TWI626673B - Evaluation method, correction method, program, and electron beam drawing device - Google Patents

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Abstract

本實施形態的評估方法用以對形成著多個開口的光圈的精度進行評估，且包括下述步驟：使用藉由電子射線通過光圈而生成的多根電子射線，來描繪基於評估資料的第1評估圖案；將光圈分割為包含多個開口的多個區域，規定多個分割區域；使用通過多個分割區域中的任一個第1分割區域的電子射線，來描繪基於評估資料且與第1評估圖案不同的第2評估圖案；對第1評估圖案與第2評估圖案進行比較；以及基於第1評估圖案與第2評估圖案的比較結果，來評估光圈的精度。

Description

評估方法、補正方法、程式以及電子射線描繪裝置
本發明是有關於一種評估方法、補正方法、程式及電子射線描繪裝置。
在構成快閃記憶體（flash memory）等記錄介質或中央處理單元（Central Processing Unit，CPU）的半導體元件的微影（lithography）步驟中，形成於遮罩（mask）的原圖像圖案被轉印至成為半導體元件的基板的晶圓。針對遮罩的原圖像圖案的描繪是藉由例如電子射線描繪裝置等來進行。
近年來，從實現產量（throughput）提高的觀點來說，出現了能夠使用多根電子射線來描繪圖案的多波束（multibeam）方式的電子射線描繪裝置。此種電子射線描繪裝置中，從一個電子源射出的電子射線藉由通過形成著多個開口的光圈（aperture），而將電子射線多束化。因此，電子射線各自的光點（spot）形狀或劑量中會產生與光圈的加工精度相應的不均。
電子射線的劑量可藉由曝光時間的調整等而一定程度地加以控制。然而，今後，若考慮描繪中使用的電子射線的數量增加的情況，則預料僅控制電子射線的劑量難以精度佳地描繪圖案。因此，為了精度佳地描繪圖案，而要選擇性地使用開口形狀的不均少的光圈，且首先必須精度佳地將電子射線多束化。
本發明的實施形態提供可精度佳地使電子射線多束化、進而精度佳地描繪圖案的評估方法、補正方法、程式及電子射線描繪裝置。
本實施形態的評估方法用以對形成著多個開口的光圈的精度進行評估，且包括下述步驟：使用藉由電子射線通過光圈而生成的多根電子射線，來描繪基於評估資料的第1評估圖案；將光圈分割為包含多個開口的多個區域，規定多個分割區域；使用通過多個分割區域中的任一個第1分割區域的電子射線，來描繪基於評估資料且與第1評估圖案不同的第2評估圖案；對第1評估圖案與第2評估圖案進行比較；以及基於第1評估圖案與第2評估圖案的比較結果，來評估光圈的精度。
本實施形態的第1補正方法用以對通過形成著多個開口的光圈的多根電子射線各自的劑量進行補正，且包括下述步驟：將光圈分割為包含多個開口的多個區域，規定多個分割區域；基於評估資料，使用藉由通過第1分割區域而生成的多根電子射線，來描繪包含與各電子射線對應的標記的第1評估圖案；求出第1補正值，所述第1補正值基於第1評估圖案所含的標記各自的大小相對於預先設定的基準圖案之差；基於評估資料，使用藉由通過與第1分割區域不同的第2分割區域而生成的多根電子射線，來描繪包含與各電子射線對應的標記的第2評估圖案；對第1評估圖案與第2評估圖案進行比較，求出第2補正值，所述第2補正值基於與第1評估圖案的標記對應的第2評估圖案的標記的大小相對於第1評估圖案的標記之差；基於第1補正值，對通過了第1分割區域的電子射線的劑量進行補正，基於第1補正值與第2補正值之和，對通過了第2分割區域的電子射線的劑量進行補正。
而且，本實施形態的第2補正方法用以對通過形成著多個開口的光圈的多根電子射線各自的劑量進行補正，且包括下述步驟：實施本實施形態的評估方法；求出第1補正值，所述第1補正值基於第2評估圖案所含的標記各自的大小相對於預先設定的基準圖案的標記之差；基於評估方法的評估結果，求出第2補正值，所述第2補正值基於第2評估圖案所含的標記的大小與第1評估圖案的標記大小之差；以及基於第1補正值，對通過了第1分割區域的電子射線的劑量進行補正，基於第1補正值與第2補正值之和，對通過了第1分割區域以外的分割區域的電子射線的劑量進行補正。
本實施形態的第3補正方法包括：比較步驟，對第1圖案與第2圖案進行比較，所述第1圖案是基於評估資料，對電子射線進行第1次數曝光照射（shot）而形成，所述第2圖案是基於所述評估資料，對所述電子射線進行與所述第1次數不同的第2次數曝光照射而形成；以及補正步驟，基於所述第1圖案與所述第2圖案的比較結果，來補正電子射線的劑量。
本實施形態的程式用以使具有形成著多個開口的光圈的電子射線描繪裝置的控制裝置執行下述程序：使用藉由電子射線通過光圈而生成的多根電子射線，來描繪基於評估資料的第1評估圖案；將光圈分割為包含多個開口的多個區域，規定多個分割區域；使用通過多個分割區域中的任一個第1分割區域的電子射線，來描繪基於評估資料且與第1評估圖案不同的第2評估圖案；對第1評估圖案與第2評估圖案進行比較；以及基於第1評估圖案與第2評估圖案的比較結果，來評估光圈的精度。
本實施形態的電子射線描繪裝置對試樣描繪圖案，且包括：記憶裝置，記憶有本實施形態的程式；以及處理裝置，執行記憶於記憶裝置的程式。
《第1實施形態》 以下，基於圖式對本實施形態進行說明。在實施形態的說明中，可適當使用包含相互正交的X軸、Y軸、Z軸的正交座標系。
圖1是表示本實施形態的電子射線描繪裝置10的概略構成的圖。電子射線描繪裝置10為在真空環境下，對塗佈了抗蝕劑（resist）材料的遮罩或光罩（reticle）等試樣120描繪圖案的裝置。
如圖1所示，電子射線描繪裝置10具備：將電子射線EB照射至試樣120的照射裝置20，載置有試樣120的平台70，收容照射裝置20及平台70的真空腔室80，以及控制照射裝置20及平台70的控制系統100。
真空腔室80包含收容平台70的照明（Lighting）腔室80a、及收容照射裝置20的鏡筒80b。
照明腔室80a為長方體狀的中空構件且在上表面形成著圓形的開口。鏡筒80b為將長度方向設為Z軸方向的圓筒形狀的殼體。鏡筒80b例如包含不鏽鋼且接地。鏡筒80b從形成於照明腔室80a的上表面的開口拉入至照明腔室80a的內部。照明腔室80a及鏡筒80b的內部例如維持為真空度為10-7 Pa左右。
照射裝置20具有配置於鏡筒80b的內部的電子槍30、三個透鏡41、透鏡42、透鏡43、兩個光圈51、光圈52、遮蔽單元61、及偏向器62。
電子槍30配置於鏡筒80b的內部上方。電子槍30例如為熱陰極型的電子槍。電子槍30包含陰極、以包圍陰極的方式設置的韋乃特（Wehnelt）電極、及配置於陰極的下方的陽極等。電子槍30若被施加高電壓則向下方射出電子射線EB。
透鏡41為環狀電磁透鏡，配置於電子槍30的下方。透鏡41將朝向下方擴展並前進的電子射線EB以與鉛垂方向平行的方式加以整形（shaping）。
光圈51為用以將入射的電子射線EB分支為多根電子射線EBmn的構件。圖2是光圈51的俯視圖。如圖2所示，光圈51為正方形板狀的構件。光圈51例如將矽等作為基礎原材料，在表面形成著例如鉻等的鍍敷膜或濺鍍膜。光圈51中，呈將列方向設為X軸方向、行方向設為Y軸方向的8列8行矩陣狀地形成著64個開口H。開口H為各邊與Y軸或X軸平行的正方形，Y軸方向的尺寸及X軸方向的尺寸在開口H彼此之間大致相等。
本實施形態中，使用1至8的整數m、整數n，將64個開口H顯示為Hmn。將位於最+Y側的第1列的開口顯示為H1n。而且，將位於2列至第8列的開口顯示為H2n至H8n。而且，將位於最-X側的第1行的開口顯示為Hm1。而且，將位於第2行至第8行的開口顯示為Hm2至Hm8。
圖3是電子槍30、透鏡41、光圈51、遮蔽單元61的立體圖。如圖3所示，從電子槍30射出的電子射線EB藉由透鏡41以與鉛垂軸平行的方式而整形。已整形為平行的電子射線EB入射至由假想線所示的圓形區域C1。入射至區域C1的電子射線EB中的一部分電子射線被光圈51所遮蔽，剩餘的電子射線通過光圈51的開口Hmn。由此，電子射線EB被分割（多束化）為向鉛垂下方前進的64根電子射線。
本實施形態中，將通過了光圈51的開口Hmn的電子射線顯示為電子射線EBmn。另外，圖3中，僅代表性地示出通過了開口H11、開口H18、開口H81、開口H88的電子射線EB11、電子射線EB18、電子射線EB81、電子射線EB88。
遮蔽單元61為用以各別地遮蔽各根電子射線EBmn的單元。圖4是遮蔽單元61的俯視圖。如圖4所示，遮蔽單元61具有基板610、及設置於基板610的上表面（＋Z側的面）的64個遮蔽器BK。
基板610為例如以矽為原材料的正方形基板。基板610中，呈8列8行的矩陣狀地形成著64個開口HH。64個開口HH分別以位於形成於光圈51的開口H的下方的方式而分別定位。本實施形態中，將位於開口Hmn的正下方的開口HH顯示為開口HHmn。
開口HHmn較開口Hmn稍大，通過了開口Hmn的電子射線EBmn可不與基板610發生干涉地通過開口HHmn。
圖5是將遮蔽器BK放大而表示的立體圖。遮蔽器BK包含一對電極611、電極612，該一對電極611、電極612例如包含銅等金屬。電極611為例如XY剖面呈U字狀的構件。電極611沿著設置於基板610的開口HHmn的+X側及-X側的外緣、及+Y側的外緣而配置。而且，電極612為板狀的電極，沿著開口HHmn的-Y側的外緣而配置。因此，如參照圖5可知般，通過了光圈51的電子射線EBmn通過構成遮蔽器BK的電極611、電極612之間而入射至基板610的開口HHmn。
如圖3及圖4所示，遮蔽器BK設置於各開口HHmn。本實施形態中，將設置於開口HHmn的遮蔽器BK顯示為遮蔽器BKmn。
電極611經由設置於基板610的未圖示的電路而接地。而且，電極612經由設置於基板610的未圖示的電路而連接於構成控制系統100的遮蔽放大器104。若藉由遮蔽放大器104，對電極612施加電壓，則入射至基板610的開口HHmn的電子射線EBmn會向圖5的箭頭所示的方向而偏離。由此，如圖1所示，電子射線EBmn由光圈52所遮蔽，而成為電子射線EBmn被遮蔽的狀態。
透鏡42為環狀的電磁透鏡，配置於遮蔽單元61的下方。透鏡42使通過遮蔽單元61後變得相互平行且向下方前進的64根電子射線EBmn向光圈52的附近聚焦。
光圈52為中央設置著供電子射線EBmn通過的開口的板狀構件。光圈52配置於通過了透鏡42的電子射線EBmn的聚焦點（交叉點）附近。電子射線EBmn藉由分別通過光圈52的開口，而電子射線EBmn各自的曝光照射形狀得以整形。而且，當電子射線EBmn藉由遮蔽單元61的遮蔽器BK偏向時，電子射線EBmn由光圈51所遮蔽。
偏向器62配置於光圈52的下方。偏向器62具有對向配置的多對電極。偏向器62根據施加至電極的電壓，使通過了光圈52的電子射線EBmn發生偏向。本實施形態中，為了方便說明，圖式中僅示出於X軸方向上隔開規定距離而配置的1對電極。偏向器62可使電子射線EBmn向X軸方向及Y軸方向偏離。
透鏡43為以包圍偏向器62的方式配置的環狀電磁透鏡。透鏡43藉由與偏向器62協同動作，而使電子射線EBmn聚焦於載置在平台70的試樣120的所期望的位置。
平台70配置於照明腔室80a的內部。平台70為如下平台，即，在將描繪有圖案的試樣120保持為大致水平的狀態下，能夠至少在水平面內移動。在平台70的上表面，設置著將Y軸方向設為長度方向的反射鏡（mirror）Mx、及將X軸方向設為長度方向的反射鏡My。平台70的水平面內的位置以反射鏡Mx、反射鏡My為基準而檢測。
控制系統100為用以控制照射裝置20及平台70的系統。控制系統100具有控制裝置101、電源裝置102、透鏡驅動裝置103、遮蔽放大器104、偏向放大器105、及平台驅動裝置106。
圖6是控制裝置101的框圖。如圖6所示，控制裝置101為具有CPU（Central Processing Unit）101a、主記憶部101b、輔助記憶部101c、輸入部101d、顯示部101e、介面部101f、及連接所述各部的系統匯流排（system bus）101g的電腦。
CPU101a讀取並執行記憶於輔助記憶部101c的程式。而且，根據程式，統一控制構成控制系統100的機器。
主記憶部101b具有隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）等揮發性記憶體。主記憶部101b被用作CPU101a的作業區域。
輔助記憶部101c具有唯讀記憶體（Read Only Memory，ROM）、磁碟、半導體記憶體等非揮發性記憶體。輔助記憶部101c中記憶有CPU101a執行的程式及各種參數。而且，記憶有用以判定光圈51的加工精度的評估資料。該評估資料為規定對試樣120描繪的評估圖案的資料。以後將對評估圖案進行敍述。
輸入部101d具有鍵盤或滑鼠等指向裝置。用戶的指示經由輸入部101d而輸入，且經由系統匯流排101g而通知給CPU101a。
顯示部101e具有液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD）等顯示單元。顯示部101e顯示例如電子射線描繪裝置10的狀態或描繪圖案等相關的資訊。
介面部101f具備區域網路（Local Area Network，LAN）介面、串列介面、並列介面、類比介面等。電源裝置102、透鏡驅動裝置103、遮蔽放大器104、偏向放大器105、及平台驅動裝置106經由介面部101f而連接於控制裝置101。
如所述般構成的控制裝置101統一控制電源裝置102、透鏡驅動裝置103、遮蔽放大器104、偏向放大器105、及平台驅動裝置106。
回到圖1，電源裝置102基於控制裝置101的指示，對電子槍30施加電壓。由此，自電子槍30朝向下方而射出電子射線EB。
透鏡驅動裝置103基於控制裝置101的指示，控制透鏡41相對於電子射線EB的倍率（power）（折射力），將向下方擴展而前進的電子射線EB整形為相對於鉛垂軸平行地前進的電子射線。而且，透鏡驅動裝置103控制透鏡42的倍率，使電子射線EBmn朝向光圈52的中心聚焦，並控制透鏡43的倍率，使電子射線EBmn聚焦於試樣120的上表面。
遮蔽放大器104基於控制裝置101的指示，針對構成遮蔽單元61的64個遮蔽器BK的每個來生成遮蔽信號。然後，將所生成的遮蔽信號向各遮蔽器BK的電極612輸出。例如，遮蔽信號為高位準與低位準的2值信號。當向遮蔽器BK的電極612輸出的遮蔽信號為高位準時，將電子射線EBmn遮蔽。因此，藉由將基於描繪圖案而調變的遮蔽信號輸出至各遮蔽器BK，可於試樣120描繪所期望的圖案。而且，藉由將維持為高位準的電壓信號輸出至所期望的遮蔽器BK，可使所期望的電子射線EBmn成為被遮蔽的狀態。
偏向放大器105基於控制裝置101的指示生成電壓信號，且向構成偏向器62的電極輸出。由此，在偏向器62的電極之間產生電位差。通過偏向器62的電子射線EBmn以與電位差相應的量而偏向。
平台驅動裝置106使用未圖示的雷射感測器等來測量平台70的反射鏡Mx、反射鏡My的位置，基於所測量的結果檢測平台70的位置。而且，平台驅動裝置106基於控制裝置101的指示來驅動平台70，進行試樣120的移動或定位等。
所述電子射線描繪裝置10中，藉由控制裝置101，統一控制電源裝置102、透鏡驅動裝置103、遮蔽放大器104、偏向放大器105、及平台驅動裝置106。例如，當使用電子射線描繪裝置10對試樣120描繪圖案時，控制裝置101的CPU101a對載置著試樣120的平台70進行驅動，而將試樣120定位於照射裝置20的下方。
接下來，CPU101a驅動電源裝置102，而對電子槍30施加電壓。由此，從電子槍30射出電子射線EB。
若從電子槍30射出電子射線EB，則CPU101a經由透鏡驅動裝置103控制透鏡41，將朝向下方擴展的電子射線EB以與鉛垂軸平行的方式加以整形。
經透鏡41整形的電子射線EB向下方前進而通過光圈51。由此，電子射線EB分支，而生成多（64）根電子射線EBmn。該些電子射線EBmn經由遮蔽單元61的遮蔽器BKmn而穿過構成遮蔽單元61的基板610的開口HHmn。
CPU101a經由透鏡驅動裝置103來控制透鏡42，並使通過了遮蔽單元61的電子射線EBmn分別聚焦於光圈52的開口附近。
電子射線EBmn分別通過光圈52的開口，由此將曝光照射的外徑及形狀加以整形。然後，通過了光圈52的電子射線EBmn入射至透鏡43。
CPU101a經由透鏡驅動裝置103來控制透鏡43，使入射至透鏡43的電子射線EBmn聚焦於保持在平台70的試樣120的表面。而且，CPU101a經由偏向放大器105，使電子射線EBmn向X軸方向或Y軸方向偏離，從而控制電子射線EBmn對試樣120的入射位置。
與所述動作並行地，CPU101a經由遮蔽放大器104，將基於描繪的圖案而調變的遮蔽信號輸入至各遮蔽器BKmn。由此，電子射線EBmn在規定的時機偏向，從而間歇地執行對電子射線EBmn的遮蔽。
電子射線描繪裝置10中，如所述般遮蔽放大器104與偏向放大器105協同動作，由此利用由描繪圖案而調變的電子射線EBmn對試樣120曝光，從而在該試樣120描繪出圖案。
《評估圖案描繪處理》 接下來，對用以評估電子射線描繪裝置10中使用的光圈51的精度的評估圖案描繪處理進行說明。該評估圖案為用以評估光圈的加工精度的圖案。
圖7的流程圖表示CPU101a依據記憶於輔助記憶部101c的程式而執行的一連串處理。評估圖案描繪處理依據圖7所示的流程圖而進行。以下，參照圖7的流程圖對評估圖案描繪處理進行說明。
首先，CPU101a讀取記憶於輔助記憶部101c的評估資料（步驟S101）。圖8是表示基於評估資料描繪的評估圖案P0的SEM（Scanning Electron Microscope）圖像Ph0的圖。評估資料例如圖8所示，為用以描繪包含呈8列8行的矩陣狀配置的正方形標記Mmn的評估圖案P0的資料。各標記Mmn與圖2所示的光圈51的開口Hmn對應。
電子射線描繪裝置10中，如圖1所示在從電子槍30到試樣120之間，存在一個電子射線EBmn的交叉點。因此，評估圖案P0的標記Mmn的排列相對於圖2所示的光圈51的開口Hmn的排列為X軸及Y軸對稱。即，如圖2所示，由經由位於最+Y側且朝向+X方向依序排列的開口H11～開口H18的電子射線EB11～電子射線EB18所形成的標記M11～標記M18如圖8所示，位於最-Y側且朝向-X方向排列。另外，圖8中，為了方便說明，以使XY座標系旋轉180度，標記Mmn的排列表觀上與圖2的開口Hmn的排列一致的方式進行顯示。由經由開口H21～開口H28的電子射線EB21～電子射線EB28所形成的標記M21～標記M28配置於標記M11～標記M18的+Y側。同樣地，標記M31～標記M38、標記M41～標記M48、標記M51～標記M58、標記M61～標記M68、標記M71～標記M78、標記M81～標記M88以朝向+Y方向依次配置。
因此，本實施形態中，將位於最-Y側的第1列的標記顯示為M1n。而且，將位於第2列至第8列的標記顯示為M2n至M8n。而且，將位於最+X側的第1行的標記顯示為Mm1。而且，將位於第2行至第8行的標記顯示為Mm2至Mm8。
接下來，CPU101a不遮蔽電子射線EBmn的電子射線，而使用通過了光圈51的所有電子射線EBmn來描繪評估圖案P0（步驟S102）。該情況下，利用一根電子射線EBmn描繪出一個標記Mmn。而且，描繪標記Mmn時入射至試樣120的各電子射線EBmn的照射時間為固定值Td0。
在進行圖案描繪時，在假定不產生描繪誤差等的情況下、或光圈51的開口Hmn的形狀或尺寸為設計值的情況下，評估圖案P0的各標記Mmn如圖8所示，為彼此為同等的大小且以規定的間隔排列的狀態。其理由在於，在光圈51的開口Hmn的形狀等中不存在不均的情況下，各電子射線EBmn的劑量固定為f（Td0）mc/cm2 。然而，在例如光圈51的開口的面積中存在不均這樣的情況下，標記Mmn的大小或形狀中亦存在不均。
例如，如圖9所示，如設計般完成的開口Hmn為矩形。然而，因光圈51表面的鍍膜的厚度中出現了不均、或光圈51的基礎原材料的加工誤差，而如作為一例所表示的開口E1～開口E4般，會出現開口的形狀為橢圓形狀，大小與設計上的開口有所不同的情況。若光圈51中形成著如開口E1～開口E4般的開口，則各電子射線EBmn的劑量中會產生不均，例如，如圖10的SEM圖像Ph0所示的評估圖案P0般，會形成面積較其他標記大的標記M37、標記M76、標記M78，或形成面積較其他標記小的標記M88。
接下來，CPU101a如圖11所示，將光圈51分割為多個區域（步驟S103）。光圈51中設置著64個開口Hmn。因此，以各區域中包含16個開口Hmn的方式，將光圈51分割為四個區域A1～區域A4。
如圖11所示，區域A1中包含開口H11～開口H14、開口H21～開口H24、開口H31～開口H34、開口H41～開口H44。區域A2中包含開口H51～開口H54、開口H61～開口H64、開口H71～開口H74、開口H81～開口H84。區域A3中包含開口H15～開口H18、開口H25～開口H28、開口H35～開口H38、開口H45～開口H48。區域A4中包含開口H55～開口H58、開口H65～開口H68、開口H75～開口H78、開口H85～開口H88。
接下來，CPU101a進行使用了光圈51的區域A1評估圖案的描繪（步驟S104）。為了使用區域A1描繪評估圖案，例如，使通過開口H11～開口H14、開口H21～開口H24、開口H31～開口H34、開口H41～開口H44的電子射線EBmn以外的電子射線EBmn遮蔽。然後，使用16根電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44，來描繪基於評估資料的評估圖案P1。評估圖案P1為基於規定評估圖案P0的評估資料的圖案。因此，理想而言，構成評估圖案P1的標記與評估圖案P0的標記為同等的大小，且以同等的間距排列。
為了描繪評估圖案P1，如圖12所示，首先，描繪包含呈4列4行的矩陣狀配置的16個標記的標記群MG1。此處，使用16根電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44，來同時描繪各標記。
基於相同的要領，如圖13所示，在標記群MG1的+Y側描繪標記群MG2，如圖14所示，在標記群MG1的-X側描繪標記群MG3。而且，如圖15所示，在標記群MG2的-X側描繪標記群MG4。
圖16是表示評估圖案P1的SEM圖像Ph1的圖。如圖16所示，如所述般，藉由描繪標記群MG1～標記群MG4，而描繪出包含標記群MG1～標記群MG4的評估圖案P1。評估圖案P1中，各標記群MG1～標記群MG4分別包含由電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44描繪的16個標記M11～標記M14、標記M21～標記M24、標記M31～標記M34、標記M41～標記M44。
接下來，CPU101a進行使用了光圈51的區域A2的評估圖案的描繪（步驟S105）。為了使用區域A2描繪評估圖案，例如使通過開口H51～開口H54、開口H61～開口H64、開口H71～開口H74、開口H81～開口H84的電子射線EBmn以外的電子射線EBmn遮蔽。然後，與評估圖案P1的描繪同樣地，使用16根電子射線EB51～電子射線EB54、電子射線EB61～電子射線EB64、電子射線EB71～電子射線EB74、電子射線EB81～電子射線EB84，來描繪基於評估資料的評估圖案P2。
圖17是表示評估圖案P2的SEM圖像Ph2的圖。如圖17所示，基於所述要領而描繪標記群MG1～標記群MG4，藉此描繪出包含標記群MG1～標記群MG4的評估圖案P2。評估圖案P2中，各標記群MG1～標記群MG4分別包含由電子射線EB51～電子射線EB54、電子射線EB61～電子射線EB64、電子射線EB71～電子射線EB74、電子射線EB81～電子射線EB84描繪的16個標記M51～標記M54、標記M61～標記M64、標記M71～標記M74、標記M81～標記M84。
接下來，CPU101a進行使用了光圈51的區域A3的評估圖案的描繪（步驟S106）。為了使用區域A3描繪評估圖案，例如使通過開口H15～開口H18、開口H25～開口H28、開口H35～開口H38、開口H45～開口H48的電子射線EBmn以外的電子射線EBmn遮蔽。然後，與評估圖案P1、評估圖案P2的描繪同樣地，使用16根電子射線EB15～電子射線EB18、電子射線EB25～電子射線EB28、電子射線EB35～電子射線EB38、電子射線EB45～電子射線EB48，來描繪基於評估資料的評估圖案P3。
圖18是表示評估圖案P3的SEM圖像Ph3的圖。如圖18所示，基於所述要領描繪標記群MG1～標記群MG4，藉此描繪出包含標記群MG1～標記群MG4的評估圖案P3。評估圖案P3中，各標記群MG1～標記群MG4分別包含由電子射線EB15～電子射線EB18、電子射線EB25～電子射線EB28、電子射線EB35～電子射線EB38、電子射線EB45～電子射線EB48描繪的16個標記M15～標記M18、標記M25～標記M28、標記M35～標記M38、標記M45～標記M48。
接下來，CPU101a進行使用了光圈51的區域A4的評估圖案的描繪（步驟S107）。為了使用區域A4描繪評估圖案，例如使通過開口H55～開口H58、開口H65～開口H68、開口H75～開口H78、開口H85～開口H88的電子射線EBmn以外的電子射線EBmn遮蔽。然後，與評估圖案P1～P3的描繪同樣地，使用16根電子射線EB55～電子射線EB58、電子射線EB65～電子射線EB68、電子射線EB75～電子射線EB78、電子射線EB85～電子射線EB88，來描繪基於評估資料的評估圖案P4。
圖19是表示評估圖案P4的SEM圖像Ph4的圖。如圖19所示，基於所述要領描繪標記群MG1～標記群MG4，藉此描繪出包含標記群MG1～標記群MG4的評估圖案P4。評估圖案P4中，各標記群MG1～標記群MG4分別包含由電子射線EB55～電子射線EB58、電子射線EB65～電子射線EB68、電子射線EB75～電子射線EB78、電子射線EB85～電子射線EB88描繪的16個標記M55～標記M58、標記M65～標記M68、標記M75～標記M78、標記M85～標記M88。
CPU101a若結束評估圖案P0～評估圖案P4的描繪，則結束評估圖案描繪處理。若評估圖案描繪處理結束，則成為試樣120中描繪有評估圖案P0～評估圖案P4的狀態。
《評估處理》 接下來，對用以使用描繪於試樣120的評估圖案P0～評估圖案P4來評估光圈51的精度的評估處理進行說明。評估處理為用以基於評估圖案P0～評估圖案P4的SEM圖像來評估光圈51的精度的處理。該評估處理例如藉由控制裝置101的CPU101a而執行。
另外，評估處理中使用的評估圖案P0～評估圖案P4的SEM圖像Ph0～SEM圖像Ph4，是藉由利用SEM等裝置對描繪於試樣120的評估圖案P0～評估圖案P4進行拍攝而生成。該些SEM圖像Ph0～SEM圖像Ph4被預先記憶於控制裝置101的輔助記憶部101c中。
圖20的流程圖表示CPU101a依據記憶於輔助記憶部101c的程式而執行的一連串處理。評估處理依據圖20所示的流程圖而進行。以下，參照圖20的流程圖對評估處理進行說明。
首先，CPU101a讀取記憶於輔助記憶部101c的SEM圖像Ph0、SEM圖像Ph1。然後，對SEM圖像Ph0與SEM圖像Ph1進行比較，而生成差分圖像Df1（步驟S201）。
在SEM圖像彼此的比較中，CPU101a首先使SEM圖像Ph0、SEM圖像Ph1匹配。SEM圖像的匹配是一邊使SEM圖像Ph1相對於SEM圖像Ph0相對移動，一邊運算SEM圖像Ph1的標準化交叉關聯。然後，基於運算結果，使SEM圖像Ph0與SEM圖像Ph1重合。該狀態時，為SEM圖像Ph0的64個標記與SEM圖像Ph1的64個標記精度佳地重合的狀態。接下來，CPU101a生成SEM圖像Ph0與SEM圖像Ph1的差分圖像Df1。另外，SEM圖像為黑白圖像，但亦可視需要將差分圖像Df1二值化。
圖21是表示差分圖像Df1的圖。在SEM圖像Ph0的標記的圖像的大小與SEM圖像Ph1的標記的圖像的大小不同的情況下，差分圖像Df1例如為呈現出標記MM37、標記MM76、標記MM78、標記MM88等的圖像。該些標記MM37、標記MM76、標記MM78、標記MM88的面積表示相互對應的SEM圖像Ph0的標記與SEM圖像Ph1的標記的面積之差。
接下來，CPU101a基於差分圖像Df1來進行光圈51的評估（步驟S202）。
光圈51的評估中，如圖22所示，CPU101a將差分圖像Df1利用穿過差分圖像Df1的中心而與Y軸及X軸平行的直線進行4等分，從而規定4個區域AA1～區域AA4。區域AA1～區域AA4各自的位置與圖11所示的光圈51的區域A1～區域A4對應。接下來，CPU101a針對各區域AA1～區域AA4，運算標記的面積的合計值AT1～合計值AT4。
例如，如圖22所示的示例中，不存在標記的區域AA1、區域AA2的合計值AT1、合計值AT2大致為零，而存在標記的區域AA3、區域AA4的合計值AT3、合計值AT4為零以上。因此，CPU101a將合計值AT1～合計值AT4與預先設定的臨限值Th進行比較。然後，將合計值AT1～合計值AT4為臨限值以上的區域特定為不良區域。例如，在合計值AT3、合計值AT4為臨限值Th1以上的情況下，區域AA3、區域AA4被特定為不良區域。另外，所述臨限值Th可根據電子射線描繪裝置10的規格或目的而適當決定。
另外，成為差分圖像Df1之源的SEM圖像Ph0所示的評估圖案P0是由64根電子射線EBmn描繪而成。而且，由SEM圖像Ph1所示的評估圖案P1是由64根電子射線EBmn中的16根電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44描繪而成。因此，關於差分圖像Df1，通常區域AA1不會出現標記M。
因此，在使用了差分圖像Df1的評估中，將通過了光圈51的區域A1的電子射線EBmn的光點形狀與通過了光圈51的區域A2～區域A4的電子射線EBmn的光點形狀進行比較。因此，在使用了差分圖像Df1的評估中，進行基於形成於光圈51的區域A1的開口Hmn、與形成於區域A2、區域A3、區域A4的開口Hmn的偏差的光圈51的評估。
接下來，CPU101a讀取記憶於輔助記憶部101c的SEM圖像Ph0、SEM圖像Ph2。然後，CPU101a同樣地將SEM圖像Ph0與SEM圖像Ph2進行比較，而生成差分圖像Df2（步驟S203）。
接下來，CPU101a基於差分圖像Df2進行光圈51的評估（步驟S204）。由此，進行基於形成於光圈51的區域A2的開口Hmn、與形成於區域A1、區域A3、區域A4的開口Hmn的偏差的光圈51的評估。
同樣地，CPU101a將SEM圖像Ph0與SEM圖像Ph3進行比較，而生成差分圖像Df3（步驟S205），然後，基於差分圖像Df3進行光圈51的評估（步驟S206）。由此進行基於形成於光圈51的區域A3的開口Hmn與形成於區域A1、區域A2、區域A4的開口Hmn的偏差的光圈51的評估。
繼而，CPU101a將SEM圖像Ph0與SEM圖像Ph4進行比較，而生成差分圖像Df4（步驟S207），然後，基於差分圖像Df4進行光圈51的評估（步驟S208）。由此，進行基於形成於光圈51的區域A4的開口Hmn、與形成於區域A1、區域A2、區域A3的開口Hmn的偏差的光圈51的評估。
圖23是概念性地表示使用了差分圖像Df1～差分圖像Df4的評估的圖。如圖23所示，藉由所述步驟S201～步驟S208的處理，獲得與差分圖像Df1～差分圖像Df4的區域AA1～區域AA4對應的、光圈51的區域A1～區域A4所相關的評估結果。
接下來，CPU101a基於光圈51的區域A1～區域A4相關的評估結果，來進行關於是否可使用光圈51的判斷（步驟S209）。
在將光圈51分割為4個區域A1～區域A4的情況下，各區域進行3次評估。例如，關於區域A1，與區域A2～區域A4進行比較而進行3次評估。CPU101a將3次評估中全部被判斷為不可使用的區域達到過半數的光圈51判斷為不可使用。在如圖23所示的示例中，區域A3、區域A4在3次評估中全部被判斷為不可使用。因此，CPU101a對於例如4個區域A1～區域A4中的2個區域A3、區域A4判斷為不可使用，結果，可判斷為該光圈51不可使用。
CPU101a若針對光圈51判斷是否可使用，則將判斷結果顯示於顯示部101e（步驟S210）。若步驟S210的處理結束，則CPU101a結束評估處理。
用戶可基於光圈51的評估結果，可進行光圈51的更換或維護。然而，根據評估結果，存在藉由對電子射線的劑量進行補正而可繼續使用被判斷為不可使用的光圈51的情況。以下，對電子射線的劑量的補正處理進行說明。
《補正處理》 圖24的流程圖表示CPU101a依據記憶於輔助記憶部101c的程式而執行的一連串處理。補正處理依照圖24所示的流程圖來進行。以下，關於補正處理，參照圖24的流程圖進行說明。
首先，CPU101a運算光圈51的開口Hmn的設計上的開口的面積SD、與SEM圖像Ph1的標記M11～標記M14、標記M21～標記M24、標記M31～標記M34、標記M41～標記M44的面積S1（1）～面積S1（16）之差D1（1）～差D1（16）（步驟S301）。
具體而言，首先，CPU101a從輔助記憶部101c讀取SEM圖像Ph1。然後，計測SEM圖像Ph1的標記M11～標記M14、標記M21～標記M24、標記M31～標記M34、標記M41～標記M44的面積S1（1）～面積S1（16）。接下來，從設計上的面積SD中減去面積S1（i）。另外，i為1至16的整數，差D1（1）～差D1（16）由下述數式（1）表示。 D1（i）＝SD－S1（i） …（1）
接下來，CPU101a使用差D1（1）～差D1（16），運算電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44的照射時間的補正值CV1（1）～補正值CV1（16）（步驟S302）。
在設置於光圈51的開口Hmn的設計上的面積為SD的情況下，若以時間Td0照射電子射線EBmn，則劑量V為與開口的面積SD及時間Td0之積（SD・Td0）成比例的值。因此，若將目標照射時間設為Td0則補正值CV1（i）可由下述數式（2）求出。 CV1（i）＝Td0・（SD－S1（i））/S1（i） ＝Td0・D1（i）/S1（i） …（2）
接下來，CPU101a加入補正值，運算電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44各自的照射時間Td1（i）（步驟S303）。照射時間Td1（i）可由下述數式（3）求出。 Td1（i）＝Td0＋CV1（i） …（3）
接下來，CPU101a從輔助記憶部101c中讀取SEM圖像Ph1、SEM圖像Ph2。然後，對SEM圖像Ph1、SEM圖像Ph2進行比較，運算SEM圖像Ph1的標記M11～標記M14、標記M21～標記M24、標記M31～標記M34、標記M41～標記M44的面積S1（i），與SEM圖像Ph2的標記M51～標記M54、標記M61～標記M64、標記M71～標記M74、標記M81～標記M84的面積S2（i）之差D2（i）（步驟S304）。差D2（i）由下述數式（4）表示。 D2（i）＝S1（i）－S2（i） …（4）
接下來，CPU101a使用差D2（i），運算電子射線EB51～電子射線EB54、電子射線EB61～電子射線EB64、電子射線EB71～電子射線EB74、電子射線EB81～電子射線EB84的照射時間的補正值CV2（i）（步驟S305）。補正值CV2（i）可由下述數式(5)求出。
CV2(i)=Td1(i)‧D2(i)/S2(i)…(5)
接下來，CPU101a加入補正值，運算電子射線EB15~電子射線EB18、電子射線EB25~電子射線EB28、電子射線EB35~電子射線EB38、電子射線EB45~電子射線EB48各自的照射時間Td2(i)(步驟S306)。照射時間Td2(i)可由下述數式(6)求出。
Td2(i)=Td1(i)+CV2(i)…(6)
接下來，CPU101a從輔助記憶部101c中讀取SEM圖像Ph1、SEM圖像Ph3。然後，對SEM圖像Ph1、SEM圖像Ph3進行比較，運算SEM圖像Ph1的標記M11~標記M14、標記M21~標記M24、標記M31~標記M34、標記M41~標記M44的面積S1(i)，與SEM圖像Ph3的標記M15~標記M18、標記M25~標記M28、標記M35~標記M38、標記M45~標記M48的面積S3(i)之差D3(i)(步驟S307)。差D3(i)由下述數式(7)表示。
D3(i)=S1(i)-S3(i)…(7)
接下來，CPU101a使用差D3(i)，運算電子射線EB15~電子射線EB18、電子射線EB25~電子射線EB28、電子射線EB35~電子射線EB38、電子射線EB45~電子射線EB48的照射時間的補正值CV3(i)(步驟S308)。補正值CV3(i)可由下述數式(8)求出。
CV3(i)=Td1(i)‧D3(i)/S3(i)…(8)
接下來，CPU101a加入補正值，運算電子射線EB15~電子射線EB18、電子射線EB25~電子射線EB28、電子射線EB35~電子射線EB38、電子射線EB45~電子射線EB48各自的照射時間Td3(i)(步驟S309)。照射時間Td3(i)可由下述數式(9)求出。
Td3(i)=Td1(i)+CV3(i)…(9)
接下來，CPU101a從輔助記憶部101c讀取SEM圖像Ph1、SEM圖像Ph4。然後，對SEM圖像Ph1、SEM圖像Ph4進行比較，運算SEM圖像Ph1的標記M11~標記M14、標記M21~標記M24、標記M31~標記M34、標記M41~標記M44的面積S1(i)，與SEM圖像Ph4的標記M55~標記M58、標記M65~標記M68、標記M75~標記M78、標記M85~標記M88的面積S4(i)之差D4(i)(步驟S310)。差D4(i)由下述數式(10)表示。
D4(i)=S1(i)-S4(i)…(10)
接下來，CPU101a使用差D4(i)，運算電子射線EB55~電子射線EB58、電子射線EB65~電子射線EB68、電子射線EB75~電子射線EB78、電子射線EB85~電子射線EB88的照射時間的補正值CV4(i)(步驟S311)。補正值CV4(i)可由下述數式(11)求出。
CV4(i)=Td1(i)‧D4(i)/S4(i)…(11)
接下來，CPU101a加入補正值，運算電子射線EB55~電子射線EB58、電子射線EB65～電子射線EB68、電子射線EB75～電子射線EB78、電子射線EB85～電子射線EB88各自的照射時間Td4（i）（步驟S312）。照射時間Td4（i）可由下述數式（12）而求出。 Td4（i）＝Td1（i）＋CV4（i） …（12）
藉由所述步驟S301～步驟S312的處理而求出的照射時間Td1（i）～照射時間Td4（i）為以下。即，光圈51的區域A1的照射時間是對根據設計值規定的設計照射時間Td0，加上根據開口Hmn的設計值與區域A1的開口Hmn的實測值而求出的補正值CV1（i）所得。區域A2、區域A3、區域A4的照射時間是對設計照射時間Td0加上補正值CV1（i），進而加上區域A2、區域A3、區域A4的開口Hmn相對於區域A1的開口Hmn的補正值CV2（i）、CV3（i）、CV4（i）所得。 Td1（i）＝Td0＋CV1（i） Td2（i）＝Td1（i）＋CV2（i） ＝Td0＋CV1（i）＋CV2（i） Td3（i）＝Td1（i）＋CV3（i） ＝Td0＋CV1（i）＋CV3（i） Td4（i）＝Td1（i）＋CV4（i） ＝Td0＋CV1（i）＋CV4（i）
若CPU101a分別對64根電子射線EBmn，算出相對於由描繪資料規定的目標照射時間Td0的、補正後的照射時間Td1（i）～照射時間Td4（i），則將該照射時間Td1（i）～照射時間Td4（i）保存到輔助記憶部，從而結束補正處理。
電子射線描繪裝置10中，在描繪圖案時，根據由描繪資料規定的電子射線的目標照射時間Td0，算出與光圈51的開口Hmn的面積相應的該照射時間Td1（i）～照射時間Td4（i）。然後，基於所算出的照射時間Td1（i）～照射時間Td4（i）而照射電子射線EBmn。由此，即便光圈51的開口Hmn的大小中存在不均，亦可將電子射線EBmn以成為基於設計值的劑量的方式入射至試樣120。
如以上說明般，本實施形態中，光圈51被分割為多個區域A1～區域A4（步驟S103）。然後，對分別使用光圈51的區域A1～區域A4而描繪的評估圖案P1～評估圖案P4的SEM圖像Ph1～SEM圖像Ph4進行比較（步驟S201、步驟S203、步驟S205、步驟S207），並基於比較的結果，進行是否可使用光圈51的判斷。
因此，與例如對於光圈51的開口Hmn，逐個個別地計測面積或尺寸等，並基於所計測的結果進行光圈是否可使用的判斷的情況相比，可在極短時間內精度佳地進行光圈是否可使用的判斷。
而且，能夠根據是否可使用光圈的判斷，避免使用被判斷為不可使用的光圈。因此，可使用加工精度高的光圈，精度佳地將電子射線多束化，進而能夠精度佳地描繪圖案。
而且，本實施形態中，如參照圖23可知，針對光圈51的區域A1～區域A4，判斷存在加工誤差的區域與不存在加工誤差的區域。因此，能夠掌握光圈51的不良率。另外，不良率例如由區域的總數TM1與存在加工誤差的區域的總數TM2之比（＝TM2/TM1）來表示。
本實施形態中，基於描繪於試樣120的評估圖案P0～評估圖案P4的SEM圖像Ph0～SEM圖像Ph4來進行光圈51的評估。因此，無須使電子射線描繪裝置10停止便可進行光圈51的評估。
本實施形態中，例如對試樣120描繪原圖像圖案、以及評估圖案P0～評估圖案P4，藉此針對每次原圖像圖案的描繪，能夠進行由污染物等的影響所引起的光圈51的經年劣化等的評估。
本實施形態中，藉由補正處理（步驟S301～步驟S312），調整有設置於光圈51的開口Hmn的面積的不均所引起的劑量的不均。因此，能夠精度佳地對試樣120描繪圖案。
本實施形態中，例如圖25所示，即便在光圈51中存在面積明顯大的開口或面積明顯小的開口等加工精度低的不良開口，在區域A1～區域A4中該些不良開口的分佈均等的情況下等，該光圈51亦可判斷為所有區域A1～區域A4可使用，結果，判斷為光圈51可使用。
然而，本實施形態中，因進行了光圈51的補正處理，故即便在這種情況下，亦能夠精度佳地描繪圖案。而且，補正處理中，在設計上的照射時間與補正後的照射時間明顯不同的情況下，亦能夠將光圈51判斷為不可使用。由此，可避免利用加工精度低的光圈51進行圖案的描繪。
本實施形態中，對在光圈51中呈8列8行的矩陣狀地形成著開口的情況進行了說明。但光圈51的開口的排列並不限於此。而且，在光圈51的開口呈奇數列或奇數行的矩陣狀配置的情況下，如圖26所示，亦可在光圈51規定一部分重疊（lap）的區域。
《第2實施形態》 接下來，對第2實施形態進行說明。第2實施形態的電子射線描繪裝置10中，在進行由電子射線的曝光照射引起的劑量的補正的方面，與第1實施形態的電子射線描繪裝置10不同。以下，參照圖式對第2實施形態的電子射線描繪裝置10進行說明。另外，對與第1實施形態相同或同等的構成，使用同等的符號，並且省略或簡化其說明。
電子射線EBmn的劑量針對每根電子射線EBmn而不同。因此，電子射線EBmn相互之間會產生劑量的誤差。因此，需要用以補正電子射線EBmn相互之間的誤差的處理。
電子射線的劑量與電子射線的照射時間成比例，因而劑量的誤差會依存於遮蔽器BKmn的相應速度等而增減。例如，從遮蔽放大器104輸出至遮蔽器BKmn的遮蔽信號的上升時間或下降時間會受到遮蔽放大器104為止的配線路徑、配線長度或配線路線等的影響。因此，遮蔽放大器104即便基於目標劑量而將遮蔽信號輸出至各遮蔽器BKmn，實際的劑量與目標劑量之間亦會產生差異。該差異對於每個遮蔽器BKmn而言不同，因而通過遮蔽器BKmn的電子射線EBmn相互之間會產生劑量的誤差。
劑量的誤差作為由電子射線描繪的標記的大小之差而顯現。例如，當對試樣120描繪標記時，以劑量為目標量Tx的方式將電子射線EBmn照射試樣120。此時，在向遮蔽器BKmn輸出的遮蔽信號的上升時間長的情況下，至電子射線EBmn被遮蔽的時間延長。因此，若多次將電子射線EBmn向試樣120曝光照射而描繪標記，則劑量會大於目標量Tx，從而所描繪的標記會變大。
另一方面，在向遮蔽器BKmn輸出的遮蔽信號的下降時間長的情況下，至開始對試樣120照射電子射線EBmn的時間延長。因此，若多次將電子射線EBmn向試樣120曝光照射而描繪標記，則劑量會小於目標量Tx，從而所描繪的標記會變小。
如以上，若關於電子射線EBmn的照射開始時的延遲時間Ts或照射結束時的延遲時間Te大，則每一次曝光照射的劑量會發生增減。其結果，所描繪的標記的大小亦發生變動。
圖27是表示描繪於試樣120的標記M的圖。由實線所示的標記M表示電子射線EBmn的由1次曝光照射所描繪的標記。關於由1次曝光照射所描繪的標記M，因延遲時間Ts、延遲時間Te相對於照射時間的比例小，故關於標記M的劑量接近目標量Tx。
另一方面，對於由多次曝光照射所描繪的標記而言，延遲時間Ts、延遲時間Te相對於照射時間的比例增大。例如，在較之延遲時間Te而延遲時間Ts更長時間地支配的情況下，如圖27的虛線所示的標記Ms般，描繪出面積小於標記M的標記。而且，在較之延遲時間Ts而延遲時間Te更長時間地支配的情況下，如圖27的一點鏈線所示的標記Me般，描繪出面積大於標記M的標記。
由劑量引起的標記的大小的差異無關於標記的大小或形狀而出現。而且，藉由特定電子射線Bemn所描繪的標記，因曝光照射數而大小發生變化，但其中心位置無關於曝光照射數而位於固定的位置。因此，電子射線描繪裝置10是將由不同曝光照射數而描繪的標記彼此加以比較，使用其結果來進行劑量的補正。以下，對劑量補正處理進行說明。
圖28的流程圖表示CPU101a依據記憶於輔助記憶部101c的程式而執行的一連串處理。劑量補正處理依據如圖28所示的流程圖來進行。
首先，CPU101a讀取記憶於輔助記憶部101c的評估資料（步驟S401）。該評估資料為規定如圖8所示的SEM圖像Ph0所示的評估圖案P0的資料。
接下來，CPU101a進行使用了光圈51的區域A1的評估圖案的描繪（步驟S402）。為了使用區域A1描繪評估圖案，例如，使通過開口H11～開口H14、開口H21～開口H24、開口H31～開口H34、開口H41～開口H44的電子射線EBmn以外的電子射線EBmn遮蔽。然後，使用16根電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44，來描繪基於評估資料的評估圖案P1。
為了描繪評估圖案P1，如圖12所示，首先，描繪包含呈4列4行的矩陣狀配置的16個標記的標記群MG1。此處，使用16根電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44，來同時描繪各標記。而且，在描繪標記時，使電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44間歇地入射至試樣120，由此進行多次曝光照射而描繪各標記。此處，考慮例如利用4次曝光照射來描繪標記。
如所述般，在描繪標記Mmn時入射至試樣120的各電子射線EBmn的照射時間設為固定值Td0。因此，在利用電子射線EBmn的N次曝光照射描繪標記的情況下，1次曝光照射中的照射時間設為Td0/N。具體而言，在利用4次曝光照射描繪標記時，每一次曝光照射的照射時間為Td0/4。
基於相同的要領，如圖13所示，在標記群MG1的+Y側描繪標記群MG2，如圖14所示，在標記群MG1的-X側描繪標記群MG3。而且，如圖15所示，在標記群MG2的-X側描繪標記群MG4。
圖29是表示評估圖案P1的SEM圖像Phd1的圖。如圖29所示，藉由如所述般描繪標記群MG1～標記群MG4，而描繪出包含標記群MG1～標記群MG4的評估圖案P1。評估圖案P1中，各標記群MG1～標記群MG4分別包含由電子射線EB11～電子射線EB14、電子射線EB21～電子射線EB24、電子射線EB31～電子射線EB34、電子射線EB41～電子射線EB44描繪的16個標記M11～標記M14、標記M21～標記M24、標記M31～標記M34、標記M41～標記M44。
圖29所示的示例中，因劑量的誤差，由電子射線EB21、電子射線EB24描繪的標記M21、標記M24的大小與本來的大小有所不同。具體而言，關於電子射線EB21藉由照射時間超過Td0，而標記的大小要大於本來的大小。而且，關於電子射線EB24，藉由照射時間低於Td0，而標記的大小要小於本來的大小。
接下來，CPU101a進行使用了光圈51的區域A2的評估圖案的描繪（步驟S403）。為了使用區域A2描繪評估圖案，例如，使通過開口H51～開口H54、開口H61～開口H64、開口H71～開口H74、開口H81～開口H84的電子射線EBmn以外的電子射線EBmn遮蔽。然後，與評估圖案P1的描繪同樣地，使用16根電子射線EB51～電子射線EB54、電子射線EB61～電子射線EB64、電子射線EB71～電子射線EB74、電子射線EB81～電子射線EB84，來描繪基於評估資料的評估圖案P2。而且，在描繪評估圖案P2時，藉由使電子射線EB51～電子射線EB54、電子射線EB61～電子射線EB64、電子射線EB71～電子射線EB74、電子射線EB81～電子射線EB84間歇地入射至試樣120，而進行多次曝光照射，從而描繪評估圖案P2。
圖30是表示評估圖案P2的SEM圖像Phd2的圖。如圖30所示，藉由基於所述要領描繪標記群MG1～標記群MG4，而描繪出包含標記群MG1～標記群MG4的評估圖案P2。評估圖案P2中，各標記群MG1～標記群MG4分別包含由電子射線EB51～電子射線EB54、電子射線EB61～電子射線EB64、電子射線EB71～電子射線EB74、電子射線EB81～電子射線EB84描繪的16個標記M51～標記M54、標記M61～標記M64、標記M71～標記M74、標記M81～標記M84。
圖30所示的示例中，因劑量的誤差，由電子射線EB62、電子射線EB74、電子射線EB83描繪的標記M62、標記M74、標記M83的大小與本來的大小有所不同。具體而言，關於電子射線EB62、電子射線EB83，藉由照射時間超過Td0，而標記的大小要大於本來的大小。而且，關於電子射線EB74，藉由照射時間低於Td0，而標記的大小要小於本來的大小。
接下來，CPU101a進行使用了光圈51的區域A3的評估圖案的描繪（步驟S404）。為了使用區域A3描繪評估圖案，例如，使通過開口H15～開口H18、開口H25～開口H28、開口H35～開口H38、開口H45～開口H48的電子射線EBmn以外的電子射線EBmn遮蔽。然後，與評估圖案P1、評估圖案P2的描繪同樣地，使用16根電子射線EB15～電子射線EB18、電子射線EB25～電子射線EB28、電子射線EB35～電子射線EB38、電子射線EB45～電子射線EB48，來描繪基於評估資料的評估圖案P3。而且，在描繪評估圖案P3時，藉由使電子射線EB15～電子射線EB18、電子射線EB25～電子射線EB28、電子射線EB35～電子射線EB38、電子射線EB45～電子射線EB48間歇地入射至試樣120，而進行多次曝光照射，從而描繪評估圖案P3。
圖31是表示評估圖案P3的SEM圖像Phd3的圖。如圖30所示，藉由基於所述要領描繪標記群MG1～標記群MG4，而描繪出包含標記群MG1～標記群MG4的評估圖案P3。評估圖案P3中，各標記群MG1～標記群MG4分別包含由電子射線EB15～電子射線EB18、電子射線EB25～電子射線EB28、電子射線EB35～電子射線EB38、電子射線EB45～電子射線EB48描繪的16個標記M15～標記M18、標記M25～標記M28、標記M35～標記M38、標記M45～標記M48。
圖31所示的示例中，因劑量的誤差，由電子射線EB36、電子射線EB38描繪的標記M36、標記M38的大小與本來的大小有所不同。具體而言，關於電子射線EB36，藉由照射時間超過Td0，而標記的大小要大於本來的大小。而且，關於電子射線EB38，藉由照射時間低於Td0，而標記的大小要小於本來的大小。
接下來，CPU101a進行使用了光圈51的區域A4的評估圖案的描繪（步驟S405）。為了使用區域A4描繪評估圖案，例如，使通過開口H55～開口H58、開口H65～開口H68、開口H75～開口H78、開口H85～開口H88的電子射線EBmn以外的電子射線EBmn遮蔽。然後，與評估圖案P1～P3的描繪同樣地，使用16根電子射線EB55～電子射線EB58、電子射線EB65～電子射線EB68、電子射線EB75～電子射線EB78、電子射線EB85～電子射線EB88，來描繪基於評估資料的評估圖案P4。而且，在描繪評估圖案P4時，藉由使電子射線EB55～電子射線EB58、電子射線EB65～電子射線EB68、電子射線EB75～電子射線EB78、電子射線EB85～電子射線EB88間歇地入射至試樣120，而進行多次曝光照射，從而描繪評估圖案P4。
圖32是表示評估圖案P4的SEM圖像Phd4的圖。如圖32所示，藉由基於所述要領描繪標記群MG1～標記群MG4，而描繪出包含標記群MG1～標記群MG4的評估圖案P4。評估圖案P4中，各標記群MG1～標記群MG4分別包含由電子射線EB55～電子射線EB58、電子射線EB65～電子射線EB68、電子射線EB75～電子射線EB78、電子射線EB85～電子射線EB88描繪的16個標記M55～標記M58、標記M65～標記M68、標記M75～標記M78、標記M85～標記M88。
圖32所示的示例中，不存在因劑量的誤差而與本來的大小不同的標記。
若執行所述步驟S402～步驟S405的處理，則藉由電子射線EBmn的多次曝光照射，而在試樣120上描繪出評估圖案P1～評估圖案P4。描繪於試樣120的評估圖案P1～評估圖案P4使用SEM等裝置而圖像化，並作為SEM圖像Phd1～SEM圖像Phd4而記憶於控制裝置101的輔助記憶部101c中。
接下來，CPU101a讀取記憶於輔助記憶部101c的圖16的SEM圖像Ph1與圖29的SEM圖像Phd1。而且，對SEM圖像Ph1與SEM圖像Phd1進行比較，而生成差分圖像Dfd1（步驟S406）。
在SEM圖像彼此的比較中，CPU101a首先使SEM圖像Ph1與SEM圖像Phd1匹配。SEM圖像的匹配是一邊使SEM圖像Phd1相對於SEM圖像Ph1相對移動，一邊運算SEM圖像Phd1的標準化交叉關聯。然後，基於運算結果，使SEM圖像Ph1與SEM圖像Phd1重合。於該狀態時，為SEM圖像Ph1的64個標記與SEM圖像Phd1的64個標記精度佳地重合的狀態。接下來，CPU101a生成SEM圖像Ph1與SEM圖像Phd1的差分圖像Dfd1。另外，SEM圖像為黑白圖像，但亦可視需要將差分圖像Dfd1二值化。
圖33是表示差分圖像Dfd1的圖。如所述般，SEM圖像Phd1的標記M21、標記M24的大小因劑量誤差，而與利用電子射線EB21、電子射線EB24的1次曝光照射所描繪的標記M21、標記M24的大小有所不同。如此，在SEM圖像Ph1的標記Mmn的圖像的大小、與SEM圖像Phd1的標記Mmn的圖像的大小不同的情況下，差分圖像Dfd1為出現表示標記Mmn相互之間的差異的標記MM的圖像。此處，差分圖像Dfd1中出現關於標記M21的標記MM21與關於標記M24的標記MM24。
接下來，CPU101a讀取記憶於輔助記憶部101c的圖17的SEM圖像Ph2與圖30的SEM圖像Phd2。然後，對SEM圖像Ph2與SEM圖像Phd2進行比較，生成差分圖像Dfd2（步驟S407）。
圖34是表示差分圖像Dfd2的圖。如所述般，SEM圖像Phd2的標記M62、標記M74、標記M83的大小因劑量誤差，而與利用電子射線EB62、電子射線EB74、電子射線EB83的1次曝光照射所描繪的標記M62、標記M74、標記M83的大小有所不同。該情況下，差分圖像Dfd2中出現關於標記M62的標記MM62、關於標記M74的標記MM74、及關於標記M83的標記MM83。
接下來，CPU101a讀取記憶於輔助記憶部101c的圖18的SEM圖像Ph3與圖31的SEM圖像Phd3。然後，對SEM圖像Ph3與SEM圖像Phd3進行比較，生成差分圖像Dfd3（步驟S408）。
圖35是表示差分圖像Dfd3的圖。如所述般，SEM圖像Phd3的標記M36、標記M38的大小因劑量誤差，而與利用電子射線EB36、電子射線EB38的1次曝光照射所描繪的標記M36、標記M38的大小有所不同。該情況下，差分圖像Dfd3中出現關於標記M36的標記MM36、關於標記M38的標記MM38。
接下來，CPU101a讀取記憶於輔助記憶部101c的圖19的SEM圖像Ph4與圖32的SEM圖像Phd4。然後，對SEM圖像Ph4與SEM圖像Phd4進行比較，生成差分圖像Dfd4（步驟S409）。
圖36是表示差分圖像Dfd4的圖。如所述般，SEM圖像Phd4的各標記的大小與利用1次曝光照射所描繪的標記的大小相等。該情況下，差分圖像Dfd4中未出現標記MM。
接下來，CPU101a基於差分圖像Dfd1～差分圖像Dfd4，進行電子射線EBmn的劑量的補正（步驟S410）。
劑量的補正基於出現在差分圖像Dfd1～差分圖像Dfd4的標記MM的面積來進行。此處，將差分圖像Dfd1～差分圖像Dfd4的標記MMmn的面積設為Sdmn。面積Sdmn表示以SEM圖像Ph1～SEM圖像Ph4的標記為基準的SEM圖像Phd1～SEM圖像Phd4的標記的面積。因此，在SEM圖像Phd1～SEM圖像Phd4的標記大於SEM圖像Ph1～SEM圖像Ph4的標記的情況下，面積Sd為正的值。相反地，在SEM圖像Phd1～SEM圖像Phd4的標記小於SEM圖像Ph1～SEM圖像Ph4的標記的情況下，面積Sd為負的值。
電子射線EBmn的每一次曝光照射的照射時間的誤差Dsmn可作為以面積Sdmn為變量的函數G（Sdmn）來表示。因此，CPU101a基於下述數式（13）算出關於各電子射線EBmn的誤差Dsmn。 Dsmn＝G（Sdmn） …（13）
CPU101a若算出誤差Dsmn，則基於下述數式（14）補正電子射線EBmn的照射時間Tbmn，並算出新的照射時間Tamn。 Tamn＝Tbmn＋Dsmn …（14）
例如第1實施形態中所說明般，在運算出照射時間Td1(i)~照射時間Td4(i)的情況下，照射時間Td1(i)~照射時間Td4(i)藉由以下的數式而補正，並算出新的照射時間TAd1(i)~照射時間TAd4(i)。
TAd1(i)=Td1(i)+Dsmn
TAd2(i)Td2(i)+Dsmn
TAd3(i)Td3(i)+Dsmn
TAd4(i)=Td4(i)+Dsmn
CPU101a若針對64根電子射線EBmn的各個算出補正後的照射時間TAd1(i)~照射時間TAd4(i)，則將該照射時間TAd1(i)~照射時間TAd4(i)保存於輔助記憶部，從而結束補正處理。
電子射線描繪裝置10中，當描繪圖案時，基於所算出的照射時間TAd1(i)~照射時間TAd4(i)，來照射電子射線EBmn。由此，針對每根電子射線EBmn，補正每一次曝光照射的劑量的誤差，從而可使電子射線EBmn以成為基於設計值的劑量的方式入射至試樣120。
如以上說明般，本實施形態中，針對各電子射線EBmn，補正每一次曝光照射的劑量的誤差(步驟S410)。因此，各電子射線EBmn相互之間的每一次曝光照射的劑量中無差異，結果，能夠使用多根電子射線EBmn精度佳地對試樣描繪圖案。
本實施形態中，藉由補正處理(步驟S301~步驟S312），調整由設置於光圈51的開口Hmn的面積的不均所引起的劑量的不均。而且，補正由電子射線EBmn的曝光照射動作所引起的劑量的誤差。因此，能夠以目標劑量對試樣描繪圖案。
多波束方式的電子射線描繪裝置中，一般使用1000根以上的電子射線進行圖案的描繪。因此，在將來自電子槍30的電子射線多束化的光圈51中，實際設置著多數個開口。因此，先前難以評估光圈51的開口的面積不均。而且，關於各電子射線的劑量，由於遮蔽信號的上升或下降的延遲，會產生相對於目標量的誤差。將由遮蔽信號等引起的劑量的誤差與由開口的面積的不均引起的劑量的誤差加以分離相對困難。然而，藉由進行本實施形態的劑量補正處理，能夠精度佳地補正由遮蔽信號等引起的劑量的誤差。
而且，本實施形態中，可基於出現在差分圖像的標記MM的面積來定量地求出由遮蔽信號等引起的劑量的誤差。因此，不僅能夠正確地評估劑量的誤差，亦能夠正確地評估光圈51的開口的面積的不均。
另外，本實施形態中，對於構成評估圖案P1～評估圖案P4的標記M，作為一例是利用4次曝光照射來進行描繪。不限於此，亦可對標記M例如利用電子射線的2次或3次曝光照射來進行描繪，還可利用電子射線的5次以上的曝光照射來進行描繪。
本實施形態的劑量補正處理中，可根據差分圖像來算出劑量的誤差，所述差分圖像是將表示利用互不相同的曝光照射數所描繪的評估圖案P1～評估圖案P4的SEM圖像彼此加以比較所獲得。本實施形態中，使用差分圖像Dfd1～差分圖像Dfd4來進行劑量的評估，所述差分圖像Dfd1～差分圖像Dfd4是根據具有利用1次曝光照射所描繪的標記M的SEM圖像Ph1～SEM圖像Ph4、與具有利用N次曝光照射所描繪的標記M的SEM圖像Phd1～SEM圖像Phd4所求出。不限於此，亦可使用如下的差分圖像Dfd1～差分圖像Dfd4來進行劑量的評估，所述差分圖像Dfd1～差分圖像Dfd4是根據具有利用次數不同的例如M次曝光照射所描繪的標記M的SEM圖像Ph1～SEM圖像Ph4、與具有利用N次曝光照射所描繪的標記M的SEM圖像Phd1～SEM圖像Phd4所求出。其中，M≠N。
以上，已對本實施形態進行了說明，但本發明不限於所述實施形態。例如，所述實施形態中，是使用基於SEM圖像Ph1～SEM圖像Ph4而生成的差分圖像來評估光圈51的各區域A1～區域A4。但SEM圖像Ph1～SEM圖像Ph4彼此的比較並不限於此。例如，亦可設為藉由對SEM圖像的各區域的亮度平均等進行比較，來評估光圈51的各區域A1～區域A4。
所述實施形態中，如圖11所示，對將光圈51分割為4個區域A1～區域A4的情況進行了說明。不限於此，亦可將光圈51分割為5個以上的區域。
所述實施形態中，對使用藉由所有電子射線EBmn描繪的評估圖案P0來進行光圈51的評估的情況進行了說明。不限於此，例如，對由所有電子射線EBmn描繪的評估圖案P0，亦可使用一部分電子射線來描繪。該情況下，例如對評估圖案P0，考慮使用電子射線EB1m、電子射線EB3m、電子射線EB5m、電子射線EB7m來進行描繪，或使用電子射線EBn1、電子射線EBn3、電子射線EBn5、電子射線EBn7來進行描繪。
所述實施形態中，對光圈51中形成著64個開口Hmn的情況進行了說明。不限於此，光圈51中亦可形成63個以下的開口，還可形成65個以上的開口。
所述實施形態中，設為電子射線描繪裝置10的控制裝置101執行評估處理及補正處理。不限於此，亦可由與電子射線描繪裝置10不同的檢查裝置、或電腦執行評估處理或補正處理。
所述實施形態中，對使用評估圖案的SEM圖像Ph0～SEM圖像Ph4進行評估處理等的情況進行了說明。不限於此，在檢查裝置或電子射線描繪裝置10具有用以觀察評估圖案的功能的情況下，亦可代替SEM圖像，而使用由所述裝置等攝像的圖像來進行評估處理等。
所述各實施形態的控制裝置101的功能可由專用的硬體實現，而且，亦可由通常的電腦系統而實現。記憶於控制裝置101的輔助記憶部101c的程式可為以儲存在軟碟、唯讀光碟記憶體（Compact Disk Read-Only Memory，CD-ROM），數位通用磁碟（Digital Versatile Disk，DVD）等電腦可讀取的記錄介質的狀態而分佈者。而且，亦可經由網際網路將所述程式安裝於電腦，藉此將程式記憶於輔助記憶部101c。
所述程式的全部或一部分例如在伺服器上執行，經由通信網路接收與所述執行結果相關的資訊的控制裝置101亦可執行所述處理（步驟S101～步驟S410）。
已對本發明的幾個實施形態進行了說明，但該些實施形態是作為示例而提示者，並未意圖限定發明的範圍。該些新穎的實施形態可由其他各種形態來實施，在不脫離發明的主旨的範圍內可進行各種省略、置換、變更。該些實施形態或其變形包含於發明的範圍或要旨內，並且包含於申請專利範圍記載的發明及其均等的範圍內。
10‧‧‧電子射線描繪裝置
20‧‧‧照射裝置
30‧‧‧電子槍
41、42、43‧‧‧透鏡
51、52‧‧‧光圈
61‧‧‧遮蔽單元
62‧‧‧偏向器
70‧‧‧平台
80‧‧‧真空腔室
80a‧‧‧照明腔室
80b‧‧‧鏡筒
100‧‧‧控制系統
101‧‧‧控制裝置
101a‧‧‧CPU
101b‧‧‧主記憶部
101c‧‧‧輔助記憶部
101d‧‧‧輸入部
101e‧‧‧顯示部
101f‧‧‧介面部
101g‧‧‧系統匯流排
102‧‧‧電源裝置
103‧‧‧透鏡驅動裝置
104‧‧‧遮蔽放大器
105‧‧‧偏向放大器
106‧‧‧平台驅動裝置
120‧‧‧試樣
610‧‧‧基板
611、612‧‧‧電極
A1～A4、AA1～AA4‧‧‧區域
BK、BKmn‧‧‧遮蔽器
C1‧‧‧圓形區域
Df1～Df4、Dfd1～Dfd4‧‧‧差分圖像
EB、EBmn、EB11～EB88‧‧‧電子射線
E1～E4、H、H11～H88、H1n～H8n、HH、HH11~HH88、HHmn、Hmn、Hm1～Hm8、‧‧‧開口
M、M11～M88、M1n～M8n、Me、MM21、MM24、MM36、MM37、MM38、MM62、MM74、MM76、MM78、MM83、MM88、Mmn、Mm1～Mm8、Ms‧‧‧標記
MG1～MG4‧‧‧標記群
Mx、My‧‧‧反射鏡
P0、P1、P2、P3、P4‧‧‧評估圖案
Ph0～Ph4、Phd1～Phd4‧‧‧SEM圖像
X、Y、Z‧‧‧軸
S101～S410‧‧‧步驟
圖1是表示本實施形態的電子射線描繪裝置的概略構成的圖。 圖2是光圈的俯視圖。 圖3是電子槍、透鏡、光圈、遮蔽（blanking）單元的立體圖。 圖4是遮蔽單元的俯視圖。 圖5是將遮蔽器放大表示的立體圖。 圖6是控制裝置的框圖。 圖7是評估圖案描繪處理的流程圖。 圖8是表示評估圖案的掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscope，SEM）圖像的圖。 圖9是用以說明光圈的開口形狀的圖。 圖10是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖11是表示由光圈規定的區域的圖。 圖12是用以說明評估圖案的描繪程序的圖。 圖13是用以說明評估圖案的描繪程序的圖。 圖14是用以說明評估圖案的描繪程序的圖。 圖15是用以說明評估圖案的描繪程序的圖。 圖16是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖17是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖18是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖19是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖20是評估處理的流程圖。 圖21是表示差分圖像的圖。 圖22是表示由差分圖像規定的區域的圖。 圖23是概念性地表示使用了差分圖像的評估的圖。 圖24是補正處理的流程圖。 圖25是光圈的俯視圖。 圖26是表示由光圈規定的區域的圖。 圖27是表示描繪於試樣的標記的圖。 圖28是表示劑量補正處理的流程圖。 圖29是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖30是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖31是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖32是表示評估圖案的SEM圖像的圖。 圖33是表示差分圖像的圖。 圖34是表示差分圖像的圖。 圖35是表示差分圖像的圖。 圖36是表示差分圖像的圖。

Claims (8)

  1. 一種評估方法，用以對形成著多個開口的光圈的精度進行評估，且包括下述步驟：使用藉由電子射線通過所述光圈而生成的多根電子射線，來描繪基於評估資料的第1評估圖案，其中所述評估資料包括多個標記；將所述光圈分割為包含多個所述開口的多個區域，規定多個分割區域；使用通過多個所述分割區域中的任一個第1分割區域的電子射線，來描繪基於所述評估資料且與所述第1評估圖案不同的第2評估圖案；對所述第1評估圖案的標記的大小、與對應於所述第1評估圖案的標記的所述第2評估圖案的標記的大小進行比較，所述評估圖案包括藉由所述各電子射線而描繪的所述標記；以及基於所述第1評估圖案的標記的大小、與對應於所述第1評估圖案的標記的所述第2評估圖案的標記的大小的偏差，來評估所述光圈的精度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的評估方法，其中在描繪所述第2評估圖案的步驟中，針對每個所述分割區域描繪所述第2評估圖案。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的評估方法，其中在描繪所述第1評估圖案的步驟中，針對每個所述分割區域，分別描繪所述第2評估圖案，在對所述第1評估圖案與所述第2評估圖案進行比較的步驟中，對所述第1評估圖案與所述第2評估圖案各自進行比較。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的評估方法，其中在對所述第1評估圖案與所述第2評估圖案進行比較的步驟中，針對每個所述分割區域來比較所述第1評估圖案與所述第2評估圖案。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的評估方法，其中在評估所述光圈的精度的步驟中，根據評估為臨限值以下的所述分割區域的數量，來評估所述光圈的精度。
  6. 一種補正方法，用以對通過形成著多個開口的光圈的多根電子射線各自的劑量進行補正，且包括下述步驟：實施如申請專利範圍第1項所述的評估方法；求出第1補正值，所述第1補正值基於所述第2評估圖案所含的所述標記各自的大小相對於預先設定的基準圖案的標記之差；基於所述評估方法的評估結果，求出第2補正值，所述第2補正值基於所述第2評估圖案所含的所述標記的大小與所述第1評估圖案的標記大小之差；以及基於所述第1補正值，對通過了所述第1分割區域的電子射線的劑量進行補正，基於所述第1補正值與所述第2補正值之和，對通過了所述第1分割區域以外的所述分割區域的電子射線的劑量進行補正。
  7. 一種程式，用以使具有形成著多個開口的光圈的電子射線描繪裝置的控制裝置執行下述程序：使用藉由電子射線通過所述光圈而生成的多根電子射線，來描繪基於評估資料的第1評估圖案，其中所述評估資料包括多個標記；將所述光圈分割為包含多個所述開口的多個區域，規定多個分割區域；使用通過多個所述分割區域中的任一個第1分割區域的電子射線，來描繪基於所述評估資料且與所述第1評估圖案不同的第2評估圖案；對所述第1評估圖案的標記的大小、與對應於所述第1評估圖案的標記的所述第2評估圖案的標記的大小進行比較，所述評估圖案包括藉由所述各電子射線而描繪的所述標記；以及基於所述第1評估圖案的標記的大小、與對應於所述第1評估圖案的標記的所述第2評估圖案的標記的大小的偏差，來評估所述光圈的精度。
  8. 一種電子射線描繪裝置，具有形成著多個開口的光圈，對試樣描繪圖案，且包括：記憶裝置，記憶有進行如下程序的程式，即，使用藉由電子射線通過所述光圈而生成的多根電子射線，來描繪基於評估資料的第1評估圖案，其中所述評估資料包括多個標記，將所述光圈分割為包含多個所述開口的多個區域，規定多個分割區域，使用通過多個所述分割區域中的任一個第1分割區域的電子射線，來描繪基於所述評估資料且與所述第1評估圖案不同的第2評估圖案，對所述第1評估圖案的標記的大小、與對應於所述第1評估圖案的標記的所述第2評估圖案的標記的大小進行比較，所述評估圖案包括藉由所述各電子射線而描繪的所述標記，基於所述第1評估圖案的標記的大小、與對應於所述第1評估圖案的標記的所述第2評估圖案的標記的大小的偏差，來評估所述光圈的精度；以及控制裝置，執行記憶於所述記憶裝置的所述程式。
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