JP5688308B2 - 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は、以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式(VSB方式)という。
描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、
基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、位置依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、
補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記位置依存高さ方向分布は、荷電粒子ビームを用いて事前に評価基板に描画したパターンを基に得られた前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算することによって求められることを特徴とする。
偏向ずれ量演算部は、さらに、時間依存高さ方向分布によって補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算し、
偏向量演算部は、さらに、時間依存高さ方向分布を用いて補正された高さ方向分布による偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算すると好適である。
描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、
基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、時間依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、
補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する工程と、
基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、位置依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する工程と、
補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する工程と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する工程と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記位置依存高さ方向分布は、荷電粒子ビームを用いて事前に評価基板に描画したパターンを基に得られた前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算することによって求められることを特徴とする。
描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する工程と、
基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、基板の高さ方向分布に、時間依存高さ方向分布を加算して、基板の高さ方向分布を補正する工程と、
補正された高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する工程と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する工程と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画装置の構成を示す概念図である。図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型の描画装置の一例である。描画部150は、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、主偏向器208及び副偏向器209が配置されている。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料101が配置される。試料101には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料101には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。また、描画室103には、試料101の上方から試料101面に向かって斜めにレーザを照射する照射部と試料101で反射したレーザ光を受光する受光部によって構成されるZセンサ210が配置される。
52 Zマップ作成部
54 Zマップ補正部
56 描画データ処理部
58 描画制御部
60 Z補正部
62 偏向量演算部
72 位置依存ずれ量演算部
74 時間依存ずれ量演算部
76 位置依存Zマップ演算部
78時間依存Zマップ演算部
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
112 メモリ
120 偏向制御回路
140,142,146,147,148,149 記憶装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
210 Zセンサ
212 アンプ
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (5)
- 描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、
前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記位置依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、
補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、
を備え、
前記位置依存高さ方向分布は、荷電粒子ビームを用いて事前に評価基板に描画したパターンを基に得られた前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算することによって求められることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 前記高さ方向分布補正部は、さらに、前記基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、補正後の基板の高さ方向分布に、さらに、前記時間依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布をさらに補正し、
前記位置ずれ量演算部は、さらに、前記時間依存高さ方向分布によって補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算し、
前記偏向量演算部は、さらに、前記時間依存高さ方向分布を用いて補正された高さ方向分布による偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算することを特徴とする請求項1記載の荷電粒子ビーム描画装置。 - 描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する測定部と、
前記基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記時間依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する高さ方向分布補正部と、
補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する偏向ずれ量演算部と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 - 描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する工程と、
前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記位置依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する工程と、
補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する工程と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する工程と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する工程と、
を備え、
前記位置依存高さ方向分布は、荷電粒子ビームを用いて事前に評価基板に描画したパターンを基に得られた前記基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算することによって求められることを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 - 描画対象となる基板の高さ方向分布を測定する工程と、
前記基板への描画時間に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した時間依存高さ方向分布を入力し、前記基板の高さ方向分布に、前記時間依存高さ方向分布を加算して、前記基板の高さ方向分布を補正する工程と、
補正された前記高さ方向分布を用いて描画されるパターンの偏向ずれ量を演算する工程と、
得られた偏向ずれ量が補正された位置に荷電粒子ビームを偏向するための偏向量を演算する工程と、
得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
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