偏转次序，一边根据偏转次序使多射束偏转一边对试样描绘图案。

Description

多射束描绘方法以及多射束描绘装置
技术领域
本发明涉及多射束描绘方法以及多射束描绘装置，例如涉及使用了带电粒子射束的多射束描绘中的不同的多个条件下的描绘顺序的制作方法。
背景技术
担负着半导体器件的微细化的进展的平版印刷技术在半导体制造工序之中也是唯一生成图案的极其重要的工序。近年来，伴随着LSI的高集成化，对半导体器件要求的电路线宽度年年不断微细化。在此，电子线(电子束)描绘技术具有本质上优异的分辨率，使用电子线对晶片等进行描绘。
例如，有使用多射束的描绘装置。与利用1根电子束进行描绘的情况相比，通过使用多射束能够一次照射大量的射束，因此能够大幅提高生产率。在该多射束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪射出的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多射束，分别被消隐控制，未被遮蔽的各射束被光学系统缩小，并被偏转器偏转后向试样上的期望的位置照射。
在此，在多射束描绘装置中，当一边使工作台连续移动一边进行描绘的情况下，需要追随工作台的移动的跟踪控制。并且，在多射束描绘装置中进行了如下处理：针对多射束的射束间间距尺寸的区域，通过进行多次的跟踪控制一边使射束偏转一边利用多个射束进行曝光(例如，参照日本专利公开公报2015-228471号)。因此，需要为了进行复杂的偏转控制的偏转次序。
另一方面，在多射束描绘中，例如存在想要变更像素尺寸或者/以及对所搭载的多射束整体中的所使用的射束阵列进行限定等迫切期望。这是因为，在牺牲描绘速度但重视描绘精度的情况和反过来牺牲描绘精度但重视描绘速度的情况下，条件不同。然而，如上述那样，在一边使工作台连续移动一边进行多射束描绘的情况下，需要复杂的偏转控制。若变更像素尺寸或者/以及所使用的射束阵列，则变得无法保持原样地使用原来的偏转次序。因而，需要重新构建偏转次序。对应于这些条件的变更而找到能够描绘试样面的描绘区域整体的偏转次序是不容易的。
发明内容
本发明的一个方式提供即便是像素尺寸或者/以及射束阵列等发生变更的情况也能够对描绘区域整体进行描绘的多射束描绘描绘方法以及多射束描绘描绘装置。
本发明的一个方式的多射束描绘方法包括：取得可变的像素尺寸和对曝光所使用的射束阵列进行定义的射束阵列信息，基于像素尺寸和射束阵列信息，取得用于使担当射束向多个射束间间距区域的各射束间间距区域内的多个像素偏转的多个偏转坐标、在为了使多射束的各射束一起追随工作台的移动而进行的各跟踪控制期间中担当射束对各射束间间距区域内进行曝光的像素数、以及在经过跟踪控制期间后进行跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量，所述多个射束间间距区域是试样上的描绘区域被多射束的射束间间距尺寸分割而成的，所述跟踪复位将跟踪开始位置复位，制作偏转次序，该偏转次序是使用多个偏转坐标、在各跟踪控制期间中进行曝光的像素数以及进行跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量而定义的，一边根据偏转次序使多射束偏转，一边对试样描绘图案。
本发明的一个方式的多射束描绘装置具备：参数取得电路，取得可变的像素尺寸和对曝光所使用的射束阵列进行定义的射束阵列信息；取得电路，基于像素尺寸和射束阵列信息，取得用于使担当射束向试样上的描绘区域被多射束的射束间间距尺寸分割而成的多个射束间间距区域的各射束间间距区域内的多个像素偏转的多个偏转坐标、在为了使多射束的各射束一起追随工作台的移动而进行的各跟踪控制期间中担当射束对各射束间间距区域内进行曝光的像素数、以及在跟踪控制期间经过后进行跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量，所述多个射束间间距区域是试样上的描绘区域被多射束的射束间间距尺寸分割而成的，所述跟踪复位将跟踪开始位置复位；制作电路，制作偏转次序，该偏转次序是使用多个偏转坐标、在各跟踪控制期间中进行曝光的像素数以及进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量而定义的；以及描绘机构，具有载置试样并能够移动的工作台和使多射束偏转的偏转器，一边根据偏转次序使多射束偏转一边对试样描绘图案。
本发明的其他方式的多射束描绘方法包括：从以高精度进行描绘的高精度描绘模式和以高速进行描绘的高速描绘模式之中选择一个描绘模式，利用对应于所选择的描绘模式而可变的像素尺寸，将照射多射束的试样面上的描绘区域分割成多个像素区域，通过无论所选择的描绘模式如何射束间间距都不变的多射束，对利用该像素尺寸分割而成的试样面上的多个像素进行照射，从而对试样描绘图案。
本发明的其他方式的多射束描绘装置包括：选择电路，从以高精度进行描绘的高精度描绘模式和以高速进行描绘的高速描绘模式之中选择一个描绘模式；分割电路，利用对应于所选择的描绘模式而可变的像素尺寸将照射多射束的试样面上的描绘区域分割成多个像素区域；以及描绘机构，具有载置试样的工作台和使多射束偏转的偏转器，通过无论所选择的描绘模式如何射束间间距都不变的多射束，对利用该像素尺寸分割而成的试样面上的多个像素进行照射，从而对试样描绘图案。
附图说明
图1是表示实施方式1中的描绘装置的构成的概念图。
图2是表示实施方式1中的第一和第二成形孔径阵列基板的构成的概念图。
图3是用于对实施方式1中的可变成形射束进行说明的图。
图4是表示实施方式1中的消隐孔径阵列机构的构成的剖视图。
图5是表示实施方式1中的消隐孔径阵列机构的膜片区域内的构成的一部分的俯视概念图。
图6是表示实施方式1的个别消隐机构的一个例子的图。
图7是用于对实施方式1中的描绘动作的一个例子进行说明的概念图。
图8是表示实施方式1中的多射束的照射区域与描绘对象像素的一个例子的图。
图9是用于对实施方式1中的多射束的射束位置控制的方法的一个例子进行说明的图。
图10是用于对实施方式1中的多射束的偏转次序的一个例子进行说明的图。
图11是表示实施方式1中的描绘方法的主要部分工序的一个例子的流程图。
图12A和图12B是表示实施方式1中的使用射束阵列的一个例子的图。
图13A至图13D是用于对使实施方式1中的像素尺寸、射束尺寸以及射束根数可变的情况下的射束阵列与像素的关系进行说明的图。
图14是用于对实施方式1中的像素尺寸比射束尺寸小的情况下的曝光状态进行说明的图。
图15是用于对实施方式1中的像素尺寸比射束尺寸大的情况下的曝光状态进行说明的图。
图16是表示实施方式1中的描绘模式与基本参数的相关表的一个例子的图。
图17是表示实施方式1中的曝光像素数运算部的内部构成的图。
图18是表示实施方式1中的曝光像素数运算工序的内部工序的一个例子的流程图。
图19是表示实施方式1中的偏转移动量运算部的内部构成的图。
图20是表示实施方式1中的复位时偏转移动量运算工序的内部工序的一个例子的流程图。
图21是用于对实施方式1中的偏转次序的一个例子进行说明的图。
图22是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。
图23是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。
图24是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。
图25是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。
图26是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。
图27是表示实施方式1中的偏转次序的格式的一个例子的图。
具体实施方式
以下，在实施方式中，对即便是像素尺寸或者/以及射束阵列等发生变更的情况也能够对描绘区域整体进行描绘的描绘方法以及描绘装置进行说明。
以下，在实施方式中，作为带电粒子射束的一个例子，对使用了电子束的构成进行说明。但是，带电粒子射束并不限于电子束，也可以是离子束等使用了带电粒子的射束。另外，在实施方式中，作为曝光装置的一个例子，对用了描绘装置的构成进行说明。
实施方式1
图1是表示实施方式1中的描绘装置的构成的概念图。在图1中，描绘装置100具备描绘机构150和控制系统电路160。描绘装置100是多带电粒子射束描绘装置的一个例子，并且是多带电粒子射束曝光装置的一个例子。描绘机构150具备电子束柱102(电子镜筒)和描绘室103。在电子束柱102内配置有电子枪201、照明透镜202、第一成形孔径阵列基板212、第二成形孔径阵列基板203、消隐孔径阵列机构204、缩小透镜205、限制孔径基板206、物镜207、主偏转器208、副偏转器209以及驱动机构214。在描绘室103内配置有XY工作台105。在XY工作台105上，配置当描绘时(曝光时)成为描绘对象基板的掩模等试样101。试样101包括制造半导体装置时的曝光用掩模、或者制造半导体装置的半导体基板(硅晶片)等。另外，在试样101中包括涂敷有抗蚀剂的尚未描绘任何的掩模坯料。在XY工作台105上还配置有XY工作台105的位置测量用的反射镜210。
控制系统电路160具有控制计算机110、存储器112、偏转控制电路130、数字/模拟变换(DAC)放大器单元132、134、透镜控制电路136、工作台控制机构138、工作台位置测量器139以及磁盘装置等存储装置140、142、144。控制计算机110、存储器112、偏转控制电路130、透镜控制电路136、工作台控制机构138、工作台位置测量器139以及存储装置140、142、144经由未图示的总线相互连接。在偏转控制电路130连接有DAC放大器单元132、134以及消隐孔径阵列机构204。副偏转器209由4极以上的电极构成，按每个电极经由DAC放大器单元132的对应的放大器被偏转控制电路130控制。主偏转器208由4极以上的电极构成，按每个电极经由DAC放大器单元134的对应的放大器被偏转控制电路130控制。工作台位置测量器139通过接收来自反射镜210的反射光，来以激光干扰法的原理对XY工作台105的位置进行测长。
在控制计算机110内配置有模式选择部50、基本参数取得部52、像素分割部54、参数取得部55、偏转次序制作部61、照射时间数据生成部62、数据加工部64、转移处理部66以及描绘控制部68。在参数取得部51内配置有曝光像素数Ej运算部56、偏转移动量Dj运算部58以及偏转坐标设定部60。模式选择部50、基本参数取得部52、像素分割部54、参数取得部55(曝光像素数Ej运算部56、偏转移动量Dj运算部58以及偏转坐标设定部60)、偏转次序制作部61、照射时间数据生成部62、数据加工部64、转移处理部66以及描绘控制部68这样的各“～部”具有处理电路。该处理电路例如包括电回路、计算机、处理器、电路基板、量子电路或者半导体装置。各“～部”可以使用共通的处理电路(相同的处理电路)，或者也可以使用不同的处理电路(各自的处理电路)。针对模式选择部50、基本参数取得部52、像素分割部54、参数取得部55(曝光像素数Ej运算部56、偏转移动量Dj运算部58以及偏转坐标设定部60)、偏转次序制作部61、照射时间数据生成部62、数据加工部64、转移处理部66以及描绘控制部68输入输出的信息以及运算中的信息每一次都被储存到存储器112。
描绘机构150被描绘控制部68控制。具体而言，在描绘控制部68的控制下，由未图示的高压电源电路控制电子枪201。在描绘控制部68的控制下，由偏转控制电路130控制DAC放大器单元132、134以及消隐孔径阵列机构204。在描绘控制部68的控制下，由透镜控制电路136控制照明透镜202、缩小透镜205以及物镜207。在描绘控制部68的控制下，由工作台控制机构138控制XY工作台105的位置。在描绘控制部68的控制下，由驱动机构214控制第一成形孔径阵列基板212的位置。另外，由位置测量器139测量出的工作台位置被输出至偏转控制电路130以及描绘控制部68。
另外，从描绘装置100的外部输入描绘数据，并储存至存储装置140。在描绘数据中通常定义有用于进行描绘的多个图形图案的信息。具体而言，按每个图形图案例如定义图形码、坐标以及尺寸等。
在此，在图1中，记载了说明实施方式1所必要的构成。对描绘装置100而言，通常也可以具备必要的其他构成。
图2是表示实施方式1中的第一和第二成形孔径阵列基板的构成的概念图。在图2中，纵(y方向)p列×横(x方向)q列(p，q≥2)的孔(开口部)22按规定的排列间距以矩阵状形成在第二成形孔径阵列基板203。在图2中，例如沿纵横(x，y方向)形成512×512列的孔22。各孔22都由相同的尺寸形状的矩形形成。或者，也可以是相同的直径的圆形。通过电子束200的一部分分别穿过这些多个孔22，由此形成多射束20。换言之，成形孔径阵列基板203形成多射束。在此，表示了沿纵横(x，y方向)都配置了2列以上的孔22的例子，但并不限定于此。例如，也可以是纵横(x，y方向)任意一方为多个列而另一方仅为1列。
另外，在第一成形孔径阵列基板212以与第二成形孔径阵列基板203相同的排列间距形成有纵(y方向)p列×横(x方向)q列(p，q≥2)的孔(开口部)21。孔21与孔22的尺寸可以相同，也可以不同。例如，孔21以大于孔22的尺寸形成。
接下来，对描绘机构150的动作的具体例进行说明。从电子枪201(释放源)释放出的电子束200通过照明透镜202而几乎垂直地对第一成形孔径阵列基板212整体进行照明。在第一成形孔径阵列基板212形成有矩形的多个孔21(开口部)，电子束200对包含全部的多个孔21的区域进行照明。通过照射至多个孔21的位置的电子束200的各一部分分别穿过该第一成形孔径阵列基板212的多个孔21，由此例如形成矩形形状的多射束(多个电子束)23。
图3是用于对实施方式1中的可变成形射束进行说明的图。在第一成形孔径阵列基板212形成的多射束23朝向第二成形孔径阵列基板203的多个孔22前进。而且，通过多射束23的各射束的至少一部分分别穿过对应的孔22，例如形成矩形形状的多射束(多个电子束)20。换言之，通过穿过第一成形孔径阵列基板212的多个孔21和第二成形孔径阵列基板203的多个孔22双方，由此形成多射束20。在此，利用被描绘控制部68控制的驱动机构214，使第一成形孔径阵列基板212在与电子束200的中心轴(光轴)正交的面(x，y面)上沿二维方向移动，由此如图3所示，能够在各射束的轨道上错开孔21与孔22重叠的区域。通过调整该孔21与孔22重叠的区域的尺寸，来对所形成的多射束20的各射束进行可变成形。换言之，对所形成的多射束20的各射束的尺寸进行控制。尺寸被控制为可变后的多射束20进入至消隐孔径阵列机构204。
图4是表示实施方式1中的消隐孔径阵列机构的构成的剖视图。
图5是表示实施方式1中的消隐孔径阵列机构的膜片区域内的构成的一部分的俯视概念图。其中，在图4与图5中，控制电极24、对置电极26、控制电路41以及焊盘343的位置关系没有被一致地记载。消隐孔径阵列机构204如图4所示，在支承台333上配置使用了由硅等构成的半导体基板的消隐孔径阵列基板31。消隐孔径阵列基板31的中央部例如被从背面侧削薄，加工成薄的膜厚为h的膜片区域330(第一区域)。包围膜片区域330的周围成为厚的膜厚为H的外周区域332(第二区域)。膜片区域330的上表面和外周区域332的上表面形成为相同的高度位置或者实际成为高度位置。基板31在外周区域332的背面被保持在支承台333上。支承台333的中央部开口，膜片区域330的位置位于支承台333开口的区域。
在消隐孔径阵列基板31的膜片区域330中，在多射束通过的位置形成多个开口部。具体而言，在消隐孔径阵列基板31的膜片区域330，在与图2所示的第二成形孔径阵列基板203的各孔22对应的位置开设有多射束20各自的射束通过用的通过孔25(开口部)。换言之，在消隐孔径阵列基板31的膜片区域330，以阵列状形成供使用了电子线的多射束20的各自对应的射束通过的多个通过孔25。而且，在消隐孔径阵列基板31的膜片区域330上的、夹着多个通过孔25中的对应的通过孔25而对置的位置分别配置具有2个电极的多个电极对。成为2个电极的一方的多个控制电极24被配置在消隐孔径阵列基板31上的、多个通过孔25中的相互不同的通过孔25的附近。而且，成为2个电极的另一方的多个对置电极26夹着消隐孔径阵列基板31上的多个通过孔25中的相互不同的通过孔25而与多个控制电极24的一个对置配置。具体而言，在膜片区域330上，如图4以及图5所示，在各通过孔25的附近位置夹着相应的通过孔25分别配置有消隐偏转用的控制电极24与对置电极26的组(消隐器：消隐偏转器)。另外，在消隐孔径阵列基板31内部(消隐孔径阵列基板中)的膜片区域330上的各通过孔25的附近，配置有对各通过孔25用的控制电极24施加偏转电压的控制电路41(逻辑电路；单元)。各射束用的对置电极26被接地连接。
另外，如图5所示，各控制电路41连接着控制信号用的n比特(例如10比特)的并行布线。除了照射时间控制信号(数据)用的n比特的并行布线之外，各控制电路41还连接着时钟信号、负荷信号、发射信号以及电源用的布线等。时钟信号、负荷信号、发射信号以及电源用的布线等也可以挪用并行布线的一部分的布线。按构成多射束20的每一个射束，构成由控制电极24、对置电极26以及控制电路41形成的个别消隐机构47。另外，在图4的例子中，控制电极24、对置电极26以及控制电路41被配置在消隐孔径阵列基板31的膜厚薄的膜片区域330。不过，并不限定于此。
图6是表示实施方式1的个别消隐机构的一个例子的图。在图6中，在控制电路41内配置有放大器46(开关电路的一个例子)。在图6的例子中，作为放大器46的一个例子，配置CMOS(Complementary MOS)逆变器电路。而且，CMOS逆变器电路与正电位(Vdd：消隐电位：第一电位)(例如，5V)(射束OFF(关闭)电位)和接地电位(GND：第二电位)(射束ON(接通)电位)连接。CMOS逆变器电路的输出线(OUT)与控制电极24连接。另一方面，对置电极26被施加接地电位。而且，以能够切换的方式被施加消隐电位和接地电位的多个控制电极24被配置在消隐孔径阵列基板31上的、夹着多个通过孔25的每一个对应的通过孔25与多个对置电极26的各个对应的对置电极26对置的位置。
对CMOS逆变器电路的输入(IN)输入比阈值电压低的L(low)电位(例如接地电位)和成为阈值电压以上的H(high)电位(例如，1.5V)的任意一个作为控制信号。在实施方式1中，控制为在对CMOS逆变器电路的输入(IN)施加L电位的状态下，CMOS逆变器电路的输出(OUT)成为正电位(Vdd)，利用因与对置电极26的接地电位的电位差而产生的电场使对应射束20偏转，并通过被限制孔径基板206遮挡而成为射束OFF。另一方面，控制为在对CMOS逆变器电路的输入(IN)施加H电位的状态(有源状态)下，CMOS逆变器电路的输出(OUT)成为接地电位，由于与对置电极26的接地电位的电位差消失而不使对应射束20偏转，所以通过穿过限制孔径基板206而成为射束ON。
穿过各通过孔25的电子束分别通过施加于独立成对的2个控制电极24和对置电极26的电压而偏转。通过该偏转而被消隐控制。具体而言，控制电极24与对置电极26的组分别通过被成为对应的开关电路的CMOS逆变器电路切换的电位来使多射束20的对应射束分别个别地消隐偏转。这样，多个消隐器进行穿过了成形孔径阵列基板203的多个孔22(开口部)的多射束20中的分别对应的射束的消隐偏转。该消隐器分别在所设定的描绘时间(照射时间)的期间，以射束成为ON状态的方式对个别地通过的射束进行消隐控制。
穿过了消隐孔径阵列机构204的多射束20被缩小透镜205缩小，朝向形成于限制孔径基板206的中心的孔前进。在此，对于被消隐孔径阵列机构204的消隐器偏转后的电子束而言，位置从限制孔径基板206的中心的孔偏离，被限制孔径基板206遮挡。另一方面，未被消隐孔径阵列机构204的消隐器偏转的电子束如图1所示那样穿过限制孔径基板206的中心的孔。这样，限制孔径基板206将通过个别消隐机构47以成为射束OFF的状态被偏转的各射束遮挡。而且，通过从成为射束ON起到成为射束OFF为止所形成的、穿过了限制孔径基板206的射束，形成1次量的发射的各射束。穿过了限制孔径基板206的多射束20被物镜207聚焦，成为所希望的缩小率的图案像，并通过主偏转器208以及副偏转器209使穿过了限制孔径基板206的多射束20整体向同方向一起偏转，照射到各射束在试样101上的各自照射位置。另外，例如在XY工作台105连续移动时，通过主偏转器208进行跟踪控制以使射束的照射位置追随XY工作台105的移动。一次照射的多射束20在理想的情况下以对成形孔径阵列基板203的多个孔22的排列间距乘以上述的所希望的缩小率而得到的间距排列。
图7是用于对实施方式1中的描绘动作的一个例子进行说明的概念图。如图7所示，试样101的描绘区域30例如朝向y方向以规定的宽度被虚拟分割为长方形的多个带状区域32。首先，使XY工作台105移动，调整成一次的多射束20的发射能够照射的照射区域34位于第一个带状区域32的左端，或者更左侧的位置，并开始描绘。在描绘第一个带状区域32时，通过使XY工作台105例如向-x方向移动，来相对地使描绘向x方向不断进行。使XY工作台105例如等速地连续移动。在第一个带状区域32的描绘结束后，使工作台位置向-y方向移动，来调整成照射区域34相对地在y方向位于第二个带状区域32的右端，或者更右侧的位置，这次，通过使XY工作台105例如向x方向移动，来朝向-x方向同样地进行描绘。以在第三个带状区域32中朝向x方向进行描绘、在第四个带状区域32中朝向-x方向进行描绘这一方式，一边交替地改变朝向一边进行描绘，由此能够缩短描绘时间。但是，并不限定于该一边交替地改变朝向一边进行描绘的情况，也可以在描绘各带状区域32时，朝向相同的方向进行描绘。在1次的发射中，利用因穿过成形孔径阵列基板203的各孔22而形成的多射束，最大一次形成与各孔22数目相同的多个发射图案。
图8是表示实施方式1中的多射束的照射区域与描绘对象像素的一个例子的图。在图8中，带状区域32例如以多射束20的射束尺寸被分隔成网格状的多个网格区域。该各网格区域成为描绘对象的像素36(单位照射区域、照射位置或者描绘位置)。描绘对象像素36的尺寸并不限定于射束尺寸，也可以与射束尺寸无关地由任意的大小构成。例如，可以以射束尺寸的1/n(n为1以上的整数)的尺寸构成。在图8的例子中，表示了试样101的描绘区域例如在y方向以与1次的多射束20的照射能够照射的照射区域34(描绘区)的尺寸实质相同的宽度尺寸被分割为多个带状区域32的情况。矩形的照射区域34的x方向的尺寸能够由x方向的射束数×x方向的射束间间距定义。矩形的照射区域34的y方向的尺寸能够由y方向的射束数×y方向的射束间间距定义。此外，带状区域32的宽度并不限定于此。优选是照射区域34的n倍(n为1以上的整数)的尺寸。在图8的例子中，例如将512×512列的多射束的图示省略表示为8×8列的多射束。而且，在照射区域34内展示了通过1次的多射束20的发射能够照射的多个像素28(射束的描绘位置)。换言之，相邻的像素28间的间距成为多射束的各射束间的间距。而且，在实施方式1中，试样101上的带状区域32(描绘区域)被多射束20的射束间间距尺寸分割为多个间距单元29(子照射区域)(射束间间距区域)。在图7的例子中，通过由相邻的4个像素28包围并包括4个像素28中的一个像素28的正方形的区域构成一个间距单元29。换言之，由包括像素28的射束间间距尺寸的矩形的区域构成一个间距单元29。在图8的例子中，表示了各间距单元29由4×4像素构成的情况。
图9是用于对实施方式1中的多射束的射束位置控制的方法的一个例子进行说明的图。在图9的例子中，表示了多射束20中的例如以射束间距P排列的规定的射束尺寸的4×2根射束10。在实施方式1的多射束20的射束位置控制中，通过由主偏转器208一并偏转的阵列偏转与由副偏转器209一并偏转的偏移偏转的组合来控制各射束的位置。主偏转器208和副偏转器209都对多射束20整体进行一并偏转。阵列偏转量是指向任意一个间距单元29的原点的偏转量。偏移偏转量表示从各间距单元29的原点到实际进行曝光的像素为止的偏转量。在图9的例子中，表示各间距单元29例如由4×4个像素36构成的情况。在图9的例子中，作为偏移偏转，表示了将各射束10向在x方向为第2个像素以及在y方向为第3个像素的像素36偏转的情况。
图10是用于对实施方式1中的多射束的偏转次序的一个例子进行说明的图。在图10的例子中，例如表示了由32×32根多射束20的各射束描绘的多个间距单元29的一部分。在图10的例子中，例如表示了在XY工作台105移动8个射束间距量的距离的期间一边通过副偏转器209的偏移偏转按顺序使照射位置(像素36)移位一边对相同的间距单元29内的4个像素进行描绘(曝光)的情况。按每一个将由1次的多射束20的发射能够照射的最大照射时间Ttr与副偏转调节时间相加得到的发射循环T，被曝光的像素36按顺序逐渐移位。最大照射时间Ttr例如被设定为描绘区域内的各像素36通过1次的发射被照射的照射时间的最大值以上的时间。副偏转调节时间是用于副偏转器209用的DAC放大器132的调节时间。在对该4个像素进行描绘(曝光)的期间，通过主偏转器208的阵列偏转将多射束20整体一并偏转以使照射区域34不会因XY工作台105的移动而与试样101的相对位置偏移，由此使照射区域34追随XY工作台105的移动。换言之，进行跟踪控制。在图10的例子中，通过在移动8个射束间距量的距离的期间对4个像素进行描绘(曝光)来实施1次跟踪循环。此外，间距单元29的剩余的其他像素被其他射束描绘。如果1次跟踪循环结束，则作为跟踪复位，通过主偏转器208的阵列偏转返回至上次的跟踪开始位置。此外，由于各间距单元29的从右起第1个像素列的描绘结束，所以在跟踪复位之后，在下次的跟踪循环中首先副偏转器209以使射束的描绘位置对位(移位)的方式进行偏转，以便对各间距单元29的从右起第2个像素列进行描绘。在图10的例子中，例如通过射束1对间距单元29的从右起第1列的4个像素进行描绘。接下来，通过离开了8个射束间距的射束9对间距单元29的从右起第2列的4个像素进行描绘。接下来，通过离开了8个射束间距的射束17对间距单元29的从右起第3列的4个像素进行描绘。接下来，通过离开了8个射束间距的射束25对间距单元29的从右起第4列的4个像素进行描绘。由此，对象间距单元29内的4×4的全部像素成为了描绘对象。在其他间距单元29中也通过多个射束同样地描绘。在带状区域32的描绘中，通过反复进行该动作，如图7所示，按照照射区域34a～34o这一情况照射区域34的位置依次移动，进行该带状区域32的描绘。为了没有遗漏地对描绘区域整体进行描绘，需要用于进行以上那样的复杂的偏转控制的偏转次序。
在此，当对于由4×4的像素36构成的间距单元29内例如变更像素尺寸的情况下，为了能够将带状区域32内的全部的像素36曝光，通常无法保持原样地使用上述的描绘顺序。例如，在由4×4的像素36构成的间距单元29内如为了重视描绘精度而由5×5的像素35构成那样变更了像素尺寸(像素尺寸变小)的情况下，如果保持原样地使用上述的描绘顺序，则会产生未被照射射束的未曝光像素。同样，在对所搭载的多射束整体中的为了重视描绘精度而使用的射束阵列进行限定的情况下，通常无法保持原样不变地使用上述的描绘顺序。例如，当光学系统的像差在射束阵列右端大的情况下将射束阵列的最右侧的1列设定为不使用而将x方向的射束根数从32根限定为31根的情况下，会产生未被照射射束的未曝光像素。另外，在变更了1次跟踪控制中的曝光像素数的情况下也同样。因此，需要重新构建与所使用的像素尺寸或者/以及所使用的射束阵列等每一次都对应的偏转次序。一边对应于这些条件的变更一边寻找能够描绘试样面的描绘区域整体的偏转次序并不容易。因此，如果能够在任意的条件下以同一格式定义偏转次序，则寻找能够应对各条件的偏转次序变得容易。鉴于此，在实施方式1中，作为用户所希望的任意的条件，输入1次跟踪控制中的曝光像素指定值、像素尺寸、射束尺寸以及所使用的射束阵列这些基本参数，由此即便在不同的条件下也能以相同的格式定义各条件下的偏转次序。
图11是表示实施方式1中的描绘方法的主要部分工序的一个例子的流程图。在图11中，实施方式1中的描绘方法实施模式选择工序(S102)、基本参数取得工序(S104)、像素分割工序(S106)、参数取得工序(S108)、偏转次序制作工序(S116)、照射时间数据生成工序(S120)、数据加工工序(S130)、数据转移工序(S132)以及描绘工序(S134)这一系列的工序。参数取得工序(S108)执行偏转坐标设定工序(S110)、曝光像素数运算工序(S112)、复位时偏转移动量运算工序(S114)这一系列的工序作为内部工序。
作为模式选择工序(S102)，模式选择部50(选择部)从多个描绘模式之中选择一个描绘模式。例如，模式选择部50从高精度进行描绘的高精度描绘模式和以高速进行描绘的高速描绘模式之中选择一个描绘模式。优选多个描绘模式之中可以除此之外还追加采取高精度描绘模式与高速描绘模式之间的标准模式。
作为基本参数取得工序(S104)，基本参数取得部52(参数取得部)取得可变的像素尺寸s和对曝光所使用的射束阵列进行定义的射束阵列信息。具体而言，基本参数取得部52参照存储于存储装置144的相关表，来取得与所选择的描绘模式对应的曝光像素指定值M、像素尺寸s、作为射束阵列信息的射束尺寸S以及使用射束阵列。
图12A和图12B是表示实施方式1中的使用射束阵列的一个例子的图。在图12A的例子中，表示了由搭载于描绘装置100的电子束柱102(照射机构)能够照射的多射束20为8×8根射束阵列的情况。在重视高速描绘的情况下，由于一次能够曝光的像素数变多，所以尽量使用射束根数变多的射束阵列。然而，越是远离中心射束的射束，则由于例如因电子光学系统引起的像差(例如，像失真或者/以及像面弯曲)等的影响而导致射束的照射位置精度、射束形状等变差。因此，在重视描绘精度的情况下，仅使用多射束20整体中的将周围的射束排除了的中心部的射束阵列。在图12B的例子中，表示了使用8×8根射束阵列中的将周围的射束排除了的6×6根射束阵列的情况。
图13A至图13D是用于对使实施方式1中的像素尺寸、射束尺寸以及射束根数可变的情况下的射束阵列与像素的关系进行说明的图。在图13A中，作为基本模式，表示了例如在XY工作台的移动方向(x方向)排列4根射束、且各间距单元29内被分割为2×2个像素36的情况。该情况下，通过沿x方向排列的4根射束对由2×2个像素36构成的沿x方向排列的各间距单元29整体进行描绘。关于与XY工作台的移动方向正交的方向(y方向)的射束根数省略了记载。
另外，在重视高速描绘的情况下，各间距单元29内的像素数越少则越能够快速曝光。另一方面，在重视描绘精度的情况下，由于各间距单元29内的像素数越多，则每根射束的位置、射束电流量的差别等曝光误差越被平均化，所以优选。因此，通过减小像素尺寸来增多间距单元29内的像素数。在图13B的例子中，表示了从各间距单元29内为2×2个的像素36通过减小像素尺寸而被分割为各间距单元29内为3×3个像素36的情况。因此，在减小像素尺寸的情况下，需要设定成像素尺寸成为射束间距(间距单元29的尺寸)的整数分之一。该情况下，通过沿x方向排列的4根射束对由3×3个像素36构成的沿x方向排列的各间距单元29整体进行描绘。
此外，在图13B的例子中，表示了根据像素尺寸变小而射束尺寸也同样减小的情况。但是，并不限定于此。也可以如图13C的例子所示，即使像素尺寸变小也不改变射束尺寸而维持为大的状态。如图13B和图13C所示，使得无论射束尺寸如何射束间间距都不变，由此能够将射束尺寸从偏转控制的条件排除。
图14是用于对实施方式1中的像素尺寸比射束尺寸小的情况下的曝光状态进行说明的图。
图15是用于对实施方式1中的像素尺寸比射束尺寸大的情况下的曝光状态进行说明的图。如图14所示，在像素尺寸比射束尺寸小的情况下，在邻接的像素彼此中，进行曝光的射束10相互重叠。另一方面，如图15所示，在像素尺寸比射束尺寸大的情况下，进行曝光的射束10不照射像素内整体。但是，如果像素尺寸和射束尺寸比抗试剂所具有的照射量的扩散效果(模糊)的距离小，则即使因像素尺寸与射束尺寸的不一致而在各射束进行曝光的区域之间存在间隙、重复，多射束涉及的曝光部的重叠或者间隙也不会大幅影响描绘精度。在任何情况下，只要以每个像素的剂量与所要量一致的方式控制曝光时间即可。因此，对于与射束尺寸的变更相伴的剂量的变化，只要通过照射时间的调整来进行控制即可。因此，像素尺寸可以与射束尺寸不一致。
另外，在重视高速描绘的情况下希望射束根数多，优选在重视描绘精度的情况下减少射束根数而例如将像差大的周边部的射束排除来限定为射束阵列的中央部的射束这一点如上所述。在图13D的例子中，表示了XY工作台的移动方向(x方向)的射束根数被从4根变更为3根的情况。该情况下，通过沿x方向排列的3根射束来对由2×2个像素36构成的沿x方向排列的各间距单元29整体进行描绘。
图16是表示实施方式1中的描绘模式与基本参数的相关表的一个例子的图。在相关表中，对应于多个描绘模式可变地定义了在各跟踪控制期间中进行曝光的像素数的指定值M、像素尺寸s、对至少在描绘区域的描绘中射束间距P(射束间间距尺寸)固定的多射束20中的曝光所使用的射束阵列进行识别的识别信息(b×c)。在图16的例子中，在相关表中，每1次跟踪控制的曝光像素指定值M使用成为M1＞M2＞M3的关系的各值，在高速描绘模式定义为M1，在高精度描绘模式中定义为M3，在标准描绘模式中定义为中间的M2。另外，在相关表中，像素尺寸s使用成为s1＞s2的关系的各值，在高速描绘模式中定义为s1，在高精度描绘模式中定义为s2，在标准描绘模式中定义为s1。另外，在相关表中，射束尺寸S使用成为S1＞S2的关系的各值，在高速描绘模式中定义为S1，在高精度描绘模式中定义为S2，在标准描绘模式中定义为S1。另外，在相关表中，使用射束阵列的识别信息b×c使用成为b1＞b2以及c1＞c2的关系的各值，在高速描绘模式中定义为b1×c1的射束阵列，在高精度描绘模式中定义为b2×c2的射束阵列，在标准描绘模式中定义为b1×c1的射束阵列。关于使用射束阵列，以使用中央部的射束阵列作为前提来定义。只要根据从描绘装置100的电子束柱102能够照射的射束阵列的排列以及试样101上的射束间间距的尺寸来在相关表中预先定义各值即可。
在上述的例子中，表示了根据所选择的描绘模式来采用在相关表中定义的各值作为基本参数的情况，但并不限定于此。例如也可以使基本参数取得部52取得经由未图示的GUI(图形用户界面)等输入机构由用户直接输入的作为基本参数的各值。
作为像素分割工序(S106)，像素分割部54(分割部)利用对应于所选择的描绘模式而可变的像素尺寸，将被照射多射束20的试样101面上的带状区域32(描绘区域)分割为多个像素36(像素区域)。具体而言，以所取得的像素尺寸s、例如以各间距单元29内成为2×2个像素36的像素尺寸，将带状区域32分割为多个像素36(像素区域)。或者，例如以各间距单元29内成为3×3个像素36的像素尺寸，将带状区域32分割为多个像素36(像素区域)。由此，以与描绘模式对应的尺寸，设定成为多射束20的各射束的曝光对象的多个像素36。
作为参数取得工序(S108)，参数取得部55(取得部)基于像素尺寸和射束阵列信息，取得用于向各间距单元29内的多个像素36偏转担当射束的多个偏转坐标(Xk，Yk)、在为了使多射束20的各射束一起追随XY工作台105的移动而进行的各跟踪控制期间中担当射束对各间距单元29内进行曝光的曝光像素数Ej、以及在经过跟踪控制期间后进行将跟踪开始位置复位的跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量Dj。为了取得多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj这些偏转次序的参数，实施以下的内部工序。
作为偏转坐标设定工序(S110)，偏转坐标设定部60参照相关表，对以所选择的描绘模式被定义的像素尺寸s分割了带状区域32(描绘区域)后的多个像素36设定多个偏转坐标(Xk，Yk)。在此，可以是X方向的射束间距以及Y方向的射束间距的大小相同的情况，也可以是不同的情况。作为多个偏转坐标，存在处于X方向的射束间距以及Y方向的射束间距的大小的间距单元29(矩形区域)内的像素的数量的偏转坐标。如果是XY方向的射束间距相同的情况，则作为多个偏转坐标，存在与以像素36的尺寸的合计长度成为射束间距P(射束间间距尺寸)的方式沿1个方向(x方向)排列的多个像素36的数量m的平方值(m2)相当的数量的偏转坐标。以下，例如使用X方向的射束间距以及Y方向的射束间距的大小相同的情况来进行说明。多个偏转坐标(Xk，Yk)按每个间距单元29设定。在各间距单元29内例如被分割为2×2个像素36的情况下，对2×2个像素36的基准位置设定偏转坐标(0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)共计四个(22个)的偏转坐标。在各间距单元29内例如被分割为3×3个像素36的情况下，对3×3个像素36的基准位置设定偏转坐标(0，0)、(0，1)、(0，2)、(1，0)、(1，1)、(1，2)、(2，0)、(2、1)、(2，2)共计9个(32个)的偏转坐标。作为像素36的基准位置，例如优选使用各像素36的左下角。或者，优选使用各像素36的中心位置。在实施方式1的偏转次序中，将1个循环的平方值(m2)量的曝光分为多次的跟踪控制期间来进行，将通过向该多个偏转坐标(Xk，Yk)的各偏转坐标的一系列的射束偏转而进行的多次曝光作为上述1个循环。
图17是表示实施方式1中的曝光像素数运算部的内部构成的图。在图17中，在曝光像素数Ej运算部56内配置有基准像素数Ebase选择部70、曝光像素数Ej组合选择部72以及判定部74、76。基准像素数Ebase选择部70、曝光像素数Ej组合选择部72以及判定部74、76这些各“～部”具有处理电路。该处理电路例如包括电回路、计算机、处理器、电路基板、量子电路或者半导体装置。各“～部”可以使用共通的处理电路(相同的处理电路)，或者可以使用不同的处理电路(各自的处理电路)。针对基准像素数Ebase选择部70、曝光像素数Ej组合选择部72以及判定部74、76输入输出的信息以及运算中的信息被每次储存至存储器112。
作为曝光像素数运算工序(S112)，曝光像素数Ej运算部56参照相关表，使用对所选择的描绘模式定义的像素数的指定值M，来运算在各跟踪控制期间中进行曝光的曝光像素数Ej。将通过对所设定的多个偏转坐标(Xk，Yk)的各偏转坐标的一系列的射束偏转而进行的平方值(m2)量的曝光如上述那样作为1个循环，曝光像素数Ej运算部56以在每1个循环的各跟踪控制期间中进行曝光的曝光像素数Ej的合计与平方值(m2)一致的方式，运算在各跟踪控制期间中进行曝光的曝光像素数Ej。具体而言，如以下那样动作。
图18是表示实施方式1中的曝光像素数运算工序的内部工序的一个例子的流程图。在图18中，实施方式1中的曝光像素数运算工序(S112)实施基准像素数Ebase选择工序(S204)、曝光像素数Ej组合选择工序(S206)、判定工序(S208)以及判定工序(S209)这一系列的工序作为其内部工序。
作为基准像素数Ebase选择工序(S204)，首先，基准像素数Ebase选择部70输入对所选择的描绘模式定义的曝光像素指定值M，基于曝光像素指定值M来选择基准像素数Ebase。首先，基准像素数Ebase选择部70选择曝光像素指定值M作为基准像素数Ebase。例如，例如输入曝光像素指定值M＝2，对基准像素数Ebase选择值2。
作为曝光像素数Ej组合选择工序(S206)，曝光像素数Ej组合选择部72选择将曝光像素数Ej的组合相加而得到的值ΣEj与沿x方向排列的多个像素36的数量m的平方值(m2)一致的曝光像素数Ej的组合。在基准像素数Ebase＝2的情况下，针对9个(例如m＝3的情况)像素，每1次跟踪控制曝光2个像素。但是，仅使用了2的组合时无法共计为9。
作为判定工序(S208)，判定部74对使用所选择的基准像素数Ebase能否实现共计为m2的曝光像素数Ej的组合进行判定。在上述的例子中，在基准像素数Ebase＝2的情况下，针对9个像素，无法实现曝光像素数Ej的组合。在不可能的情况下，返回至基准像素数Ebase选择工序(S204)。在可能的情况下，进入至判定工序(S209)。
返回至基准像素数Ebase选择工序(S204)，接下来，基准像素数Ebase选择部70选择M和M－1作为基准像素数Ebase。作为曝光像素数Ej组合选择工序(S206)，曝光像素数Ej组合选择部72使用M和M－1来选择成为m2(例如m＝3的情况)的曝光像素数Ej的组合。在M＝2的情况下，使用2和1，能够选择Ej＝2、2、2、2、1的组合。其结果是，作为判定工序(S208)，判定部74判定为能够实现共计为m2(例如m＝3的情况)的曝光像素数Ej的组合。然后，进入至判定工序(S209)。
作为判定工序(S209)，判定部76对曝光像素数Ej的组合数是否为射束根数b以下进行判定。判定部76输入对所选择的描绘模式设定的射束阵列的识别信息(b×c)，使用沿XY工作台105的移动方向(x方向)排列的射束根数b来进行判定。例如，在沿XY工作台105的移动方向(x方向)排列的射束数为4的情况下，曝光像素数Ej的组合数成为Ej＝2、2、2、2、1这5个，导致比射束根数b的4大。因此，无法使用Ej＝2、2、2、2、1的组合。在曝光像素数Ej的组合数不是射束根数b以下的情况下，返回至基准像素数Ebase选择工序(S204)。在曝光像素数Ej的组合数为射束根数b以下的情况下，进入至复位时偏转移动量运算工序(S114)。
返回至基准像素数Ebase选择工序(S204)，接下来，基准像素数Ebase选择部70选择M和M+1作为基准像素数Ebase。作为曝光像素数Ej组合选择工序(S206)，曝光像素数Ej组合选择部72使用M和M+1来选择成为m2的曝光像素数Ej的组合。在M＝2的情况下，使用2和3能够选择Ej＝3、2、2、2的组合。其结果是，作为判定工序(S208)，判定部74判定为能够实现总计为m2(例如m＝3的情况)的曝光像素数Ej的组合。然后，进入至判定工序(S209)。作为判定工序(S209)，判定部76对曝光像素数Ej的组合数是否为射束根数b以下进行判定。曝光像素数Ej的组合数为Ej＝3、2、2、2这4个，成为射束根数b＝4以下。因此，能够使用Ej＝3、2、2、2的组合，并进行设定。
图19是表示实施方式1中的偏转移动量运算部的内部构成的图。在图19中，在偏转移动量Dj运算部58内配置有曝光像素数Ej组合输入部80、伪移动量D′运算部82、偏转移动量Dj组合选择部84、以及判定部86。曝光像素数Ej组合输入部80、伪移动量D′运算部82、偏转移动量Dj组合选择部84、以及判定部86这些各“～部”具有处理电路。该处理电路例如包括电回路、计算机、处理器、电路基板、量子电路或者半导体装置。各“～部”可以使用共通的处理电路(相同的处理电路)，或者可以使用不同的处理电路(各自的处理电路)。针对曝光像素数Ej组合输入部80、伪移动量D′运算部82、偏转移动量Dj组合选择部84、以及判定部86输入输出的信息以及运算中的信息每次都被储存至存储器112。
作为复位时偏转移动量运算工序(S114)，偏转移动量Dj运算部58参照相关表，使用对所选择的描绘模式被定义的多射束20中的曝光所使用的射束阵列(射束群)进行识别的识别信息(b×c)，来运算进行跟踪复位的情况下的多射束20的偏转移动量Dj。将通过对所设定的多个偏转坐标(Xk，Yk)的各偏转坐标的一系列射束偏转而进行的平方值(m2)量的曝光如上述那样作为1个循环，偏转移动量Dj运算部58以进行每1个循环的跟踪复位的情况下的多射束20的偏转移动量Dj的合计与对XY工作台105的移动方向上的多射束20的射束根数b乘以射束间距P(射束间间距尺寸)而得到的值bP一致的方式，运算进行跟踪复位的情况下的多射束的偏转移动量Dj。其中，优选使用表示射束间距P(射束间间距尺寸)的k倍(k为自然数)的k值来定义偏转移动量Dj。具体而言，如以下那样动作。
图20是表示实施方式1中的复位时偏转移动量运算工序的内部工序的一个例子的流程图。在图20中，实施方式1中的复位时偏转移动量运算工序(S114)实施曝光像素数Ej组合输入工序(S210)、伪移动量D′运算工序(S212)、偏转移动量Dj组合选择工序(S214)、以及判定工序(S216)这一系列的工序作为其内部工序。
作为曝光像素数Ej组合输入工序(S210)，曝光像素数Ej组合输入部80输入被运算出的曝光像素数Ej的组合。在上述的例子中，输入Ej＝3、2、2、2的组合的信息。
作为伪移动量D′运算工序(S212)，伪移动量D′运算部82输入对所选择的描绘模式被定义的多射束20中的曝光所使用的射束阵列(射束群)进行识别的识别信息(b×c)。而且，伪移动量D′运算部82运算伪移动量D′，该伪移动量D′是将XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束间距P的射束根数b倍的值bP除以为了进行通过对所设定的多个偏转坐标(Xk，Yk)的各偏转坐标的一系列射束偏转而进行的平方值(m2)量的曝光(1个循环)的跟踪次数而得到的。换言之，伪移动量D′运算部82运算伪移动量D′作为每1次跟踪复位的多射束20的伪的偏转移动量。此外，为了方便起见，不使用射束间距P的射束根数b倍的值bP，取代距离bP而运算将bP除以射束间距后的值b除以跟踪次数而得到的伪移动量D′。每1个循环的跟踪次数与曝光像素数Ej的组合数相同。鉴于此，伪移动量D′运算部82预算将XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束根数b除以曝光像素数Ej的组合数而得到的伪移动量D′。在x方向上的多射束20的射束根数例如为4根、曝光像素数Ej的组合数例如为3的情况下，伪移动量D′为1.33(＝4/3)。在x方向上的多射束20的射束根数例如为4根、曝光像素数Ej的组合数例如为4的情况下，伪移动量D′为1(＝4/4)。
作为偏转移动量Dj组合选择工序(S214)，偏转移动量Dj组合选择部84基于伪移动量D′来选择偏转移动量Dj的组合。偏转移动量Dj的组合数仅被选择与用于进行1个循环的跟踪次数相同的值。在用于进行1个循环的跟踪次数例如为3次(曝光像素数Ej的组合数为3)、例如伪移动量D′＝1.33的情况下，偏转移动量Dj组合选择部84使用夹着1.33的整数即1、2，来选择Dj＝2、2、1作为偏转移动量Dj。在用于进行1个循环的跟踪次数例如为4次(曝光像素数Ej的组合数为4)、例如伪移动量D′＝1的情况下，偏转移动量Dj组合选择部84使用整数1来选择Dj＝1、1、1、1作为偏转移动量Dj。
作为判定工序(S216)，判定部86对偏转移动量Dj的组合的合计ΣDj是否与对多射束20的射束根数b乘以射束间距P而得到的值bP一致进行判定。其中，在使用表示射束间距P(射束间间距尺寸)的k倍(k为自然数)的k值来定义偏转移动量Dj的情况下，判定部86对偏转移动量Dj的组合的合计ΣDj是否与x方向的射束根数b一致进行判定。在此，说明使用表示射束间距P(射束间间距尺寸)的k倍(k为自然数)的k值来定义偏转移动量Dj的情况。在射束根数b例如为4的情况下，由于Dj＝2、2、1的合计ΣDj为5，所以判定为不一致。在射束根数b例如为4的情况下，由于Dj＝1、1、1、1的合计ΣDj为4，所以判定为一致。例如，在x方向上的多射束20的射束根数b为3的情况下，由于Dj＝2、1、2的合计ΣDj为5，所以判定为不一致。例如，在x方向上的多射束20的射束根数b为3的情况下，由于Dj＝1、1、1、1的合计ΣDj为4，所以判定为不一致。在偏转移动量Dj的组合的合计ΣDj与射束数b不一致的情况下，返回到偏转移动量Dj组合选择工序(S214)，选择其他的组合。在偏转移动量Dj的组合的合计ΣDj与射束数b一致的情况下，进入至偏转次序制作工序(S116)。
在偏转移动量Dj的组合的合计ΣDj与射束根数b一致的情况下，返回至偏转移动量Dj组合选择工序(S214)，偏转移动量Dj组合选择部84基于伪移动量D′来选择偏转移动量Dj的组合。例如在伪移动量D′＝1.33的情况下，偏转移动量Dj组合选择部84使用夹着1.33的整数即1、2，选择Dj＝2、1、1作为偏转移动量Dj。作为判定工序(S216)，判定部86对偏转移动量Dj的组合的合计ΣDj与射束根数b是否一致进行判定。在射束根数b例如为4的情况下，由于Dj＝2、1、1的合计ΣDj为4，所以判定为一致。
如以上那样，参数取得部55能够取得偏转次序的各参数。
作为偏转次序制作工序(S116)，偏转次序制作部61(制作部)制作使用多个偏转坐标(Xk，Yk)、在各跟踪控制期间中进行曝光的曝光像素数Ej以及进行跟踪复位的情况下的多射束20的偏转移动量Dj而定义的偏转次序。在偏转次序中，多个偏转坐标(Xk，Yk)的偏转顺序被设定为以上述的平方值(m2)相当的数量的多个偏转坐标(Xk，Yk)不重复的方式偏转射束。例如由于在XY工作台105连续移动的状态下逐渐移位偏转位置，所以为了对伴随着XY工作台105的移动而变远的像素优先进行曝光，偏转顺序能够以优先与XY工作台105的移动方向(x方向)正交的方向(y方向)来进行偏转的方式设定偏转顺序。
图21是用于对实施方式1中的偏转次序的一个例子进行说明的图。在图21的例子中，表示了XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束根数b为4根、各间距单元29由2×2个像素36构成、曝光像素指定值M＝1的情况。关于y方向的射束根数c省略了记载，但不管y方向的射束根数c如何，都能够应用同样的偏转次序。如果通过上述的方法进行运算，则多个偏转坐标(Xk，Yk)成为(0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)，以该顺序设定偏转顺序。另外，在曝光像素指定值M＝1的情况下，如果通过上述的方法进行运算，则曝光像素数Ej被运算为Ej＝1、1、1、1。而且，如果通过上述的方法进行运算，则偏转移动量Dj被运算为Dj＝1、1、1、1。如图21所示，在第1发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转对齐各间距单元29内的偏转坐标(0，0)来对偏转坐标(0，0)的像素36进行曝光。由于E1＝1，所以在第1发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D1＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第2发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，1)来对偏转坐标(0，1)的像素36进行曝光。由于E2＝1，所以在第2发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D2＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第3发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，0)来对偏转坐标(1，0)的像素36进行曝光。由于E3＝1，所以在第3发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D3＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第4发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，1)来对偏转坐标(1，1)的像素36进行曝光。由于E4＝1，所以在第4发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D4＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。由此，1个循环的曝光结束。在第1发射中第4个射束进行了曝光的间距单元29中，能够将全部的像素曝光。在该偏转次序中，按每1个循环，多射束20使偏转位置移动4个射束间距量的距离(对XY工作台105的移动方向上的多射束20的射束根数乘以射束间距P而得到的值的距离)。如以上那样，如果制作了将多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj定义为参数的偏转次序，则通过以该偏转次序继续描绘处理，能够在相对于XY工作台105的移动方向沿相反方向排列的以后的间距单元29中，依次将全部的像素曝光。在实际的描绘处理中，由于在第1发射中第1～第3个射束进行了曝光的间距单元29中产生未曝光像素，所以如果沿XY工作台105的移动方向将第1发射的照射区域34的位置向带状区域32的外侧错开3个射束间距量之后开始描绘处理，则能够将带状区域32内的全部的像素36曝光。
图22是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。在图22的例子中，表示了XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束根数b为4根、各间距单元29由2×2个像素36构成、每1个跟踪控制的曝光像素指定值M＝2的情况。在图22的例子中，表示了相对于图21的例子变更了曝光像素指定值M的情况的一个例子。关于y方向的射束根数c省略了记载，但无论y方向的射束根数c如何，都能够应用同样的偏转次序。如果通过上述的方法进行运算，则多个偏转坐标(Xk，Yk)成为(0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)，以该顺序设定偏转顺序。另外，在曝光像素指定值M＝2的情况下，如果通过上述的方法进行运算，则曝光像素数Ej被运算为Ej＝2、2。而且，如果通过上述的方法进行运算，则偏转移动量Dj被运算为Dj＝2、2。如图22所示，在第1发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转对齐各间距单元29内的偏转坐标(0，0)来对偏转坐标(0，0)的像素36进行曝光。由于E1＝2，所以接着进行第2发射。在第2发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，1)来对偏转坐标(0，1)的像素36进行曝光。由于E1＝2，所以在第2发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D1＝2，所以使多射束20移动2个射束间距的偏转位置。在第3发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，0)来对偏转坐标(1，0)的像素36进行曝光。由于E2＝2，所以接着进行第4发射。在第4发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，1)来对偏转坐标(1，1)的像素36进行曝光。由于E2＝2，所以在第4发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D2＝2，所以使多射束20移动2个射束间距的偏转位置。由此，1个循环的曝光结束。在第1发射中第3个射束以及第4个射束进行了曝光的间距单元29中，能够将全部的像素曝光。在该偏转次序中，按每1个循环，多射束20使偏转位置移动4个射束间距量的距离(对XY工作台105的移动方向上的多射束20的射束根数乘以射束间距P而得到的值的距离)。如以上那样，如果制作将多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj定义为参数的偏转次序，则通过以该偏转次序继续描绘处理，在相对于XY工作台105的移动方向沿相反方向排列的以后的间距单元29中，能够依次将全部的像素曝光。在实际的描绘处理中，由于在第1发射中第1、第2个射束进行了曝光的间距单元29中产生未曝光像素，所以如果在沿XY工作台105的移动方向将第1发射的照射区域34的位置向带状区域32的外侧错开2个射束间距量之后开始描绘处理，则能够将带状区域32内的全部的像素36曝光。
图23是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。在图23的例子中，表示了XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束根数b为4根、各间距单元29由3×3个像素36构成、每1个跟踪控制的曝光像素指定值M＝3的情况。在图23中，表示了相对于图21的例子变更了像素尺寸和曝光像素指定值M＝3的情况下的一个例子。对于y方向的射束根数c省略了记载，但无论y方向的射束根数c如何，都能够应用同样的偏转次序。若通过上述的方法进行运算，则多个偏转坐标(Xk，Yk)成为(0，0)、(0，1)、(0，2)、(1，0)、(1，1)(1，2)、(2，0)、(2、1)、(2，2)，以该顺序来设定偏转顺序。另外，在曝光像素指定值M＝3的情况下，如果通过上述的方法进行运算，则曝光像素数Ej被运算为Ej＝3、3、3。而且，如果通过上述的方法进行运算，则偏转移动量Dj被运算为Dj＝1、1、2。如图23所示，在第1发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转对齐各间距单元29内的偏转坐标(0，0)来对偏转坐标(0，0)的像素36进行曝光。由于E1＝3，所以接着进行第2发射。在第2发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，1)来对偏转坐标(0，1)的像素36进行曝光。并且，接着进行第3发射。在第3发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，2)来对偏转坐标(0，2)的像素36进行曝光。由于E1＝3，所以在第3发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D1＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第4发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，0)来对偏转坐标(1，0)的像素36进行曝光。由于E2＝3，所以接着进行第5发射。在第5发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，1)来对偏转坐标(1，1)的像素36进行曝光。并且，接着进行第6发射。在第6发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，2)来对偏转坐标(1，2)的像素36进行曝光。由于E2＝3，所以在第6发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D2＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第7发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2，0)来对偏转坐标(2，0)的像素36进行曝光。由于E3＝3，所以接着进行第8发射。在第8发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2，1)来对偏转坐标(2，1)的像素36进行曝光。并且，接着进行第9发射。在第9发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2，2)来对偏转坐标(2，2)的像素36进行曝光。由于E3＝3，所以在第9发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D3＝2，所以使多射束20移动2个射束间距的偏转位置。由此，1个循环的曝光结束。在第1发射中第3个射束以及第4个射束进行了曝光的间距单元29，能够将全部的像素。在该偏转次序中，按每1个循环，多射束20使偏转位置移动4个射束间距量的距离(对XY工作台105的移动方向上的多射束20的射束根数乘以射束间距P而得到的值的距离)。如以上那样，如果制作将多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj定义为参数的偏转次序，则通过以该偏转次序继续描绘处理，在相对于XY工作台105的移动方向沿相反方向排列的以后的间距单元29中，能够依次将全部的像素曝光。在实际的描绘处理中，由于在第1发射中第1、第2个射束进行了曝光的间距单元29中产生未曝光像素，所以如果在沿XY工作台105的移动方向使第1发射的照射区域34的位置向带状区域32的外侧错开2个射束间距量之后开始描绘处理，则能够将带状区域32内的全部的像素36曝光。
图24是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。在图24的例子中，表示了XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束根数b为4根、各间距单元29由3×3个像素36构成、每1个跟踪控制的曝光像素指定值M＝2的情况。在图24的例子中，表示了相对于图23的例子变更了曝光像素指定值M的情况的一个例子。关于y方向的射束根数c省略了记载，但无论y方向的射束根数c如何，都能够应用同样的偏转次序。如果通过上述的方法进行运算，则多个偏转坐标(Xk，Yk)成为(0，0)、(0，1)、(0，2)、(1，0)、(1，1)(1，2)、(2，0)、(2、1)、(2，2)，以该顺序设定偏转顺序。另外，在曝光像素指定值M＝2的情况下，如果通过上述的方法进行运算，则曝光像素数Ej被运算为Ej＝3、2、2、2。而且，如果通过上述的方法进行运算，则偏转移动量Dj被运算为Dj＝1、1、1、1。如图24所示，在第1发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转对齐各间距单元29内的偏转坐标(0，0)来对偏转坐标(0，0)的像素36进行曝光。由于E1＝3，所以接着进行第2发射。在第2发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，1)来对偏转坐标(0，1)的像素36进行曝光。并且，接着进行第3发射。在第3发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，2)来对偏转坐标(0，2)的像素36进行曝光。由于E1＝3，所以在第3发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D1＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第4发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，0)来对偏转坐标(1，0)的像素36进行曝光。由于E2＝2，所以接着进行第5发射。在第5发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，1)来对偏转坐标(1，1)的像素36进行曝光。由于E2＝2，所以在第5发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D2＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第6发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，2)来对偏转坐标(1，2)的像素36进行曝光。由于E3＝2，所以接着进行第7发射。在第7发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2，0)来对偏转坐标(2，0)的像素36进行曝光。由于E3＝2，所以在第7发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D3＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。
在第8发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2、1)来对偏转坐标(2、1)的像素36进行曝光。由于E4＝2，所以接着进行第9发射。在第9发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2，2)来对偏转坐标(2，2)的像素36进行曝光。由于E4＝2，所以在第9发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D4＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。由此，1个循环的曝光。在第1发射中第4个射束进行了曝光的间距单元29中，能够将全部的像素曝光。在该偏转次序中，按每1个循环，多射束20使偏转位置移动4个射束间距量的距离(对XY工作台105的移动方向上的多射束20的射束根数乘以射束间距P而得到的值的距离)。如以上那样，如果制作将多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj定义为参数的偏转次序，则通过以该偏转次序继续描绘处理，在相对于XY工作台105的移动方向沿相反方向排列的以后的间距单元29中，能够依次将全部的像素曝光。在实际的描绘处理中，由于在第1发射中第1～第3个射束进行了曝光的间距单元29中产生未曝光像素，所以如果在沿XY工作台105的移动方向将第1发射的照射区域34的位置向带状区域32的外侧错开3个射束间距量之后开始描绘处理，则能够将带状区域32内的全部的像素36曝光。
图25是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。在图25的例子中，表示了XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束根数b为3根、各间距单元29由2×2个像素36构成、每1个跟踪控制的曝光像素指定值M＝1的情况。在图25的例子中，表示了相对于图21的例子变更了x方向上的射束根数b的情况的一个例子。关于y方向的射束根数c省略了记载，但无论y方向的射束根数c如何，都能够应用同样的偏转次序。如果通过上述的方法进行运算，则多个偏转坐标(Xk，Yk)成为(0，0)、(0，1)、(1，0)、(1，1)，以该顺序设定偏转顺序。另外，在曝光像素指定值M＝1的情况下，如果通过上述的方法进行运算，则曝光像素数Ej被运算为Ej＝1、1、2。而且，如果通过上述的方法进行运算，则偏转移动量Dj被运算为Dj＝1、1、1。如图25所示，在第1发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转对齐各间距单元29内的偏转坐标(0，0)来对偏转坐标(0，0)的像素36进行曝光。由于E1＝1，所以在第1发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D1＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第2发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，1)来对偏转坐标(0，1)的像素36进行曝光。由于E2＝1，所以在第2发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D2＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第3发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，0)来对偏转坐标(1，0)的像素36进行曝光。由于E3＝2，所以接着进行第4发射。在第4发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，1)来对偏转坐标(1，1)的像素36进行曝光。由于E3＝2，所以在第4发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D3＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。由此，1个循环的曝光结束。在第1发射中第3个射束进行了曝光的间距单元29中，能够将全部的像素曝光。在该偏转次序中，按每1个循环，多射束20使偏转位置移动3个射束间距量的距离(对XY工作台105的移动方向上的多射束20的射束根数乘以射束间距P而得到的值的距离)。如以上那样，如果制作将多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj定义为参数的偏转次序，则通过以该偏转次序继续描绘处理，在相对于XY工作台105的移动方向沿相反方向排列的以后的间距单元29中，能够依次将全部的像素曝光。在实际的描绘处理中，由于在第1发射中第1、第2个射束进行了曝光的间距单元29中产生未曝光像素，所以如果在沿XY工作台105的移动方向将第1发射的照射区域34的位置向带状区域32的外侧错开2个射束间距量之后开始描绘处理，则能够将带状区域32内的全部的像素36曝光。
图26是用于对实施方式1中的偏转次序的另一个例子进行说明的图。在图26的例子中，表示了XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束根数b为3根、各间距单元29由3×3个像素36构成、每1个跟踪控制的曝光像素指定值M＝3的情况。在图26的例子中，表示了相对于图25的例子变更了像素尺寸和曝光像素指定值M的情况的一个例子。关于y方向的射束根数c省略了记载，但无论y方向的射束根数c如何，都能够应用同样的偏转次序。如果通过上述的方法进行运算，则多个偏转坐标(Xk，Yk)成为(0，0)、(0，1)、(0，2)、(1，0)、(1，1)(1，2)、(2，0)、(2、1)、(2，2)，以该顺序设定偏转顺序。另外，在曝光像素指定值M＝3的情况下，如果通过上述的方法进行运算，则曝光像素数Ej被运算为Ej＝3、3、3。而且，如果通过上述的方法进行运算，则偏转移动量Dj被运算为Dj＝1、1、1。如图26所示，在第1发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转对齐各间距单元29内的偏转坐标(0，0)来对偏转坐标(0，0)的像素36进行曝光。由于E1＝3，所以接着进行第2发射。在第2发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，1)来对偏转坐标(0，1)的像素36进行曝光。并且，继续进行第3发射。在第3发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(0，2)来对偏转坐标(0，2)的像素36进行曝光。由于E1＝3，所以在第3发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D1＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第4发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，0)来对偏转坐标(1，0)的像素36进行曝光。由于E2＝3，所以接着进行第5发射。在第5发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，1)来对偏转坐标(1，1)的像素36进行曝光。并且，继续进行第6发射。在第6发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(1，2)来对偏转坐标(1，2)的像素36进行曝光。由于E2＝3，所以在第6发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D2＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。在第7发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2，0)来对偏转坐标(2，0)的像素36进行曝光。由于E3＝3，所以接着进行第8发射。在第8发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2、1)来对偏转坐标(2、1)的像素36进行曝光。并且，接着进行第9发射。在第9发射中，沿x方向为4根射束，使偏移偏转位置移位至各间距单元29内的偏转坐标(2，2)来对偏转坐标(2，2)的像素36进行曝光。由于E3＝3，所以在第9发射结束的时刻进行跟踪复位，由于D3＝1，所以使多射束20移动1个射束间距的偏转位置。由此，1个循环的曝光结束。在第1发射中第3个射束进行了曝光的间距单元29中，能够将全部的像素曝光。在该偏转次序中，按每1个循环，多射束20使偏转位置移动3个射束间距量的距离(对XY工作台105的移动方向上的多射束20的射束根数乘以射束间距P而得到的值的距离)。如以上那样，如果制作将多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj定义为参数的偏转次序，则通过以该偏转次序继续描绘处理，在相对于XY工作台105的移动方向沿相反方向排列的以后的间距单元29中，能够依次将全部的像素曝光。在实际的描绘处理中，由于在第1发射中第1、第2个射束进行了曝光的间距单元29中产生未曝光像素，所以如果在沿XY工作台105的移动方向将第1发射的照射区域34的位置向带状区域32的外侧错开2个射束间距量之后开始描绘处理，则能够将带状区域32内的全部的像素36曝光。
图27是表示实施方式1中的偏转次序的格式的一个例子的图。如图27所示，偏转次序将多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj定义为参数。在偏转次序中，使用表示射束间间距尺寸的k倍的k值来定义进行跟踪复位的情况下的多射束20的偏转移动量Dj。在图27的例子中，将图24所示的偏转次序表示为一个例子。换言之，表示了XY工作台105的移动方向(x方向)上的射束根数b为4根、各间距单元29由3×3个像素36构成、每1个跟踪控制的曝光像素指定值M＝2的情况。因此，在偏转坐标(Xk，Yk)定义了(0，0)、(0，1)、(0，2)、(1，0)、(1，1)(1，2)、(2，0)、(2、1)、(2，2)。在曝光像素数Ej定义了3、2、2、2。而且，在偏转移动量Dj定义了1、1、1、1。如以上那样，在实施方式1中，即便在像素尺寸、射束尺寸以及所使用的射束阵列的射束数不同的条件下也能够以相同的格式定义各条件下的偏转次序。
此外，在图27的例子中，单纯地说明了定义多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj的偏转次序的格式，但并不限定于此。例如，也可以使用按跟踪控制顺序并且按每一个跟踪控制定义该跟踪控制中的偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj的偏转次序的格式。
作为照射时间数据生成工序(S120)，照射时间数据生成部62按被分割的每一个像素36运算用于对该像素36照射的照射量D。例如，只要将照射量D运算为对预先设定的基准照射量Dbase乘以接近效果修正照射系数Dp和图案面积密度ρ的值即可。这样，优选与按每一个像素36计算出的图案的面积密度成比例地求出照射量D。关于接近效果修正照射系数Dp，将描绘区域(在此例如为带状区域32)以规定的尺寸按网格状虚拟分割为多个接近网格区域(接近效果修正计算用网格区域)。接近网格区域的尺寸优选设定为接近效果的影响范围的1/10左右，例如设定为1μm左右。而且，从存储装置140读出描绘数据，按每个接近网格区域运算在该接近网格区域内配置的图案的图案面积密度ρ′。
接下来，按每一个接近网格区域运算用于对接近效果进行修正的接近效果修正照射系数Dp。在此，运算接近效果修正照射系数Dp的网格区域的尺寸不需要与运算图案面积密度ρ′的网格区域的尺寸相同。另外，接近效果修正照射系数Dp的修正模型以及其计算方法可以与以往的单射束描绘方式中使用的方法相同。
然后，照射时间数据生成部62按每个像素36运算用于对该像素36入射所运算的照射量D的电子束的照射时间t，生成用于对照射时间t进行识别的照射时间数据。能够通过将照射量D除以电流密度J来运算照射时间t。例如，可以通过用于对时钟信号计数与照射时间t一致的时间的计数数来定义照射时间数据。
作为数据加工工序(S130)，数据加工部64沿着所制作的偏转次序将像素36与对该像素进行曝光的射束建立关联。其中，数据加工部64根据对所选择的描绘模式被设定的射束阵列b×c对于多射束20整体中的未被使用的射束群以总是成为射束OFF的方式生成照射时间为零的照射时间数据。而且，数据加工部64按发射顺序重新排列照射时间数据。数据加工后的照射时间数据被储存于存储装置142。
作为数据转移工序(S132)，转移处理部66将储存于存储装置142的照射时间数据转移至偏转控制电路130。
作为描绘工序(S134)，首先，描绘控制部68控制驱动机构214来使第一成形孔径阵列基板212移动，以便所成形的多射束20的各射束以保持射束间间距不变的状态成为对所选择的描绘模式设定的射束尺寸S。
然后，被描绘控制部68控制的描绘机构150一边根据偏转次序偏转多射束20一边对试样101描绘图案。此时，描绘机构150通过无论所选择的描绘模式如何射束间间距都不变的射束阵列(多射束)对被像素尺寸s分割而成的试样101面上的多个像素36进行照射，由此对试样101描绘图案。此时，同样地，描绘机构150通过多射束20整体中的与所选择的描绘模式对应的射束阵列来对试样101描绘图案。此时，同样地，描绘机构150通过与所选择的描绘模式对应的射束尺寸S的射束阵列对试样101描绘图案。
如以上那样，根据实施方式1，即便是像素尺寸或者/以及射束阵列等发生变更的情况，也能够对描绘区域整体进行描绘。
以上，参照具体例对实施方式进行了说明。但是，本发明并不限定于这些具体例。在上述的例子中，对根据基本参数在描绘装置100的内部运算多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj的情况进行了说明，但并不限定于此。也可以是描绘装置100取得在外部预先运算出的多个偏转坐标(Xk，Yk)、曝光像素数Ej以及偏转移动量Dj的情况。
另外，关于装置构成、控制方法等在本发明的说明中不直接需要的部分等省略了记载，但能够适当地选择使用必要的装置构成、控制方法。例如，对于控制描绘装置100的控制部构成省略了记载，但当然可以适当地选择使用必要的控制部构成。
此外，具备本发明的要素且本领域技术人员能够适当地设计变更的全部的多带电粒子射束描绘装置以及多带电粒子射束描绘方法都包含于本发明的范围。

Claims (10)

1.一种多射束描绘方法，其特征在于，
取得可变的像素尺寸和对曝光所使用的射束阵列进行定义的射束阵列信息，
基于所述像素尺寸和所述射束阵列信息，取得用于使担当射束向多个射束间间距区域的各射束间间距区域内的多个像素偏转的多个偏转坐标、在为了使多射束的各射束一起追随工作台的移动而进行的各跟踪控制期间中担当射束对各射束间间距区域内进行曝光的像素数、以及在跟踪控制期间经过后进行跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量，所述多个射束间间距区域是试样上的描绘区域被多射束的射束间间距尺寸分割而成的，所述跟踪复位将跟踪开始位置复位，
制作偏转次序，该偏转次序是使用所述多个偏转坐标、在所述各跟踪控制期间中进行曝光的所述像素数以及进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量而定义的，
一边根据所述偏转次序使所述多射束偏转，一边对所述试样描绘图案。
2.根据权利要求1所述的多射束描绘方法，其特征在于，
作为所述多个偏转坐标，存在处于矩形区域内的矩形区域内像素数的偏转坐标，所述矩形区域是X方向的射束间距以及Y方向的射束间距的大小的矩形区域，
在所述偏转次序中，所述多个偏转坐标的偏转顺序被设定为以所述矩形区域内像素数的所述多个偏转坐标不重复的方式来偏转射束，
将1个循环的所述矩形区域内像素数的量的曝光分为多次的跟踪控制期间来进行，将通过向所述多个偏转坐标的各偏转坐标的一系列的射束偏转而进行的多次曝光作为所述1个循环，
以每所述1个循环的所述各跟踪控制期间中曝光的所述像素数的合计与所述矩形区域内像素数一致的方式，设定各跟踪控制期间中曝光的所述像素数，
以进行每所述1个循环的所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量的合计与对所述工作台的移动方向上的所述多射束的射束根数乘以射束间间距尺寸而得到的值一致的方式，设定进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量。
3.根据权利要求1所述的多射束描绘方法，其特征在于，
在所述偏转次序中，进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量使用k值来定义，所述k值表示所述射束间间距尺寸的k倍。
4.根据权利要求1所述的多射束描绘方法，其特征在于，
从多个描绘模式之中选择一个描绘模式，所述多个描绘模式利用指定值、像素尺寸以及识别信息被分别定义，所述指定值是在各跟踪控制期间中曝光的所述像素数的指定值，所述识别信息对至少在描绘区域的描绘中所述射束间间距尺寸固定的所述多射束中的曝光所使用的射束阵列进行识别，
参照对所述多个描绘模式分别可变地定义而成的相关表，对多个像素区域设定所述多个偏转坐标，所述多个像素区域利用对所选择的所述描绘模式定义的像素尺寸分割了描绘区域而成，
参照所述相关表，使用对所选择的描绘模式定义的所述像素数的指定值，来运算在所述各跟踪控制期间中曝光的所述像素数，
参照所述相关表，使用对所选择的描绘模式定义的对所述多射束中的曝光所使用的射束群进行识别的识别信息，来运算进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量。
5.一种多射束描绘装置，其特征在于，具备：
参数取得电路，取得可变的像素尺寸和对曝光所使用的射束阵列进行定义的射束阵列信息；
取得电路，基于所述像素尺寸和所述射束阵列信息，取得用于使担当射束向多个射束间间距区域的各射束间间距区域内的多个像素偏转的多个偏转坐标、在为了使多射束的各射束一起追随工作台的移动而进行的各跟踪控制期间中担当射束对各射束间间距区域内进行曝光的像素数、以及在跟踪控制期间经过后进行跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量，所述多个射束间间距区域是试样上的描绘区域被多射束的射束间间距尺寸分割而成的，所述跟踪复位将跟踪开始位置复位；
制作电路，制作偏转次序，该偏转次序是使用所述多个偏转坐标、在所述各跟踪控制期间中曝光的所述像素数以及进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量而定义的；以及
描绘机构，具有载置所述试样并能够移动的工作台和使所述多射束偏转的偏转器，一边根据所述偏转次序使所述多射束偏转，一边对所述试样描绘图案。
6.根据权利要求5所述的多射束描绘装置，其特征在于，还具备：
选择电路，从多个描绘模式之中选择一个描绘模式，所述多个描绘模式利用指定值、像素尺寸以及识别信息被分别定义，所述指定值是在各跟踪控制期间中曝光的所述像素数的指定值，所述识别信息对至少在描绘区域的描绘中所述射束间间距尺寸固定的所述多射束中的曝光所使用的射束阵列进行识别；
偏转坐标设定电路，参照对所述多个描绘模式分别可变地定义而成的相关表，对多个像素区域设定所述多个偏转坐标，所述多个像素区域利用对所选择的所述描绘模式定义的像素尺寸分割了描绘区域而成；
曝光像素数运算电路，参照所述相关表，使用对所选择的描绘模式定义的所述像素数的指定值，来运算在所述各跟踪控制期间中曝光的所述像素数；以及
偏转移动量运算电路，参照所述相关表，使用对所选择的描绘模式定义的对所述多射束中的曝光所使用的射束群进行识别的识别信息，来运算进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量。
7.一种多射束描绘方法，其特征在于，
从以高精度进行描绘的高精度描绘模式和以高速进行描绘的高速描绘模式之中选择一个描绘模式，
利用对应于所选择的描绘模式而可变的像素尺寸，将被照射多射束的试样面上的描绘区域分割成多个像素区域，
通过无论所选择的描绘模式如何射束间间距都不变的所述多射束，对利用所述像素尺寸分割而成的所述试样面上的多个像素进行照射，从而对所述试样描绘图案。
8.根据权利要求7所述的多射束描绘方法，其特征在于，
可变的所述像素尺寸都被设定为像素尺寸成为所述多射束的射束间距的整数分之一。
9.一种多射束描绘装置，其特征在于，具备：
选择电路，从以高精度进行描绘的高精度描绘模式和以高速进行描绘的高速描绘模式之中选择一个描绘模式；
分割电路，利用对应于所选择的描绘模式而可变的像素尺寸，将被照射多射束的试样面上的描绘区域分割成多个像素区域；以及
描绘机构，具有载置所述试样的工作台和使所述多射束偏转的偏转器，通过无论所选择的描绘模式如何射束间间距都不变的所述多射束，对利用所述像素尺寸分割而成的所述试样面上的多个像素进行照射，从而对所述试样描绘图案。
10.根据权利要求9所述的多射束描绘装置，其特征在于，
所述分割电路使用成为所述多射束的射束间距的整数分之一的像素尺寸来作为对应于所选择的所述描绘模式而可变的所述像素尺寸。
CN202110190014.4A 2020-02-18 2021-02-18 多射束描绘方法以及多射束描绘装置 Pending CN113341656A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020025336A JP7421364B2 (ja) 2020-02-18 2020-02-18 マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置
JP2020-025336 2020-02-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113341656A true CN113341656A (zh) 2021-09-03

Family

ID=77272982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110190014.4A Pending CN113341656A (zh) 2020-02-18 2021-02-18 多射束描绘方法以及多射束描绘装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11476086B2 (zh)
JP (1) JP7421364B2 (zh)
KR (1) KR102550381B1 (zh)
CN (1) CN113341656A (zh)
TW (1) TWI791189B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023172433A (ja) * 2022-05-24 2023-12-06 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム照射方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001069643A1 (fr) * 2000-03-13 2001-09-20 Hitachi, Ltd. Dispositif de balayage a faisceau de particules chargees
JP2006221870A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Ebara Corp 電子線装置
WO2011155122A1 (ja) * 2010-06-07 2011-12-15 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 回路パターン検査装置およびその検査方法
US20160155604A1 (en) * 2014-06-03 2016-06-02 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus
JP2019087744A (ja) * 2017-11-02 2019-06-06 日本電子株式会社 評価方法および荷電粒子ビーム装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6842502B2 (en) * 2000-02-18 2005-01-11 Dilliam Beaumont Hospital Cone beam computed tomography with a flat panel imager
NL2001369C2 (nl) 2007-03-29 2010-06-14 Ims Nanofabrication Ag Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
KR101854828B1 (ko) 2009-05-20 2018-05-04 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 듀얼 패스 스캐닝
JP6653125B2 (ja) 2014-05-23 2020-02-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
US10423222B2 (en) * 2014-09-26 2019-09-24 Digilens Inc. Holographic waveguide optical tracker
JP6934742B2 (ja) * 2017-04-19 2021-09-15 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6854215B2 (ja) * 2017-08-02 2021-04-07 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2019114748A (ja) * 2017-12-26 2019-07-11 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001069643A1 (fr) * 2000-03-13 2001-09-20 Hitachi, Ltd. Dispositif de balayage a faisceau de particules chargees
JP2006221870A (ja) * 2005-02-08 2006-08-24 Ebara Corp 電子線装置
WO2011155122A1 (ja) * 2010-06-07 2011-12-15 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 回路パターン検査装置およびその検査方法
US20160155604A1 (en) * 2014-06-03 2016-06-02 Nuflare Technology, Inc. Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus
JP2019087744A (ja) * 2017-11-02 2019-06-06 日本電子株式会社 評価方法および荷電粒子ビーム装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11476086B2 (en) 2022-10-18
JP7421364B2 (ja) 2024-01-24
TW202145282A (zh) 2021-12-01
TWI791189B (zh) 2023-02-01
KR102550381B1 (ko) 2023-07-03
JP2021132064A (ja) 2021-09-09
US20210257184A1 (en) 2021-08-19
KR20210105308A (ko) 2021-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101843057B1 (ko) 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법
CN108181790B (zh) 多带电粒子束曝光方法以及多带电粒子束曝光装置
JP2002319532A (ja) 荷電粒子線露光装置及びデバイスの製造方法並びに荷電粒子線応用装置
US9916962B2 (en) Multi charged particle beam irradiation apparatus, multi charged particle beam irradiation method, and multi charged particle beam adjustment method
JP2016082106A (ja) マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
KR102215251B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치
KR102320008B1 (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
US9330881B2 (en) Blanking device for multi charged particle beams, and multi charged particle beam writing apparatus
JP2020021919A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2015076596A (ja) マルチ荷電粒子ビームのブランキング装置
JP2019114731A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
US11145489B2 (en) Multi-charged-particle beam writing apparatus and multi-charged-particle beam writing method
JP2018073916A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2017220491A (ja) マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置
CN113341656A (zh) 多射束描绘方法以及多射束描绘装置
JP2017191900A (ja) マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビームのブランキング装置
JP6951083B2 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画方法およびマルチ荷電粒子ビーム描画装置
CN113341655A (zh) 多带电粒子束描绘装置及多带电粒子束描绘方法
KR102466708B1 (ko) 멀티 빔 묘화 방법 및 멀티 빔 묘화 장치
WO2023058290A1 (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2017130523A (ja) マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置
JP2022030301A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP2019186584A (ja) マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination