TW202145282A - 多射束描繪方法及多射束描繪裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明有關多射束描繪方法及多射束描繪裝置。 本發明的一個態樣之多射束描繪方法，基於像素尺寸與射束陣列資訊，取得：用來將負責射束偏向至由試料上的描繪區域被多射束的射束間間距尺寸分割而成之複數個射束間間距區域的各射束間間距區域內的複數個像素之複數個偏向座標、與在以將多射束的各射束集體跟隨平台的移動之方式進行的各追蹤控制期間中，負責射束曝光各射束間間距區域內的像素數、與於追蹤控制期間經過後當進行重置追蹤開始位置之追蹤重置的情形下多射束的偏向移動量，作成偏向循序，該偏向循序係使用複數個偏向座標、與各追蹤控制期間中曝光的像素數、與進行追蹤重置的情形下之多射束的偏向移動量而被定義，一面遵照偏向循序將多射束偏向，一面對試料描繪圖樣。

Description

多射束描繪方法及多射束描繪裝置
本發明係多射束描繪方法及多射束描繪裝置，例如有關運用了帶電粒子束之多射束描繪中在相異的複數個條件下之描繪循序(sequence)的作成手法。
肩負半導體元件微細化發展的微影技術，在半導體製造過程當中是唯一生成圖樣的極重要製程。近年來隨著LSI的高度積體化，對於半導體元件要求之電路線寬正逐年微細化。當中，電子線(電子束)描繪技術在本質上具有優良的解析性，對晶圓等使用電子線來描繪係行之已久。 舉例來說，有使用多射束的描繪裝置。相較於以一道電子束描繪的情形下，藉由使用多射束，能夠一次照射較多的射束，故能使產出大幅提升。該多射束方式之描繪裝置中，例如會使從電子槍放出的電子束通過具有複數個孔之光罩而形成多射束，然後各自受到遮沒控制，未被遮蔽的各射束則被光學系統縮小，並藉由偏向器被偏向而照射至試料上的期望位置。 這裡，多射束描繪裝置中，當一面使平台連續移動一面進行描繪的情形下，必須做跟隨平台的移動之追蹤控制。又，多射束描繪裝置中，會進行在多射束的射束間間距(pitch)尺寸的區域內進行複數次的追蹤控制，藉此進行一面將射束偏向一面以複數個射束曝光(例如參照日本專利公開公報2015-228471號)。必須有用來進行複雜的偏向控制之偏向循序。 另一方面，多射束描繪中，例如有欲變更像素尺寸、或／及欲限定搭載的多射束全體當中使用的射束陣列等之需求。這是因為，在即使犠牲描繪速度也要重視描繪精度的情形，與反過來即使犠牲描繪精度也要重視描繪速度的情形下，條件會不同。然而，如上述般，當一面使平台連續移動一面進行多射束描繪的情形下，必須做複雜的偏向控制。一旦變更像素尺寸或／及使用的射束陣列，則會導致無法延續使用原本的偏向循序。故，必須重新建構偏向循序。要一面應對該些條件變更，一面找出可描繪試料面的描繪區域全體之偏向循序並非易事。
本發明的一個態樣，提供一種即使像素尺寸或／及射束陣列等發生變更的情形下，仍可描繪描繪區域全體之多射束描繪方法、及多射束描繪裝置。 本發明的一個態樣之多射束描繪方法，係 取得可變的像素尺寸、與定義被使用於曝光的射束陣列之射束陣列資訊， 基於像素尺寸與射束陣列資訊，取得：用來將負責射束偏向至由試料上的描繪區域被多射束的射束間間距尺寸分割而成之複數個射束間間距區域的各射束間間距區域內的複數個像素之複數個偏向座標、與在以將多射束的各射束集體跟隨平台的移動之方式進行的各追蹤控制期間中，負責射束曝光各射束間間距區域內的像素數、與於追蹤控制期間經過後當進行重置追蹤開始位置之追蹤重置的情形下多射束的偏向移動量， 作成偏向循序，該偏向循序係使用複數個偏向座標、與各追蹤控制期間中曝光的像素數、與進行追蹤重置的情形下之多射束的偏向移動量而被定義， 一面遵照偏向循序將多射束偏向，一面對試料描繪圖樣。 本發明的一個態樣之多射束描繪裝置，具備： 參數取得電路，取得可變的像素尺寸、與定義被使用於曝光的射束陣列之射束陣列資訊；及 取得電路，基於像素尺寸與射束陣列資訊，取得：用來將負責射束偏向至由試料上的描繪區域被多射束的射束間間距尺寸分割而成之複數個射束間間距區域的各射束間間距區域內的複數個像素之複數個偏向座標、與在以將多射束的各射束集體跟隨平台的移動之方式進行的各追蹤控制期間中，負責射束曝光各射束間間距區域內的像素數、與於追蹤控制期間經過後當進行重置追蹤開始位置之追蹤重置的情形下多射束的偏向移動量；及 作成電路，作成偏向循序，該偏向循序係使用複數個偏向座標、與各追蹤控制期間中曝光的像素數、與進行前述追蹤重置的情形下之前述多射束的偏向移動量而被定義；及 描繪機構，具有載置試料而可移動的平台、與將多射束偏向的偏向器，一面遵照偏向循序將多射束偏向，一面對試料描繪圖樣。 本發明的另一個態樣之多射束描繪方法，係 從高精度地描繪之高精度描繪模式與高速地描繪之高速描繪模式當中選擇1種描繪模式， 以根據被選擇的描繪模式而可變之像素尺寸，將照射多射束的試料面上的描繪區域分割成複數個像素區域， 不論被選擇的描繪模式為何，以射束間間距不變的多射束，照射以該像素尺寸被分割的試料面上的複數個像素，藉此對試料描繪圖樣。 本發明的另一個態樣之多射束描繪裝置，具備： 選擇電路，從高精度地描繪之高精度描繪模式與高速地描繪之高速描繪模式當中選擇1種描繪模式；及 分割電路，以根據被選擇的描繪模式而可變之像素尺寸，將照射多射束的試料面上的描繪區域分割成複數個像素區域；及 描繪機構，具有載置試料的平台、與將多射束偏向的偏向器，不論被選擇的描繪模式為何，以射束間間距不變的多射束，照射以該像素尺寸被分割的試料面上的複數個像素，藉此對試料描繪圖樣。
以下，實施形態中，說明一種即使像素尺寸或／及射束陣列等發生變更的情形下，仍可描繪描繪區域全體之描繪方法、及描繪裝置。 以下，實施形態中，說明使用了電子束來作為帶電粒子束的一例之構成。但，帶電粒子束不限於電子束，也可以是離子束等使用了帶電粒子的射束。此外，實施形態1中，說明使用了描繪裝置作為曝光裝置的一例之構成。 實施形態1. 圖1為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。圖1中，描繪裝置100，具備描繪機構150與控制系統電路160。描繪裝置100為多帶電粒子束描繪裝置之一例，並且為多帶電粒子束曝光裝置之一例。描繪機構150具備電子束鏡柱102(電子鏡筒)與描繪室103。在電子束鏡柱102內，配置有電子槍201、照明透鏡202、第1成形孔徑陣列基板212、第2成形孔徑陣列基板203、遮沒孔徑陣列機構204、縮小透鏡205、限制孔徑基板206、對物透鏡207、主偏向器208、副偏向器209、及驅動機構214。在描繪室103內配置XY平台105。在XY平台105上，配置有於描繪時(曝光時)成為描繪對象基板的光罩等試料101。試料101包含製造半導體裝置時的曝光用光罩、或供製造半導體裝置的半導體基板(矽晶圓)等。此外，試料101包括已塗布阻劑，但尚未受到任何描繪之光罩底板(mask blanks)。在XY平台105上還配置XY平台105的位置測定用的鏡(mirror) 210。 控制系統電路160，具有控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、數位／類比變換(DAC)放大器單元132，134、透鏡控制電路136、平台控制機構138、平台位置測定器139、及磁碟裝置等的記憶裝置140，142，144。控制計算機110、記憶體112、偏向控制電路130、透鏡控制電路136、平台控制機構138、平台位置測定器139及記憶裝置140，142，144係透過未圖示之匯流排而彼此連接。在偏向控制電路130連接有DAC放大器單元132、134及遮沒孔徑陣列機構204。副偏向器209，由4極以上的電極所構成，在每一電極透過DAC放大器單元132的相對應之放大器而受到偏向控制電路130所控制。主偏向器208，由4極以上的電極所構成，在每一電極透過DAC放大器單元134的相對應之放大器而受到偏向控制電路130所控制。平台位置測定器139，接收來自鏡210的反射光，藉此以雷射干涉法的原理來將XY平台105的位置予以測長。 在控制計算機110內，配置有模式選擇部50、基本參數取得部52、像素分割部54、參數取得部55、偏向循序作成部61、照射時間資料生成部62、資料加工部64、轉送處理部66、及描繪控制部68。在參數取得部51內，配置曝光像素數Ej演算部56、偏向移動量Dj演算部58、及偏向座標設定部60。模式選擇部50、基本參數取得部52、像素分割部54、參數取得部55(曝光像素數Ej演算部56、偏向移動量Dj演算部58、及偏向座標設定部60)、偏向循序作成部61、照射時間資料生成部62、資料加工部64、轉送處理部66、及描繪控制部68這些各「～部」，具有處理電路。該處理電路，例如包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置。各「～部」可使用共通的處理電路(同一處理電路)，或亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。對於模式選擇部50、基本參數取得部52、像素分割部54、參數取得部55(曝光像素數Ej演算部56、偏向移動量Dj演算部58、及偏向座標設定部60)、偏向循序作成部61、照射時間資料生成部62、資料加工部64、轉送處理部66、及描繪控制部68輸出入的資訊及演算中的資訊會隨時被存儲於記憶體112。 描繪機構150係受到描繪控制部68所控制。具體而言，在描繪控制部68所做的控制之下，電子槍201藉由未圖示的高壓電源電路而受到控制。在描繪控制部68所做的控制之下，DAC放大器單元132、134及遮沒孔徑陣列機構204藉由偏向控制電路130而受到控制。在描繪控制部68所做的控制之下，照明透鏡202、縮小透鏡205、及對物透鏡207藉由透鏡控制電路136而受到控制。在描繪控制部68所做的控制之下，XY平台105的位置藉由平台控制機構138而受到控制。在描繪控制部68所做的控制之下，第1成形孔徑陣列基板212的位置藉由驅動機構214而受到控制。此外，藉由位置測定器139而測定出的平台位置會被輸出至偏向控制電路130及描繪控制部68。 此外，描繪資料係從描繪裝置100的外部輸入，被存放於記憶裝置140。描繪資料中，通常定義用以描繪之複數個圖形圖樣的資訊。具體而言，對每一圖形圖樣，例如會定義圖形代碼、座標、及尺寸等。 此處，圖1中記載了用以說明實施形態1所必要之構成。對描繪裝置100而言，通常也可具備必要的其他構造。 圖2為實施形態1中的第1與第2成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。圖2中，在第2成形孔徑陣列基板203，有縱(y方向)p列×橫(x方向)q列(p，q≧2)的孔(開口部)22以規定之排列間距(pitch)形成為矩陣狀。圖2中，例如於縱橫(x，y方向)形成512×512列的孔22。各孔22均形成為相同尺寸形狀的矩形。或者是相同直徑的圓形亦可。電子束200的一部分各自通過該些複數個孔22，藉此會形成多射束20。換言之，成形孔徑陣列基板203，會形成多射束。在此，雖然揭示了於縱橫(x，y方向)均配置了2列以上的孔22之例子，但並不限於此。例如，亦可為在縱橫(x，y方向)的其中一方有複數列，而另一方僅有1列。 此外，在第1成形孔徑陣列基板212，以如同第2成形孔徑陣列基板203的排列間距形成有縱(y方向)p列×橫(x方向)q列(p，q≧2)的孔(開口部)21。孔21與孔22的尺寸可為相同，亦可相異。例如，孔21以比孔22還大的尺寸形成。 接著，說明描繪機構150的動作的具體例。從電子槍201(放出源)放出之電子束200，會藉由照明透鏡202而近乎垂直地對第1成形孔徑陣列基板212全體做照明。在第1成形孔徑陣列基板212，形成有矩形的複數個孔21(開口部)，電子束200係對包含所有複數個孔21之區域做照明。照射至複數個孔21的位置之電子束200的各一部分，會分別通過該第1成形孔徑陣列基板212的複數個孔21，藉此形成例如矩形形狀的多射束(複數個電子束)23。 圖3為實施形態1中的可變成形射束說明用圖。在第1成形孔徑陣列基板212形成的多射束23，會朝向第2成形孔徑陣列基板203的複數個孔22前進。然後，多射束23的各射束的至少一部分會分別通過相對應的孔22，藉此形成例如矩形形狀的多射束(複數個電子束)20。換言之，藉由通過第1成形孔徑陣列基板212的複數個孔21與第2成形孔徑陣列基板203的複數個孔22雙方，而形成多射束20。這裡，藉由受到描繪控制部68所控制的驅動機構214，使第1成形孔徑陣列基板212在和電子束200的中心軸(光軸)正交的面(x，y面)上朝二維方向移動，藉此如圖3所示，能夠於各射束的軌道上將孔21與孔22的重疊區域錯開。藉由調整該孔21與孔22的重疊區域的尺寸，來將形成的多射束20的各射束予以可變成形。換言之，控制形成的多射束20的各射束的尺寸。尺寸受到可變地控制的多射束20，朝遮沒孔徑陣列機構204前進。 圖4為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。 圖5為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的薄膜(membrane)區域內的構成的一部分示意俯視概念圖。另，在圖4及圖5，沒有記載成令控制電極24與相向電極26與控制電路41與墊(pad)343的位置關係一致。遮沒孔徑陣列機構204，如圖4所示，是在支撐台333上配置運用矽等所構成的半導體基板之遮沒孔徑陣列基板31。遮沒孔徑陣列基板31的中央部，例如從背面側被削成較薄，而被加工成較薄的膜厚h之薄膜區域330(第1區域)。圍繞薄膜區域330之周圍，成為較厚的膜厚H之外周區域332(第2區域)。薄膜區域330的上面與外周區域332的上面，是形成為同一高度位置或實質上同一高度位置。基板31，是藉由外周區域332的背面而被保持於支撐台333上。支撐台333的中央部係開口，薄膜區域330的位置，位於支撐台333的開口之區域。 在遮沒孔徑陣列基板31的薄膜區域330，在供多射束通過的位置形成複數個開口部。具體而言，在遮沒孔徑陣列基板31的薄膜區域330，於和圖2所示之第2成形孔徑陣列基板203的各孔22相對應之位置，有供多射束20的各個射束通過用之通過孔25(開口部)開口。換言之，在遮沒孔徑陣列基板31的薄膜區域330，供使用了電子線的多射束20的各個相對應的射束通過之複數個通過孔25係以陣列狀形成。又，在遮沒孔徑陣列基板31的薄膜區域330上，且在夾著複數個通過孔25當中相對應的通過孔25而相向之位置，各自配置有具有2個電極之複數個電極對。作為2個電極的一方之複數個控制電極24，配置於遮沒孔徑陣列基板31上且在複數個通過孔25當中彼此相異的通過孔25的鄰近。又，作為2個電極的另一方之複數個相向電極26，配置於遮沒孔徑陣列基板31上且夾著複數個通過孔25當中彼此相異的通過孔25而和複數個控制電極24的1者相向。具體而言，在薄膜區域330上，如圖4及圖5所示，於各通過孔25的鄰近位置，夾著該通過孔25而各自配置有遮沒偏向用之控制電極24及相向電極26的組合(遮沒器：遮沒偏向器)。此外，在遮沒孔徑陣列基板31內部(遮沒孔徑陣列基板中)且薄膜區域330上的各通過孔25的鄰近，配置有對各通過孔25用的控制電極24施加偏向電壓之控制電路41(邏輯電路；單元)。各射束用的相向電極26被接地連接。 此外，如圖5所示，各控制電路41，連接至控制訊號用之n位元(例如10位元)的並列配線。各控制電路41，除了照射時間控制訊號(資料)用之n位元的並列配線以外，還連接時鐘訊號、讀取訊號、擊發訊號及電源用的配線等。時鐘訊號、讀取訊號、擊發訊號及電源用的配線等亦可流用並列配線的一部分配線。對於構成多射束20之各個射束的每一者，構成由控制電極24及相向電極26及控制電路41所組成之個別遮沒機構47。此外，圖4例子中，控制電極24與相向電極26與控制電路41是配置於遮沒孔徑陣列基板31的膜厚較薄之薄膜區域330。但，並不限於此。 圖6為實施形態1的個別遮沒機構的一例示意圖。圖6中，在控制電路41內，配置有放大器46(切換電路之一例)。圖6例子中，作為放大器46之一例，配置CMOS (Complementary MOS)反相器(inverter)電路。又，CMOS反相器電路連接至正的電位(Vdd：遮沒電位：第1電位)(例如5V)(射束OFF電位)與接地電位(GND：第2電位)(射束ON電位)。CMOS反相器電路的輸出線(OUT)連接至控制電極24。另一方面，相向電極26被施加接地電位。又，可切換地被施加遮沒電位與接地電位之複數個控制電極24，係配置在遮沒孔徑陣列基板31上，且在夾著複數個通過孔25的各自相對應之通過孔25而和複數個相向電極26的各自相對應之相向電極26相向之位置。 在CMOS反相器電路的輸入(IN)，被施加比閾值電壓還低之L(low)電位(例如接地電位)、及閾值電壓以上之H(high)電位(例如1.5V)的其中一者，以作為控制訊號。實施形態1中，在對CMOS反相器電路的輸入(IN)施加L電位之狀態下，CMOS反相器電路的輸出(OUT)會成為正電位(Vdd)，而藉由與相向電極26的接地電位之電位差所造成的電場將相對應射束20偏向，並以限制孔徑基板206遮蔽，藉此控制成射束OFF。另一方面，在對CMOS反相器電路的輸入(IN)施加H電位之狀態(有效(active)狀態)下，CMOS反相器電路的輸出(OUT)會成為接地電位，與相向電極26的接地電位之電位差會消失而不會將相對應射束20偏向，故會通過限制孔徑基板206，藉此控制成射束ON。 通過各通過孔25的電子束，會各自獨立地藉由施加於成對之2個控制電極24及相向電極26的電壓而被偏向。藉由該偏向而受到遮沒控制。具體而言，控制電極24及相向電極26之組合，係以藉由作為各自相對應的切換電路之CMOS反相器電路而被切換之電位，將多射束20的相對應射束各自個別地遮沒偏向。像這樣，複數個遮沒器，係對通過了成形孔徑陣列基板203的複數個孔22(開口部)的多射束20當中分別相對應的射束進行遮沒偏向。該遮沒器，各自將個別通過之射束做遮沒控制，以使射束於設定好的描繪時間(照射時間)成為ON狀態。 通過了遮沒孔徑陣列機構204的多射束20，會藉由縮小透鏡205而被縮小，朝向形成於限制孔徑基板206之中心的孔行進。這裡，藉由遮沒孔徑陣列機構204的遮沒器而被偏向的電子束，其位置會偏離限制孔徑基板206的中心的孔，而被限制孔徑基板206遮蔽。另一方面，未受到遮沒孔徑陣列機構204的遮沒器偏向的電子束，會如圖1所示般通過限制孔徑基板206的中心的孔。像這樣，限制孔徑基板206，是將藉由個別遮沒機構47而偏向成為射束OFF狀態之各射束加以遮蔽。然後，藉由從成為射束ON開始至成為射束OFF為止所形成之通過了限制孔徑基板206的射束，形成1次份的擊發的各射束。通過了限制孔徑基板206的多射束20，會藉由對物透鏡207而合焦，成為期望之縮小率的圖樣像，然後藉由主偏向器208及副偏向器209，通過了限制孔徑基板206的多射束20全體朝同方向集體被偏向，照射至各射束於試料101上各自之照射位置。此外，例如當XY平台105在連續移動時，藉由主偏向器208進行追蹤控制，以便射束的照射位置跟隨XY平台105的移動。一次所照射之多射束20，理想上會成為以成形孔徑陣列基板203的複數個孔22的排列間距乘上上述期望之縮小率而得之間距而並排。 圖7為實施形態1中的描繪動作的一例說明用概念圖。如圖7所示，試料101的描繪區域30，例如朝向y方向以規定寬度被假想分割成長條狀的複數個條紋區域32。首先，使XY平台105移動，調整以使得一次的多射束20擊發所能夠照射之照射區域34位於第1個條紋區域32的左端或更左側之位置，開始描繪。在描繪第1個條紋區域32時，例如使XY平台105朝-x方向移動，藉此便相對地朝x方向逐漸進行描繪。令XY平台105例如以等速連續移動。第1個條紋區域32的描繪結束後，使平台位置朝-y方向移動，調整以使得照射區域34相對地於y方向位於第2個條紋區域32的右端或更右側之位置，這次使XY平台105例如朝x方向移動，藉此朝向-x方向以同樣方式進行描繪。在第3個條紋區域32朝x方向描繪，在第4個條紋區域32朝-x方向描繪，像這樣一面交互地改變方向一面描繪，藉此能夠縮短描繪時間。但，並不限於該一面交互改變方向一面描繪之情形，在描繪各條紋區域32時，亦可設計成朝向同方向進行描繪。1次的擊發當中，藉由因通過成形孔徑陣列基板203的各孔22而形成之多射束，最大會一口氣形成與各孔22相同數量之複數個擊發圖樣。 圖8為實施形態1中的多射束的照射區域與描繪對象像素的一例示意圖。圖8中，各條紋區域32例如以多射束20的射束尺寸被分割成網目狀的複數個網目區域。該各網目區域係成為描繪對象的像素36(單位照射區域、照射位置、或描繪位置)。描繪對象像素36的尺寸，並不限定於射束尺寸，亦可為和射束尺寸無關而由任意大小所構成者。例如，亦可由射束尺寸的1／n(n為1以上的整數)的尺寸來構成。圖8例子中揭示，試料101的描繪區域，例如於y方向以和多射束20一次的照射所能照射之照射區域34(描繪照野)的尺寸實質相同之寬度尺寸被分割成複數個條紋區域32之情形。矩形的照射區域34的x方向的尺寸，能夠以x方向的射束數×x方向的射束間間距來定義。矩形的照射區域34的y方向的尺寸，能夠以y方向的射束數×y方向的射束間間距來定義。另，條紋區域32的寬度不限於此。較佳為照射區域34的n倍(n為1以上之整數)之尺寸。圖8例子中，例如將512×512列的多射束的圖示省略成8×8列的多射束來表示。又，在照射區域34內，揭示一次的多射束20擊發所能夠照射之複數個像素28(射束的描繪位置)。換言之，相鄰像素28間的間距即為多射束的各射束間之間距。又，實施形態1中，試料101上的條紋區域32(描繪區域)藉由多射束20的射束間間距尺寸而被分割成複數個間距單元29(子照射區域)(射束間間距區域)。圖7例子中，藉由被相鄰4個像素28所圍繞，且包括4個像素28當中的1個像素28之正方形區域，來構成1個間距單元29。換言之，以包括像素28的射束間間距尺寸的矩形的區域來構成1個間距單元29。圖8例子中，揭示各間距單元29以4×4像素構成之情形。 圖9為實施形態1中的多射束的射束位置控制的方式的一例說明用圖。圖9例子中，示意多射束20當中例如以射束間距P排列之規定的射束尺寸的4×2道的射束10。實施形態1中的多射束20的射束位置控制中，是藉由以主偏向器208做集體偏向之陣列偏向與藉由副偏向器209做集體偏向之補償偏向的組合，來控制各射束的位置。主偏向器208與副偏向器209，皆是將多射束20全體集體偏向。陣列偏向量係指往其中一個間距單元29的原點之偏向量。補償偏向量，示意從各間距單元29的原點到實際曝光的像素為止之偏向量。圖9例子中，示意各間距單元29例如藉由4×4個像素36而構成的情形。圖9例子中，作為補償偏向，示意將各射束10偏向至於x方向第2像素、及於y方向第3像素的像素36之情形。 圖10為實施形態1中的多射束的偏向循序的一例說明用圖。圖10例子中，示意例如藉由32×32道的多射束20的各射束來描繪之複數個間距單元29的一部分。圖10例子中，示意例如在XY平台105移動8射束間距份的距離的期間，一面藉由副偏向器209所做的補償偏向來依序偏移照射位置(像素36)，一面描繪(曝光)同一間距單元29內的4個像素之情形。於每一個將1次的多射束20的擊發所可照射的最大照射時間Ttr與副偏向穩定(settling)時間予以合計而成之擊發循環T，被曝光的像素36依序被逐漸偏移。最大照射時間Ttr，例如被設定成描繪區域內的各像素36藉由1次的擊發而被照射的照射時間的最大值以上的時間。副偏向穩定時間，為副偏向器209用的DAC放大器132用的穩定時間。在描繪(曝光)該4個像素的期間，藉由主偏向器208所做的陣列偏向將多射束20全體予以集體偏向，藉此使照射區域34跟隨XY平台105之移動，以免照射區域34因XY平台105之移動而偏離和試料101之相對位置。換言之，係進行追蹤(tracking)控制。圖10例子中，在移動8射束間距份的距離之期間描繪(曝光)4個像素，藉此實施1次的追蹤循環。另，間距單元29的剩下的其他像素是藉由其他射束而被描繪。一旦1次的追蹤循環結束便做追蹤重置(reset)，藉由主偏向器208所做的陣列偏向而返回前次的追蹤開始位置。另，各間距單元29的右邊數來第1個像素列的描繪已結束，故追蹤重置後，於下次的追蹤循環中，首先副偏向器209會將射束的描繪位置予以偏向以便對齊(偏移)各間距單元29的右邊數來第2個像素列。圖10例子中，例如藉由射束1而描繪間距單元29的右邊數來第1列的4像素。接著，藉由相距8射束間距的射束9而描繪間距單元29的右邊數來第2列的4像素。接著，藉由相距8射束間距的射束17而描繪間距單元29的右邊數來第3列的4像素。接著，藉由相距8射束間距的射束25而描繪間距單元29的右邊數來第4列的4像素。藉此，對象間距單元29內的4×4的所有的像素便成為描繪對象。其他間距單元29中亦藉由複數個射束而同樣地被描繪。條紋區域32的描繪中，藉由反覆該動作，如圖7所示，照射區域34的位置以照射區域34a～34o這樣的方式依序逐漸移動，逐漸進行該條紋區域32之描繪。為了無遺漏地逐漸描繪描繪區域全體，必須有用來進行以上這樣的複雜的偏向控制之偏向循序。 這裡，針對由4×4的像素36所構成之間距單元29內，例如當變更像素尺寸的情形下，若要達成曝光條紋區域32內的所有的像素36，通常無法延續使用上述的描繪循序。例如，由4×4的像素36所構成之間距單元29內，當為了重視描繪精度而像素尺寸被變更成由5×5的像素35所構成(像素尺寸變小)的情形下，若延續使用上述的描繪循序，則會導致發生未受到射束照射之未曝光像素。同樣地，搭載的多射束全體當中，當為了重視描繪精度而限定所使用的射束陣列的情形下，通常無法延續使用上述的描繪循序。例如，當光學系統的像差在射束陣列右端較大的情形下，當將射束陣列的最右側的1列設定成不使用而x方向的射束道數從32道被限定成31道的情形下，會導致發生未受到射束照射的未曝光像素。此外，針對變更了1次的追蹤控制中的曝光像素數的情形亦同。故，必須重新建構一一應對所使用的像素尺寸或／及所使用的射束陣列等之偏向循序。要一面應對該些條件變更，一面找出可描繪試料面的描繪區域全體之偏向循序並非易事。因此，如果在任意的條件下皆能以同一格式定義偏向循序，則便可容易找出可應對各條件的偏向循序。鑑此，實施形態1中，係輸入1次的追蹤控制中的曝光像素指定值、像素尺寸、射束尺寸、及所使用的射束陣列這些基本參數，來作為使用者需求的任意條件，藉此即使在相異條件下仍以相同格式定義各條件下的偏向循序。 圖11為實施形態1中的描繪方法的主要工程的一例示意流程圖。圖11中，實施形態1中的描繪方法，係實施模式選擇工程(S102)、基本參數取得工程(S104)、像素分割工程(S106)、參數取得工程(S108)、偏向循序作成工程(S116)、照射時間資料生成工程(S120)、資料加工工程(S130)、資料轉送工程(S132)、描繪工程(S134)這一連串工程。參數取得工程(S108)，係實施偏向座標設定工程(S110)、曝光像素數演算工程(S112)、重置時偏向移動量演算工程(S114)這一連串作為內部工程。 作為模式選擇工程(S102)，模式選擇部50(選擇部)從複數個描繪模式當中選擇1種描繪模式。例如，模式選擇部50從高精度地描繪之高精度描繪模式與高速地描繪之高速描繪模式當中選擇1種描繪模式。複數個描繪模式當中，優選是除此以外還加入取高精度描繪模式與高速描繪模式之間的標準模式。 作為基本參數取得工程(S104)，基本參數取得部52(參數取得部)，取得可變的像素尺寸s、及定義被使用於曝光的射束陣列之射束陣列資訊。具體而言，基本參數取得部52，參照記憶裝置144中記憶的相關表格，取得和被選擇的描繪模式相應之曝光像素指定值M、及像素尺寸s，以及射束陣列資訊亦即射束尺寸S及使用射束陣列。 圖12A與圖12B為實施形態1中的使用射束陣列的一例示意圖。圖12A例子中，示意藉由描繪裝置100中搭載的電子束鏡柱102(照射機構)而可照射的多射束20為8×8道的射束陣列之情形。 當重視高速描繪的情形下，為了讓一口氣能夠曝光的像素數變多，係使用盡可能讓射束道數變多的射束陣列。然而，愈是遠離中心射束的射束，愈會因為例如電子光學系統引起的像差(例如像畸變或／及像場彎曲)等的影響而導致射束的照射位置精度或射束形狀等劣化。因此，當重視描繪精度的情形下，僅使用多射束20全體當中剔除周圍的射束之中心部的射束陣列。圖12B例子中，示意使用8×8道的射束陣列當中剔除周圍的射束之6×6道的射束陣列的情形。 圖13A至圖13D為實施形態1中當將像素尺寸與射束尺寸與射束道數設為可變的情形下，射束陣列與像素之關係說明用圖。圖13A中，作為基本模式，示意例如於XY平台的移動方向(x方向)排列4道射束，各間距單元29內被分割成2×2個的像素36之情形。在該情形下，會將由2×2個的像素36所構成之於x方向並排的各間距單元29全體，以於x方向排列的4道射束予以描繪。針對和XY平台的移動方向正交之方向(y方向)的射束道數係省略記載。 此外，當重視高速描繪的情形下，各間距單元29內的像素數少則能夠較快速曝光。另一方面，當重視描繪精度的情形下，各間距單元29內的像素數多，則每一射束的位置或射束電流量的不均等的曝光誤差較會被平均化，故為理想。因此，藉由縮小像素尺寸來增多間距單元29內的像素數。圖13B例子中，示意各間距單元29內從2×2個的像素36，藉由縮小像素尺寸而各間距單元29內被分割成3×3個的像素36之情形。故，當縮小像素尺寸的情形下，像素尺寸必須被設定成為射束間距(間距單元29的尺寸)的整數分之一。在該情形下，會將由3×3個的像素36所構成之於x方向並排的各間距單元29全體，以於x方向排列的4道射束予以描繪。 另，圖13B例子中，示意因應像素尺寸變小而射束尺寸亦同樣地縮小之情形。但，並不限於此。如圖13C例子所示般，即使像素尺寸變小但不改變射束尺寸而維持較大亦無妨。如圖13B與圖13C所示，無關乎射束尺寸，藉由將射束間間距訂為不變，便能將射束尺寸從偏向控制的條件脫鉤。 圖14為實施形態1中當像素尺寸比射束尺寸還小的情形下的曝光狀態說明用圖。 圖15為實施形態1中當像素尺寸比射束尺寸還大的情形下的曝光狀態說明用圖。如圖14所示，當像素尺寸比射束尺寸還小的情形下，於鄰接的像素彼此，曝光的射束10會相互重疊。另一方面，如圖15所示，當像素尺寸比射束尺寸還大的情形下，曝光的射束10不會照射像素內全體。但，如果像素尺寸與射束尺寸比阻劑所帶有的照射量之擴散效應(模糊(blur))的距離還小，則即使因像素尺寸與射束尺寸的不一致而各射束在曝光的區域之間有間隙或重複，多射束所造成的曝光部的重疊或間隙仍不會大幅影響描繪精度。無論哪一種情形下，只要控制曝光時間使得每一像素的劑量和所需量一致即可。故，針對射束尺寸的變更所伴隨之劑量的變化，只要藉由照射時間的調整來控制即可。故，像素尺寸可不和射束尺寸一致。 此外，當重視高速描繪的情形下理想是射束道數多，當重視描繪精度的情形下理想是減少射束道數，例如剔除像差大的周邊部的射束而限定成射束陣列的中央部的射束，這點如同上述。圖13D例子中，示意XY平台的移動方向(x方向)的射束道數從4道被變更成3道的情形。在該情形下，會將由2×2個的像素36所構成之於x方向並排的各間距單元29全體，以於x方向排列的3道射束予以描繪。 圖16為實施形態1中的描繪模式與基本參數之相關表格的一例示意圖。相關表格中，根據複數個描繪模式，可變地定義著各追蹤控制期間中曝光的像素數的指定值M、與像素尺寸s、與識別至少在描繪區域的描繪中射束間距P(射束間間距尺寸)為固定之多射束20當中被使用於曝光的射束陣列之識別資訊(b×c)。圖16例子中，相關表格中，每1次的追蹤控制的曝光像素指定值M，是使用成為M1＞M2＞M3的關係之各值，來定義高速描繪模式下為M1，高精度描繪模式下為M3，標準描繪模式下為中間的M2。此外，相關表格中，像素尺寸s，是使用成為s1＞s2的關係之各值，來定義高速描繪模式下為s1，高精度描繪模式下為s2，標準描繪模式下為s1。此外，相關表格中，射束尺寸S，是使用成為S1＞S2的關係之各值，來定義高速描繪模式下為S1，高精度描繪模式下為S2，標準描繪模式下為S1。此外，相關表格中，使用射束陣列的識別資訊b×c，是使用成為b1＞b2、及c1＞c2的關係之各值，來定義高速描繪模式下為b1×c1的射束陣列，高精度描繪模式下為b2×c2的射束陣列，標準描繪模式下為b1×c1的射束陣列。針對使用射束陣列，是以使用中央部的射束陣列為前提來定義。只要因應可從描繪裝置100的電子束鏡柱102照射之射束陣列的排列及在試料101上的射束間間距的尺寸，在相關表格中事先定義各值即可。 上述例子中，示意因應被選擇的描繪模式而採用相關表格中定義的各值作為基本參數之情形，但不限於此。例如透過未圖示的GUI(圖形使用者介面)等輸入手段，基本參數取得部52取得從使用者直接輸入的作為基本參數的各值亦優。 作為像素分割工程(S106)，像素分割部54(分割部)，藉由因應被選擇的描繪模式而可變的像素尺寸來將照射多射束20的試料101面上的條紋區域32(描繪區域)分割成複數個像素36(像素區域)。具體而言，藉由取得的像素尺寸s，例如各間距單元29內成為2×2個的像素36之像素尺寸，來將條紋區域32分割成複數個像素36(像素區域)。或，藉由例如各間距單元29內成為3×3個的像素36之像素尺寸，來將條紋區域32分割成複數個像素36(像素區域)。藉此，會以因應描繪模式之尺寸，設定成為多射束20的各射束的曝光對象之複數個像素36。 作為參數取得工程(S108)，參數取得部55(取得部)，基於像素尺寸與射束陣列資訊，取得用來將負責射束偏向至各間距單元29內的複數個像素36之複數個偏向座標(Xk，Yk)、及於將多射束20的各射束以集體跟隨XY平台105的移動之方式進行的各追蹤控制期間中，負責射束曝光各間距單元29內之曝光像素數Ej、及於追蹤控制期間經過後進行重置追蹤開始位置之追蹤重置的情形下的多射束的偏向移動量Dj。為了取得複數個偏向座標(Xk，Yk)、曝光像素數Ej、偏向移動量Dj這些偏向循序的參數，係實施以下的內部工程。 作為偏向座標設定工程(S110)，偏向座標設定部60，參照相關表格，對藉由被選擇的描繪模式中定義的像素尺寸s而條紋區域32(描繪區域)受到分割而成之複數個像素36，設定複數個偏向座標(Xk，Yk)。這裡，X方向的射束間距及Y方向的射束間距的大小為相同之情形亦可，相異之情形亦無妨。作為複數個偏向座標，存在有位於X方向的射束間距及Y方向的射束間距的大小的間距單元29(矩形區域)內之像素數量的偏向座標。若為XY方向的射束間距相同之情形，則作為複數個偏向座標，存在有和於1方向(x方向)並排的複數個像素36的數m的平方值(m2 )相當之數量的偏向座標，使得像素36的尺寸的合計長度成為射束間距P(射束間間距尺寸)。以下，例如使用X方向的射束間距及Y方向的射束間距的大小為相同之情形來說明。複數個偏向座標(Xk，Yk)，對每一間距單元29設定。當各間距單元29內被分割成例如2×2個的像素36的情形下，在2×2個的像素36的基準位置設定偏向座標(0，0)，(0，1)，(1，0)，(1，1)的合計4個(22 個)的偏向座標。當各間距單元29內被分割成例如3×3個的像素36的情形下，在3×3個的像素36的基準位置設定偏向座標(0，0)，(0，1)，(0，2)，(1，0)，(1，1)，(1，2)，(2，0)，(2，1)，(2，2)的合計9個(32 個)的偏向座標。作為像素36的基準位置，例如優選是使用各像素36的左下角。或者，優選是使用各像素36的中心位置。實施形態1中的偏向循序中，是將平方值(m2 )份的曝光分成複數次的追蹤控制期間來進行，而該平方值份的曝光是將藉由對於該複數個偏向座標(Xk，Yk)的各偏向座標之一連串的射束偏向而進行之複數次的曝光訂為1循環。 圖17為實施形態1中的曝光像素數演算部的內部構成示意圖。圖17中，在曝光像素數Ej演算部56內，配置基準像素數Ebase選擇部70、曝光像素數Ej組合選擇部72、及判定部74，76。基準像素數Ebase選擇部70、曝光像素數Ej組合選擇部72、及判定部74，76這些各「～部」，具有處理電路。該處理電路，例如包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置。各「～部」可使用共通的處理電路(同一處理電路)，或亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。對於基準像素數Ebase選擇部70、曝光像素數Ej組合選擇部72、及判定部74，76輸出入的資訊及演算中的資訊會隨時被存儲於記憶體112。 作為曝光像素數演算工程(S112)，曝光像素數Ej演算部56，參照相關表格，使用被選擇的描繪模式中定義之像素數的指定值M，演算各追蹤控制期間中曝光的曝光像素數Ej。將藉由對於被設定的複數個偏向座標(Xk，Yk)的各偏向座標之一連串的射束偏向而進行之平方值(m2 )份的曝光如上述般訂為1循環，曝光像素數Ej演算部56，於各追蹤控制期間中演算曝光的曝光像素數Ej，使得每1循環的各追蹤控制期間中曝光的曝光像素數Ej的合計和平方值(m2 )一致。具體而言係如以下般動作。 圖18為實施形態1中的曝光像素數演算工程的內部工程的一例示意流程圖。圖18中，實施形態1中的曝光像素數演算工程(S112)，係實施基準像素數Ebase選擇工程(S204)、曝光像素數Ej組合選擇工程(S206)、判定工程(S208)、判定工程(S209)這一連串工程，作為其內部工程。 作為基準像素數Ebase選擇工程(S204)，首先，基準像素數Ebase選擇部70，輸入被選擇的描繪模式中定義之曝光像素指定值M，基於曝光像素指定值M而選擇基準像素數Ebase。首先，基準像素數Ebase選擇部70，選擇曝光像素指定值M作為基準像素數Ebase。例如，輸入曝光像素指定值M=2，而在基準像素數Ebase選擇值2。 作為曝光像素數Ej組合選擇工程(S206)，曝光像素數Ej組合選擇部72，選擇一曝光像素數Ej的組合，使得將曝光像素數Ej的組合予以合計而成之值ΣEj會和於x方向並排的複數個像素36的數m的平方值(m2 )一致。當基準像素數Ebase=2的情形下，對於9個(例如m=3的情形)的像素，於每1次的追蹤控制會曝光2個的像素。但，僅靠使用2的組合無法成為合計9。 作為判定工程(S208)，判定部74，判定使用被選擇的基準像素數Ebase是否可達成合計成為m2 的曝光像素數Ej的組合。上述例子中，當基準像素數Ebase=2的情形下，對於9個的像素，無法成為曝光像素數Ej的組合。當不可能的情形下，返回基準像素數Ebase選擇工程(S204)。當可能的情形下，進入判定工程(S209)。 返回基準像素數Ebase選擇工程(S204)，接著，基準像素數Ebase選擇部70，選擇M與M-1作為基準像素數Ebase。作為曝光像素數Ej組合選擇工程(S206)，曝光像素數Ej組合選擇部72，使用M與M-1選擇成為m2 (例如m=3的情形)之曝光像素數Ej的組合。M=2的情形下，使用2與1，便能選擇Ej=2，2，2，2，1的組合。其結果，作為判定工程(S208)，判定部74判定合計成為m2 (例如m=3的情形)之曝光像素數Ej的組合為可能。然後，進入判定工程(S209)。 作為判定工程(S209)，判定部76，判定曝光像素數Ej的組合數是否為射束道數b以下。判定部76，輸入被選擇的描繪模式中設定之射束陣列的識別資訊(b×c)，使用於XY平台105的移動方向(x方向)並排的射束道數b來判定。例如，當於XY平台105的移動方向(x方向)並排的射束數為4的情形下，曝光像素數Ej的組合數成為Ej=2，2，2，2，1這5個，而比射束道數b的4還大。因此，Ej=2，2，2，2，1的組合無法使用。當曝光像素數Ej的組合數不為射束道數b以下的情形下，返回基準像素數Ebase選擇工程(S204)。當曝光像素數Ej的組合數為射束道數b以下的情形下，進入重置時偏向移動量演算工程(S114)。 返回基準像素數Ebase選擇工程(S204)，接著，基準像素數Ebase選擇部70，選擇M與M+1作為基準像素數Ebase。作為曝光像素數Ej組合選擇工程(S206)，曝光像素數Ej組合選擇部72，使用M與M+1選擇成為m2 之曝光像素數Ej的組合。M=2的情形下，使用2與3，便能選擇Ej=3，2，2，2的組合。其結果，作為判定工程(S208)，判定部74判定合計成為m2 (例如m=3的情形)之曝光像素數Ej的組合為可能。然後，進入判定工程(S209)。作為判定工程(S209)，判定部76，判定曝光像素數Ej的組合數是否為射束道數b以下。曝光像素數Ej的組合數成為Ej=3，2，2，2這4個，而成為射束道數b=4以下。故，Ej=3，2，2，2的組合可使用，而被設定。 圖19為實施形態1中的偏向移動量演算部的內部構成示意圖。圖19中，在偏向移動量Dj演算部58內，配置曝光像素數Ej組合輸入部80、假定移動量D’演算部82、偏向移動量Dj組合選擇部84、及判定部86。曝光像素數Ej組合輸入部80、假定移動量D’演算部82、偏向移動量Dj組合選擇部84、及判定部86這些各「～部」，具有處理電路。該處理電路，例如包含電子電路、電腦、處理器、電路基板、量子電路、或半導體裝置。各「～部」可使用共通的處理電路(同一處理電路)，或亦可使用相異的處理電路(個別的處理電路)。對於曝光像素數Ej組合輸入部80、假定移動量D’演算部82、偏向移動量Dj組合選擇部84、及判定部86輸出入的資訊及演算中的資訊會隨時被存儲於記憶體112。 作為重置時偏向移動量演算工程(S114)，偏向移動量Dj演算部58，參照相關表格，使用識別被選擇的描繪模式中定義之多射束20當中被使用於曝光的射束陣列(射束群)之識別資訊(b×c)，來演算當進行追蹤重置的情形下多射束20的偏向移動量Dj。將藉由對於設定好的複數個偏向座標(Xk，Yk)的各偏向座標之一連串的射束偏向而進行之平方值(m2 )份的曝光如上述般訂為1循環，偏向移動量Dj演算部58，演算當進行追蹤重置的情形下多射束的偏向移動量Dj，使得當進行每1循環的追蹤重置的情形下多射束20的偏向移動量Dj的合計會和XY平台105的移動方向之多射束20的射束道數b乘上射束間距P(射束間間距尺寸)而得的值bP一致。另，偏向移動量Dj，優選是使用示意射束間距P (射束間間距尺寸)的k倍(k為自然數)之k值來定義。具體而言係如以下般動作。 圖20為實施形態1中的重置時偏向移動量演算工程的內部工程的一例示意流程圖。圖20中，實施形態1中的重置時偏向移動量演算工程(S114)，係實施曝光像素數Ej組合輸入工程(S210)、假定移動量D’演算工程(S212)、偏向移動量Dj組合選擇工程(S214)、判定工程(S216)這一連串工程，作為其內部工程。 作為曝光像素數Ej組合輸入工程(S210)，曝光像素數Ej組合輸入部80，輸入演算出的曝光像素數Ej的組合。上述例子中，係輸入Ej=3，2，2，2的組合的資訊。 作為假定移動量D’演算工程(S212)，假定移動量D’演算部82，輸入識別被選擇的描繪模式中定義之多射束20當中被使用於曝光的射束陣列(射束群)之識別資訊(b×c)。然後，假定移動量D’演算部82，演算假定移動量D’，該假定移動量D’係將XY平台105的移動方向(x方向)之射束間距P的射束道數b倍的值bP，除以用來進行藉由對於設定好的複數個偏向座標(Xk，Yk)的各偏向座標之一連串的射束偏向而進行之平方值(m2 )份的曝光(1循環)的追蹤次數而得。換言之，假定移動量D’演算部82，演算假定移動量D’來作為每1次的追蹤重置的多射束20的假定的偏向移動量。另，為求簡便，不使用射束間距P的射束道數b倍的值bP，係替換距離bP而演算將把bP除以射束間距而得之值b除以追蹤次數而得之假定移動量D’。每1循環的追蹤次數，和曝光像素數Ej的組合數相同。鑑此，假定移動量D’演算部82，演算將XY平台105的移動方向(x方向)之射束道數b除以曝光像素數Ej的組合數而得之假定移動量D’。x方向之多射束20的射束道數例如為4道，曝光像素數Ej的組合數例如為3的情形下，假定移動量D’成為1.33(=4／3)。x方向之多射束20的射束道數例如為4道，曝光像素數Ej的組合數例如為4的情形下，假定移動量D’成為1(=4／4)。 作為偏向移動量Dj組合選擇工程(S214)，偏向移動量Dj組合選擇部84，基於假定移動量D’，選擇偏向移動量Dj的組合。偏向移動量Dj的組合數，是選擇和用來進行1循環的追蹤次數恰好相同的值。當用來進行1循環的追蹤次數例如為3次(曝光像素數Ej的組合數為3)，例如假定移動量D’=1.33的情形下，偏向移動量Dj組合選擇部84，作為偏向移動量Dj係選擇包夾1.33的整數亦即1，2，而選擇Dj=2，2，1。當用來進行1循環的追蹤次數例如為4次(曝光像素數Ej的組合數為4)，例如假定移動量D’=1的情形下，偏向移動量Dj組合選擇部84，使用整數1，作為偏向移動量Dj選擇Dj=1，1，1，1。 作為判定工程(S216)，判定部86判定偏向移動量Dj的組合的合計ΣDj是否和多射束20的射束道數b乘上射束間距P而得之值bP一致。另，當使用示意射束間距P(射束間間距尺寸)的k倍(k為自然數)之k值來定義偏向移動量Dj的情形下，判定部86判定偏向移動量Dj的組合的合計ΣDj是否和x方向的射束道數b一致。這裡，說明使用示意射束間距P(射束間間距尺寸)的k倍(k為自然數)之k值來定義偏向移動量Dj的情形。當射束道數b例如為4的情形下，Dj=2，2，1的合計ΣDj成為5，故判定不一致。當射束道數b例如為4的情形下，Dj=1，1，1，1的合計ΣDj成為4，故判定一致。例如，當x方向之多射束20的射束道數b為3的情形下，Dj=2，1，2的合計ΣDj成為5，故判定不一致。例如，當x方向之多射束20的射束道數b為3的情形下，Dj=1，1，1，1的合計ΣDj成為4，故判定不一致。當偏向移動量Dj的組合的合計ΣDj和射束數b不一致的情形下，返回偏向移動量Dj組合選擇工程(S214)，選擇別的組合。當偏向移動量Djの組合的合計ΣDj和射束數b一致的情形下，進入偏向循序作成工程(S116)。 當偏向移動量Dj的組合的合計ΣDj和射束道數b一致的情形下，返回偏向移動量Dj組合選擇工程(S214)，偏向移動量Dj組合選擇部84基於假定移動量D’，選擇偏向移動量Dj的組合。例如當假定移動量D’=1.33的情形下，偏向移動量Dj組合選擇部84，作為偏向移動量Dj係使用包夾1.33的整數亦即1，2，而選擇Dj=2，1，1。作為判定工程(S216)，判定部86判定偏向移動量Dj的組合的合計ΣDj是否和射束道數b一致。當射束道數b例如為4的情形下，Dj=2，1，1的合計ΣDj成為4，故判定一致。 依以上方式，參數取得部55能夠取得偏向循序的各參數。 作為偏向循序作成工程(S116)，偏向循序作成部61(作成部)作成偏向循序，該偏向循序係使用複數個偏向座標(Xk，Yk)、及各追蹤控制期間中曝光的曝光像素數Ej、及進行追蹤重置的情形下之多射束20的偏向移動量Dj而被定義。偏向循序中，是以射束被偏向至相當於上述的平方值(m2 )之數的複數個偏向座標(Xk，Yk)而不會重複之方式，來設定複數個偏向座標(Xk，Yk)的偏向順序。例如在XY平台105連續移動的狀態下會將偏向位置逐漸偏移，故應該優先曝光隨著XY平台105的移動而變遠之像素，偏向順序可設定成優先將和XY平台105的移動方向(x方向)正交之方向(y方向)予以偏向這樣的偏向順序。 圖21為實施形態1中的偏向循序的一例說明用圖。圖21例子中，示意XY平台105的移動方向(x方向)之射束道數b為4道，各間距單元29由2×2個的像素36所構成，曝光像素指定值M=1的情形。針對y方向的射束道數c雖省略記載，但不論y方向的射束道數c為何，皆能適用同樣的偏向循序。若藉由上述手法演算，則複數個偏向座標(Xk，Yk)成為(0，0)，(0，1)，(1，0)，(1，1)，以此順序設定偏向順序。此外，曝光像素指定值M=1的情形下，若藉由上述手法演算，則曝光像素數Ej被演算為Ej=1，1，1，1。然後，若藉由上述手法演算，則偏向移動量Dj被演算為Dj=1，1，1，1。如圖21所示，第1擊發中，以於x方向4道的射束，將補償偏向配合各間距單元29內的偏向座標(0，0)而曝光偏向座標(0，0)的像素36。E1=1，故在第1擊發結束的時間點做追蹤重置，D1=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第2擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，1)而曝光偏向座標(0，1)的像素36。E2=1，故在第2擊發結束的時間點做追蹤重置，D2=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第3擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，0)而曝光偏向座標(1，0)的像素36。E3=1，故在第3擊發結束的時間點做追蹤重置，D3=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第4擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，1)而曝光偏向座標(1，1)的像素36。E4=1，故在第4擊發結束的時間點做追蹤重置，D4=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。藉此，1循環的曝光結束。第1擊發中第4個的射束所曝光之間距單元29中，能夠曝光所有的像素。該偏向循序中，每1循環，多射束20，其偏向位置會被移動4射束間距份的距離(XY平台105的移動方向之多射束20的射束道數乘上射束間距P而得之值的距離)。像以上這樣，只要作成以複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj作為參數而定義之偏向循序，則藉由以該偏向循序繼續描繪處理，在相對於XY平台105的移動方向朝相反方向並排的爾後的間距單元29中便能依序曝光所有的像素。實際的描繪處理中，第1擊發中第1～3個的射束所曝光的間距單元29中，會發生未曝光像素，故只要先將第1擊發的照射區域34的位置於XY平台105的移動方向朝條紋區域32的外側挪移恰好3射束間距份再開始描繪處理，便可曝光條紋區域32內的所有的像素36。 圖22為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。圖22例子中，示意XY平台105的移動方向(x方向)之射束道數b為4道，各間距單元29由2×2個的像素36所構成，每1追蹤控制的曝光像素指定值M=2的情形。圖22例子中，示意相對於圖21例子變更了曝光像素指定值M的情形的一例。針對y方向的射束道數c雖省略記載，但不論y方向的射束道數c為何，皆能適用同樣的偏向循序。若藉由上述手法演算，則複數個偏向座標(Xk，Yk)成為(0，0)，(0，1)，(1，0)，(1，1)，以此順序設定偏向順序。此外，曝光像素指定值M=2的情形下，若藉由上述手法演算，則曝光像素數Ej被演算為Ej=2，2。然後，若藉由上述手法演算，則偏向移動量Dj被演算為Dj=2，2。如圖22所示，第1擊發中，以於x方向4道的射束，將補償偏向配合各間距單元29內的偏向座標(0，0)而曝光偏向座標(0，0)的像素36。E1=2，故繼續進行第2擊發。第2擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，1)而曝光偏向座標(0，1)的像素36。E1=2，故在第2擊發結束的時間點做追蹤重置，D1=2故使多射束20移動偏向位置恰好2射束間距。第3擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，0)而曝光偏向座標(1，0)的像素36。E2=2，故繼續進行第4擊發。第4擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，1)而曝光偏向座標(1，1)的像素36。E2=2，故在第4擊發結束的時間點做追蹤重置，D2=2故使多射束20移動偏向位置恰好2射束間距。藉此，1循環的曝光結束。第1擊發中第3個的射束及第4個的射束所曝光之間距單元29中，能夠曝光所有的像素。該偏向循序中，每1循環，多射束20，其偏向位置會被移動4射束間距份的距離(XY平台105的移動方向之多射束20的射束道數乘上射束間距P而得之值的距離)。像以上這樣，只要作成以複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj作為參數而定義之偏向循序，則藉由以該偏向循序繼續描繪處理，在相對於XY平台105的移動方向朝相反方向並排的爾後的間距單元29中便能依序曝光所有的像素。實際的描繪處理中，第1擊發中第1、2個的射束所曝光的間距單元29中，會發生未曝光像素，故只要先將第1擊發的照射區域34的位置於XY平台105的移動方向朝條紋區域32的外側挪移恰好2射束間距份再開始描繪處理，便可曝光條紋區域32內的所有的像素36。 圖23為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。圖23例子中，示意XY平台105的移動方向(x方向)之射束道數b為4道，各間距單元29由3×3個的像素36所構成，每1追蹤控制的曝光像素指定值M=3的情形。圖23例子中，示意相對於圖21例子變更了像素尺寸及曝光像素指定值M=3的情形的一例。針對y方向的射束道數c雖省略記載，但不論y方向的射束道數c為何，皆能適用同樣的偏向循序。若藉由上述手法演算，則複數個偏向座標(Xk，Yk)成為(0，0)，(0，1)，(0，2)，(1，0)，(1，1)，(1，2)，(2，0)，(2，1)，(2，2)，以此順序設定偏向順序。此外，曝光像素指定值M=3的情形下，若藉由上述手法演算，則曝光像素數Ej被演算為Ej=3，3，3。然後，若藉由上述手法演算，則偏向移動量Dj被演算為Dj=1，1，2。如圖23所示，第1擊發中，以於x方向4道的射束，將補償偏向配合各間距單元29內的偏向座標(0，0)而曝光偏向座標(0，0)的像素36。E1=3，故繼續進行第2擊發。第2擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，1)而曝光偏向座標(0，1)的像素36。再繼續進行第3擊發。第3擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，2)而曝光偏向座標(0，2)的像素36。E1=3，故在第3擊發結束的時間點做追蹤重置，D1=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第4擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，0)而曝光偏向座標(1，0)的像素36。E2=3，故繼續進行第5擊發。第5擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，1)而曝光偏向座標(1，1)的像素36。再繼續進行第6擊發。第6擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，2)而曝光偏向座標(1，2)的像素36。E2=3，故在第6擊發結束的時間點做追蹤重置，D2=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第7擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，0)而曝光偏向座標(2，0)的像素36。E3=3，故繼續進行第8擊發。第8擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，1)而曝光偏向座標(2，1)的像素36。再繼續進行第9擊發。第9擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，2)而曝光偏向座標(2，2)的像素36。E3=3，故在第9擊發結束的時間點做追蹤重置，D3=2故使多射束20移動偏向位置恰好2射束間距。藉此，1循環的曝光結束。第1擊發中第3個的射束及第4個的射束所曝光之間距單元29中，能夠曝光所有的像素。該偏向循序中，每1循環，多射束20，其偏向位置會被移動4射束間距份的距離(XY平台105的移動方向之多射束20的射束道數乘上射束間距P而得之值的距離)。像以上這樣，只要作成以複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj作為參數而定義之偏向循序，則藉由以該偏向循序繼續描繪處理，在相對於XY平台105的移動方向朝相反方向並排的爾後的間距單元29中便能依序曝光所有的像素。實際的描繪處理中，第1擊發中第1、2個的射束所曝光的間距單元29中，會發生未曝光像素，故只要先將第1擊發的照射區域34的位置於XY平台105的移動方向朝條紋區域32的外側挪移恰好2射束間距份再開始描繪處理，便可曝光條紋區域32內的所有的像素36。 圖24為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。圖24例子中，示意XY平台105的移動方向(x方向)之射束道數b為4道，各間距單元29由3×3個的像素36所構成，每1追蹤控制的曝光像素指定值M=2的情形。圖24例子中，示意相對於圖23例子變更了曝光像素指定值M的情形的一例。針對y方向的射束道數c雖省略記載，但不論y方向的射束道數c為何，皆能適用同樣的偏向循序。若藉由上述手法演算，則複數個偏向座標(Xk，Yk)成為(0，0)，(0，1)，(0，2)，(1，0)，(1，1)，(1，2)，(2，0)，(2，1)，(2，2)，以此順序設定偏向順序。此外，曝光像素指定值M=2的情形下，若藉由上述手法演算，則曝光像素數Ej被演算為Ej=3，2，2，2。然後，若藉由上述手法演算，則偏向移動量Dj被演算為Dj=1，1，1，1。如圖24所示，第1擊發中，以於x方向4道的射束，將補償偏向配合各間距單元29內的偏向座標(0，0)而曝光偏向座標(0，0)的像素36。E1=3，故繼續進行第2擊發。第2擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，1)而曝光偏向座標(0，1)的像素36。再繼續進行第3擊發。第3擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，2)而曝光偏向座標(0，2)的像素36。E1=3，故在第3擊發結束的時間點做追蹤重置，D1=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第4擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，0)而曝光偏向座標(1，0)的像素36。E2=2，故繼續進行第5擊發。第5擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，1)而曝光偏向座標(1，1)的像素36。E2=2，故在第5擊發結束的時間點做追蹤重置，D2=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第6擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，2)而曝光偏向座標(1，2)的像素36。E3=2，故繼續進行第7擊發。第7擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，0)而曝光偏向座標(2，0)的像素36。E3=2，故在第7擊發結束的時間點做追蹤重置，D3=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。 第8擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，1)而曝光偏向座標(2，1)的像素36。E4=2，故繼續進行第9擊發。第9擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，2)而曝光偏向座標(2，2)的像素36。E4=2，故在第9擊發結束的時間點做追蹤重置，D4=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。藉此，1循環的曝光結束。第1擊發中第4個的射束所曝光之間距單元29中，能夠曝光所有的像素。該偏向循序中，每1循環，多射束20，其偏向位置會被移動4射束間距份的距離(XY平台105的移動方向之多射束20的射束道數乘上射束間距P而得之值的距離)。像以上這樣，只要作成以複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj作為參數而定義之偏向循序，則藉由以該偏向循序繼續描繪處理，在相對於XY平台105的移動方向朝相反方向並排的爾後的間距單元29中便能依序曝光所有的像素。實際的描繪處理中，第1擊發中第1～3個的射束所曝光的間距單元29中，會發生未曝光像素，故只要先將第1擊發的照射區域34的位置於XY平台105的移動方向朝條紋區域32的外側挪移恰好3射束間距份再開始描繪處理，便可曝光條紋區域32內的所有的像素36。 圖25為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。圖25例子中，示意XY平台105的移動方向(x方向)之射束道數b為3道，各間距單元29由2×2個的像素36所構成，每1追蹤控制的曝光像素指定值M=1的情形。圖25例子中，示意相對於圖21例子變更了x方向之射束道數b的情形的一例。針對y方向的射束道數c雖省略記載，但不論y方向的射束道數c為何，皆能適用同樣的偏向循序。若藉由上述手法演算，則複數個偏向座標(Xk，Yk)成為(0，0)，(0，1)，(1，0)，(1，1)，以此順序設定偏向順序。此外，曝光像素指定值M=1的情形下，若藉由上述手法演算，則曝光像素數Ej被演算為Ej=1，1，2。然後，若藉由上述手法演算，則偏向移動量Dj被演算為Dj=1，1，1。如圖25所示，第1擊發中，以於x方向4道的射束，將補償偏向配合各間距單元29內的偏向座標(0，0)而曝光偏向座標(0，0)的像素36。E1=1，故在第1擊發結束的時間點做追蹤重置，D1=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第2擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，1)而曝光偏向座標(0，1)的像素36。E2=1，故在第2擊發結束的時間點做追蹤重置，D2=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第3擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，0)而曝光偏向座標(1，0)的像素36。E3=2，故繼續進行第4擊發。第4擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，1)而曝光偏向座標(1，1)的像素36。E3=2，故在第4擊發結束的時間點做追蹤重置，D3=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。藉此，1循環的曝光結束。第1擊發中第3個的射束所曝光之間距單元29中，能夠曝光所有的像素。該偏向循序中，每1循環，多射束20，其偏向位置會被移動3射束間距份的距離(XY平台105的移動方向之多射束20的射束道數乘上射束間距P而得之值的距離)。像以上這樣，只要作成以複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj作為參數而定義之偏向循序，則藉由以該偏向循序繼續描繪處理，在相對於XY平台105的移動方向朝相反方向並排的爾後的間距單元29中便能依序曝光所有的像素。實際的描繪處理中，第1擊發中第1、2個的射束所曝光的間距單元29中，會發生未曝光像素，故只要先將第1擊發的照射區域34的位置於XY平台105的移動方向朝條紋區域32的外側挪移恰好2射束間距份再開始描繪處理，便可曝光條紋區域32內的所有的像素36。 圖26為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。圖26例子中，示意XY平台105的移動方向(x方向)之射束道數b為3道，各間距單元29由3×3個的像素36所構成，每1追蹤控制的曝光像素指定值M=3的情形。圖26例子中，示意相對於圖25例子變更了像素尺寸及曝光像素指定值M的情形的一例。針對y方向的射束道數c雖省略記載，但不論y方向的射束道數c為何，皆能適用同樣的偏向循序。若藉由上述手法演算，則複數個偏向座標(Xk，Yk)成為(0，0)，(0，1)，(0，2)，(1，0)，(1，1)，(1，2)，(2，0)，(2，1)，(2，2)，以此順序設定偏向順序。此外，曝光像素指定值M=3的情形下，若藉由上述手法演算，則曝光像素數Ej被演算為Ej=3，3，3。然後，若藉由上述手法演算，則偏向移動量Dj被演算為Dj=1，1，1。如圖26所示，第1擊發中，以於x方向4道的射束，將補償偏向配合各間距單元29內的偏向座標(0，0)而曝光偏向座標(0，0)的像素36。E1=3，故繼續進行第2擊發。第2擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，1)而曝光偏向座標(0，1)的像素36。再繼續進行第3擊發。第3擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(0，2)而曝光偏向座標(0，2)的像素36。E1=3，故在第3擊發結束的時間點做追蹤重置，D1=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第4擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，0)而曝光偏向座標(1，0)的像素36。E2=3，故繼續進行第5擊發。第5擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，1)而曝光偏向座標(1，1)的像素36。再繼續進行第6擊發。第6擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(1，2)而曝光偏向座標(1，2)的像素36。E2=3，故在第6擊發結束的時間點做追蹤重置，D2=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。第7擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，0)而曝光偏向座標(2，0)的像素36。E3=3，故繼續進行第8擊發。第8擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，1)而曝光偏向座標(2，1)的像素36。再繼續進行第9擊發。第9擊發中，以於x方向4道的射束，使補償偏向位置偏移至各間距單元29內的偏向座標(2，2)而曝光偏向座標(2，2)的像素36。E3=3，故在第9擊發結束的時間點做追蹤重置，D3=1故使多射束20移動偏向位置恰好1射束間距。藉此，1循環的曝光結束。第1擊發中第3個的射束所曝光之間距單元29中，能夠曝光所有的像素。該偏向循序中，每1循環，多射束20，其偏向位置會被移動3射束間距份的距離(XY平台105的移動方向之多射束20的射束道數乘上射束間距P而得之值的距離)。像以上這樣，只要作成以複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj作為參數而定義之偏向循序，則藉由以該偏向循序繼續描繪處理，在相對於XY平台105的移動方向朝相反方向並排的爾後的間距單元29中便能依序曝光所有的像素。實際的描繪處理中，第1擊發中第1、2個的射束所曝光的間距單元29中，會發生未曝光像素，故只要先將第1擊發的照射區域34的位置於XY平台105的移動方向朝條紋區域32的外側挪移恰好2射束間距份再開始描繪處理，便可曝光條紋區域32內的所有的像素36。 圖27為實施形態1中的偏向循序的格式的一例示意圖。如圖27所示，偏向循序，是以複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj作為參數而被定義。偏向循序中，當進行追蹤重置的情形下之多射束20的偏向移動量Dj，是使用示意射束間間距尺寸的k倍之k值而被定義。圖27例子中，示意圖24所示之偏向循序作為一例。換言之，示意XY平台105的移動方向(x方向)之射束道數b為4道，各間距單元29由3×3個的像素36所構成，每1追蹤控制的曝光像素指定值M=2的情形。因此，在偏向座標(Xk，Yk)，定義(0，0)，(0，1)，(0，2)，(1，0)，(1，1)，(1，2)，(2，0)，(2，1)，(2，2)。在曝光像素數Ej，定義3，2，2，2。又，在偏向移動量Dj，定義1，1，1，1。像以上這樣，實施形態1中，即使在像素尺寸、射束尺寸、及所使用的射束陣列的射束數相異的條件下，仍能以同一格式定義各條件下的偏向循序。 另，圖27例子中，雖說明了單純定義複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj之偏向循序的格式，但不限於此。例如，使用依追蹤控制順序且依每一追蹤控制定義該追蹤控制中的偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj這樣的偏向循序的格式亦優。 作為照射時間資料生成工程(S120)，照射時間資料生成部62，對被分割出的每一像素36，演算用來對該像素36照射的照射量D。照射量D，例如可演算為將事先設定好的基準照射量Dbase乘上鄰近效應修正照射係數Dp乘上圖樣面積密度ρ而得之值。像這樣，照射量D，較佳是和對每一像素36算出的圖樣的面積密度成比例來求出。有關鄰近效應修正照射係數Dp，是將描繪區域(此處例如為條紋區域32)以規定的尺寸以網目狀假想分割成複數個鄰近網目區域(鄰近效應修正計算用網目區域)。鄰近網目區域的尺寸，較佳為鄰近效應的影響範圍的1／10程度，例如設定為1μm程度。然後，從記憶裝置140讀出描繪資料，對每一鄰近網目區域，演算配置於該鄰近網目區域內之圖樣的圖樣面積密度ρ’。 接著，對每一鄰近網目區域，演算用來修正鄰近效應之鄰近效應修正照射係數Dp。此處，演算鄰近效應修正照射係數Dp之網目區域的尺寸，未必要和演算圖樣面積密度ρ’之網目區域的尺寸相同。此外，鄰近效應修正照射係數Dp的修正模型及其計算手法可和習知之單射束描繪方式中使用的手法相同。 然後，照射時間資料生成部62，對每一像素36，演算用來使對該像素36演算出的照射量D入射之電子束的照射時間t，而生成用來識別照射時間t的照射時間資料。照射時間t，能夠藉由將照射量D除以電流密度J來演算。例如，藉由用來計數恰好和照射時間t一致的時間的時鐘訊號之計數數字來定義照射時間資料亦優。 作為資料加工工程(S130)，資料加工部64，循著作成的偏向循序將像素36與曝光該像素的射束建立關連。另，資料加工部64，針對由於被選擇的描繪模式中設定之射束陣列b×c而多射束20全體當中未被使用的射束群，係生成照射時間零的照射時間資料使成為常時射束OFF。然後，資料加工部64，依擊發順序將照射時間資料重排。受資料加工後的照射時間資料，會被存儲於記憶裝置142。 作為資料轉送工程(S132)，轉送處理部66，將記憶裝置142中存儲的照射時間資料轉送至偏向控制電路130。 作為描繪工程(S134)，首先，描繪控制部68控制驅動機構214使第1成形孔徑陣列基板212移動，使得被成形的多射束20的各射束其射束間間距維持不變，而成為被選擇的描繪模式中設定之射束尺寸S。 然後，受到描繪控制部68控制的描繪機構150，一面遵照偏向循序將多射束20偏向，一面對試料101描繪圖樣。此時，描繪機構150，不論被選擇的描繪模式為何，皆是以射束間間距不變的射束陣列(多射束)，照射以像素尺寸s被分割的試料101面上的複數個像素36，藉此對試料101描繪圖樣。此時，同樣地，描繪機構150以多射束20全體當中和被選擇的描繪模式相應之射束陣列，對試料101描繪圖樣。此時，同樣地，描繪機構150以和被選擇的描繪模式相應之射束尺寸S的射束陣列，對試料101描繪圖樣。 像以上這樣，按照實施形態1，即使像素尺寸或／及射束陣列等發生變更的情形下，仍能描繪描繪區域全體。 以上已一面參照具體例一面針對實施形態做了說明。但，本發明並非限定於該些具體例。上述例子中，說明了根據基本參數而在描繪裝置100的內部演算複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj的情形，但不限於此。亦可為描繪裝置100取得在外部事先演算好的複數個偏向座標(Xk，Yk)及曝光像素數Ej及偏向移動量Dj之情形。 此外，針對裝置構成或控制手法等對於本發明說明非直接必要之部分等雖省略記載，但能夠適當選擇使用必要之裝置構成或控制手法。例如，有關控制描繪裝置100之控制部構成雖省略其記載，但當然可適當選擇使用必要之控制部構成。 其他具備本發明之要素，且所屬技術領域者可適當變更設計之所有多帶電粒子束描繪裝置及多帶電粒子束描繪方法，均包含於本發明之範圍。
10:射束 20:多射束 21,22:孔 23:多射束 24:控制電極 25:通過孔 26:相向電極 28:像素 29:間距單元 30:描繪區域 31:遮沒孔徑陣列基板 32:條紋區域 34(34a~34o):照射區域 35,36:像素 41:控制電路 46:放大器 47:個別遮沒機構 50:模式選擇部 52:基本參數取得部 54:像素分割部 55:參照取得部 56:曝光像素數Ej演算部 58:偏向移動量Dj演算部 60:偏向座標設定部 61:偏向循序作成部 62:照射時間資料生成部 64:資料加工部 66:轉送處理部 68:描繪控制部 70:基準像素數Ebase選擇部 72:曝光像素數Ej組合選擇部 74,76:判定部 80:曝光像素數Ej組合輸入部 82:假定移動量D’演算部 84:偏向移動量Dj組合選擇部 86:判定部 100:描繪裝置 101:試料 102:電子束鏡柱 103:描繪室 105:XY平台 110:控制計算機 112:記憶體 130:偏向控制電路 132,134:數位/類比變換(DAC)放大器單元 136:透鏡控制電路 138:平台控制機構 139:平台位置測定器 140,142,144:記憶裝置 150:描繪機構 160:控制系統電路 200:電子束 201:電子槍 202:照明透鏡 203:第2成形孔徑陣列基板 204:遮沒孔徑陣列機構 205:縮小透鏡 206:限制孔徑基板 207:對物透鏡 208:主偏向器 209:副偏向器 210:鏡 212:第1成形孔徑陣列基板 214:驅動機構 330:薄膜區域 332:外周區域 333:支撐台
[圖1]為實施形態1中的描繪裝置的構成示意概念圖。 [圖2]為實施形態1中的第1與第2成形孔徑陣列基板的構成示意概念圖。 [圖3]為實施形態1中的可變成形射束說明用圖。 [圖4]為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的構成示意截面圖。 [圖5]為實施形態1中的遮沒孔徑陣列機構的薄膜(membrane)區域內的構成的一部分示意俯視概念圖。 [圖6]為實施形態1的個別遮沒機構的一例示意圖。 [圖7]為實施形態1中的描繪動作的一例說明用概念圖。 [圖8]為實施形態1中的多射束的照射區域與描繪對象像素的一例示意圖。 [圖9]為實施形態1中的多射束的射束位置控制的方式的一例說明用圖。 [圖10]為實施形態1中的多射束的偏向循序的一例說明用圖。 [圖11]為實施形態1中的描繪方法的主要工程的一例示意流程圖。 [圖12A與圖12B]為實施形態1中的使用射束陣列的一例示意圖。 [圖13A至圖13D]為實施形態1中當將像素尺寸與射束尺寸與射束道數設為可變的情形下，射束陣列與像素之關係說明用圖。 [圖14]為實施形態1中當像素尺寸比射束尺寸還小的情形下的曝光狀態說明用圖。 [圖15]為實施形態1中當像素尺寸比射束尺寸還大的情形下的曝光狀態說明用圖。 [圖16]為實施形態1中的描繪模式與基本參數之相關表格的一例示意圖。 [圖17]為實施形態1中的曝光像素數演算部的內部構成示意圖。 [圖18]為實施形態1中的曝光像素數演算工程的內部工程的一例示意流程圖。 [圖19]為實施形態1中的偏向移動量演算部的內部構成示意圖。 [圖20]為實施形態1中的重置時偏向移動量演算工程的內部工程的一例示意流程圖。 [圖21]為實施形態1中的偏向循序的一例說明用圖。 [圖22]為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。 [圖23]為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。 [圖24]為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。 [圖25]為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。 [圖26]為實施形態1中的偏向循序的另一例說明用圖。 [圖27]為實施形態1中的偏向循序的格式的一例示意圖。
20:多射束
50:模式選擇部
52:基本參數取得部
54:像素分割部
55:參照取得部
56:曝光像素數Ej演算部
58:偏向移動量Dj演算部
60:偏向座標設定部
61:偏向循序作成部
62:照射時間資料生成部
64:資料加工部
66:轉送處理部
68:描繪控制部
100:描繪裝置
101:試料
102:電子束鏡柱
103:描繪室
105:XY平台
110:控制計算機
130:偏向控制電路
132,134:數位/類比變換(DAC)放大器單元
136:透鏡控制電路
138:平台控制機構
139:平台位置測定器
140,142,144:記憶裝置
150:描繪機構
160:控制系統電路
200:電子束
201:電子槍
202:照明透鏡
203:第2成形孔徑陣列基板
204:遮沒孔徑陣列機構
205:縮小透鏡
206:限制孔徑基板
207:對物透鏡
208:主偏向器
209:副偏向器
210:鏡
212:第1成形孔徑陣列基板
214:驅動機構

Claims (10)

  1. 一種多射束描繪方法，其特徵為： 取得可變的像素尺寸、與定義被使用於曝光的射束陣列之射束陣列資訊， 基於前述像素尺寸與前述射束陣列資訊，取得：用來將負責射束偏向至由試料上的描繪區域被多射束的射束間間距尺寸分割而成之複數個射束間間距區域的各射束間間距區域內的複數個像素之複數個偏向座標、與在以將多射束的各射束集體跟隨平台的移動之方式進行的各追蹤控制期間中，負責射束曝光各射束間間距區域內的像素數、與於追蹤控制期間經過後當進行重置追蹤開始位置之追蹤重置的情形下前述多射束的偏向移動量， 作成偏向循序，該偏向循序係使用前述複數個偏向座標、與前述各追蹤控制期間中曝光的前述像素數、與進行前述追蹤重置的情形下之前述多射束的偏向移動量而被定義， 一面遵照前述偏向循序將前述多射束偏向，一面對前述試料描繪圖樣。
  2. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中， 作為前述複數個偏向座標，存在有位於X方向的射束間距及Y方向的射束間距的大小的矩形區域內之矩形區域內像素數量的偏向座標， 前述偏向循序中，是以射束被偏向至前述矩形區域內像素數量的前述複數個偏向座標而不會重複之方式，來設定前述複數個偏向座標的偏向順序， 將前述矩形區域內像素數量份的曝光分成複數次的追蹤控制期間來進行，而該前述矩形區域內像素數量份的曝光是將藉由對於前述複數個偏向座標的各偏向座標之一連串的射束偏向而進行之複數次的曝光訂為1循環， 設定在各追蹤控制期間中曝光的前述像素數，使得在每一前述1循環的前述各追蹤控制期間中曝光的前述像素數的合計和前述矩形區域內像素數量一致， 設定當進行前述追蹤重置的情形下前述多射束的偏向移動量，使得當進行每一前述1循環的前述追蹤重置的情形下前述多射束的偏向移動量的合計和前述平台的移動方向之前述多射束的射束道數乘上射束間間距尺寸而得之值一致。
  3. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中，前述偏向循序中，當進行前述追蹤重置的情形下前述多射束的偏向移動量，是使用示意前述射束間間距尺寸的k倍之k值而被定義。
  4. 如請求項1記載之多射束描繪方法，其中， 從複數個描繪模式當中選擇1個描繪模式，該些複數個描繪模式是藉由各追蹤控制期間中曝光的前述像素數的指定值、與像素尺寸、與識別至少在描繪區域的描繪中前述射束間間距尺寸為固定之前述多射束當中被使用於曝光的射束陣列之識別資訊而各自被定義， 參照前述複數個描繪模式中各自可變地定義之相關表格，對於描繪區域以被選擇的前述描繪模式中定義之像素尺寸而被分割而成之複數個像素區域，設定前述複數個偏向座標， 參照前述相關表格，使用被選擇的描繪模式中定義之前述像素數的指定值，演算前述各追蹤控制期間中曝光的前述像素數， 參照前述相關表格，使用識別被選擇的描繪模式中定義之前述多射束當中被使用於曝光的射束群之識別資訊，來演算當進行前述追蹤重置的情形下前述多射束的偏向移動量。
  5. 一種多射束描繪裝置，具備： 參數取得電路，取得可變的像素尺寸、與定義被使用於曝光的射束陣列之射束陣列資訊；及 取得電路，基於前述像素尺寸與前述射束陣列資訊，取得：用來將負責射束偏向至由試料上的描繪區域被多射束的射束間間距尺寸分割而成之複數個射束間間距區域的各射束間間距區域內的複數個像素之複數個偏向座標、與在以將多射束的各射束集體跟隨平台的移動之方式進行的各追蹤控制期間中，負責射束曝光各射束間間距區域內的像素數、與於追蹤控制期間經過後當進行重置追蹤開始位置之追蹤重置的情形下前述多射束的偏向移動量；及 作成電路，作成偏向循序，該偏向循序係使用前述複數個偏向座標、與前述各追蹤控制期間中曝光的前述像素數、與進行前述前述追蹤重置的情形下之前述多射束的偏向移動量而被定義；及 描繪機構，具有載置前述試料而可移動的平台、與將前述多射束偏向的偏向器，一面遵照前述偏向循序將前述多射束偏向，一面對前述試料描繪圖樣。
  6. 如請求項5記載之多射束描繪裝置，其中，更具備： 選擇電路，從複數個描繪模式當中選擇1個描繪模式，該些複數個描繪模式是藉由各追蹤控制期間中曝光的前述像素數的指定值、與像素尺寸、與識別至少在描繪區域的描繪中前述射束間間距尺寸為固定之前述多射束當中被使用於曝光的射束陣列之識別資訊而各自被定義；及 偏向座標設定電路，參照前述複數個描繪模式中各自可變地定義之相關表格，對於描繪區域以被選擇的前述描繪模式中定義之像素尺寸而被分割而成之複數個像素區域，設定前述複數個偏向座標；及 曝光像素數量演算電路，參照前述相關表格，使用被選擇的描繪模式中定義之前述像素數的指定值，演算前述各追蹤控制期間中曝光的前述像素數；及 偏向移動量演算電路，參照前述相關表格，使用識別被選擇的描繪模式中定義之前述多射束當中被使用於曝光的射束群之識別資訊，來演算當進行前述追蹤重置的情形下前述多射束的偏向移動量。
  7. 一種多射束描繪方法，其特徵為： 從高精度地描繪之高精度描繪模式與高速地描繪之高速描繪模式當中選擇1種描繪模式， 以根據被選擇的描繪模式而可變之像素尺寸，將照射多射束的試料面上的描繪區域分割成複數個像素區域， 不論被選擇的描繪模式為何，以射束間間距不變的前述多射束，照射以前述像素尺寸被分割的前述試料面上的複數個像素，藉此對前述試料描繪圖樣。
  8. 如請求項7記載之多射束描繪方法，其中，可變的前述像素尺寸的任一種，皆是像素尺寸被設定成前述多射束的射束間距的整數分之一。
  9. 一種多射束描繪裝置，具備： 選擇電路，從高精度地描繪之高精度描繪模式與高速地描繪之高速描繪模式當中選擇1種描繪模式；及 分割電路，以根據被選擇的描繪模式而可變之像素尺寸，將照射多射束的試料面上的描繪區域分割成複數個像素區域；及 描繪機構，具有載置前述試料的平台、與將前述多射束偏向的偏向器，不論被選擇的描繪模式為何，以射束間間距不變的前述多射束，照射以前述像素尺寸被分割的前述試料面上的複數個像素，藉此對前述試料描繪圖樣。
  10. 如請求項9記載之多射束描繪裝置，其中，前述分割電路，作為根據被選擇的前述描繪模式而可變之前述像素尺寸，是使用成為前述多射束的射束間距的整數分之一之像素尺寸。
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