TWI489512B - Drift correction method and method of making data - Google Patents

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Description

漂移修正方法及描繪資料之作成方法
本發明，係有關於漂移修正方法以及描繪資料之作成方法，更詳細而言，係有關於被適用在荷電粒子束描繪裝置中之漂移修正方法以及描繪資料之作成方法。
在半導體元件之電路圖案的形成工程中，係使用有作為原版之遮罩。在此種遮罩之製造工程中，係利用有電子束微影技術。
電子束微影技術，由於係使用有荷電粒子束，因此係本質性地具備有優良之解析度。又，亦由於能夠確保有大的焦點深度，因此係有著就算是在高的階差上也能夠對於尺寸之變動作抑制的優點。進而，在此技術中所使用之電子束描繪裝置，係具備有對於複雜且被作任意設計之電路圖案進行資料處理並作描繪的系統。
由於上述理由，電子束微影技術，係除了被適用在以DRAM(Dynamic Random Access Memory)作為代表之最先進的元件之開發中以外，亦被使用在一部分之ASIC(Application Specific Integrated Circuit)的生產中。進而， 近年來，關於使用電子束來對於晶圓直接描繪電路圖案之技術的開發，亦係日益進行。
在日本特開平9-293670號公報中，係揭示有在電子束微影技術中所使用之可變成形型電子束描繪裝置。
在電子束描繪裝置中之描繪資料，係藉由對於使用CAD(Computer Aided Design)系統所設計的半導體積體電路等之設計資料(CAD資料)，而施加修正或圖形圖案之分割等的處理，並進而將其分割成相同寬幅之複數的條帶，而製作之。條帶之寬幅，係為能夠藉由主偏向而作偏向之寬幅。進而，各條帶係被分割成多數之副偏向區域。藉由此，晶片全體之描繪資料，係成為由依存於主偏向區域之尺寸的複數之帶狀的條帶資料在條帶內之較主偏向區域而更小之複數的副偏向區域單位所成之資料階層構造。
在對於被載置在平台上之遮罩而描繪圖案時，係一面使平台朝向與條帶之寬幅方向相正交的方向移動，一面將電子束在各副偏向區域中作定位。之後，對於副偏向區域之特定位置而照射電子束。
但是，若是在電子束描繪裝置內而對於被載置在平台上之遮罩照射電子束，則會產生反射電子。此反射電子，係會與電子束描繪裝置內之光學系或檢測器等相碰撞並被充電，起因於此，會產生新的電場。如此一來，被朝向遮罩而作了偏向的電子束之軌道會改變，並導致描繪位置從所期望之位置而偏離的漂移。
產生漂移之原因，雖然並非為僅由於上述之理由所導 致者，但是，不論如何，均需要在描繪之途中而檢測出平台上之基準記號的位置並測定出漂移量，再以使描繪位置成為所期望之位置的方式而進行修正。具體而言，首先，係在即將進行描繪之前，求取出基準記號之座標，接著，在描繪中使描繪動作暫時停止，並再度求取出基準記號之座標。此座標和之前的座標間之差，由於係成為漂移量，因此，係使用所得到之值來對於電子束之描繪位置進行修正。
在先前技術之方法中，於描繪途中所進行之基準記號的位置檢測，係以特定之時間間隔來進行。具體而言，係依據預先所設定了的修正區間(interval)，來在直到條帶終端為止地而結束了描繪之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號作掃描而檢測出其位置。之後，將對於所檢測出之位置和前一次所檢測出之位置間的差分進行線性內插所得到之值，定義為直到下一次之檢測為止的位置變動量，並進行修正。於此，在漂移修正後所容許之誤差，係有必要設為相較於遮罩圖案之位置精確度而為充分小者。
近年來，伴隨著半導體積體電路之高積體化，電路圖案係更加細微化以及複雜化。故而，對於遮罩所要求之圖案的位置精確度亦係日益提高，針對漂移修正後之誤差，亦要求能夠更加縮小。然而，當依據預先所設定之修正區間來進行漂移修正的情況時，為了將修正誤差縮小，係有必要增加漂移量之測定次數，其結果，全體之描繪時間會 變長，而造成問題。
本發明，係為有鑑於此種問題而進行者。亦即是，本發明之目的，係在於提供一種能夠將在先前技術中係為難以檢測的漂移檢測出來而使修正精確度提昇之漂移修正方法、以及適合於此種漂移修正方法的描繪資料之作成方法。
本發明之其中一種實施形態之漂移修正方法，係以與藉由荷電粒子束所在試料上描繪之圖案的面積密度相對應之寬幅，來將前述試料之描繪區域分割成複數之條帶，並當針對條帶之至少1個而結束了描繪時、或者是當正在對於條帶之其中一者進行描繪時，將描繪停止並對於漂移量作測定，而使用前述漂移量來對於前述荷電粒子束之照射位置進行修正。
B‧‧‧電子束
M‧‧‧遮罩
1‧‧‧描繪室
2‧‧‧電子光學鏡筒
3‧‧‧平台
3a‧‧‧反射鏡
4‧‧‧記號台
7‧‧‧照射控制部
10‧‧‧全體控制部
11‧‧‧記憶體
12‧‧‧平台位置測定手段
13‧‧‧佈局資料產生電路
14‧‧‧漂移量測定電路
15‧‧‧漂移修正量演算電路
16‧‧‧加算器
17‧‧‧圖案面積密度演算電路
18‧‧‧條帶寬幅決定資訊取得電路
19‧‧‧條帶產生電路
51‧‧‧描繪區域
52‧‧‧條帶
53‧‧‧副偏向區域
101‧‧‧電子槍
102‧‧‧照明透鏡
103‧‧‧遮沒偏向器
104‧‧‧遮沒光圈
105‧‧‧第1成形光圈
106‧‧‧投影透鏡
107‧‧‧成形偏向器
108‧‧‧第2成形光圈
109‧‧‧主偏向器
110‧‧‧對物透鏡
111‧‧‧副偏向器
[圖1]對於本實施形態之電子束描繪裝置的構成作展示之概念圖。
[圖2]由電子束所致之描繪方法的說明圖。
[圖3]係為本實施形態之比較例，而為條帶之寬幅全部為相同之例。
[圖4]由本實施形態所致之條帶寬幅為相異之例。
[圖5]對於歷時性之漂移的變化量和漂移修正之時間 間隔互為相異的2個例子作展示之圖。
[圖6]藉由本實施形態來對於漂移修正方法和描繪資料之作成方法作說明的圖。
[圖7]針對漂移修正殘差之時間變化，而對於本實施形態和先前技術之方法作了比較的例子。
圖1，係展示對於遮罩M之表面照射電子束B並描繪所期望之圖案的電子束描繪裝置。此電子束描繪裝置，係具備有描繪室1、和立設於描繪室1之頂板部處的身為電子束照射手段之電子光學鏡筒2。
在描繪室1中，係配置有平台3。又，在平台3之上，係載置有遮罩M。遮罩M，係為成為電子束之描繪對象的試料之其中一例，例如，係為在玻璃基板上層積有鉻膜等之遮光膜和光阻膜者。
平台3，係能夠朝向與電子束B之光軸方向相正交的X方向以及Y方向移動。在平台3之上，係立設有記號台4。在記號台4處，係設置有未圖示之基準記號。基準記號，較理想，係使用電子之反射率為與遮罩M相同程度的材料來形成之。又，基準記號之形狀，係可設為矩形、圓形、三角形或者是十字形等。
電子束描繪裝置，係在描繪途中而檢測出基準記號之位置。藉由此，來測定出束漂移量，並以使描繪位置成為所期望之位置的方式來進行修正。例如，首先，係在即將 進行描繪之前，求取出基準記號之座標，接著，在描繪中使描繪動作暫時停止，並再度求取出基準記號之座標。例如，係藉由電子束而在基準記號上進行掃描，並將其之反射電子導入至檢測器中。藉由對於所得到之波形進行解析，係能夠檢測出基準記號之位置。接著，求取出與先前座標間之差，而檢測出束漂移量。另外，亦可並不設置記號台4，而在遮罩M之上設置基準記號。
在圖1中，電子光學鏡筒2，係為在將從內藏之電子槍101所發出的電子束B成形為所需要之剖面形狀之後，使其作偏向並照射至遮罩M處的部份。
在電子光學鏡筒2之內部，係在圖1中從上方起而依序被配置有電子槍101、照明透鏡102、遮沒偏向器(遮沒器)103、遮沒光圈104、第1成形光圈105、投影透鏡106、成形偏向器107、第2成形光圈108、主偏向器109、對物透鏡110、副偏向器111。
從電子槍101所發射之電子束B，係藉由照明透鏡102而被照射至第1成形光圈105處。另外，在遮沒ON時(非描繪時期)，電子束B係藉由遮沒偏向器103而被偏向，並被照射至遮沒光圈104之上，而並不會被照射至第1成形光圈105處。
在第1成形光圈105處，係被設置有矩形狀之開口。藉由此，電子束B，在透過第1成形光圈105時，其剖面形狀係被成形為矩形。之後，電子束B，係藉由投影透鏡106，而被投影至第2成形光圈108之上。於此，成形偏 向器107，係使對於第2成形光圈108之電子束B的投影場所改變。藉由此，電子束B之形狀和尺寸係被作控制。
透過了第2成形光圈108之後的電子束B之焦點，係藉由對物透鏡110而被合焦於遮罩M之上。之後，藉由主偏向器109和副偏向器111，在遮罩M上之電子束B的照射位置係被作控制。
在描繪室1和電子光學鏡筒2處之電子束B的形狀和照射位置、照射之時序等，係藉由全體控制部10來經由照射控制部7而作控制。
於此，在進行電子束描繪時，首先係設計半導體積體電路之佈局，接著，產生圖案佈局，亦即是產生對於應描繪之圖形的形狀和位置作了定義的佈局資料(設計資料)。佈局資料，係在更進而經過了複數之資料處理之後，作為描繪資料而產生。描繪，係依據此描繪資料而進行。
在全體控制部10處，係被連接有身為記憶媒體之記憶體11。在記憶體11中，係記憶有圖案資料。全體控制部10，係基於從記憶體11而來之圖案資料，而作成佈局資料。
設計者(使用者)所作成之CAD資料，係被轉換為OASIS等之被作了階層化的格式之設計中間資料。在設計中間資料中，係儲存有對於每一層(layer)而分別作成並被形成在各遮罩上之圖案資料(設計圖案資料)。在記憶體11中，係記憶有此圖案資料。
於此，一般而言，電子束描繪裝置，係並未構成為將 OASIS資料直接作讀入。亦即是，電子束描繪裝置之製造廠商，係分別使用有獨自之格式資料。因此，OASIS資料，係先對於每一層而將其轉換為在各電子束描繪裝置中所固有的格式資料，之後再輸入至裝置中。
在全體控制部10處，係經由記憶體11而被輸入有格式資料。在圖案資料中所包含的圖形，由於係為將長方形或三角形作為基本圖形者，因此，在全體控制部10中，係作成例如身為圖形之基準位置處的座標(x，y)、邊的長度、對於長方形或三角形等之圖形種類作區分的成為識別元之圖形碼之類的資訊之對於各圖案圖形的形狀、大小、位置等作了定義之佈局資料。
進而，在數十μm程度之範圍中所存在的圖形之集合，一般而言係稱作叢集或是胞，並進行有使用此來將資料作階層化之操作。在叢集或是胞中，係亦對於將各種圖形作單獨配置或者是以某一間隔來作反覆配置的情況時之配置座標和反覆記述有所定義。
佈局資料，係以藉由電子束B之尺寸所規定的最大擊射尺寸單位來作分割，並且對於被分割了的各擊射之座標位置、尺寸以及照射時間作設定。之後，以因應於所描繪之圖形圖案的形狀和大小來成形擊射的方式，而作成描繪資料。描繪資料，係被區分成短籤狀之條帶單位，並進而於其之中分割出副偏向區域。亦即是，晶片全體之描繪資料，係成為由複數之帶狀的條帶單位在被配置在條帶內之複數的副偏向區域單位所成之資料階層構造。
電子束描繪裝置，係具備有對於平台3之X方向以及Y方向的位置作測定之平台位置測定手段12。平台位置測定手段12，係具備有藉由對於固定在平台3處之平台鏡3a的雷射光之射入、反射而測定平台3之位置的雷射測長計。
照射控制部7，係基於從全體控制部10所輸入之描繪資料，而一面對於藉由平台位置測定手段12所測定了的平台3之位置作確認，一面進行電子光學鏡筒2內之電子束B的成形控制和偏向控制，而對於遮罩M之必要的位置照射電子束B。
圖2，係為由電子束所致之描繪方法的說明圖。如此圖中所示一般，遮罩M之描繪區域51，係被分割成複數之短籤狀的條帶52。由電子束B所致之描繪，係一面使平台3朝向一方向(例如，X方向)連續移動，一面對於每一條帶52而進行之。條帶52，係進而被分割成複數之副偏向區域53，電子束B，係僅對於副偏向區域53內之必要的部份作描繪。另外，在圖2中，係將各條帶52之寬幅設為相同。於此情況，通常，條帶52，係為藉由主偏向器109之偏向寬幅而決定之短籤狀的區域，而副偏向區域53，係為藉由副偏向器111之偏向寬幅所決定的單位區域。
副偏向區域53之基準位置的定位，係藉由主偏向器109而進行，副偏向區域53內之描繪，係藉由副偏向器111而作控制。亦即是，藉由主偏向器109，電子束B係 被定位在特定之副偏向區域53中，並藉由副偏向器111，而決定在副偏向區域53內之描繪位置。進而，係藉由成形偏向器107和第1成形光圈105以及第2成形光圈108，而決定電子束B之形狀和尺寸。之後，一面使平台3朝向一方向作連續移動，一面在副偏向區域53內進行描繪，若是結束了1個的副偏向區域53之描繪，則對於下一個副偏向區域53進行描繪。若是結束了對於條帶52內之全部的副偏向區域53之描繪，亦即是到達了條帶終端(條帶之末端)，則係使平台3朝向與進行連續移動之方向相正交的方向(例如，Y方向)而作步進移動。之後，反覆進行同樣的處理，而對於條帶52依序進行描繪。
副偏向區域53，係為藉由副偏向器111來相較於主偏向區域而更為高速地使電子束B進行掃描描繪之區域，一般而言，係成為最小描繪單位。在對於副偏向區域53內進行描繪時，係藉由成形偏向器107而形成因應於圖案圖形所準備的尺寸和形狀之擊射。具體而言，從電子槍101所射出之電子束B，係在第1成形光圈105處而被成形為矩形狀，之後，藉由成形偏向器107而被投影至第2成形光圈108處，而使其之束形狀和尺寸作改變。之後，電子束B，係藉由副偏向器111和主偏向器109而被作偏向，並照射至被載置於平台3上之遮罩M處。
在先前記述中，係依據預先所設定了的修正區間(interval)，來在直到條帶終端為止地而結束了描繪之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子 束來對於基準記號作掃描而檢測出其位置，接著，將對於所檢測出之位置和前一次檢測出之位置間的差分進行線性內插所得到之值，作為直到下一次之檢測為止的位置變動量而進行漂移修正。於此情況，漂移量之測定係以一定之時間間隔來進行。故而，若是想要將修正誤差縮小，則係有必要將測定之時間間隔縮短並增加基準記號之檢測次數。然而，此事係會導致描繪時間之增加。
在先前技術之方法中，描繪資料係被分割為相同寬幅之複數的條帶。相對於此，在本實施形態中，係因應於被描繪在遮罩M上之圖案的面積密度，來改變條帶之寬幅。更詳細而言，係藉由與被描繪在遮罩M上之圖形圖案的面積密度相對應之寬幅，來將遮罩M之描繪區域分割成複數之條帶。描繪資料，係藉由將被定義有圖形圖案之佈局資料分割為與此圖形圖案之面積密度相對應的寬幅之複數的條帶，而得到之。
在本實施形態中，條帶之寬幅，係如同下述一般地決定。但是，係並不被限定於此。
首先，將描繪區域分割為成為基準之寬幅的條帶，並且將描繪區域以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域。於此，所謂「成為基準之寬幅」，係可適宜作設定，但是，其之上限，係為主偏向器之偏向寬幅的最大值，下限係為較0更大之值，例如，係可設為副偏向器之偏向寬幅。另外，網格，係可設為與在(後述)重疊修正中而算出圖形之面積密度時所使用的網格相同者。接著，針 對每一小區域而算出圖案之面積密度，並求取出在成為基準之寬幅的條帶中所包含之小區域的面積密度之平均值。此平均值，係為本實施形態中之圖案的面積密度。之後，因應於所得到之平均值，而對於成為基準之寬幅進行調整。例如，當面積密度之平均值為較特定值更大的情況時，係設為較成為基準之寬幅而更窄的寬幅、更詳細而言，係設為較0更大之值且較成為基準之寬幅而更小之值的條帶。另一方面，當面積密度之平均值為較特定值更小的情況時，係設為較成為基準之寬幅而更廣的寬幅、更詳細而言，係設為主偏向器之偏向寬幅的最大值以下且較成為基準之寬幅而更大之值的條帶。另外，亦可求取出在成為基準之寬幅的條帶中所包含之小區域的面積密度之最大值，並因應於此最大值來對於成為基準之寬幅進行調整。或者是，亦可求取出在成為基準之寬幅的條帶中所包含之小區域的面積密度之最小值，並因應於此最小值來對於成為基準之寬幅進行調整。
在圖案之面積密度和漂移量之間，係存在有相關，一般而言，若是圖案之面積密度越大，則漂移量係變得越大。因此，例如，當在1個條帶中之圖案的面積密度之平均值為50%以上的情況時，係將條帶在與其之寬幅方向相正交的方向上而分割為2。藉由此，由於條帶終端係成為2倍，因此係能夠將在直到描繪至條帶終端為止之後而檢測出基準記號之位置的動作設為2倍。又，條帶之寬幅，由於係變成成為基準之條帶寬幅的一半，因此，直到描繪 至條帶終端處為止所需要的時間係變短。亦即是，針對由電子束所致之基準記號的位置檢測，由於係能夠將直到下一次之檢測為止的時間縮短，因此，係成為能夠將在先前技術中會被忽略掉的漂移檢測出來。藉由此，係成為能夠相較於先前技術而將漂移修正之精確度更加提昇。
另一方面，當圖案之面積密度為小的情況時，由於可以預測到漂移量係會變小，因此係能夠將條帶寬幅相較於基準值而更加擴大。藉由此，由於係能夠將檢測出基準記號的次數減少，因此，與起因於將條帶寬幅縮窄一事所增加的基準記號之檢測次數相抵消，係能夠對於全體之描繪時間的增加作抑制。
圖3，係為本實施形態之比較例，而為條帶之寬幅全部為相同之基準寬幅之例。S101~S108，係分別對於條帶作展示。
在圖3中，例如，針對S101，係在一直描繪至條帶終端處之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號之位置作掃描而檢測出其位置。接著，對於S102進行描繪，並接著對於S103進行描繪。在一直描繪至S103之條帶終端處之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號之位置作掃描而檢測出其位置。之後，將對於所檢測出之位置和前一次所檢測出之位置間的差分進行線性內插所得到之值，定義為直到下一次之檢測為止的位置變動量，並進行漂移修正。
接著，對於S104進行描繪，並接著對於S105進行描繪。在一直描繪至S105之條帶終端處之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號之位置作掃描而檢測出其位置。同樣的，對於S106進行描繪，並接著對於S107進行描繪，之後，照射電子束並檢測出基準記號之位置。之後，將對於所檢測出之位置和前一次所檢測出之位置間的差分進行線性內插所得到之值，定義為直到下一次之檢測為止的位置變動量，並進行漂移修正，之後，對於S108進行描繪。
如圖3中所示一般，當條帶之寬幅全部為相同的情況時，若是想要將修正精確度提高，則係成為將基準記號之檢測次數增加。此事係會導致全體的描繪時間之增加。
圖4，係為由本實施形態所致之條帶寬幅為相異之例。另外，被描繪在遮罩M上之圖案，係設為與圖3之例相同。
在圖4中，S203、S204以及S208，係均為與圖3之條帶寬幅相同。於此，係將此些之寬幅設為成為基準之條帶寬幅。
S201、S202、S206以及S207之各條帶寬幅，係較成為基準之條帶寬幅而更窄。相對於此，S205和S209之各條帶寬幅，係較成為基準之條帶寬幅而更廣。
在本實施形態中，係在針對條帶的至少一者而結束了描繪之後，對於漂移量作測定。另外，漂移量之測定的時序，係在開始描繪前而預先作了決定。
例如，針對S201，在一直描繪至條帶終端處之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號之位置作掃描而檢測出其位置。接著，針對S202而一直描繪至條帶終端處，並同樣的藉由電子束而檢測出基準記號之位置。將對於所檢測出之位置和前一次所檢測出之位置間的差分進行線性內插所得到之值，作為直到下一次之檢測為止的位置變動量，並進行漂移修正。
針對S203，亦同樣的，在一直描繪至條帶終端處之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號之位置作掃描而檢測出其位置。接著，依序對於S204、S205作描繪，之後，在一直描繪至S206之條帶終端處之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號之位置作掃描而檢測出其位置。之後，將對於所檢測出之位置和前一次所檢測出之位置間的差分進行線性內插所得到之值，定義為直到下一次之檢測為止的位置變動量，並進行漂移修正。
接著，在一直描繪至S207之條帶終端處之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號之位置作掃描而檢測出其位置。針對S208，亦為相同。之後，將對於所檢測出之位置和前一次所檢測出之位置間的差分進行線性內插所得到之值，定義為直到下一次之檢測為止的位置變動量，並進行漂移修 正，之後，對於S209進行描繪。
藉由如同圖4一般地對於條帶寬幅作改變，係能夠對於全體之描繪時間的增加作抑制，並且亦將漂移修正之精確度提昇。針對此點，一面與圖3之例作比較一面進行說明。
在圖4中，S201和S202，假設係分別為將成為基準之條帶在與其之寬幅方向相正交的方向上而分割為2所得到者。另一方面，圖3之條帶寬幅，係均為成為基準之條帶寬幅。故而，於此情況，圖3之S101之寬幅，係與圖4之S201和S202的合計寬幅相一致。
在圖3中，針對S101，係在一直描繪至條帶終端處之後，使電子束之照射位置一直移動至基準記號處，並藉由電子束來對於基準記號之位置作掃描而檢測出其位置。相對於此，在圖4中，針對S201，係在一直描繪至條帶終端處之後，檢測出基準記號之位置。接著，針對S202而一直描繪至條帶終端處，並同樣的檢測出基準記號之位置。亦即是，在圖3之例中的從描繪開始起直到檢測出基準記號之位置為止的期間中，於圖4之例中係成為將基準記號之位置作2次的檢測。
若是假設在S101中之圖案的面積密度為較在S102中之圖案的面積密度更大，則可以預想到，在S101中之漂移量係會較在S102中之漂移量更大。因此，若是花費與S102相同之描繪時間來對於S101作描繪，則會有無法充分地檢測出漂移之虞。
相對於此，在圖4之例(S201和S202)中，由於係在圖3之例(S101)的將基準記號作一次之檢測的期間中，而進行了2次的檢測，因此，係成為亦能夠檢測出在圖3之例中所無法檢測出的漂移。故而，若依據圖4之例，則係能夠相較於圖3之例而將漂移修正精確度更加提昇。
另外，一般而言，在剛開始進行電子束之照射之後，無關於圖案之面積密度，漂移之變化量係會變大。圖5，係為對於此情況作展示者。
如同在圖5中以實線所示一般，漂移之變化量，係在剛開始電子束的照射之後而為大，之後，係逐漸地變小。可以推測到，此係因為，在電子束之照射開始時，電子束描繪裝置內之光學系或檢測器等係尚未被充電之故。因此，在剛開始電子束之照射時的漂移修正之間隔，係以較短為理想。在本實施形態中，較理想，係以使在剛開始電子束之照射時的修正間隔會變短的方式，來將條帶寬幅縮窄。
於圖5中，虛線，係代表漂移量測定之時間間隔，並為僅對於圖案之面積密度作考慮而決定條帶寬幅的情況之例。亦即是，在藉由虛線所展示的各期間中，係進行有相對應之第1條帶、第2條帶、第3條帶的描繪。
在虛線之例中，電子束之照射，係在第1條帶處而開始。例如，在直到第1條帶之條帶終端為止地而使描繪結束之後，係使電子束之照射位置一直移動至基準記號處並檢測出其位置。針對第2條帶，亦係同樣地進行描繪，若 是到達了其之條帶終端，則藉由電子束而檢測出基準記號之位置。之後，將對於所檢測出之位置和前一次所檢測出之位置間的差分進行線性內插所得到之值，定義為直到下一次之檢測為止的位置變動量，並進行漂移修正，之後，對於第3條帶進行描繪。
另外，虛線之第1條帶、第2條帶以及第3條帶的各圖案之面積密度，係設為均相同。故而，此些之條帶的寬幅係為相同，又，如同以虛線所示一般，進行漂移量之測定的時間間隔亦為相等。
另一方面，在圖5中，點線，係對於漂移量測定之時間間隔的其他例作展示。此係對應於除了圖案之面積密度以外亦對於在剛照射電子束之後的漂移之變化量作考慮地來決定條帶寬幅的情況。在藉由點線所展示的各期間中，係進行有相對應之第1條帶、第2條帶、第3條帶、…、第6條帶的描繪。
若是對於在圖5中以實線所示之漂移量作觀察，則可以得知，相較於對於虛線之第2條帶進行描繪時，係以對於虛線之第1條帶進行描繪時的變化量為更大。又，在對於虛線之第3條帶進行描繪時的漂移量，係為略一定。故而，從將漂移修正之精確度提昇的觀點來看，係以會成為與漂移之變化量相對應之測定間隔的方式來決定條帶寬幅。亦即是，在變化量為大之處，係將條帶寬幅縮窄而使測定間隔變短，在變化量為小之處，係將條帶寬幅擴廣而使測定間隔變長。如此這般所得到的結果，係為第1~第 6條帶，漂移量測定之時間間隔，係如同以點線所示一般。
在圖5中，例如，當對於第1條帶進行描繪時的漂移之變化量，係較當對於第4條帶進行描繪時的漂移之變化量更大。而，與第1條帶相對應之點線的間隔，係成為較與第4條帶相對應之點線的間隔更短。此係代表第1條帶之描繪時間為較第4條帶之描繪時間更短，也就是說，相較於第4條帶，第1條帶之直到進行漂移量測定為止的時間間隔係為更短。
又，在圖5中，例如，當對於第6條帶進行描繪時的漂移之變化量，係較當對於第1條帶進行描繪時的漂移之變化量更小。而，與第6條帶相對應之點線的間隔，係成為較與第1條帶相對應之點線的間隔更長。此係代表第6條帶之描繪時間為較第1條帶之描繪時間更長，也就是說，相較於第1條帶，第6條帶之直到進行漂移量測定為止的時間間隔係為更長。
又，例如，點線之第1條帶、第2條帶以及第3條帶，係為將以虛線所展示之第1條帶在與其之寬幅方向相正交的方向上而分割為3所得到者。此些之條帶，係依序被作描繪，並且，在個別之一直被描繪至條帶終端處之後，係進行有基準記號之位置檢測。亦即是，於此情況，在對於虛線之第1條帶進行描繪而直到檢測出基準記號為止的期間中，係成為進行有3次之位置檢測。
以點線所示之第4條帶以及第5條帶，係為將以虛線 所展示之第2條帶在與其之寬幅方向相正交的方向上而分割為2所得到者。此些之條帶，係依序被作描繪，並且，在個別之一直被描繪至條帶終端處之後，係進行有基準記號之位置檢測。亦即是，於此情況，在對於虛線之第2條帶進行描繪而直到檢測出基準記號為止的期間中，係成為進行有2次之位置檢測。
以點線所展示之第6條帶，係具備有與以虛線所展示之第3條帶相同的寬幅，並與第3條帶相同地而被進行描繪。而，在到達了條帶終端處之後，不論是在何者的條帶中，均係進行有基準記號之位置檢測。
如此這般，若依據以點線所示之6個的條帶，則由於係在漂移之變化量為大之處而將測定次數增加，因此係能夠將漂移修正之精確度提昇。另一方面，由於係在漂移之變化量為小之處而將測定次數減少，因此係能夠將起因於在漂移之變化量為大之處而將測定次數增加一事所導致的全體描繪時間之增長作抑制。
如同上述一般，在圖案之面積密度和漂移量之間，係存在有相關，若是圖案之面積密度越大，則漂移量係變得越大。又，條帶間之圖案的面積密度之變化量也會對於漂移量造成影響。亦即是，若是圖案之面積密度的變化量越大，則漂移量係變得越大。因此，在決定條帶寬幅時，較理想，係除了圖案之面積密度以外，亦對於圖案之面積密度的變化量作考慮。具體而言，較理想，若是圖案之面積密度越大，並且其與下一個進行描繪的條帶間的圖案之面 積密度的變化量越大，則將條帶之寬幅縮得越窄。另外，若是對於從電子束之照射開始起的漂移量之變化量作考慮，則為更加理想。
例如，將描繪區域分割為成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域。之後，對於每一小區域而算出圖案之面積密度，並求取出在成為基準之寬幅的條帶中所包含之小區域的面積密度之平均值，再因應於此平均值來對於成為基準之寬幅進行調整。之後，因應於條帶間之圖案的面積密度之變化量，而更進而對於寬幅作調整。
接著，使用圖1以及圖6，對於由本實施形態所致之描繪方法作說明。
首先，基於從圖1之記憶體11而來的圖案資料，而藉由全體控制部10之佈局資料產生電路13來作成佈局資料(圖6之工程(1))。
接著，在圖案面積密度演算電路17處，求取出佈局資料之圖案的面積密度(工程(2))。例如，係決定成為基準之條帶寬幅，並將主偏向區域分割成網格狀。之後，針對每一網格而算出圖案之面積密度，並求取出在1個的條帶中所包含之網格的圖案之面積密度之平均值。又，在圖案面積密度演算電路17中，係亦能夠求取出條帶間之圖案的面積密度之變化量。
另外，在電子束描繪裝置中，係會觀察到下述一般之現象(重疊效果)，亦即是，被照射至光阻膜處之電子，係 會在其表面而反射，並進而被電子束描繪裝置之光學零件所反射，之後，涵蓋有廣範圍地而再度照射至光阻膜處。此現象，係亦會起因於電子被照射至光阻膜處一事所產生的二次電子而被引發。起因於重疊效果，所描繪之圖案的尺寸係會改變。因此，被積蓄在光阻中之電子束的積蓄照射量係被作調整。此時，由於尺寸變動係會受到周圍之圖案的面積密度所影響，因此，係進行有使用圖案之面積密度之值來對於尺寸變動作修正。在本實施形態中，係亦可將藉由重疊修正所求取出的圖案之面積密度作轉用。例如，在圖6之工程(2)中，係亦可對於圖案面積密度演算電路17而送出藉由重疊修正所求取出的圖案之面積密度的分布(map)。
條帶寬幅決定資訊取得電路18，係取得關於要將佈局資料分割成何種條帶一事的資訊(工程(3))。例如，藉由圖案面積密度演算電路17所取得的圖案之面積密度和條帶間之圖案之面積密度的變化量之資訊，係為條帶寬幅決定資訊取得電路18所取得的資訊。
又，被儲存在記憶體11中之履歷資料，亦係為條帶寬幅決定資訊取得電路18所取得之資訊的其中一者。於此，所謂履歷資料，係為有關於以前所被描繪了的佈局圖案之資訊，並為為了使在漂移修正後所殘留的與設計值之間的差成為較基準值更小所必要之資訊。
在漂移修正中，係藉由內插來對於在描繪時間點處之漂移值作預測。亦即是，係檢測出設置在遮罩上之基準記 號並算出漂移量，再藉由內插來對於描繪時間點之漂移值進行預測演算並作修正。因此，不論是將漂移修正精確度作了何種程度的提升，要使漂移修正後之描繪位置和設計位置完全相一致一事仍為困難。另外，在本案中，係將漂移修正後之描繪位置和設計位置之間的差，稱作「修正殘差」。
修正殘差，係有必要相較於遮罩圖案之位置精確度而為充分小，特別是，最近電路圖案之細微化係日益進展，而要求能夠將修正殘差作更進一步的縮小。因此，係依據過去之描繪資料，而將為了使修正殘差成為較基準值更小所需要的資訊，作為履歷資料而預先儲存在記憶體11中。例如，相關於在以前所作了描繪的佈局圖案中之與此次所進行描繪的圖案相同之圖案的漂移量之分布，係成為履歷資料的其中一者。進而，在此履歷資料中，(如圖5中所示一般之)在剛開始電子束之照射後的漂移之變化量的資料，係成為在決定條帶寬幅時所被參考的重要資訊之其中一者。
另外，在本實施形態中，當將藉由重疊修正所求取出的圖案之面積密度作轉用的情況時，係亦可將該分布送至條帶寬幅決定資訊取得電路18處，並作為在將佈局資料分割成條帶時的資訊之其中一者。於此情況，係能夠成為不需要圖6之工程(2)。
條帶產生電路19，係根據從條帶寬幅決定資訊取得電路18而來之資訊，而將佈局資料分割成特定之條帶寬 幅(工程(4))。此時，係因應於佈局資料之圖案的面積密度而改變條帶之寬幅。例如，從圖案面積密度演算電路17而來之資料，假設係身為在將佈局資料分割成成為基準之寬幅的條帶時之各條帶的圖案之面積密度。於此情況，若是圖案之面積密度係為特定值以上，則係將條帶之寬幅設定為較基準值更窄，若是圖案之面積密度係為特定值以下，則係將條帶之寬幅設定為較基準值更廣。例如，當在1個條帶中之圖案的面積密度為50%以上的情況時，係將條帶在與其之寬幅方向相正交的方向上而分割為2。
在條帶產生電路19中，較理想，係並非僅考慮圖案之面積密度，而是亦對於在剛開始電子束B之照射後的漂移之變化量和條帶間之圖案的面積密度之變化量作考慮，而決定條帶寬幅。
另外，針對開始電子束B之照射的第1條帶，由於係並不存在有在第1條帶之前所被作描繪之條帶，因此係無法求取出圖案之面積密度的變化量。故而，針對第1條帶，例如，係可根據被保存在記憶體11中之履歷資料，來對於同樣的圖案中之第1條帶的漂移量作參考並決定條帶寬幅。或者是，如同上述一般，由於在第1條帶中而漂移之變化量會變大的傾向，係並不依存於圖案之面積密度，因此，係亦可無關於圖案之種類地而對於第1條帶之寬幅作設定。
藉由在條帶產生電路19中而將佈局圖案分割成特定之條帶，係作成描繪資料。描繪資料，係被送至照射控制 部7處，並進行描繪(工程(5))。具體而言，照射控制部7，係基於此描繪資料，而一面對於藉由平台位置測定手段12所測定了的平台3之位置作確認，一面進行電子光學鏡筒2內之電子束B的成形控制和偏向控制，而對於遮罩M之必要的位置照射電子束B。
對於第1條帶進行描繪，並在到達了第1條帶之條帶終端後，進行是否在工程(6)中而對於漂移量進行測定之判定。當進行測定的情況時，係前進至工程(7)。具體而言，係使電子束B之照射位置一直移動至基準記號處。之後，藉由電子束B來對於基準記號之位置進行掃描並檢測出其位置，再藉由漂移量測定電路14來測定出漂移量。
接著，基於所測定出的漂移量，來藉由漂移修正量演算電路15而算出漂移修正值(工程(8))。在記憶體11中，由於係被儲存有修正係數，因此，係藉由漂移修正量演算電路15而叫出此資訊，並算出與漂移量相對應之修正值。
藉由條帶產生電路19所產生之描繪資料，係為設計值之資料。因此，係將此設計值之描繪資料和從漂移修正量演算電路15而來之修正值的資料，藉由加算器16來進行加算並合成。藉由此，設計值之描繪資料係被作改寫，而得到對於束漂移量作了修正的描繪資料。
接著，係基於修正後的描繪資料，來進行第2條帶之描繪(工程(5))。
在到達了第2條帶之條帶終端後，進行是否在工程 (6)中而對於漂移量進行測定之判定。在對於漂移量進行測定的情況時，係在進行了工程(7)和工程(8)之後，前進至工程(5)並進行描繪。
在工程(6)中，當判定為並不進行漂移量之測定的情況時，係前進至工程(9)並進行描繪是否結束之判定。當存在有應描繪之圖案的情況時，係回到工程(5)並進行描繪。此時，係根據前一次所測定出的漂移量來藉由內插而預測在第3條帶處之漂移量，並在漂移修正量演算電路15處，基於此漂移量而算出修正值，再加算至第3條帶之描繪資料處。之後，基於修正後的描繪資料，來進行第3條帶之描繪。另一方面，當在工程(9)中而並不存在有應描繪之圖案的情況時，係將此一連串之描繪工程結束。
圖7，係為針對漂移修正殘差之時間變化，而對於本實施形態和先前技術之方法作了比較的例子。
虛線，係為對於由先前技術之方法所致的修正殘差之時間變化作展示者。又，虛線之箭頭，係對於在先前技術之方法中的漂移量測定之時序作展示。
在先前技術之方法中，於描繪途中所進行之基準記號的位置檢測，係以一定之時間間隔來進行。亦即是，如同虛線之箭頭所示一般，漂移量之測定係以一定之時間間隔來進行。因此，當在測定和測定之間而產生有漂移的情況時，係並無法將此檢測出來。其結果，漂移修正之精確度係降低，而引起修正殘差超過容許範圍的事態。特別是，在剛開始進行描繪後，由於漂移之變化量係為大，因此， 如圖7中所示一般，係容易出現超過容許範圍之修正殘差。另外，容許範圍之大小，係為相較於遮罩圖案之位置精確度而為充分小之值。
另一方面，在圖7中，實線，係對於由本實施形態所致之修正殘差的時間變化作展示者。又，實線之箭頭，係對於在本實施形態中的漂移量測定之時序作展示。
在本實施形態中，係因應於圖案之面積密度來改變條帶之寬幅，並藉由此而在條帶之間對於漂移測定之間隔作改變。若是圖案之面積密度為相同，則在一直描繪至條帶終端處為止所需要的時間，相較於寬幅為寬的條帶，係以寬幅為窄的條帶的情況時會變得更短。漂移量之測定，由於係在到達了條帶終端處之後而進行，因此，若是直到條帶終端為止的描繪時間變短，則漂移測定之時間間隔亦係變短。因此，由於係能夠將在先前技術之方法中而難以檢測到的突然產生之漂移檢測出來，並使修正之精確度提昇，故而係能夠使修正殘差成為不會超過容許範圍。
又，在本實施形態中，藉由將剛開始描繪之後的漂移之變化量的大小列入考慮並決定條帶寬幅，係能夠更進一步地提昇漂移修正之精確度。進而，在圖案之面積密度為小之處，藉由將漂移測定之間隔增長，係能夠對於全體之描繪時間變長的情況作抑制。
針對本發明之特徵和優點，如同下述一般地作整理。
若依據本發明之第1型態，則由於係具備有：將佈局資料分割成成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來 分割成網格狀而形成複數之小區域，再對於小區域之每一者而算出圖案之面積密度，且求取出在成為基準之寬幅的條帶中所包含之小區域的面積密度之平均值之工程、和因應於此平均值而對於成為基準之寬幅進行調整之工程，因此，係可提供一種能夠檢測出在先前技術中所難以檢測到之漂移並且將修正精確度提昇的漂移修正方法。
若依據本發明之第2形態，則由於係將定義有圖案之佈局資料，分割成與圖案之面積密度相對應的寬幅之複數的條帶，而作成描繪資料，因此，係可提供一種能夠適用在檢測出在先前技術中所難以檢測到之漂移並且將修正精確度提昇的漂移修正方法中之描繪資料之作成方法。
若依據本發明之第3形態，則由於係藉由與經由荷電粒子束所在試料上描繪之圖案之面積密度相對應的寬幅，而將試料之描繪區域分割成複數的條帶，因此，係可提供一種能夠檢測出在先前技術中所難以檢測到之漂移並且將修正精確度提昇的漂移修正方法。
另外，本發明，係並不被限定於上述之實施形態，在不脫離本發明之趣旨的範圍內，係可進行各種之變形並實施之。
例如，在上述實施形態中，雖係在針對條帶之至少1個而結束了描繪時、亦即是在到達了條帶終端時，而停止描繪並進行漂移量之測定，但是，本發明係並不被限定於此。
在本實施形態中，係亦可構成為當正在對於條帶的其 中一者而進行描繪的途中，而停止描繪並對於漂移量作測定。藉由此，係能夠將漂移測定之時間間隔更為縮短。又，亦可針對像是在條帶中而圖案密度為大之處或者是根據履歷資料而能夠預測到漂移量會變大之處等的特定之場所，而將測定時間縮短。作為其中一例，當對於每一個將描繪區域以特定之尺寸來分割成網格狀所得到的小區域，而算出圖案之面積密度的情況時，係可在對於特定之小區域而結束了描繪之後，對於漂移量進行測定。
又，亦可將「在針對條帶之至少1個而結束了描繪時，停止描繪並對於漂移量進行測定」之情況，和「當正在對於條帶的其中一者而進行描繪的途中，而停止描繪並對於漂移量作測定」之情況，此兩者作組合。亦即是，係亦可對於1個的遮罩，而存在有在到達了條帶終端時而對於漂移量進行測定的情況、和當正在對於條帶的其中一者而進行描繪的途中時而對於漂移量進行測定的情況。藉由設為此種構成，係能夠將漂移修正之精確度作更進一步的提升。
又，在本實施形態中，雖係針對具備有主偏向器和副偏向器之電子束描繪裝置而作了敘述，但是，本發明係並不被限定於此。亦可並非為主偏向器和副偏向器之二段(或者是複數段)，而為一面藉由一段之偏向器來使電子束偏向一面決定在遮罩上之照射位置並對於圖案進行描繪的電子束描繪裝置。
進而，在上述之實施形態中，雖係使用有電子束，但 是，本發明係並不被限定於此，就算是在使用離子束等之其他荷電粒子束的情況時，亦能夠作適用。
B‧‧‧電子束
M‧‧‧遮罩
1‧‧‧描繪室
2‧‧‧電子光學鏡筒
3‧‧‧平台
3a‧‧‧反射鏡
4‧‧‧記號台
7‧‧‧照射控制部
10‧‧‧全體控制部
11‧‧‧記憶體
12‧‧‧平台位置測定手段
13‧‧‧佈局資料產生電路
14‧‧‧漂移量測定電路
15‧‧‧漂移修正量演算電路
16‧‧‧加算器
17‧‧‧圖案面積密度演算電路
18‧‧‧條帶寬幅決定資訊取得電路
19‧‧‧條帶產生電路
101‧‧‧電子槍
102‧‧‧照明透鏡
103‧‧‧遮沒偏向器
104‧‧‧遮沒光圈
105‧‧‧第1成形光圈
106‧‧‧投影透鏡
107‧‧‧成形偏向器
108‧‧‧第2成形光圈
109‧‧‧主偏向器
110‧‧‧對物透鏡
111‧‧‧副偏向器

Claims (18)

  1. 一種漂移修正方法，其特徵為：以與藉由荷電粒子束所在試料上描繪之圖案的面積密度相對應之寬幅，來將前述試料之描繪區域分割成複數之條帶，並當針對條帶之至少1個而結束了描繪時、或者是當正在對於條帶之其中一者進行描繪時，將描繪停止並對於漂移量作測定，使用前述漂移量來對於前述荷電粒子束之照射位置進行修正。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之漂移修正方法，其中，係將前述描繪區域分割成成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域，再對於前述小區域之每一者而算出前述圖案之面積密度，且求取出在前述成為基準之寬幅的條帶中所包含之前述小區域的面積密度之平均值，而因應於前述平均值來對於前述成為基準之寬幅作調整。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之漂移修正方法，其中，當前述面積密度之平均值為較特定值更大的情況時，係設為較前述成為基準之寬幅而更狹窄之寬幅的條帶，當前述面積密度之平均值為較特定值更小的情況時，係設為較前述成為基準之寬幅而更寬廣之寬幅的條帶。
  4. 如申請專利範圍第2項所記載之漂移修正方法，其中，在因應於前述面積密度之平均值而對於前述成為基準之寬幅作了調整之後，因應於在前述條帶間之圖案的面積密度之變化量而更進而對於該寬幅作調整。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之漂移修正方法，其 中，前述條帶之寬幅，係為更進而與從前述荷電粒子束之照射開始起所產生的漂移之變化量相對應的寬幅。
  6. 如申請專利範圍第1項所記載之漂移修正方法，其中，係將前述描繪區域分割成成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域，再對於前述小區域之每一者而算出前述圖案之面積密度，且求取出在前述成為基準之寬幅的條帶中所包含之前述小區域的面積密度之最大值，而因應於前述最大值來對於前述成為基準之寬幅作調整。
  7. 如申請專利範圍第1項所記載之漂移修正方法，其中，係將前述描繪區域分割成成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域，再對於前述小區域之每一者而算出前述圖案之面積密度，且求取出在前述成為基準之寬幅的條帶中所包含之前述小區域的面積密度之最小值，而因應於前述最小值來對於前述成為基準之寬幅作調整。
  8. 一種漂移修正方法，其特徵為，係具備有：根據被描繪在試料上之描繪區域中的圖案的圖案資料來作成佈局資料之工程；和將前述佈局資料分割成成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域，再對於前述小區域之每一者而算出前述圖案之面積密度，且求取出在前述成為基準之寬幅的條帶中所包含之前述小區域的面積密度之平均值之工程；和因應於前述平均值來對於前述成為基準之寬幅作調整之工程；和依據前 述調整後之條帶，在前述試料上藉由荷電粒子束而描繪前述圖案之工程，當針對前述調整後之條帶之至少1個而結束了描繪時、或者是當正在對於前述調整後之條帶之其中一者進行描繪時，將描繪停止並對於漂移量作測定，並使用此漂移量來對於前述荷電粒子束之照射位置進行修正。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之漂移修正方法，其中，前述藉由荷電粒子束而描繪前述圖案之工程，係一面藉由被配置在前述荷電粒子束之光路上的主偏向器以及副偏向器來使前述荷電粒子束偏向一面進行，前述成為基準之寬幅之值，係較0更大，並且係為前述主偏向器之偏向寬幅的最大值以下。
  10. 如申請專利範圍第8項所記載之漂移修正方法，其中，在因應於前述面積密度之平均值而對於前述成為基準之寬幅作了調整之後，因應於在前述條帶間之圖案的面積密度之變化量而更進而對於該寬幅作調整。
  11. 如申請專利範圍第8項所記載之漂移修正方法，其中，前述調整後之條帶之寬幅，係為與從前述荷電粒子束之照射開始起所產生的漂移之變化量相對應的寬幅。
  12. 一種漂移修正方法，其特徵為，係具備有：根據被描繪在試料上之描繪區域中的圖案的圖案資料來作成佈局資料之工程；和將前述佈局資料分割成成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域，再對於前述小區域之每一者而算出前述圖案之面 積密度，且求取出在前述成為基準之寬幅的條帶中所包含之前述小區域的面積密度之最大值之工程；和因應於前述最大值來對於前述成為基準之寬幅作調整之工程；和依據前述調整後之條帶，在前述試料上藉由荷電粒子束而描繪前述圖案之工程，當針對前述調整後之條帶之至少1個而結束了描繪時、或者是當正在對於前述調整後之條帶之其中一者進行描繪時，將描繪停止並對於漂移量作測定，並使用此漂移量來對於前述荷電粒子束之照射位置進行修正。
  13. 一種漂移修正方法，其特徵為，係具備有：根據被描繪在試料上之描繪區域中的圖案的圖案資料來作成佈局資料之工程；和將前述佈局資料分割成成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域，再對於前述小區域之每一者而算出前述圖案之面積密度，且求取出在前述成為基準之寬幅的條帶中所包含之前述小區域的面積密度之最小值之工程；和因應於前述最小值來對於前述成為基準之寬幅作調整之工程；和依據前述調整後之條帶，在前述試料上藉由荷電粒子束而描繪前述圖案之工程，當針對前述調整後之條帶之至少1個而結束了描繪時、或者是當正在對於前述調整後之條帶之其中一者進行描繪時，將描繪停止並對於漂移量作測定，並使用此漂移量來對於前述荷電粒子束之照射位置進行修正。
  14. 一種描繪資料之作成方法，係為用以藉由荷電粒 子束而在試料上描繪特定之圖案的描繪資料之作成方法，其特徵為：係將定義有前述圖案之佈局資料，分割成與前述圖案之面積密度相對應的寬幅之複數的條帶，而作成描繪資料。
  15. 如申請專利範圍第14項所記載之描繪資料之作成方法，其中，前述條帶之寬幅，係為更進而與從前述荷電粒子束之照射開始起所產生的漂移之變化量相對應的寬幅。
  16. 如申請專利範圍第14項所記載之描繪資料之作成方法，其中，係將前述佈局資料分割成成為基準之寬幅的條帶，並且以特定之尺寸來分割成網格狀而形成複數之小區域，再對於前述小區域之每一者而算出前述圖案之面積密度，且求取出在前述成為基準之寬幅的條帶中所包含之前述小區域的面積密度之平均值，而因應於該平均值來對於成為基準之寬幅作調整。
  17. 如申請專利範圍第16項所記載之描繪資料之作成方法，其中，當前述面積密度之平均值為較特定值更大的情況時，係設為較前述成為基準之寬幅而更狹窄之寬幅的條帶，當前述面積密度之平均值為較特定值更小的情況時，係設為較前述成為基準之寬幅而更寬廣之寬幅的條帶。
  18. 如申請專利範圍第16項所記載之描繪資料之作成方法，其中，在因應於前述面積密度之平均值而對於前述成為基準之寬幅作了調整之後，因應於在前述條帶間之圖 案的面積密度之變化量而更進而對於該寬幅作調整。
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