JP6353278B2 - マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 - Google Patents
マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6353278B2 JP6353278B2 JP2014114526A JP2014114526A JP6353278B2 JP 6353278 B2 JP6353278 B2 JP 6353278B2 JP 2014114526 A JP2014114526 A JP 2014114526A JP 2014114526 A JP2014114526 A JP 2014114526A JP 6353278 B2 JP6353278 B2 JP 6353278B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tracking
- beams
- irradiation
- time
- charged particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 54
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 45
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 41
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 17
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 41
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 31
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 18
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/1472—Deflecting along given lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/10—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using electron beam; Record carriers therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30483—Scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31762—Computer and memory organisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31766—Continuous moving of wafer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
Description
マルチ荷電粒子ビームの各ビームの描画位置をまとめて一緒にステージの移動に追従するようにビーム偏向によるトラッキング制御を開始して、トラッキング制御を行いながら、各ビームの描画位置にマルチ荷電粒子ビームのうちONビームのそれぞれ対応するビームを照射する工程と、
トラッキング制御を継続しながら、トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、マルチ荷電粒子ビームを偏向することによって各ビームの描画位置を次の各ビームの描画位置にシフトする工程と、
トラッキング制御を継続しながら、シフトされた各ビームの描画位置にマルチ荷電粒子ビームのうちONビームのそれぞれ対応するビームを照射する工程と、
トラッキング制御を継続しながら少なくとも1回以上シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す工程と、
を備え、
トラッキング制御の開始からリセットまでのかかる各工程を1つの組として、組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
かかる回数の組うち、少なくとも1回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とする。
転送エラーが検出されたビームの描画位置における当該ビームの照射予定時間中の照射は中止され、
かかる回数の組うち、照射が中止された組には、他の組よりも長いトラッキング時間が設定され、
照射が中止された組は、
他の組よりも長いトラッキング時間の一部を用いて、照射が中止させられたビームの描画位置へのビームの照射を補完する工程をさらに有すると好適である。
所定領域を描画する際に転送エラーが生じた場合に、所定領域の描画が終了する前に補完する工程が実施されると好適である。
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部が形成され、複数の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
ブランキングアパーチャ部材を通過したビームONとなる各ビームをまとめて一緒に各ビームの描画位置に偏向する第1の偏向器と、
ブランキングアパーチャ部材を通過したビームONとなる各ビームをまとめて一緒にステージの移動に追従するように偏向する第2の偏向器と、
各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が終了後、各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように第1の偏向器を制御すると共に、各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも1回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射する間、各ビームのトラッキングを継続し、少なくとも1回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射した後、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻すように前記第2の偏向器を制御する偏向制御部と、
を備え、
トラッキング制御の開始からリセットまでの、各ビームの描画位置の照射と、各ビームの少なくとも1回以上シフト後の描画位置の照射とを1つの組として、かかる組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
回数の組うち、少なくとも1回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とする。
試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部が形成され、複数の開口部全体が含まれる領域に荷電粒子ビームの照射を受け、複数の開口部を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
ブランキングアパーチャ部材を通過したビームONとなる各ビームをまとめて一緒に各ビームの描画位置に偏向すると共に、前記各ビームをまとめて一緒にステージの移動に追従するように偏向する偏向器と、
各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が終了後、各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように偏向器を制御すると共に、各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも1回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射する間、各ビームのトラッキングを継続し、少なくとも1回以上シフト後の描画位置を各ビームが照射した後、トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻すように前記偏向器を制御する偏向制御部と、
を備え、
トラッキング制御の開始からリセットまでの、各ビームの描画位置の照射と、各ビームの少なくとも1回以上シフト後の描画位置の照射とを1つの組として、かかる組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
かかる回数の組うち、少なくとも1回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、アパーチャ部材203、ブランキングプレート204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、偏向器209、及び偏向器208が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象基板となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板(シリコンウェハ)等が含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。XYステージ105上には、さらに、XYステージ105の位置測定用のミラー210が配置される。
実施の形態1では、トラッキング用の偏向器208およびDACアンプユニット134と、位置偏向(シフト)用の偏向器209およびDACアンプユニット132と、分けて構成する場合を示したが、これに限るものでない。
21 領域
22 穴
26 グリッド
30 描画領域
32 ストライプ領域
34 照射領域
36 画素
50 描画データ処理部
52 描画制御部
60 偏向量演算部
61 管理部
62,64,66 バッファ
70 セレクタ
72 補完カウンタ
74 描画カウンタ
76 チェック部
78 バッファ
80 バッファ
82 チェック部
84 管理部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機
112 メモリ
130 偏向制御回路
132,134 DACアンプユニット
139 ステージ位置検出器
140,142 記憶装置
150 描画部
160 制御部
170 インターフェース回路
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 アパーチャ部材
204 ブランキングプレート
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208,209 偏向器
210 ミラー
Claims (9)
- マルチ荷電粒子ビームの各ビームの描画位置をまとめて一緒にステージの移動に追従するようにビーム偏向によるトラッキング制御を開始して、前記トラッキング制御を行いながら、前記各ビームの描画位置にマルチ荷電粒子ビームのうちONビームのそれぞれ対応するビームを照射する工程と、
前記トラッキング制御を継続しながら、前記トラッキング制御のためのビーム偏向とは別に、前記マルチ荷電粒子ビームを偏向することによって前記各ビームの描画位置を次の各ビームの描画位置にシフトする工程と、
前記トラッキング制御を継続しながら、シフトされた各ビームの描画位置にマルチ荷電粒子ビームのうちONビームのそれぞれ対応するビームを照射する工程と、
前記トラッキング制御を継続しながら少なくとも1回以上シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、前記トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す工程と、
を備え、
前記トラッキング制御の開始からリセットまでの前記各工程を組として、前記組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
前記回数の組うち、少なくとも1回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記ビームを照射するための描画データの転送エラーを検出する工程を備え、
前記転送エラーが検出されたビームの描画位置における当該ビームの照射予定時間中の照射は中止され、
前記回数の組のうち、前記照射が中止された組には、他の組よりも長いトラッキング時間が設定され、
前記照射が中止された組は、
他の組よりも長いトラッキング時間の一部を用いて、照射が中止させられたビームの描画位置へのビームの照射を補完する工程をさらに有することを特徴とする請求項1記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記補完する工程は、前記照射を中止する工程と同じトラッキング制御中に実施されることを特徴とする請求項2記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記所定領域は、前記マルチ荷電粒子ビームのうちの隣接する4つのビームで囲まれると共に前記隣接する4つのビームの描画位置の1つが含まれる領域であり、
前記所定領域を描画する際に前記転送エラーが生じた場合に、前記所定領域の描画が終了する前に前記補完する工程が実施されることを特徴とする請求項2又は3記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。 - 前記組を構成する各工程がトラッキングサイクルとなることを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記トラッキングサイクルの組みにおいて、照射が中止させられたビームの描画位置へのビームの照射を補完する工程を含まないトラッキングサイクル終了後のトラッキングリセット時は、トラッキングサイクルをトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置よりも大きく戻し、補完する工程を含むトラッキングサイクル終了後のトラッキングリセット時は、トラッキングサイクルをトラッキング制御が開始されたトラッキング開始位置よりも小さく戻すことを特徴とする請求項5記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 前記トラッキング制御を継続しながら少なくとも1回以上シフトされた後の各ビームの描画位置にそれぞれ対応するビームを照射した後、前記トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻す工程において、リセット後のトラッキング位置が、連続する複数のトラッキングサイクル間において異なることを特徴とする請求項1〜5いずれか記載のマルチ荷電粒子ビーム描画方法。
- 試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部が形成され、前記複数の開口部全体が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
前記複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
前記ブランキングアパーチャ部材を通過したビームONとなる各ビームをまとめて一緒に前記各ビームの描画位置に偏向する第1の偏向器と、
前記ブランキングアパーチャ部材を通過したビームONとなる各ビームをまとめて一緒に前記ステージの移動に追従するように偏向する第2の偏向器と、
前記各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が終了後、前記各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように前記第1の偏向器を制御すると共に、前記各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも1回以上シフト後の描画位置を前記各ビームが照射する間、前記各ビームのトラッキングを継続し、前記少なくとも1回以上シフト後の描画位置を前記各ビームが照射した後、前記トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻すように前記第2の偏向器を制御する偏向制御部と、
を備え、
前記トラッキング制御の開始からリセットまでの、前記各ビームの描画位置の照射と、前記各ビームの少なくとも1回以上シフト後の描画位置の照射とを1つの組として、前記組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
前記回数の組うち、少なくとも1回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。 - 試料を載置する、連続移動可能なステージと、
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の開口部が形成され、前記複数の開口部全体が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の開口部を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材と、
前記アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレートと、
前記複数のブランカーによってビームOFFの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽するブランキングアパーチャ部材と、
前記ブランキングアパーチャ部材を通過したビームONとなる各ビームをまとめて一緒に前記各ビームの描画位置に偏向すると共に、前記各ビームをまとめて一緒に前記ステージの移動に追従するように偏向する偏向器と、
前記各ビームをそれぞれ対応する描画位置に偏向し、描画時間が終了後、前記各ビームをそれぞれ対応する次の描画位置にシフトするように偏向するように前記偏向器を制御すると共に、前記各ビームが描画位置を照射する間、及び少なくとも1回以上シフト後の描画位置を前記各ビームが照射する間、前記各ビームのトラッキングを継続し、前記少なくとも1回以上シフト後の描画位置を前記各ビームが照射した後、前記トラッキング制御用のビーム偏向をリセットすることによって、トラッキング位置をステージ移動方向と逆方向に戻すように前記偏向器を制御する偏向制御部と、
を備え、
前記トラッキング制御の開始からリセットまでの、前記各ビームの描画位置の照射と、前記各ビームの少なくとも1回以上シフト後の描画位置の照射とを1つの組として、前記組を予め設定された回数繰り返すことによって、所定領域の描画を完了させ、
前記回数の組うち、少なくとも1回の組におけるトラッキング開始からリセットまでのトラッキング時間が他の組におけるトラッキング時間よりも長くなることを特徴とするマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014114526A JP6353278B2 (ja) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
TW104116483A TWI562185B (en) | 2014-06-03 | 2015-05-22 | Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus |
US14/721,363 US9275824B2 (en) | 2014-06-03 | 2015-05-26 | Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus |
KR1020150078148A KR101724266B1 (ko) | 2014-06-03 | 2015-06-02 | 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 |
US15/002,121 US9805907B2 (en) | 2014-06-03 | 2016-01-20 | Multi charged particle beam writing method, and multi charged particle beam writing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014114526A JP6353278B2 (ja) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015228471A JP2015228471A (ja) | 2015-12-17 |
JP6353278B2 true JP6353278B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=54702602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014114526A Active JP6353278B2 (ja) | 2014-06-03 | 2014-06-03 | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9275824B2 (ja) |
JP (1) | JP6353278B2 (ja) |
KR (1) | KR101724266B1 (ja) |
TW (1) | TWI562185B (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6353278B2 (ja) * | 2014-06-03 | 2018-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6383228B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2018-08-29 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビームのビーム位置測定方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6627632B2 (ja) * | 2016-02-08 | 2020-01-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
US9852876B2 (en) | 2016-02-08 | 2017-12-26 | Nuflare Technology, Inc. | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method |
JP6557160B2 (ja) * | 2016-02-23 | 2019-08-07 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 診断方法、荷電粒子ビーム描画装置、及びプログラム |
JP6861508B2 (ja) * | 2016-12-08 | 2021-04-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置 |
JP6720861B2 (ja) | 2016-12-28 | 2020-07-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム用アパーチャセット及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2019114748A (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-11 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6847886B2 (ja) | 2018-03-20 | 2021-03-24 | 株式会社東芝 | 荷電粒子ビーム偏向デバイス |
JP7316127B2 (ja) * | 2019-07-10 | 2023-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 |
TWI774157B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-08-11 | 日商紐富來科技股份有限公司 | 帶電粒子束檢查裝置以及帶電粒子束檢查方法 |
JP7458817B2 (ja) | 2020-02-18 | 2024-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7421364B2 (ja) * | 2020-02-18 | 2024-01-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 |
JP2023076259A (ja) * | 2021-11-22 | 2023-06-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | ブランキングアパーチャアレイシステム及び荷電粒子ビーム描画装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2751717B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1998-05-18 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
US5260579A (en) | 1991-03-13 | 1993-11-09 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and charged particle beam exposure method |
US5546319A (en) * | 1994-01-28 | 1996-08-13 | Fujitsu Limited | Method of and system for charged particle beam exposure |
US5528048A (en) | 1994-03-15 | 1996-06-18 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
US5747814A (en) * | 1996-12-06 | 1998-05-05 | International Business Machines Corporation | Method for centering a lens in a charged-particle system |
JP2005116577A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置 |
JP4528308B2 (ja) * | 2004-12-28 | 2010-08-18 | パイオニア株式会社 | ビーム記録方法及び装置 |
JP4801996B2 (ja) * | 2006-01-05 | 2011-10-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 試料移動機構及び荷電粒子ビーム描画装置 |
TWI432908B (zh) * | 2006-03-10 | 2014-04-01 | Mapper Lithography Ip Bv | 微影系統及投射方法 |
NL2001369C2 (nl) | 2007-03-29 | 2010-06-14 | Ims Nanofabrication Ag | Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting. |
JP5087318B2 (ja) * | 2007-05-30 | 2012-12-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
US8384048B2 (en) * | 2007-06-25 | 2013-02-26 | Multibeam Corporation | Charged particle beam deflection method with separate stage tracking and stage positional error signals |
JP5095364B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-12-12 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | トラッキング制御方法および電子ビーム描画システム |
JP5243898B2 (ja) * | 2008-09-19 | 2013-07-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法 |
ATE527678T1 (de) | 2008-11-17 | 2011-10-15 | Ims Nanofabrication Ag | Verfahren zur maskenlosen teilchenstrahlbelichtung |
JP5498105B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-05-21 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2011091171A (ja) * | 2009-10-21 | 2011-05-06 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置システム |
JP5607413B2 (ja) * | 2010-04-20 | 2014-10-15 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5693981B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5688308B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2015-03-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
TWI477925B (zh) * | 2011-10-04 | 2015-03-21 | Nuflare Technology Inc | Multi - beam charged particle beam mapping device and multi - beam charged particle beam rendering method |
JP5977941B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2016-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6215586B2 (ja) | 2012-11-02 | 2017-10-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6653125B2 (ja) | 2014-05-23 | 2020-02-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6353278B2 (ja) * | 2014-06-03 | 2018-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2014
- 2014-06-03 JP JP2014114526A patent/JP6353278B2/ja active Active
-
2015
- 2015-05-22 TW TW104116483A patent/TWI562185B/zh active
- 2015-05-26 US US14/721,363 patent/US9275824B2/en active Active
- 2015-06-02 KR KR1020150078148A patent/KR101724266B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-01-20 US US15/002,121 patent/US9805907B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160155604A1 (en) | 2016-06-02 |
JP2015228471A (ja) | 2015-12-17 |
US9275824B2 (en) | 2016-03-01 |
KR20150139463A (ko) | 2015-12-11 |
TW201611073A (zh) | 2016-03-16 |
US20150348741A1 (en) | 2015-12-03 |
US9805907B2 (en) | 2017-10-31 |
KR101724266B1 (ko) | 2017-04-07 |
TWI562185B (en) | 2016-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6353278B2 (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
US9076564B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus and multi charged particle beam writing method | |
US9437396B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus, and multi charged particle beam writing method | |
US9715993B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus, and multi charged particle beam writing method | |
KR101671236B1 (ko) | 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 및 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 | |
US9543119B2 (en) | Multi charged particle beam writing apparatus and method for correcting a current distribution of groups of charged particle beams | |
KR101896499B1 (ko) | 멀티 하전 입자빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자빔 묘화 방법 | |
US9916962B2 (en) | Multi charged particle beam irradiation apparatus, multi charged particle beam irradiation method, and multi charged particle beam adjustment method | |
JP2019114748A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 | |
KR101968609B1 (ko) | 멀티 하전 입자빔 노광 방법 및 멀티 하전 입자빔의 블랭킹 장치 | |
US11183366B2 (en) | Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus | |
JP2017130523A (ja) | マルチ荷電粒子ビーム露光方法及びマルチ荷電粒子ビーム露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170428 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180424 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180608 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6353278 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |