TWI464776B - Charge particle beam rendering device and charged particle beam rendering method - Google Patents

Charge particle beam rendering device and charged particle beam rendering method Download PDF

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Description

荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法
本發明係關於荷電粒子束描繪裝置及荷電粒子束描繪方法，例如係關於利用基板之高度方向分佈進行偏向位置修正之描繪方法及裝置。
擔負半導體器件之微細化進展之光微影技術在半導體製造程序中為唯一生成圖案之極其重要之程序。近年來，隨著LSI之高集成化，半導體器件所要求之電路線寬逐年微細化。為對該等半導體器件形成期望之電路圖案，而需要高精度之原始圖案(亦稱作圖罩或掩模)。此處，電子射束(電子束)描繪技術具有本質優良之解像性，用於高精度之原始圖案之生產。
圖6係用以說明先前之可變成形式電子射束描繪裝置之動作之概念圖。
可變成形式電子射束(EB：Electron beam)描繪裝置如下動作。於第1孔片410形成有用以成形電子射束330之矩形、例如長方形開口411。又，於第2孔片420形成有用以將通過第1孔片410之開口411之電子射束330成形為期望之矩形形狀之可變成形開口421。從荷電粒子源430照射並通過第1孔片410之開口411之電子射束330藉由偏向器予以偏向，通過第2孔片420之可變成形開口421之一部分，而照射於搭載於在特定之一方向(例如X方向)上連續移動之台座上之試料340。即，可通過第1孔片410之開口411與第2 孔片420之可變成形開口421兩方之矩形形狀，在搭載於在X方向上連續移動之台座上之試料340之描繪區域描繪。將通過第1孔片410之開口411與第2孔片420之可變成形開口421兩方而形成任意形狀之方式稱作可變成形方式(VSB方式)。
進行該電子束描繪時，產生描繪裝置之位置誤差之原因有各種各樣，其原因之一可舉出電子束之偏向誤差。由於基板之描繪面非完全平面，因此於描繪面產生凹凸。由該凹凸所致之高度方向分佈使得焦點位置偏差，且描繪尺寸亦變動。因此，為在射束之偏向位置修正因基板面之該高度方向分佈所致之描繪尺寸之偏差，例如進行修正因基板面之高度方向分佈所致之偏向位置等之方法(例如參照專利文獻1)。但隨著圖案之微細化，不僅先前之偏向位置修正，對於其尺寸精度之要求亦留有修正殘差而愈來愈無法符合該尺寸精度之要求。例如在雙重圖案化等多重描繪法中有必要將位置誤差抑制在數nm以下。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2007-043083號公報
如上述，隨著圖案之微細化，不僅先前之偏向位置修正，對於其尺寸精度之要求亦留有修正殘差而愈來愈無法符合該尺寸精度之要求。
因此，本發明之目的在於克服上述問題，提供一種可比先前進而提高偏向精度之描繪裝置及方法。
本發明之一態樣之荷電粒子束描繪裝置之特徵在於具備：測定部，其測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈；高度方向分佈修正部，其輸入將相依於基板之描繪位置而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值之位置相依高度方向分佈，對基板之高度方向分佈加上位置相依高度方向分佈，而修正基板之高度方向分佈；偏向偏差量運算部，其使用經修正之高度方向分佈而運算所要描繪之圖案之偏向偏差量；偏向量運算部，其運算用以將荷電粒子束偏向至所求得之偏向偏差量經修正之位置之偏向量；及描繪部，其以所求得之偏向量將荷電粒子束偏向，而於基板上描繪圖案。
又，較佳為，高度方向分佈修正部進而輸入將相依於對基板之描繪時間而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值之時間相依高度方向分佈，對修正後之基板之高度方向分佈進而加上時間相依高度方向分佈，進而修正基板之高度方向分佈；偏向偏差量運算部進而使用藉由時間相依高度方向分佈而修正之高度方向分佈，而運算所要描繪之圖案之偏向偏差量； 偏向量運算部進而運算用以將荷電粒子束偏向至使用時間相依高度方向分佈而修正之因高度方向分佈所致之偏向偏差量經修正之位置之偏向量。
本發明之另一態樣之荷電粒子束描繪裝置之特徵在於具備：測定部，其測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈；高度方向分佈修正部，其輸入將相依於對基板之描繪時間而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值之時間相依高度方向分佈，對基板之高度方向分佈加上時間相依高度方向分佈，而修正基板之高度方向分佈；偏向偏差量運算部，其使用經修正之高度方向分佈而運算所要描繪之圖案之位置偏向偏差量；偏向量運算部，其運算用以將荷電粒子束偏向至所求得之偏向偏差量經修正之位置之偏向量；及描繪部，其以所求得之偏向量將荷電粒子束偏向，而於基板上描繪圖案。
本發明之一態樣之荷電粒子束描繪方法之特徵在於具備：測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈之步驟；輸入將相依於基板之描繪位置而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值之位置相依高度方向分佈，對基板之高度方向分佈加上位置相依高度方向分佈，而修正基板之高度方向分佈之步驟；使用經修正之高度方向分佈而運算所要描繪之圖案之偏 向偏差量之步驟；運算用以將荷電粒子束偏向至所求得之偏向偏差量經修正之位置之偏向量之步驟；及以所求得之偏向量將荷電粒子束偏向，而於基板上描繪圖案之步驟。
本發明之另一態樣之荷電粒子束描繪方法之特徵在於具備：測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈之步驟；輸入將相依於對基板之描繪時間而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值之時間相依高度方向分佈，對基板之高度方向分佈加上時間相依高度方向分佈，而修正基板之高度方向分佈之步驟；使用經修正之高度方向分佈而運算所要描繪之圖案之偏向偏差量之步驟；運算用以將荷電粒子束偏向至所求得之偏向偏差量經修正之位置之偏向量之步驟；及以所求得之偏向量將荷電粒子束偏向，而於基板上描繪圖案之步驟。
根據本發明，可進而修正僅以基板之高度方向分佈所留下之修正殘差。藉此可比先前進而提高偏向精度。
以下，在實施形態中，作為荷電粒子束之一例，針對使用電子束之構成進行說明。惟荷電粒子束不限於電子束， 亦可為使用離子束等之荷電粒子之射束。再者，作為荷電粒子束裝置之一例，針對可變成形式之描繪裝置進行說明。
實施形態1.
圖1係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。圖1中，描繪裝置100具備描繪部150與控制部160。描繪裝置100係荷電粒子束之描繪裝置之一例。尤其係可變成形式描繪裝置之一例。描繪部150具備電子鏡筒102與描繪室103。於電子鏡筒102內配置有電子槍201、照明透鏡202、第1孔片203、投影透鏡204、偏向器205、第2孔片206、物鏡207、主偏向器208及副偏向器209。於描繪室103內配置XY台座105。於XY台座105上配置描繪時成為描繪對象之掩模等試料101。試料101中包含製造半導體裝置時之曝光用掩模。又，試料101中包含塗布有阻劑之尚未經任何描繪之掩模基片。又，於描繪室103內配置藉由從試料101上方向試料101面傾斜照射雷射之照射部與接受由試料101反射之雷射光之受光部而構成之Z感測器210。
控制部160具有控制計算機單元110、記憶體112、偏向控制電路120、放大器212、及磁碟裝置等之記憶裝置140、142、146、147、148、149。控制計算機單元110、記憶體112、偏向控制電路120、放大器212及磁碟裝置等之記憶裝置140、142、146、147、148、149經由未圖示之匯流排互相連接。
於控制計算機單元110內，配置有Z測定部50、Z圖作成 部52、Z圖修正部54、描繪資料處理部56、描繪控制部58、位置相依偏差量運算部72、時間相依偏差量運算部74、位置相依Z圖運算部76及時間相依Z圖運算部78。Z測定部50、Z圖作成部52、Z圖修正部54、描繪資料處理部56、描繪控制部58、位置相依偏差量運算部72、時間相依偏差量運算部74、位置相依Z圖運算部76、及時間相依Z圖運算部78之功能可以電路等硬體構成，亦可以執行該等功能之程式等軟體構成。或亦可藉由硬體與軟體之組合而構成。輸入至Z測定部50、Z圖作成部52、Z圖修正部54、描繪資料處理部56、描繪控制部58、位置相依偏差量運算部72、時間相依偏差量運算部74、位置相依Z圖運算部76及時間相依Z圖運算部78之資訊及運算中之資訊每次存儲於記憶體112內。
於偏向控制電路120內配置有Z修正部60及偏向量運算部62。Z修正部60及偏向量運算部62之功能可以電路等硬體構成，亦可以執行該等功能之程式等軟體構成。或亦可藉由硬體與軟體之組合而構成。輸入至Z修正部60及偏向量運算部62之資訊及運算中之資訊每次存儲於未圖示之記憶體內。
此處，圖1中記載說明實施形態1所需之構成。對於描繪裝置100，一般亦可具備必要之其他構成。例如在位置偏向用方面使用主偏向器208與副偏向器209之主副2段之多段偏向器，但亦可為藉由3段以上之多段偏向器進行位置偏向之情形。
圖2係顯示實施形態1之描繪方法之要部步驟之流程圖。圖2中，實施形態1之描繪方法係實施描繪開始前之前處理與實際描繪處理。首先，作為前處理，實施Z測定步驟(S102)、Z圖作成步驟(S104)、評估圖案描繪步驟(S106)、旋轉、伸縮測定步驟(S108)、位置相依偏差量運算步驟(S110)、時間相依偏差量運算步驟(S112)、位置相依△Z分佈運算步驟(S114)、時間相依△Z分佈運算步驟(S116)之一連串步驟。接著，作為實際描繪步驟，實施Z測定步驟(S202)、Z圖作成步驟(S204)、Z圖修正步驟(S206)、描繪開始處理步驟(S208)、Z圖修正步驟(S210)、描繪重新開始處理步驟(S212)之一連串步驟。
圖3係用以說明實施形態1中因高度方向分佈而變化之圖案偏差之概念圖。電子束描繪中，相對於磁物鏡系統下之偏向區域之Z(與基板面垂直之方向：高度方向)，會因如圖3所示產生偏向偏差而導致偏向區域之位置偏差。於焦點高度位置(Z=0)，在正確位置描繪之情形中，相應於Z值變化，偏向區域會旋轉(rot)，進而亦產生區域尺寸之伸縮(表示為scale或「Exp.」)。例如圖3之例中，隨著Z值在負方向(遠離透鏡系統之方向)偏差，緩緩逆時針旋轉而區域尺寸逐漸伸長。相反的，隨著Z值在正方向(靠近透鏡系統之方向)偏差，緩緩順時針旋轉而區域尺寸逐漸縮小。例如於XY台座105上預先配置高度位置不同之複數個標記，以電子束掃描該複數個標記位置，而可求取相對於Z值之偏向偏差之變化率。
圖4係顯示相對於實施形態1之高度方向分佈之偏向偏差之圖表與數式之一例之圖。由圖3所示之偏向偏差之測定值可求得如圖4所示之相對於Z值之旋轉量與伸縮量。可由該相對關係以圖4所示之數式求得偏向偏差量(dx,dy)。藉此，可以Z感測器210測定成為描繪對象之試料101之各位置上之Z值(高度位置)，從而測定高度方向分佈並圖案化，從而可運算該偏向偏差量(dx,dy)。實際描繪時，例如只要在使符號反轉而對設計上之描繪位置(x,y)加上該偏向偏差量(dx,dy)之位置運算偏向量即可。但如上述，隨著圖案之微細化，因該修正所致之修正殘差亦變得無法忽視。修正殘差中被認為存在相依於描繪位置之位置相依之修正殘差與相應於描繪時間而產生之時間相依之修正殘差。對此，實施形態1中，求取該位置相依之修正殘差與時間相依之修正殘差，而將該修正殘差亦作為修正對象。因此，作為實際描繪前之前處理，求取該修正殘差。
圖5係顯示實施形態1之評估基板與評估圖案之一例之圖。如圖5(a)所示，於評估基板上，第1(1s)晶片圖案與第2(2s)晶片圖案鄰接或靠近描繪。評估圖案由在評估基板面內配置成格子狀之複數個晶片圖案構成。各晶片如圖5(b)所示，只要將例如正方形或長方形之矩形之複數個接觸圖案排列成位置測定用之方式佈局即可。1個晶片較佳為例如設定成偏向區域尺寸。為描繪該評估圖案，於描繪裝置100之XY台座105上載置評估基板。評估圖案之圖案資料從外部輸入並存儲於記憶裝置142。
作為Z測定步驟(S102)，首先測定評估基板之高度位置(Z值)。測定係一面使XY台座105移動、一面以Z感測器210測定各位置之Z值。Z感測器210之輸出經由放大器212向Z測定部50輸出。Z測定部50取得該測定值。測定Z值之位置經細分化雖精度更為提高，但亦可例如針對每個配置上述晶片之位置測定。
作為Z圖作成步驟(S104)，Z圖作成部52由所得之Z值作成高度方向分佈(Z圖)。Z圖只要存儲於記憶裝置149即可。
作為評估圖案描繪步驟(S106)，首先，描繪資料處理部56從記憶裝置142讀取評估圖案之圖案資料，進行複數段之資料轉換處理，而生成裝置固有之發射資料。發射資料暫時存儲於記憶裝置146。在描繪控制部58之控制下，偏向控制電路120輸入發射資料，藉由Z修正部60運算相對於上述Z值(高度位置)之偏向偏差量(dx,dy)。然後，偏向量運算部62運算偏向至使符號反轉而對評估圖案之圖案資料上之偏向位置(x,y)加上經運算之偏向偏差量(dx,dy)之位置之偏向量。以如上方式運算向各位置發射射束時之偏向量。然後，在描繪控制部58之控制下，描繪部150如圖5(a)所示，不遍及評估基板而設定偏向區域，針對各偏向區域描繪圖5(b)所示之評估圖案。例如從左下依次向該段之右側進行描繪。然後，該段描繪結束後，在上側錯開1段，進行所錯開之段之描繪。如此依次進行描繪，對評估基板全面進行描繪。如第1(1s)與第2(2s)之方式使該動作重複 例如2次。2s只要在與1s所描繪之評估圖案鄰接之位置或靠近位置上描繪相同圖案即可。
作為旋轉、伸縮步驟(S108)，測定各晶片之接觸圖案之位置，而測定配置有各晶片之偏向區域中之旋轉量與伸縮量。以如上方式描繪之評估圖案係已進行評估基板面之高度位置之偏向偏差修正並描繪之圖案。藉此，只要測定評估圖案之位置，則可知各偏向區域中之旋轉量與伸縮量。例如每個晶片以x,y之2個變數之2次函數擬合，從而可運算各位置上之偏向區域之旋轉量(rot)與伸縮量(scale)。評估圖案之測定結果(測定資料)從外部輸入並存儲於記憶裝置147。
作為位置相依偏差量運算步驟(S110)，位置相依偏差量運算部72讀取評估圖案之測定資料，運算相依於描繪位置之偏差量。此處，例如求得各位置之1s之測定結果與2s之測定結果之平均值，從而可求得不相依於時間而相依於描繪位置之偏差量。
作為時間相依偏差量運算步驟(S112)，時間相依偏差量運算部74讀取評估圖案之測定資料，運算相依於描繪時間之偏差量。此處，例如在各位置，自1s之測定結果減去先前求得之位置相依偏差量。同樣的，在各位置，自2s之測定結果減去先前求得之位置相依偏差量。然後，按照描繪時間排列差分值，從而可求得不相依於位置而相依於時間之偏差量。
實施形態1中，進而將該等之位置相依偏差量與時間相 依偏差量換算成Z值。
作為位置相依△Z分佈運算步驟(S114)，位置相依Z圖運算部76運算將相依於基板之描繪位置而產生之圖案之位置誤差(相對於設計位置之位置偏差量)換算成高度方向之Z值之位置相依高度方向分佈△z(pos.)。只要使用圖4所示之數式，從各位置(x,y)之位置相依偏差量(dx,dy)反推z值(△z)即可。以如上方式運算位置相依高度方向分佈△z(pos.)(或亦稱△z(pos.)圖)。所運算之位置相依高度方向分佈△z(pos.)存儲於記憶裝置148。
作為時間相依△z分佈運算步驟(S116)，時間相依Z圖運算部78運算將相依於向基板之描繪時間而產生之圖案之位置誤差(相對於設計位置之位置偏差量)換算成高度方向值之時間相依高度方向分佈△z(time)。只要使用圖4所示之數式，從各位置(x,y)之時間相依偏差量(dx,dy)反推z值(△z)即可。以如上方式運算時間相依高度方向分佈△z(time)(或亦稱△z(time)圖)。所運算之時間相依高度方向分佈△z(time)存儲於記憶裝置148。
以如上方式，取得位置相依高度方向分佈△z(pos.)與時間相依高度方向分佈△z(time)。在上述例中，係在描繪裝置100內運算並求得位置相依高度方向分佈△z(pos.)與時間相依高度方向分佈△z(time)，但不限於此。亦可在描繪裝置100之外部求得後存儲於記憶裝置148。然後使用該等對成為描繪對象基板之試料101進行實際描繪。對試料101描繪之描繪資料(佈局資料)從外部輸入並存儲於記憶裝置 140。
作為Z測定步驟(S202)，Z測定部50測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈。換言之，於各位置測定成為描繪對象基板之試料101之描繪面之高度位置(Z值)。測定方法與上述內容相同。
作為Z圖作成步驟(S204)，Z圖作成部52使用在各位置測定之高度位置(Z值)而作成高度方向分佈(Z圖)。Z圖存儲於記憶裝置149。
作為Z圖修正步驟(S206)，Z圖修正部54輸入將相依於基板之描繪位置而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值之位置相依高度方向分佈，對基板之高度方向分佈加上位置相依高度方向分佈，而修正基板之高度方向分佈。Z圖修正部54係高度方向分佈修正部之一例。具體言之，Z圖修正部54從記憶裝置148讀取位置相依高度方向分佈△z(pos.)，對所作成之Z圖之各值加上位置相依高度方向分佈△z(pos.)之對應位置之值。藉此，可設為位置相依之偏差量經修正之Z圖。修正後之Z圖存儲於記憶裝置149，取代先前存儲之Z圖，或亦可覆寫。
作為描繪開始處理步驟(S208)，首先，描繪資料處理部56從記憶裝置140讀取描繪資料，進行複數段之資料轉換處理，而生成裝置固有之發射資料。為以描繪裝置100描繪圖形圖案，需要將描繪資料中定義之各圖形圖案分割成可以1次射束之發射所照射之尺寸。對此，描繪資料處理部56將描繪資料所示之圖形圖案分割成可以1次射束之發 射所照射之尺寸，而生成發射圖形。然後，針對每個發射圖形生成發射資料。於發射資料中定義例如圖形種類、圖形尺寸、照射位置及照射量。所生成之發射資料依次暫時存儲於記憶裝置146。
然後，作為偏向偏差量運算步驟，Z修正部60讀取發射資料，並針對每個發射資料參照經修正之Z'圖(Z圖+△z(pos.))，運算對各位置(x,y)描繪之圖案之偏向偏差量(dx,dy)。Z修正部60係偏向偏差量運算部之一例。修正運算部只要使用圖4所示之數式即可。
然後，作為偏向量運算步驟，偏向量運算部62運算用以將電子束200偏向至所求得之偏向偏差量(dx,dy)經修正之位置(x,y)之偏向量。具體言之，偏向量運算部62運算偏向至使符號反轉而對發射資料上之偏向位置(x,y)加上經運算之偏向偏差量(dx,dy)之位置之偏向量。以如上方式運算向各位置發射射束時之偏向量。然後，在描繪控制部58之控制下，描繪部150以所求得之偏向量將電子束200偏向，而於試料101上描繪圖案。具體為如下動作。
從電子槍201(射出部)射出之電子束200藉由照明透鏡202照明例如具有長方形孔之第1孔片203全體。此處，將電子束200首先成形為矩形、例如長方形。然後，通過第1孔片203之第1孔像之電子束200藉由投影透鏡204投影於第2孔片206上。藉由偏向器205偏向控制該第2孔片206上之第1孔像，可使射束形狀與尺寸變化。然後，通過第2孔片206之第2孔像之電子束200藉由物鏡207對焦，並藉由主偏 向器208及副偏向器209予以偏向，而照射於配置在連續移動之XY台座105上之試料101之期望位置。圖1中顯示在位置偏向上使用主副2段之多段偏向之情形。該情形中，只要以主偏向器208一面追從於台座移動並將該發射之電子束200偏向至假想分割描繪區域之子圖場(SF)之基準位置，且以副偏向器209將該發射之射束偏向至SF內之各照射位置即可。
此處，描繪開始經過一定時間，會產生時間相依之偏差量。對此，在實施形態1中，於開始描繪處理後經過特定時間後，修正先前求得之時間相依之偏差量。描繪處理係以條帶狀將描繪區域分割成條狀區域，針對每個條狀區域進行描繪處理。而在電子束描繪下，因時間之經過等會產生射束漂移。因此例如在描繪中定期或不定期地暫時中斷描繪處理，而進行偏差修正。例如經過10分鐘後或20分鐘後之時間後暫時中止描繪而進行修正。漂移修正多在條狀區域間進行。因此，在實施形態1中，係於中斷該漂移修正之暫時描繪處理時修正Z圖。
作為Z圖修正步驟(S210)，Z圖修正部54進而輸入時間相依高度方向分佈△z(time)，在描繪開始前對經修正之基板之高度方向分佈進而加上時間相依高度方向分佈△z(time)，進而修正基板之高度方向分佈。具體言之，於暫時中斷描繪處理時，Z圖修正部54測定從描繪開始時間點至中斷之時間點之描繪時間。然後，Z圖修正部54從記憶裝置148讀取時間相依高度方向分佈△z(time)，將對應 於該描繪時間之高度位置△z(time)與Z圖之各位置之值相加。藉此，可進而設為時間相依偏差量經修正之Z圖。修正後之Z圖存儲於記憶裝置149，取代先前存儲之Z圖，或亦可覆寫。
作為描繪重新開始處理步驟(S212)，重新開始描繪處理。具體言之，作為偏向偏差量運算步驟，Z修正部60讀取發射資料，並針對每個發射資料進而參照時間相依亦經修正之Z"圖(Z圖+△z(pos.)+△z(time))，而運算對各位置(x,y)描繪之圖案之偏向偏差量(dx,dy)。Z修正部60係偏向偏差量運算部之一例。修正運算只要使用圖4所示之數式即可。
然後，作為偏向量運算步驟，偏向量運算部62運算用以將電子束200偏向至所求得之偏向偏差量(dx,dy)經修正之位置(x,y)之偏向量。具體言之，偏向量運算部62運算偏向至使符號反轉而對發射資料上之偏向位置(x,y)加上經運算之偏向偏差量(dx,dy)之位置之偏向量。以如上方式運算向各位置發射射束時之偏向量。然後，在描繪控制部58之控制下，描繪部150以所求得之偏向量將電子束200偏向，而於試料101上描繪圖案。
然後，於下次描繪中斷時，再次重複從Z圖修正步驟(S210)至描繪重新開始處理步驟(S212)。此處，在下一Z圖修正步驟(S210)中，亦可從時間相依高度方向分佈△z(time)讀取並加上相當於從重新開始時至再度中斷時之時間的高度位置△z。或亦可取先前相加之時間相依高度 方向分佈△z(time)值之差分，取而代之從時間相依高度方向分佈△z(time)讀取並加上相當於從當初描繪開始時至此次中斷時之時間點之時間之高度位置△z。
以如上方式對應於時間經過而修正時間相依高度方向分佈△z(time)。藉此可修正當初位置相依之修正殘差，且於描繪開始後對應於時間經過而修正時間相依之修正殘差。
此處，在上述例中，乃修正位置相依之修正殘差與時間相依之修正殘差兩方，但不限於此。雖精度會降低，但亦可對Z圖修正僅時間相依之修正殘差，或亦可對Z圖修正僅位置相依之修正殘差。無論何者都可修正當初之Z圖所無法修正之修正殘差。藉此可進而修正僅以基板之高度方向分佈所留下之修正殘差。藉此可修正偏向形狀之殘差，可比先前進而提高偏向精度。
以上已一面參照具體例針對實施形態進行說明。但本發明不限於該等具體例。
又，對於裝置構成或控制方法等本發明之說明上無直接必要之部分等省略記載，但亦可適當選擇使用必要之裝置構成或控制方法。例如對於控制描繪裝置100之控制部構成雖省略記載，但當然亦可適當選擇使用必要之控制部構成。
此外，具備本發明之要素且相關領域技術人員得適當設計變更之所有荷電粒子束描繪裝置及方法，皆包含在本發明之範圍內。
50‧‧‧Z測定部
52‧‧‧Z圖作成部
54‧‧‧Z圖修正部
56‧‧‧描繪資料處理部
58‧‧‧描繪控制部
60‧‧‧Z修正部
62‧‧‧偏向量運算部
72‧‧‧位置相依偏差量運算部
74‧‧‧時間相依偏差量運算部
76‧‧‧位移相依Z圖運算部
78‧‧‧時間相依Z圖運算部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY台座
110‧‧‧控制計算機單元
112‧‧‧記憶體
120‧‧‧偏向控制電路
140‧‧‧記憶裝置
142‧‧‧記憶裝置
147‧‧‧記憶裝置
148‧‧‧記憶裝置
149‧‧‧記憶裝置
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧第1孔片
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧偏向器
206‧‧‧第2孔片
207‧‧‧物鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器
210‧‧‧Z感測器
212‧‧‧放大器
330‧‧‧電子射線
340‧‧‧試料
410‧‧‧第1孔片
411‧‧‧開口
420‧‧‧第2孔片
421‧‧‧可變成形開口
430‧‧‧荷電粒子源
圖1係顯示實施形態1之描繪裝置之構成之概念圖。
圖2係顯示實施形態1之描繪方法之要部步驟之流程圖。
圖3係用以說明根據實施形態1之高度方向分佈而變化之圖案偏差之概念圖。
圖4係顯示相對於實施形態1之高度方向分佈之偏向偏差之圖與式之一例之圖。
圖5(a)、(b)係顯示實施形態1之評估基板與評估圖案之一例之圖。
圖6係用以說明先前之可變成形式電子束描繪裝置之動作之概念圖。
50‧‧‧Z測定部
52‧‧‧Z圖作成部
54‧‧‧Z圖修正部
56‧‧‧描繪資料處理部
58‧‧‧描繪控制部
60‧‧‧Z修正部
62‧‧‧偏向量運算部
72‧‧‧位置相依偏差量運算部
74‧‧‧時間相依偏差量運算部
76‧‧‧位移相依Z圖運算部
78‧‧‧時間相依Z圖運算部
100‧‧‧描繪裝置
101‧‧‧試料
102‧‧‧電子鏡筒
103‧‧‧描繪室
105‧‧‧XY台座
110‧‧‧控制計算機單元
112‧‧‧記憶體
120‧‧‧偏向控制電路
140、142、147、148、149‧‧‧記憶裝置
146‧‧‧發射資料
150‧‧‧描繪部
160‧‧‧控制部
200‧‧‧電子束
201‧‧‧電子槍
202‧‧‧照明透鏡
203‧‧‧第1孔片
204‧‧‧投影透鏡
205‧‧‧偏向器
206‧‧‧第2孔片
207‧‧‧物鏡
208‧‧‧主偏向器
209‧‧‧副偏向器
210‧‧‧Z感測器
212‧‧‧放大器

Claims (5)

  1. 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於具備：測定部，其測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈；高度方向分佈修正部，其輸入將相依於前述基板之描繪位置而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值後所得之位置相依高度方向分佈，對前述基板之高度方向分佈加上前述位置相依高度方向分佈，以產生前述基板之經修正之高度方向分佈，前述圖案之位置誤差係包含相依於前述基板之對應描繪位置之分量(component)，且排除相依於對前述基板之對應描繪時間之分量；偏向偏差量運算部，其使用經修正之前述高度方向分佈而運算所要描繪之圖案之偏向偏差量；偏向量運算部，其運算用以將荷電粒子束偏向至所求得之偏向偏差量經修正之位置之偏向量；及描繪部，其以所求得之偏向量將荷電粒子束偏向，而於基板上描繪圖案。
  2. 如請求項1之荷電粒子束描繪裝置，其中前述高度方向分佈修正部進而輸入將相依於對前述基板之描繪時間而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值之時間相依高度方向分佈，對修正後之基板之高度方向分佈進而加上前述時間相依高度方向分佈，進而修正前述基板之高度方向分佈；前述偏向偏差量運算部進而使用藉由前述時間相依高 度方向分佈而修正之前述高度方向分佈，而運算所要描繪之圖案之偏向偏差量；前述偏向量運算部進而運算用以將荷電粒子束偏向至使用前述時間相依高度方向分佈而修正之因高度方向分佈所致之偏向偏差量經修正之位置之偏向量。
  3. 一種荷電粒子束描繪裝置，其特徵在於具備：測定部，其測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈；高度方向分佈修正部，其輸入將相依於對前述基板之描繪時間而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值後所得之時間相依高度方向分佈，對前述基板之高度方向分佈加上前述時間相依高度方向分佈，以產生前述基板之經修正之高度方向分佈，前述圖案之位置誤差係包含相依於對前述基板之對應描繪時間之分量，且排除相依於前述基板之對應描繪位置之分量；偏向偏差量運算部，其使用經修正之前述高度方向分佈而運算所要描繪之圖案之位置偏向偏差量；偏向量運算部，其運算用以將荷電粒子束偏向至所求得之偏向偏差量經修正之位置之偏向量；及描繪部，其以所求得之偏向量將荷電粒子束偏向，而於基板上描繪圖案。
  4. 一種荷電粒子束描繪方法，其特徵在於具備：測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈之步驟；輸入將相依於前述基板之描繪位置而產生之圖案之位 置誤差換算成高度方向之值後所得之位置相依高度方向分佈，對前述基板之高度方向分佈加上前述位置相依高度方向分佈，以產生前述基板之經修正之高度方向分佈之步驟，其中前述圖案之位置誤差係包含相依於前述基板之對應描繪位置之分量，且排除相依於對前述基板之對應描繪時間之分量；使用經修正之前述高度方向分佈而運算所要描繪之圖案之偏向偏差量之步驟；運算用以將荷電粒子束偏向至所求得之偏向偏差量經修正之位置之偏向量之步驟；及以所求得之偏向量將荷電粒子束偏向，而於基板上描繪圖案之步驟。
  5. 一種荷電粒子束描繪方法，其特徵在於具備：測定成為描繪對象之基板之高度方向分佈之步驟；輸入將相依於對前述基板之描繪時間而產生之圖案之位置誤差換算成高度方向之值後所得之時間相依高度方向分佈，對前述基板之高度方向分佈加上前述時間相依高度方向分佈，以產生前述基板之經修正之高度方向分佈之步驟，其中前述圖案之位置誤差係包含相依於對前述基板之對應描繪時間之分量，且排除相依於前述基板之對應描繪位置之分量；使用經修正之前述高度方向分佈而運算所要描繪之圖案之偏向偏差量之步驟；運算用以將荷電粒子束偏向至所求得之偏向偏差量經 修正之位置之偏向量之步驟；及以所求得之偏向量將荷電粒子束偏向，而於基板上描繪圖案之步驟。
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