JP6353278B2 - マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents

Description

本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置に係り、例えば、トラッキング偏向を用いたマルチビーム描画の描画時間を短縮する方法に関する。

近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅はさらに微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ回路パターンを形成するための露光用マスク（レチクルともいう。）を形成する方法として、優れた解像性を有する電子ビーム（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画技術が用いられる。

例えば、マルチビームを使った描画装置がある。１本の電子ビームで描画する場合に比べて、マルチビームを用いることで一度（１回のショット）に多くのビームを照射できるのでスループットを大幅に向上させることができる。かかるマルチビーム方式の描画装置では、例えば、電子銃から放出された電子ビームを複数の穴を持ったマスクに通してマルチビームを形成し、各々、ブランキング制御され、遮蔽されなかった各ビームが光学系で縮小され、偏向器で偏向されて試料上の所望の位置へと照射される。

従来、試料面上の描画領域をビームサイズで複数のメッシュ領域に区切ることで画素を定義する。そして、定速走行するステージ上に配置された試料に対して各ショットにおけるマルチビームの照射中、各ビームの照射対象画素がステージの移動によってずれないように各ビームがステージ移動に追従するトラッキング動作を行いながら、各ビームの照射をおこなっていた。そして、１回のショットが終了すると、トラッキング動作をリセットして各ビームを振り戻し、次の照射対象画素へと偏向位置をずらした後、同様に、トラッキング動作を行いながら、各ビームの照射をおこなっていた。そして、すべての画素について必要なビームの照射を行うことでパターンを描画していた。

上述したように、マルチビーム描画では、多数のビームを用いる。例えば、ビーム本数が、ｎ×ｍ本のビームの照射時間データが照射時間内に制御部から照射部へ転送される。そのため、各ビームについて、制御部から照射部へのデータ転送エラーに対して対応する必要がある。

なお、マルチビーム技術に関連して、ラスタースキャン方式で一方向に連続走査して、マルチビームを走査し続けている間、ステージ移動に対応するトラッキング動作を行っている技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開平０５−１６６７０７号公報

そこで、本発明は、上述した問題点を克服し、データ転送エラーが生じた場合でも補完可能なマルチ荷電粒子ビームの描画方法および装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画方法は、
マルチ荷電粒子ビームの各ビームの描画位置をまとめて一緒にステージの移動に追従するようにビーム偏向によるトラッキング制御を開始して、トラッキング制御を行いながら、各ビームの描画位置にマルチ荷電粒子ビームのうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する工程と、
トラッキング制御を継続しながら、トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、マルチ荷電粒子ビームを偏向することによって各ビームの描画位置を次の各ビームの描画位置にシフトする工程と、
トラッキング制御を継続しながら、シフトされた各ビームの描画位置にマルチ荷電粒子ビームのうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する工程と、
トラッキング制御を継続しながら少なくとも１回以上シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す工程と、
を備え、
トラッキング制御の開始からリセットまでのかかる各工程を１つの組として、組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
かかる回数の組うち、少なくとも１回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とする。

また、ビームを照射するための描画データの転送エラーを検出する工程を備え、
転送エラーが検出されたビームの描画位置における当該ビームの照射予定時間中の照射は中止され、
かかる回数の組うち、照射が中止された組には、他の組よりも長いトラッキング時間が設定され、
照射が中止された組は、
他の組よりも長いトラッキング時間の一部を用いて、照射が中止させられたビームの描画位置へのビームの照射を補完する工程をさらに有すると好適である。

また、補完する工程は、照射を中止する工程と同じトラッキング制御中に実施されると好適である。

また、所定領域は、マルチ荷電粒子ビームのうちの隣接する４つのビームで囲まれると共に隣接する４つのビームの描画位置の１つが含まれる領域であり、
所定領域を描画する際に転送エラーが生じた場合に、所定領域の描画が終了する前に補完する工程が実施されると好適である。

また、組を構成する各工程がトラッキングサイクルとなる。

本発明の一態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部が形成され、複数の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
ブランキングアパーチャ部材を通過したビームＯＮとなる各ビームをまとめて一緒に各ビームの描画位置に偏向する第１の偏向器と、
ブランキングアパーチャ部材を通過したビームＯＮとなる各ビームをまとめて一緒にステージの移動に追従するように偏向する第２の偏向器と、
各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が終了後、各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように第１の偏向器を制御すると共に、各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも１回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射する間、各ビームのトラッキングを継続し、少なくとも１回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射した後、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻すように前記第２の偏向器を制御する偏向制御部と、
を備え、
トラッキング制御の開始からリセットまでの、各ビームの描画位置の照射と、各ビームの少なくとも１回以上シフト後の描画位置の照射とを１つの組として、かかる組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
回数の組うち、少なくとも１回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とする。

本発明の他の態様のマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部が形成され、複数の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
ブランキングアパーチャ部材を通過したビームＯＮとなる各ビームをまとめて一緒に各ビームの描画位置に偏向すると共に、前記各ビームをまとめて一緒にステージの移動に追従するように偏向する偏向器と、
各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が終了後、各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように偏向器を制御すると共に、各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも１回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射する間、各ビームのトラッキングを継続し、少なくとも１回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射した後、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻すように前記偏向器を制御する偏向制御部と、
を備え、
トラッキング制御の開始からリセットまでの、各ビームの描画位置の照射と、各ビームの少なくとも１回以上シフト後の描画位置の照射とを１つの組として、かかる組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
かかる回数の組うち、少なくとも１回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とする。

本発明の一態様によれば、データ転送エラーが生じた場合でも補完できる。その結果、描画エラーを回避でき、描画エラーとなった試料を作製してしまうことを回避できる。

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。 実施の形態１におけるアパーチャ部材の構成を示す概念図である。 実施の形態１におけるブランキングプレートの一部を示す上面概念図である。 実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。 実施の形態１におけるマルチビームの照射領域と描画対象画素との一例を示す図である。 実施の形態１におけるマルチビームの描画方法の一例を説明するための図である。 実施の形態１における照射時間配列データの一例である。 実施の形態１における注目グリッドの各画素に描画するビーム番号の一例を示す図である。 補完露光を実施しない場合におけるトラッキング制御を説明するための図である。 補完露光を実施しない場合における偏向電圧と時間との関係を示す図である。 実施の形態１におけるトラッキングサイクルのタイムチャートの一例を示す図である。 実施の形態１の方法であって、図１２の描画を行う場合の偏向電圧と時間との関係を示す図である。 実施の形態１における注目グリッドの各画素に描画するビーム番号の他の一例を示す図である。 実施の形態１における注目グリッドの各画素に描画するビーム番号の他の一例を示す図である。 実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、アパーチャ部材２０３、ブランキングプレート２０４、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ部材２０６、対物レンズ２０７、偏向器２０９、及び偏向器２０８が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。ＸＹステージ１０５上には、さらに、ＸＹステージ１０５の位置測定用のミラー２１０が配置される。

制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、デジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプユニット１３２，１３４、ステージ位置検出器１３９、インターフェース回路１７０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、偏向制御回路１３０、ステージ位置検出器１３９及び記憶装置１４０，１４２は、図示しないバスを介して互いに接続されている。記憶装置１４０（記憶部）には、描画データが外部から入力され、格納されている。偏向制御回路１３０には、インターフェース回路１７０、及びＤＡＣアンプユニット１３２，１３４が接続される。ＤＡＣアンプユニット１３２は偏向器２０９に接続され、ＤＡＣアンプユニット１３４は偏向器２０８に接続される。インターフェース回路１７０は、ブランキングプレート２０４に接続される。インターフェース回路１７０は電子鏡筒１０２の近傍に設置される。一方偏向制御回路１３０は描画に影響を与えないよう、１０ｍ程度のケーブルを介して電子鏡筒１０２の設置される部屋の外に設置される。このためインターフェース回路では偏向制御回路から受信したデータに誤りがないか検査を行うチェック部８２を有している。

制御計算機１１０内には、描画データ処理部５０及び描画制御部５２が配置されている。描画データ処理部５０及び描画制御部５２といった各機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。描画データ処理部５０及び描画制御部５２に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。描画データ処理部５０及び描画制御部５２の少なくとも１つがソフトウェアで構成される場合には、ＣＰＵ或いはＧＰＵといった計算器が配置される。

偏向制御回路１３０内には、偏向量演算部６０、管理部６１、バッファ６２，６４，６６、セレクタ７０、補完カウンタ７２、描画カウンタ７４、チェック部７６、及びバッファ７８が配置される。偏向量演算部６０、管理部６１、セレクタ７０、補完カウンタ７２、描画カウンタ７４、及びチェック部７６といった各機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。偏向量演算部６０、管理部６１、セレクタ７０、補完カウンタ７２、描画カウンタ７４、及びチェック部７６に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。偏向量演算部６０、セレクタ７０、補完カウンタ７２、描画カウンタ７４、及びチェック部７６の少なくとも１つがソフトウェアで構成される場合には、ＣＰＵ或いはＧＰＵといった計算器が配置される。

インターフェース回路１７０内には、バッファ８０、チェック部８２、及び管理部８４が配置される。チェック部８２、及び管理部８４といった各機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。チェック部８２、及び管理部８４に入出力される情報および演算中の情報は図示しないメモリにその都度格納される。チェック部８２、及び管理部８４の少なくとも１つがソフトウェアで構成される場合には、ＣＰＵ或いはＧＰＵといった計算器が配置される。

インターフェース回路１７０は、描画部１５０の周辺の位置、言い換えれば描画部１５０の近傍に配置される。インターフェース回路１７０は、描画部１５０から離れた位置に配置される偏向制御回路１３０からのブランキング制御信号を受信して、ブランキングプレート２０４に配置される後述する各ブランカー用の制御回路に出力する。

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。

図２は、実施の形態１におけるアパーチャ部材の構成を示す概念図である。図２において、アパーチャ部材２０３には、縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の穴（開口部）２２が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。図２では、例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）に５１２×５１２列の穴２２が形成される。各穴２２は、共に同じ寸法形状の矩形で形成される。或いは、同じ外径の円形であっても構わない。これらの複数の穴２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成されることになる。ここでは、縦横（ｘ，ｙ方向）が共に２列以上の穴２２が配置された例を示したが、これに限るものではない。例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）どちらか一方が複数列で他方は１列だけであっても構わない。また、穴２２の配列の仕方は、図２のように、縦横が格子状に配置される場合に限るものではない。例えば、縦方向（ｙ方向）ｋ段目の列と、ｋ＋１段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ａだけずれて配置されてもよい。同様に、縦方向（ｙ方向）ｋ＋１段目の列と、ｋ＋２段目の列の穴同士が、横方向（ｘ方向）に寸法ｂだけずれて配置されてもよい。

図３は、実施の形態１におけるブランキングプレートの一部を示す上面概念図である。なお、図３において、電極２４，２６と制御回路４１の位置関係は一致させて記載していない。ブランキングプレート２０４は、図３に示すように、図２に示したアパーチャ部材２０３の各穴２２に対応する位置にマルチビームのそれぞれのビームの通過用の通過孔２５（開口部）が開口される。そして、各通過孔２５の近傍位置に該当する通過孔２５を挟んでブランキング偏向用の電極２４，２６の組（ブランカー：ブランキング偏向器）がそれぞれ配置される。また、各通過孔２５の近傍には、各通過孔２５用の例えば電極２４に偏向電圧を印加する制御回路４１（ロジック回路）が配置される。各ビーム用の２つの電極２４，２６の他方（例えば、電極２６）は、接地される。また、各制御回路４１は、制御信号用の例えば１０ビットのパラレル配線が接続される。各制御回路４１は、例えば１０ビットのパラレル配線の他、クロック信号線および電源用の配線が接続される。クロック信号線および電源用の配線はパラレル配線の一部の配線を流用しても構わない。マルチビームを構成するそれぞれのビーム毎に、電極２４，２６と制御回路４１とによる個別ブランキング機構４７が構成される。インターフェース回路１７０から各制御回路４１用の制御信号が出力される。各制御回路４１内には、図示しないシフトレジストが配置され、例えば、ｎ×ｍ本のマルチビームの１列分の制御回路内のシフトレジスタが直列に接続される。そして、例えば、ｎ×ｍ本のマルチビームの１列分の制御信号がシリーズで送信され、例えば、ｎ回のクロック信号によって各ビームの制御信号が対応する制御回路４１に格納される。

各通過孔を通過する電子ビーム２０は、それぞれ独立にかかる対となる２つの電極２４，２６に印加される電圧によって偏向される。かかる偏向によってブランキング制御される。マルチビームのうちの対応ビームをそれぞれブランキング偏向する。このように、複数のブランカーが、アパーチャ部材２０３の複数の穴２２（開口部）を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。

図４は、実施の形態１における描画動作の一例を説明するための概念図である。図４に示すように、試料１０１の描画領域３０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３２に仮想分割される。かかる各ストライプ領域３２は、描画単位領域となる。まず、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１番目のストライプ領域３２の左端、或いはさらに左側の位置に一回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４が位置するように調整し、描画が開始される。第１番目のストライプ領域３２を描画する際には、ＸＹステージ１０５を例えば−ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていく。ＸＹステージ１０５は所定の速度で例えば連続移動させる。第１番目のストライプ領域３２の描画終了後、ステージ位置を−ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域３２の右端、或いはさらに右側の位置に照射領域３４が相対的にｙ方向に位置するように調整し、今度は、ＸＹステージ１０５を例えばｘ方向に移動させることにより、−ｘ方向にむかって同様に描画を行う。第３番目のストライプ領域３２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域３２では、−ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。但し、かかる交互に向きを変えながら描画する場合に限らず、各ストライプ領域３２を描画する際、同じ方向に向かって描画を進めるようにしても構わない。１回のショットでは、アパーチャ部材２０３の各穴２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、最大で各穴２２と同数の複数のショットパターンが一度に形成される。

図５は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図５において、実施の形態１における描画方法は、描画開始工程（Ｓ１０２）と、判定工程（Ｓ１０４）と、露光データ格納工程（Ｓ１０６）と、補完データ格納工程（Ｓ１０８）と、チェック工程（Ｓ１０９）と、転送工程（Ｓ１１０）と、判定工程（Ｓ１１２）と、補完データ追加工程（Ｓ１１４）と、シフト工程（Ｓ１１６）、描画およびトラッキング開始工程（Ｓ１１８）と、判定工程（Ｓ１２０）と、判定工程（Ｓ１２２）と、トラッキングリセット工程（Ｓ１２４）と、判定工程（Ｓ１２６）と、いう一連の工程を実施する。

図６は、実施の形態１におけるマルチビームの照射領域と描画対象画素との一例を示す図である。図６において、ストライプ領域３２は、例えば、マルチビームのビームサイズでメッシュ状の複数のメッシュ領域に分割される。かかる各メッシュ領域が描画対象画素３６（描画位置）となる。描画対象画素３６のサイズは、ビームサイズに限定されるものではない。例えば、ビームサイズの１／ｎ（ｎは１以上の整数）のサイズで構成されても構わない。図６の例では、試料１０１の描画領域が、例えばｙ方向に、一回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４のサイズと実質同じ幅サイズで複数のストライプ領域３２に分割された場合を示している。なお、ストライプ領域３２の幅は、これに限るものではない。照射領域３４のｎ倍（ｎは１以上の整数）のサイズであると好適である。図６の例では、５１２×５１２列のマルチビームの場合を示している。そして、照射領域３４内に、一回のマルチビーム２０の照射で照射可能な複数の画素２４（ビームの描画位置）が示されている。言い換えれば、隣り合う画素２４間のピッチがマルチビームの各ビーム間のピッチとなる。図６の例では、隣り合う４つの画素２４で囲まれると共に、４つの画素２４のうちの１つの画素２４を含む正方形の領域で１つのグリッド２６を構成する。図６の例では、各グリッド２６は、４×４画素で構成される場合を示している。

図７は、実施の形態１におけるマルチビームの描画方法の一例を説明するための図である。図７では、図６で示したストライプ領域３２を描画するマルチビームのうち、ｙ方向３段目の座標（１，３），（２，３），（３，３），・・・，（５１２，３）の各ビームで描画するグリッドの一部を示している。図７の例では、例えば、ＸＹステージ１０５が８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）する場合を示している。

まず、描画データ処理部５０は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換処理を実施して、ショットデータを生成する。ショットデータは、画素３６毎に生成され、描画時間（照射時間）が演算される。例えば対象画素３６にパターンを形成しない場合、ビーム照射が無となるので、描画時間ゼロ或いはビーム照射無の識別コードが定義される。ここでは、１回のマルチビームのショットにおける最大描画時間Ｔ（最大露光時間）が予め設定される。実際に照射される各ビームの照射時間は、算出されたパターンの面積密度に比例して求めると好適である。また、最終的に算出される各ビームの照射時間は、図示しない近接効果、かぶり効果、ローディング効果等の寸法変動を引き起こす現象に対する寸法変動分を照射量によって補正した補正後の照射量に相当する時間にすると好適である。よって、実際に照射される各ビームの照射時間は、ビーム毎に異なり得る。各ビームの描画時間（照射時間）は、最大描画時間Ｔ内の値で演算される。

描画データ処理部５０は、演算された各画素の照射時間データをかかる画素を描画することになるビーム用のデータとして、マルチビームのショット毎に、マルチビームの各ビームの配列順に並べた照射時間配列データを生成し、記憶装置１４２に格納する。また、描画データ処理部５０は、マルチビームのショット毎に、ショットデータを生成する。ショットデータには、マルチビームのショット毎マルチビームの照射位置が定義される。ショットデータは記憶装置１４２に格納される。

偏向制御回路１３０内では、管理部６１が記憶装置１４２から照射時間配列データを読み出し、読み出された照射時間配列データが、ショット順にバッファ６２，６４の一方に格納される。図７の例では、ＸＹステージ１０５が８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）する場合を示しているので、図１では、バッファ６２，６４にそれぞれ４つの区画を示している。実施の形態１では、８ビームピッチ分の距離を移動する間に４つの画素を描画（露光）することで１回のトラッキングサイクルを実施する。そのため、同じトラッキングサイクル中の４つの画素を描画（露光）するための４ショット分の照射時間配列データがバッファ６２，６４の一方（例えばバッファ６２）に格納される。次のトラッキングサイクル中の４つの画素を描画（露光）するための４ショット分の照射時間配列データがバッファ６２，６４の他方（例えばバッファ６４）に格納される。また、さらに次のトラッキングサイクル中の４つの画素を描画（露光）するための４ショット分の照射時間配列データがバッファ６２，６４の一方（例えばバッファ６２）に格納される。このように、２つのバッファ６２，６４を用いてトラッキングサイクル毎に４ショット分の照射時間配列データが交互に格納される。また、バッファ６２，６４の各区画には、１ショット分の照射時間配列データが一時的に格納される。また、照射時間配列データは、図６のように２次元に配置されたマルチビームのうち、例えば１列分の照射時間データを単位に構成する。よって、マルチビームがｎ×ｍ本のビームで構成され、１列分がｎ本のビームである場合、照射時間配列データはｍ個作成されることになる。図１では、１列分のバッファ６２（或いはバッファ６４）しか示されていないが、図示しない残りの列分のバッファ６２（或いはバッファ６４）が配置される。

また、偏向制御回路１３０内では、偏向量演算部６０が記憶装置１４２からショットデータを読み出し、マルチビームを偏向する偏向量データを生成する。また、偏向量演算部６０はＸＹステージの移動に追従するためのトラッキング偏向データを生成する。

描画開始工程（Ｓ１０２）として、描画制御部５２は、偏向制御回路１３０および描画部１５０を駆動する図示しない制御回路に描画処理を実施するための制御信号を出力する。かかる信号を受けて、描画処理が開始される。

判定工程（Ｓ１０４）として、管理部６１は、バッファ６６内に描画エラーが生じた際の補間用データが格納されているかどうかを判定する。後述するように、転送工程（Ｓ１１０）でデータ転送エラーが生じた際には、データ転送エラーとなった照射時間配列データを補間用データとしてバッファ６６に一時的に格納する。描画動作が進み、複数回のショットが行われる中でデータ転送エラーが生じることがある。管理部６１は、かかるバッファ６６内に描画エラーが生じた際の補間用データが格納されているかどうかを判定する。補間用データが格納されている場合には補完データ格納工程（Ｓ１０８）に進む。補間用データが格納されていない場合には露光データ格納工程（Ｓ１０６）に進む。

露光データ格納工程（Ｓ１０６）として、セレクタ７０は、判定工程（Ｓ１０４）において補間用データが格納されていないと判定された場合に、バッファ６２，６４の当該トラッキングサイクル用の一方（例えばバッファ６２）から照射時間配列データを露光データとして読み出し、転送用のバッファ７８に格納する。セレクタ７０は、格納された照射時間配列データについて例えばバッファ６２から削除する。

補完データ格納工程（Ｓ１０８）として、セレクタ７０は、判定工程（Ｓ１０４）において補間用データが格納されていると判定された場合に、バッファ６６から照射時間配列データを補間用データとして読み出し、転送用のバッファ７８に格納する。セレクタ７０は、格納された照射時間配列データについてバッファ６６から削除する。

チェック工程（Ｓ１０９）として、チェック部７６は、転送用のバッファ７８に格納された照射時間配列データのチェック用の識別情報を作成する。例えば、チェックサム（誤り検出符号）データを作成し、照射時間配列データに定義する。

図８は、実施の形態１における照射時間配列データの一例である。図８において、照射時間配列データでは、チェックサム（誤り検出符号）データ、１列分の各ビームの照射時間（ｔ１、ｔ２、・・・ｔ５１２）が定義される。

転送工程（Ｓ１１０）として、管理部６１は、ショット毎に、転送用のバッファ７８に格納された当該ショット用の照射時間配列データをインターフェース回路１７０へ転送する。

インターフェース回路１７０内では、転送された照射時間配列データをバッファ８０に一時的に格納する。

判定工程（Ｓ１１２）として、チェック部８２は、転送された照射時間配列データにエラーが生じていないかどうかをチェックする。例えば、チェックサムを用いてチェックする。かかるチェックにより、ビームを照射するための照射時間配列データ（描画データ）の転送エラーを検出する。転送エラーが検出された場合、チェック部８２は、エラー信号を偏向制御回路１３０に出力する。転送エラーが検出されない場合には、描画およびトラッキング開始工程（Ｓ１１６）に進む。転送エラーが検出された場合、補完データ追加工程（Ｓ１１４）に進む。

補完データ追加工程（Ｓ１１４）として、偏向制御回路１３０内では、管理部６１がエラー信号を受信し、直ちに対応する照射時間配列データを記憶装置１４２から再度読み出し、バッファ６６に格納する。１ショット分の照射時間配列データなので、バッファ６６の２つの区画の一方に格納されればよい。なお、ｍ×ｎ本のビームについて例えば１列毎に照射時間配列データが作成されている場合には、かかる１列分の照射時間配列データがバッファ６６に格納されればよい。１列分よりも少ない本数（１本以上）毎に照射時間配列データが作成されている場合には、かかる１列分よりも少ない本数分の照射時間配列データがバッファ６６に格納されればよい。或いは、１列分よりも多いビーム本数毎に照射時間配列データが作成されている場合には、かかる１列分よりも多い本数分の照射時間配列データがバッファ６６に格納されればよい。これにより、判定工程（Ｓ１０４）での補間用データが格納されているかどうかの判定が意味をもつことになる。

実施の形態１では、各ショット用の照射時間配列データを転送する際に、転送前に補間用データがバッファ６６に格納されているかどうかを判定するので、転送エラーが検出された場合、転送用のバッファ７８にまだ格納されていないデータのうち、補間用データが優先して転送用のバッファ７８に格納される。

シフト工程（Ｓ１１６）として、初回位置合わせとして、偏向器２０９によってマルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置を今回のトラッキングサイクルの最初の描画位置に位置合わせ（シフト）する。図７の例では、時刻ｔ＝０の時点では、前回の描画位置がまだないので今回の各ビームの描画位置である注目グリッド２６の最下段右から１番目の画素を描画対象画素として位置を合わせる（シフトする）。

描画およびトラッキング開始工程（Ｓ１１８）として、データ転送エラーが生じない場合、マルチビーム２０の各ビームの描画位置を一括して（まとめて一緒に）ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにビーム偏向によるトラッキング制御を開始する。具体的には、ステージ位置検出器１３９が、ミラー２１０にレーザを照射して、ミラー２１０から反射光を受光することでＸＹステージ１０５の位置を測長する。測長されたＸＹステージ１０５の位置は、制御計算機１１０に出力される。制御計算機１１０内では、描画制御部５２がかかるＸＹステージ１０５の位置情報を偏向制御回路１３０に出力する。偏向制御回路１３０内では、ＸＹステージ１０５の移動に合わせて、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにビーム偏向するための偏向量データ（トラッキング偏向データ）を演算する。デジタル信号であるトラッキング偏向データは、ＤＡＣアンプ１３４に出力され、ＤＡＣアンプ１３４は、デジタル信号をアナログ信号に変換の上、増幅して、トラッキング偏向電圧として偏向器２０８に印加する。

そして、描画部１５０は、マルチビームの各ビームの描画位置をまとめて一緒にＸＹステージ１０５の移動に追従するようにビーム偏向によるトラッキング制御を行いながら、予め設定された最大描画時間Ｔ内のそれぞれ対応する描画時間、各ビームの描画位置にマルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。具体的には以下のように動作する。

電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直にアパーチャ部材２０３全体を照明する。アパーチャ部材２０３には、矩形の複数の穴（開口部）が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴２２が含まれる領域を照明する。複数の穴２２の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかるアパーチャ部材２０３の複数の穴２２をそれぞれ通過することによって、例えば矩形形状の複数の電子ビーム（マルチビーム）２０ａ〜ｅが形成される。かかるマルチビーム２０ａ〜ｅは、ブランキングプレート２０４のそれぞれ対応するブランカー（第１の偏向器：個別ブランキング機構）内を通過する。かかるブランカーは、それぞれ、個別に通過する電子ビーム２０を演算された描画時間（照射時間）の間だけビームＯＮ、それ以外はビームＯＦＦとなるように偏向する（ブランキング偏向を行う）。

ブランキングプレート２０４を通過したマルチビーム２０ａ〜ｅは、縮小レンズ２０５によって、縮小され、制限アパーチャ部材２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、ブランキングプレート２０４のブランカーによってビームＯＦＦとなるように偏向された電子ビーム２０は、制限アパーチャ部材２０６（ブランキングアパーチャ部材）の中心の穴から位置がはずれ、制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。一方、ブランキングプレート２０４のブランカーによって偏向されなかった或いはビームＯＮとなるように偏向された電子ビーム２０は、図１に示すように制限アパーチャ部材２０６の中心の穴を通過する。かかる個別ブランキング機構のＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが制御される。このように、制限アパーチャ部材２０６は、個別ブランキング機構によってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ部材２０６を通過したビームにより、１回分のショットのビームが形成される。制限アパーチャ部材２０６を通過したマルチビーム２０は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像となり、偏向器２０９によって、制限アパーチャ部材２０６を通過した各ビーム（マルチビーム２０全体）が同方向にまとめて偏向され、各ビームの試料１０１上のそれぞれの描画位置（照射位置）に照射される。また、ＸＹステージ１０５が例えば連続移動している時、ビームの描画位置（照射位置）がＸＹステージ１０５の移動に追従するように偏向器２０８によってトラッキング制御される。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的にはアパーチャ部材２０３の複数の穴の配列ピッチに上述した所望の縮小率を乗じたピッチで並ぶことになる。描画装置１００は、ショットビームを描画位置をシフトしながら順に照射していく方式で描画動作を行い、所望のパターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームがブランキング制御によりビームＯＮに制御される。

図７の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝０からｔ＝最大描画時間Ｔまでの間に注目グリッド２６の例えば最下段右から１番目の画素に１ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝０からｔ＝Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

また、かかるショットの場面において、対応する照射時間配列データのデータ転送エラーが検出された場合、転送エラーが検出されたビームの描画位置における当該ビームの照射予定時間中の照射（ショット）は中止（スキップ）される。そして、複数回繰り返し行われるトラッキングサイクル（組）のうち、照射（ショット）は中止（スキップ）されたトラッキングサイクルには、他のトラッキングサイクルよりも長いトラッキング時間が描画制御部５２によって設定される。

判定工程（Ｓ１２０）として、管理部６１は、同じトラッキングサイクル内において、ショット回数が規定回数を達成したかどうかを判定する。具体的には、管理部６１は、描画カウンタ７４でカウントしたデータの格納数を入力し、格納数をショット回数として、ショット回数が規定回数を達成したかどうかを判定すればよい。或いは、管理部６１は、実際にショットされた回数をカウントしてもよい。例えば、図７の例では、同じトラッキングサイクル内において、４画素分を露光するので、ショット回数は４回となる。ショット回数が規定回数を達成した場合には、トラッキングリセット工程（Ｓ１２４）へ進む。まだ、ショット回数が規定回数を達成していない場合には、判定工程（Ｓ１２２）に進む。

判定工程（Ｓ１２２）として、描画制御部５２は、現在実行中のトラッキングサイクルのトラッキング時間が設定された時間を超えていないかどうかを判定する。具体的には、描画制御部５２は、補完カウンタ７２でカウントしたデータの格納数と描画カウンタ７４でカウントしたデータの格納数とを入力し、格納数の合計に最大描画時間Ｔを乗じた値をトラッキング時間と見立て、トラッキング時間が設定された時間を超えていないかどうかを判定すればよい。或いは、描画制御部５２は、現在実行中のトラッキングサイクルのトラッキング時間を計測してもよい。トラッキング時間が設定時間を超えている場合には、描画エラーとして描画処理を中止し、結果を出力する。トラッキング時間が設定時間を超えていない場合には、判定工程（Ｓ１０４）に戻る。そして、判定工程（Ｓ１２０）において当該トラッキングサイクル中の実際のショット回数が規定回数達成するまで、判定工程（Ｓ１０４）から判定工程（Ｓ１２２）までの各工程を繰り返す。

例えば、描画工程（Ｓ１１８）後の次回のシフト工程（Ｓ１１６）として、当該ショットのビーム照射開始から最大描画時間Ｔが経過後、偏向器２０８によってトラッキング制御のためのビーム偏向を継続しながら、トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、偏向器２０９によってマルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置（前回の描画位置）を次の各ビームの描画位置（今回の描画位置）にシフトする。図７の例では、時刻ｔ＝Ｔになった時点で、注目グリッド２６の最下段右から１番目の画素から下から２段目かつ右から１番目の画素へと描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。

そして、２回目のシフト工程（Ｓ１１６）後の描画工程（Ｓ１１８）として、トラッキング制御を継続しながら、最大描画時間Ｔ内のそれぞれ対応する描画時間、シフトされた各ビームの描画位置にマルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。図７の例では、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝Ｔからｔ＝２Ｔまでの間に注目グリッド２６の例えば下から２段目かつ右から１番目の画素に２ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝Ｔからｔ＝２Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

以上のようにして、初回位置合わせ、ビームショット（描画）、シフト、ビームショット（描画）、シフト、ビームショット（描画）、・・・を繰り返す。なお、図７の例では、時刻ｔ＝２Ｔになった時点で、注目グリッド２６の下から２段目かつ右から１番目の画素から下から３段目かつ右から１番目の画素へと描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝２Ｔからｔ＝３Ｔまでの間に注目グリッド２６の例えば下から３段目かつ右から１番目の画素に３ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝２Ｔからｔ＝３Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。時刻ｔ＝３Ｔになった時点で、注目グリッド２６の下から３段目かつ右から１番目の画素から下から４段目かつ右から１番目の画素へと描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。そして、座標（１，３）のビーム（１）によって、時刻ｔ＝３Ｔからｔ＝４Ｔまでの間に注目グリッド２６の例えば下から４段目かつ右から１番目の画素に４ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝３Ｔからｔ＝４Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。以上により、注目グリッド２６の右から１番目の画素列の描画が終了する。

なお、補完データ格納工程（Ｓ１０８）において補間用データがバッファ７８に格納され、転送工程（Ｓ１１０）において補間用データが転送されてきた場合には、シフト工程（Ｓ１１６）においてトラッキング制御を継続しながら偏向器２０９によってマルチビーム２０を一括して偏向することによって各ビームの描画位置を補間用データに対応する画素（データ転送エラーで露光されなかった画素）位置にシフトする。そして描画工程（Ｓ１１８）においてトラッキング制御を継続しながら、最大描画時間Ｔ内のそれぞれ対応する描画時間、シフトされた各ビームの描画位置にマルチビーム２０のうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する。

トラッキングリセット工程（Ｓ１２４）として、トラッキング制御を継続しながら少なくとも１回以上、図７の例では初回位置から３回シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、ＤＡＣアンプ１３４は、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻す。言い換えれば、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す。図７の例では、時刻ｔ＝４Ｔになった時点で、注目グリッド２６のトランキングを解除して、ｘ方向に８ビームピッチ分ずれた注目グリッドにビームを振り戻す。なお、図７の例では、座標（１，３）のビーム（１）について説明したが、その他の座標のビームについてもそれぞれの対応するグリッドに対して同様に描画が行われる。すなわち、座標（ｎ，ｍ）のビームは、ｔ＝０の時点で対応するグリッドに対して右から１番目の画素列の描画が終了する。例えば、座標（２，３）のビーム（２）は、図６のビーム（１）用の注目グリッド２６の−ｘ方向に隣り合うグリッドに対して右から１番目の画素列の描画が終了する。

なお、各グリッドの右から１番目の画素列の描画は終了しているので、トラッキングリセットした後に、次回のトラッキングサイクルにおける最初のシフト工程（Ｓ１１６）において偏向器２０９は、各グリッドの下から１段目かつ右から２番目の画素にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。

判定工程（Ｓ１２６）として、描画制御部５２は、対象ストライプ領域の描画が終了したかどうかを判定する。対象ストライプ領域の描画が終了した場合は、次のストライプ領域へ移動する。対象ストライプ領域の描画がまだ終了していない場合は、判定工程（Ｓ１０４）に戻り、対象ストライプ領域の描画が終了するまで、判定工程（Ｓ１０４）から判定工程（Ｓ１２６）までの各工程を繰り返す。

このように、トラッキング制御の開始からビーム偏向をリセットするまでのトラッキング制御は繰り返し行われる。そして、トラッキング制御が開始され、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットするまでのトラッキング方向（−ｘ方向）におけるトラッキング距離Ｌは、各トラッキング制御において同一、或いは略同一になる。また、トラッキング制御が開始され、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットするまでのトラッキング方向におけるトラッキング距離Ｌは、図７に示すように、マルチビームのビーム間ピッチよりも長くする。なお、実施の形態１では、マルチビームを構成するビームアレイが例えば５１２×５１２とサイズが大きい。そのため、トラッキング距離Ｌは、図７に示すように、マルチビームを構成するビームアレイのサイズ、言い換えれば１回のショットで照射可能な照射領域３４のサイズよりも小さい距離に制御される。

以上のように、偏向器２０９（第１の偏向器）は、ブランキングアパーチャ部材２０６を通過したビームＯＮとなる各ビームを一括して（まとめて一緒に）各ビームの描画位置に偏向する。偏向器２０８（第２の偏向器）は、ブランキングアパーチャ部材２０６を通過したビームＯＮとなる各ビームを一括して（まとめて一緒に）ＸＹステージ１０５の移動に追従するように偏向する。そして、偏向制御回路１３０は、各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が経過後、各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように偏向器２０８を制御すると共に、各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも１回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射する間、各ビームのトラッキングを継続し、少なくとも１回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射した後、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻すように偏向器２０８を制御する。

図９は、実施の形態１における注目グリッドの各画素に描画するビーム番号の一例を示す図である。図９では、図７で説明したシフト方法で画素をシフトした場合を示している。図９において、図７で説明した注目グリッド２６は、右から１番目の画素列がビーム（１）によって描画され、右から２番目の画素列がビーム（９）によって描画され、右から３番目の画素列がビーム（１７）によって描画され、右から４番目の画素列がビーム（２５）によって描画される。

以下で実施の形態１における描画制御方法を説明する。簡単のためまずビーム照射を補完する工程を実施せず、トラッキング期間が均一な場合の制御方法をまず説明し、次に実施の形態１における制御方法を説明する。

図１０は、補完露光を実施しない場合におけるトラッキング制御を説明するための図である。図１０において、偏向器２０８は、トラッキングが開始される時点での一回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１の基準位置Ａ０について、ＸＹステージ１０５の移動に追従するようにトラッキング偏向を行う。トラッキングが開始される時点（時刻ｔ＝０）の基準位置Ａ０は、ｔ＝４Ｔの時点で−ｘ方向に例えば８ビームピッチ移動する。その間、偏向器２０８は、トラッキングを継続する。そして、ｔ＝４Ｔの時点でトラッキングをリセットすることで、ビームが振り戻され、照射領域３４に対応する描画対象ストライプ領域３２内の領域２１は、前回の領域からｘ方向に８ビームピッチ離れた領域に移行する。そして、ＤＡＣアンプユニット１３４のセトリング時間Ｔｓ経過後に、次のトラッキングが開始される。かかる動作を繰り返すことでトラッキングサイクルが実施される。

図１１は、補完露光を実施しない場合における偏向電圧と時間との関係を示す図である。図１１（ａ）では、縦軸にトラッキング用のＤＡＣアンプユニット１３４から出力される偏向電圧Ｖｔｒを示し、横軸に時間ｔを示す。図１１（ｂ）では、縦軸にｙ方向の偏向器２０９用のＤＡＣアンプユニット１３２から出力される偏向電圧Ｖｙを示し、横軸に時間ｔを示す。図１１（ｃ）では、縦軸にｘ方向の偏向器２０９用のＤＡＣアンプユニット１３２から出力される偏向電圧Ｖｘを示し、横軸に時間ｔを示す。図１では、偏向器２０９用のＤＡＣアンプユニットとして、１つのＤＡＣアンプユニット１３２が示されているが、ｘ，ｙ方向に偏向可能な場合、偏向器２０９は例えば４極の電極から構成され、各電極にそれぞれＤＡＣアンプユニットが接続される。なお、図１では、偏向器２０８用のＤＡＣアンプユニットとして、１つのＤＡＣアンプユニット１３４が示されているが、ｘ，ｙ方向に偏向可能な場合、偏向器２０９は例えば４極の電極から構成され、各電極にそれぞれＤＡＣアンプユニットが接続される。ｘ方向だけに偏向可能な場合、偏向器２０９は例えば２極の電極から構成され、各電極にそれぞれＤＡＣアンプユニットが接続される。

図１１では、図７に示した描画方法で描画した場合を示している。トラッキング制御のためのビーム偏向は、セトリング時間が長いＤＡＣアンプユニット１３４（第１の偏向アンプ）を用いて行われる。また、グリッド内の各ビームの描画位置をシフトするためのビーム偏向は、セトリング時間が短いＤＡＣアンプユニット１３２（第２の偏向アンプ）を用いて行われる。トラッキング距離に比べてグリッド内のシフト量（シフト距離）は大幅に小さいので、セトリング時間を大幅に短くできる。これにより高速偏向を可能にできる。ＤＡＣアンプユニット１３２の短いセトリング時間は、ＤＡＣアンプユニット１３４の長いセトリング時間に比べて、延いては１ショットあたりの最大描画時間Ｔに比べて無視できる値にできる。

よって、まず、ＤＡＣアンプユニット１３４のセトリング時間Ｔｓが経過した時点（ｔ＝０）で注目グリッドの描画処理が開始される。図１０（ａ）に示すように、ｔ＝４Ｔになるまでトラッキング動作は継続されるので、偏向電圧Ｖｔｒは１次比例で直線的に増加していく。一方、図１０（ｂ）に示すように、ｙ方向への各シフトはｔ＝Ｔ毎に行われるので、偏向電圧Ｖｙはｔ＝４Ｔになるまで１ショットあたりの最大描画時間Ｔ毎に段階的に増加する。また、図１０（ｃ）に示すように、ｘ方向へのシフトはトラッキングサイクル毎（ｔ＝４Ｔ＋Ｔｓ）毎に行われるので、偏向電圧Ｖｘは４Ｔ＋Ｔｓ毎に段階的に増加する。トラッキングサイクル終了後にＶｔｒは初期値にリセットされるが、この際のＶｔｒの変化量Ｖ０は、トラッキング量Ｌの距離でビームを偏向するものであり図７の例ではビームピッチの８倍の距離だけ偏向する。Ｖｔｒのリセット後Ｔｓの時間は描画に使用できないため、トラッキング位置をトラッキングサイクル中の描画開始位置よりも大きく戻すことになる。

トラッキングサイクルを長くすると、図１０、図１１が示すようにトラッキングのための偏向距離が大きくなる。偏向距離が大きくなると電子光学系の歪みが増大して試料面上でのビームの位置ずれが大きくなる。よってトラッキングサイクルは偏向によるビーム位置ずれが十分小さくなるような長さにするのが好適である。また図１１のトラッキング偏向電圧Ｖｔｒは、トラッキングサイクルの中間で偏向電圧がＶｔｒ＝０となるように負と正の電圧範囲を均等に使用するのが良い。これにより偏向電圧の絶対値を小さくして偏向歪みを小さくすることができる。

なお、実施の形態１では、上述したように、さらに、データ転送エラーが生じた画素への露光を補完する。そのために、描画制御部５２は、トラッキング制御の開始からリセットまでの、各工程を１つのトラッキングサイクル（組）として、トラッキングサイクルを予め設定された回数繰り返すことによって、照射領域３４（所定領域）の描画を完了させるように偏向制御回路１３０や描画部１５０といった管理下の各機器を制御する。また、描画制御部５２は、設定された回数のトラッキングサイクルうち、少なくとも１回のトラッキングサイクルにおけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他のトラッキングサイクルにおけるトラッキング時間よりも長くなるように制御する。そして、データ転送エラーが生じてショット（照射）が中止（スキップ）されたトラッキングサイクルは、他のトラッキングサイクルよりも長いトラッキング時間の一部を用いて、照射が中止させられたビームの描画位置へのビームの照射を補完する。

図１２は、実施の形態１におけるトラッキングサイクルのタイムチャートの一例を示す図である。注目グリッド２６内の４×４の画素が露光される期間のグリッド左端の位置を矢印で示している。図１２では、図７の例に沿って描画処理を進めた場合に、４回目のトラッキングサイクル中に１回のデータ転送エラーが生じた場合を示している。図１２では、例えば、８ビームピッチ中に４画素露光するトラッキングサイクルを４回繰り返すことで、つまりステージが３２ビームピッチ進む間に注目グリッドの描画が終了する場合を示している。ここで、例えば、データ転送エラーによる未露光画素の補完を考慮しない場合、かかる３２ビームピッチを４×（４Ｔ＋３×シフト時間）で割った速度ｖ１でＸＹステージを移動させればよい。しかし、かかる場合、データ転送エラーによる未露光画素の補完は行われない。一方、実施の形態１では、例えば、かかる３２ビームピッチを３×（４Ｔ＋３×シフト時間）＋（５Ｔ＋４×シフト時間）で割った速度ｖ２でＸＹステージを移動させる。つまり時間Ｔの間にステージは２ビームピッチより短い距離だけ進行する。言い換えれば、４回のトラッキングサイクルのうち、１回のトラッキングサイクルについて、１回の補完露光とそのためのシフト工程を追加する。このように、ＸＹステージ移動速度を若干遅くして、３２ビームピッチを移動する間に生じる余った時間を補完露光とそのためのシフト工程に用いることで、データ転送エラーによる描画エラーを防ぐことができる。図１２の例では、ビーム（２５）で左から１番目の列を描画する４回目のトラッキングサイクル中にデータ転送エラーが生じ、かかる４回目のトラッキングサイクル中に１回の補完露光時間Ｔを使用している場合を示している。

図１３は、実施の形態１の方法であって、図１２の描画を行う場合の偏向電圧と時間との関係を示す図である。図１３では４回目のトラッキングサイクルが他のサイクルよりＴだけ長い５Ｔ＋Ｔｓの長さを持っている。トラッキング偏向電圧Ｖｔｒが描画中一定の範囲内に留まるため、図１０、図１１では各トラッキングサイクルの開始時点でＶｔｒが初期値に戻るよう制御していたが、実施の形態１では前節で述べたステージ速度ｖ２を用いることにより図１３のように１回目および設定されたトラッキングサイクル終了後のトラッキングサイクルの組の開始時点でＶｔｒが初期値に戻る。図１２の例では設定された回数が４回なので、５回目、９回目のトラッキングサイクル開始時点でもＶｔｒが初期値に戻る。

図１１と図１３を比べると、図１３でのＶｔｒの勾配は図１１に比べ前々節のｖ２とｖ１の比の分だけ小さくなっている。一方、各トラッキングサイクル終了後にＶｔｒを振り戻す幅Ｖ０は試料面上のビーム位置をＬだけ偏向する値であり、図１１と図１３で同じである。したがって図１３において２回目から４回目のトラッキングサイクルの開始時点でのＶｔｒは後のトラッキングサイクルほどマイナス側に徐々にずれていく。よって４回目のトラッキングサイクルでは１−３回目のサイクルより長いトラッキングサイクルを取って補完描画を行うことができる。言い換えると、補完露光を行うトラッキング時間を確保するため、補完露光を行わないトラッキングサイクルではサイクル終了後に、サイクル中でのステージ進行距離よりも大きい距離でビームを振り戻す。逆に、補完露光を行うトラッキングサイクルではサイクル終了後に、サイクル中でのステージ進行距離よりも小さい距離でビームを振り戻す。

なお、グリッド２６（所定領域）の描画が終了するまでにデータ転送エラーが１度も生じない場合もあり得る。かかる場合には、余った時間を描画待機すればよい。図１２では前節で述べたように４回のトラッキングサイクルのうち、１回のトラッキングサイクルについて、１回の補完露光とそのためのシフト工程を追加するので、転送エラーが生じなかった場合４回目のトラッキングサイクルの最後に時間Ｔだけ描画待機する。描画待機はトラッキング偏向量が不必要に大きくならないための調整であることは言うまでもない。

図１２の例では、１回分の補完露光時間しか用意していないが、これに限るものではない。転送エラーの発生頻度に応じて２回分以上の補完露光時間を用意してもよい。

以上の例では画素シフトの間隔を最大露光時間Ｔに合わせた例を挙げた。実際には近接効果補正などの照射量補正を行うため、１ショットでの全ビームの露光時間の一番長いもの（ショット所要時間）は最大露光時間Ｔより小さい場合がある。この場合画素シフトをショット毎のショット時間の間隔で行うことにより、トラッキングサイクル中の余り時間を作ってこれを補完露光のための時間に当てることができる。例えば図１２では４サイクルに対して１回の補完露光が可能だが、ショット所要時間によっては２回以上の補完露光が可能になる場合がある。

図１２の例では４回目のトラッキングサイクルでエラーが生じる場合を示したので１回目から４回目までのトラッキングサイクルの長さは４Ｔ，４Ｔ，４Ｔ，５Ｔとなる。２回目のトラッキングサイクルでエラーが生じた場合、１回目から４回目までのトラッキングサイクルの長さは４Ｔ，５Ｔ，４Ｔ，４Ｔとなる。

図１２では、補完する工程は、ショット（照射）を中止（スキップ）した工程と同じトラッキングサイクル中に実施されるがこれに限るものではない。図１２の３回目のトラッキングサイクルの最後にエラーのため描画できなかった画素を４回目のトラッキングサイクル中の最初に描画してもよい。この場合ブランキングアパーチャへのデータ再送など制御上の時間の余裕がある反面、偏向器２０９でトラッキング距離Ｌ以上ビームを振り戻す必要が生じるので描画精度上は好ましくない。

以上のように、トラッキングサイクルの組みにおいて、照射が中止させられたビームの描画位置へのビームの照射を補完する工程を含まないトラッキングサイクル（図１３（ａ）に示す１〜３回目のトラッキングサイクル）終了後のトラッキングリセット時は、トラッキングサイクルをトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置よりも大きく（−Ｖｔｒ側に）戻し、補完する工程を含むトラッキングサイクル（図１３（ａ）に示す４回目のトラッキングサイクル）終了後のトラッキングリセット時は、トラッキングサイクルをトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置よりも小さく（＋Ｖｔｒ側に）戻すとよい。このように、リセット後のトラッキング位置が、連続する複数のトラッキングサイクル間において異なる。

上述した例では、図７及び図９に示したように、トラッキングサイクル中に、同じビームでグリッド内のｙ方向１列を描画するように偏向器２０９でシフトした場合を示したがこれに限るものではない。

図１４は、実施の形態１における注目グリッドの各画素に描画するビーム番号の他の一例を示す図である。図１４では、ビーム（１）で注目グリッドの下から１段目かつ右から１番目の画素をｔ＝０からｔ＝Ｔまでの間で１ショット目のビームで露光する。ｔ＝０からｔ＝Ｔまでの間に、ＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

時刻ｔ＝Ｔになった時点で、注目グリッド２６の下から１段目かつ右から１番目の画素から下から１段目かつ右から２番目の画素へと描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。

そして、ビーム（１）によって、時刻ｔ＝Ｔからｔ＝２Ｔまでの間に注目グリッド２６の例えば下から１段目かつ右から２番目の画素に２ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝Ｔからｔ＝２Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

時刻ｔ＝２Ｔになった時点で、注目グリッド２６の下から１段目かつ右から２番目の画素から下から１段目かつ右から３番目の画素へと描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。

そして、ビーム（１）によって、時刻ｔ＝２Ｔからｔ＝３Ｔまでの間に注目グリッド２６の例えば下から１段目かつ右から３番目の画素に３ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝２Ｔからｔ＝３Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

時刻ｔ＝３Ｔになった時点で、注目グリッド２６の下から１段目かつ右から３番目の画素から下から１段目かつ右から４番目の画素へと描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。

そして、ビーム（１）によって、時刻ｔ＝３Ｔからｔ＝４Ｔまでの間に注目グリッド２６の例えば下から１段目かつ右から４番目の画素に４ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝３Ｔからｔ＝４Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。以上により、注目グリッド２６の下から１段目の画素列の描画が終了する。

そして、トラッキング制御を継続しながら少なくとも１回以上、ここでは３回シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、ＤＡＣアンプ１３４は、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻す。

なお、各グリッドの下から１段目の画素列の描画は終了しているので、トラッキングリセットした際に、偏向器２０９は、各グリッドの下から２段目かつ右から１番目の画素にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。

以上の動作を繰り返すことで、図１０に示すように、注目グリッド２６は、下から１段目の画素列がビーム（１）によって描画され、下から２段目の画素列がビーム（９）によって描画され、下から３段目の画素列がビーム（１７）によって描画され、下から４段目の画素列がビーム（２５）によって描画される。

上述した例では、８ビームピッチ分をトラッキングする場合を示したがこれに限るものではない。

図１５は、実施の形態１における注目グリッドの各画素に描画するビーム番号の他の一例を示す図である。図１５では、４ビームピッチ分をトラッキングする間に２画素露光する場合の一例を示す。ビーム（１）で注目グリッドの下から１段目かつ右から１番目の画素をｔ＝０からｔ＝Ｔまでの間で１ショット目のビームで露光する。ｔ＝０からｔ＝Ｔまでの間に、ＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

時刻ｔ＝Ｔになった時点で、注目グリッド２６の下から１段目かつ右から１番目の画素から下から２段目かつ右から１番目の画素へと描画対象画素をシフトする。その間にもＸＹステージ１０５は定速移動しているのでトラッキング動作は継続している。

そして、ビーム（１）によって、時刻ｔ＝Ｔからｔ＝２Ｔまでの間に注目グリッド２６の例えば下から２段目かつ右から１番目の画素に２ショット目のビームの照射が行われる。時刻ｔ＝Ｔからｔ＝２Ｔまでの間にＸＹステージ１０５は例えば２ビームピッチ分だけ−ｘ方向に定速移動する。その間、トラッキング動作は継続している。

そして、トラッキング制御を継続しながら少なくとも１回以上、ここでは１回シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、ＤＡＣアンプ１３４は、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻す。

なお、各グリッドの下から１、２段目かつ右から１番目の２画素の描画は終了しているので、トラッキングリセットした際に、偏向器２０９は、各グリッドの下から１段目かつ右から２番目の画素にそれぞれ対応するビームの描画位置を合わせる（シフトする）ように偏向する。

以上の動作を繰り返すことで、図１５に示すように、注目グリッド２６は、１、２段目かつ右から１番目の２画素がビーム（１）によって描画され、１、２段目かつ右から２番目の２画素がビーム（９）によって描画され、１、２段目かつ右から３番目の２画素がビーム（１７）によって描画され、１、２段目かつ右から４番目の２画素がビーム（２５）によって描画される。３，４段目かつ右から１番目の２画素がビーム（５）によって描画され、３，４段目かつ右から２番目の２画素がビーム（１３）によって描画され、３，４段目かつ右から３番目の２画素がビーム（２１）によって描画され、３，４段目かつ右から４番目の２画素がビーム（２９）によって描画される。

以上のように実施の形態１によれば、データ転送エラーが生じた場合でも補完できる。その結果、描画エラーを回避でき、描画エラーとなった試料を作製してしまうことを回避できる。また、実施の形態１によれば、ショット毎にトラッキング制御のリセットを行う場合に比べてトラッキング制御のリセット回数を低減できる。よって、トラッキング制御のためのＤＡＣアンプユニット１３４のセトリング時間の発生回数を低減できる。その結果、描画時間を短縮できる。

実施の形態２．
実施の形態１では、トラッキング用の偏向器２０８およびＤＡＣアンプユニット１３４と、位置偏向（シフト）用の偏向器２０９およびＤＡＣアンプユニット１３２と、分けて構成する場合を示したが、これに限るものでない。

図１６は、実施の形態２における描画装置の構成を示す概念図である。図１６において、偏向器２０９およびＤＡＣアンプユニット１３２が無くなった点以外は、図１と同様である。実施の形態２では、偏向器２０８およびＤＡＣアンプユニット１３４により、トラッキング用の偏向と位置偏向（シフト）用の偏向との両方を行う。また、実施の形態２における描画方法の要部工程は図５と同様である。また、以下、特に説明する点以外の内容は実施の形態１と同様である。

実施の形態２では、偏向器２０８が、ブランキングアパーチャ部材２０６を通過したビームＯＮとなる各ビームを一括して（まとめて一緒に）各ビームの描画位置に偏向すると共に、各ビームを一括して（まとめて一緒に）ＸＹステージ１０５の移動に追従するように偏向する。偏向制御回路１３０は、各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、最大描画時間Ｔが経過後、各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように偏向器２０８を制御する。これと共に、偏向制御回路１３０は、各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも１回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射する間、各ビームのトラッキングを継続し、少なくとも１回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射した後、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置に戻すように偏向器２０８を制御する。具体的には、位置偏向データにトラッキング偏向データを加算してＤＡＣアンプに出力すればよい。

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、本発明の範囲に包含される。

２０ マルチビーム
２１ 領域
２２ 穴
２６ グリッド
３０ 描画領域
３２ ストライプ領域
３４ 照射領域
３６ 画素
５０ 描画データ処理部
５２ 描画制御部
６０ 偏向量演算部
６１ 管理部
６２，６４，６６ バッファ
７０ セレクタ
７２ 補完カウンタ
７４ 描画カウンタ
７６ チェック部
７８ バッファ
８０ バッファ
８２ チェック部
８４ 管理部
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１３０ 偏向制御回路
１３２，１３４ ＤＡＣアンプユニット
１３９ ステージ位置検出器
１４０，１４２ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
１７０ インターフェース回路
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３ アパーチャ部材
２０４ ブランキングプレート
２０５ 縮小レンズ
２０６ 制限アパーチャ部材
２０７ 対物レンズ
２０８，２０９ 偏向器
２１０ ミラー

Claims (9)

1. マルチ荷電粒子ビームの各ビームの描画位置をまとめて一緒にステージの移動に追従するようにビーム偏向によるトラッキング制御を開始して、前記トラッキング制御を行いながら、前記各ビームの描画位置にマルチ荷電粒子ビームのうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する工程と、
   前記トラッキング制御を継続しながら、前記トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向することによって前記各ビームの描画位置を次の各ビームの描画位置にシフトする工程と、
   前記トラッキング制御を継続しながら、シフトされた各ビームの描画位置にマルチ荷電粒子ビームのうちＯＮビームのそれぞれ対応するビームを照射する工程と、
   前記トラッキング制御を継続しながら少なくとも１回以上シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、前記トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す工程と、
   を備え、
   前記トラッキング制御の開始からリセットまでの前記各工程を組として、前記組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
   前記回数の組うち、少なくとも１回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
2. 前記ビームを照射するための描画データの転送エラーを検出する工程を備え、
   前記転送エラーが検出されたビームの描画位置における当該ビームの照射予定時間中の照射は中止され、
   前記回数の組のうち、前記照射が中止された組には、他の組よりも長いトラッキング時間が設定され、
   前記照射が中止された組は、
   他の組よりも長いトラッキング時間の一部を用いて、照射が中止させられたビームの描画位置へのビームの照射を補完する工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
3. 前記補完する工程は、前記照射を中止する工程と同じトラッキング制御中に実施されることを特徴とする請求項２記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
4. 前記所定領域は、前記マルチ荷電粒子ビームのうちの隣接する４つのビームで囲まれると共に前記隣接する４つのビームの描画位置の１つが含まれる領域であり、
   前記所定領域を描画する際に前記転送エラーが生じた場合に、前記所定領域の描画が終了する前に前記補完する工程が実施されることを特徴とする請求項２又は３記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
5. 前記組を構成する各工程がトラッキングサイクルとなることを特徴とする請求項１〜４いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
6. 前記トラッキングサイクルの組みにおいて、照射が中止させられたビームの描画位置へのビームの照射を補完する工程を含まないトラッキングサイクル終了後のトラッキングリセット時は、トラッキングサイクルをトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置よりも大きく戻し、補完する工程を含むトラッキングサイクル終了後のトラッキングリセット時は、トラッキングサイクルをトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置よりも小さく戻すことを特徴とする請求項５記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
7. 前記トラッキング制御を継続しながら少なくとも１回以上シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、前記トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す工程において、リセット後のトラッキング位置が、連続する複数のトラッキングサイクル間において異なることを特徴とする請求項１〜５いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
8. 試料を載置する、連続移動可能なステージと、
   荷電粒子ビームを放出する放出部と、
   複数の開口部が形成され、前記複数の開口部全体が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
   前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
   前記複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
   前記ブランキングアパーチャ部材を通過したビームＯＮとなる各ビームをまとめて一緒に前記各ビームの描画位置に偏向する第１の偏向器と、
   前記ブランキングアパーチャ部材を通過したビームＯＮとなる各ビームをまとめて一緒に前記ステージの移動に追従するように偏向する第２の偏向器と、
   前記各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が終了後、前記各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように前記第１の偏向器を制御すると共に、前記各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも１回以上シフト後の描画位置を前記各ビームが照射する間、前記各ビームのトラッキングを継続し、前記少なくとも１回以上シフト後の描画位置を前記各ビームが照射した後、前記トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻すように前記第２の偏向器を制御する偏向制御部と、
   を備え、
   前記トラッキング制御の開始からリセットまでの、前記各ビームの描画位置の照射と、前記各ビームの少なくとも１回以上シフト後の描画位置の照射とを１つの組として、前記組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
   前記回数の組うち、少なくとも１回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
9. 試料を載置する、連続移動可能なステージと、
   荷電粒子ビームを放出する放出部と、
   複数の開口部が形成され、前記複数の開口部全体が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
   前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
   前記複数のブランカーによってビームＯＦＦの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
   前記ブランキングアパーチャ部材を通過したビームＯＮとなる各ビームをまとめて一緒に前記各ビームの描画位置に偏向すると共に、前記各ビームをまとめて一緒に前記ステージの移動に追従するように偏向する偏向器と、
   前記各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が終了後、前記各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように前記偏向器を制御すると共に、前記各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも１回以上シフト後の描画位置を前記各ビームが照射する間、前記各ビームのトラッキングを継続し、前記少なくとも１回以上シフト後の描画位置を前記各ビームが照射した後、前記トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻すように前記偏向器を制御する偏向制御部と、
   を備え、
   前記トラッキング制御の開始からリセットまでの、前記各ビームの描画位置の照射と、前記各ビームの少なくとも１回以上シフト後の描画位置の照射とを１つの組として、前記組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
   前記回数の組うち、少なくとも１回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
   

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