DE102013211257A1

DE102013211257A1 - Driftkorrekturverfahren und Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren

Info

Publication number: DE102013211257A1
Application number: DE102013211257A
Authority: DE
Inventors: Takashi Kamikubo
Original assignee: Nuflare Technology Inc
Current assignee: Nuflare Technology Inc
Priority date: 2012-06-19
Filing date: 2013-06-17
Publication date: 2013-12-19
Also published as: TW201411684A; US20130334442A1; TWI489512B; KR20130142938A; JP2014003180A; JP6018811B2; US8835881B2; KR101533152B1

Abstract

Eine Schreibfläche einer Probe wird in eine Vielzahl von Streifen unterteilt, die eine Breite entsprechend einer Flächendichte eines Musters aufweisen, das mit einem Ladungsträgerstrahl auf der Probe zu schreiben ist. Das Schreiben wird gestoppt, wenn das Schreiben von zumindest einem Streifen beendet ist, und eine Driftgröße wird gemessen. Eine Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls wird unter Verwendung der Driftgröße korrigiert. Wenn der Durchschnittswert der Flächendichte größer als ein vorbestimmter Wert ist, weist ein Streifen eine Breite auf, die geringer als die Referenzbreite ist, und wenn der Durchschnittswert der Flächendichte geringer als der vorbestimmte Wert ist, weist der Streifen eine Breite auf, die größer als die Referenzbreite ist. Die Breite des Streifens ist bevorzugt eine Breite entsprechend der Variation einer Drift vom Beginn der Bestrahlung mit dem Ladungsträgerstrahl.

Description

Querverweis auf in Beziehung stehende Anmeldung
Die gesamte Offenbarung der Japanischen Patentanmeldung Nr. 2012-138003 , angemeldet am 19. Juni 2012, einschließlich der Beschreibung, Ansprüche, Zeichnungen und Zusammenfassung, auf der die Verbandspriorität der vorliegenden Anmeldung basiert, wird hier in der Gesamtheit einbezogen bzw. aufgenommen.
Erfindungsgebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Driftkorrekturverfahren und ein Muster-Schreibdatenerzeugungsverfahren. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung ein Driftkorrekturverfahren und ein Muster-Schreibdatenerzeugungsverfahren, die in einer Ladungsträgerstrahl-Schreibvorrichtung verwendet werden.
Hintergrund
Bei der Ausbildung eines Schaltungsmusters einer Halbleitervorrichtung wird eine Maske verwendet. Beim Herstellungsprozess der Maske wird ein Elektronenstrahl-Lithographie-Verfahren verwendet.
Elektronenstrahl-Lithographie stellt eine inhärente überdurchschnittliche Auflösung bereit, da ein Ladungsträgerstrahl, und insbesondere ein Elektronenstrahl verwendet wird. Ein Vorteil dieser Technologie besteht auch darin, dass ein großer Tiefenfokus erhalten werden kann, wodurch ermöglich wird, dass dimensionale Variationen reduziert werden, selbst dann, wenn ein Merkmal mit einer großen Stufe angetroffen wird. Eine Elektronenstrahlschreibvorrichtung, die für die Elektronenstrahl-Lithographie verwendet wird, enthält ferner ein System zur Datenverarbeitung. Dieses System steuert ferner auch das Zeichnen der Schaltungsmuster, wobei diese Schaltungsmuster komplex sein können und eine Vielzahl von Designs aufweisen.
Die Technologie richtet sich daher an die Entwicklung von Geräten auf dem neuesten Stand, repräsentiert durch DRAM (engl. Dynamic Random Access Memory) sowie auf die Herstellung von ASICs (engl. Application Specific Integrated Circuits). Weitere Anstrengungen sind auf die Entwicklung einer Elektronenstrahl-Lithographie-Technik zum Schreiben eines Musters direkt auf einem Wafer mit einem Elektronenstrahl gerichtet.
Patentdokument 1 offenbart eine Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung variabler Form, die für die Elektronenstrahl-Lithographie verwendet wird.
Die Muster-Schreibdaten, die in einer Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung verwendet werden, werden unter Verwendung von Designdaten (CAD-Daten) einer integrierten Halbleiterschaltung präpariert, um ein Beispiel zu nennen. Die Daten, die durch ein CAD-System ausgebildet werden, werden auf eine vorbestimmten Art und Weise verarbeitet, und dann in eine Vielzahl von Streifen unterteilt, die die gleiche Breite aufweisen. Die Breite der Streifen ist eine Breite, die durch einen Hauptdeflektor abgelenkt werden kann. Die Schreibdaten des gesamten Chips weisen daher eine hierarchische Datenstruktur auf, einschließlich der Daten einer Vielzahl von streifenartigen Streifen, deren Größe der Größe des Hauptablenkungsbereichs entspricht, und der Daten einer Vielzahl von Unterablenkungsbereichen, die in der Größe kleiner als der Hauptablenkungsbereich ist, in einem einzigen Streifen.
Wenn ein Muster auf einer Maske geschrieben wird, die auf einem Träger platziert ist, wird, während der Träger in eine Richtung senkrecht zu einer Breitenrichtung des Streifens bewegt wird, ein Elektronenstrahl in jeder Unterablenkungsfläche positioniert. Eine vorbestimmte Position in dem Unterablenkungsbereich wird mit dem Elektronenstrahl bestrahlt.
Wenn die Maske, die auf dem Träger in der Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung platziert ist, mit dem Elektronenstrahl bestrahlt wird, werden reflektierte Elektronen erzeugt. Die reflektierten Elektronen kollidieren mit einem optischen System, einem Detektor, usw., die in der Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung bereitgestellt sind, und führen zur Aufladung, wobei ein neues elektrisches Feld erzeugt wird. Folglich wird eine Richtung der Elektronenstrahlen, die hin zur Maske abgelenkt werden, geändert, und es tritt eine Drift auf, bei der eine Schreibposition von einer gewünschten Position abweicht.
Obwohl die Drift nicht nur aus dem obigen Grund resultiert, ist es in jedem Fall erforderlich, dass eine Position einer Referenzmarkierung auf dem Träger während des Schreibens erfasst wird, um eine Driftgröße zu messen, und die Schreibposition korrigiert wird, um an einer gewünschten Position zu sein. Insbesondere werden die Koordinaten der Referenzmarkierung unmittelbar vor dem Schreiben erhalten, und ein Schreibbetrieb wird dann temporär während des Schreibens gestoppt, um die Koordinaten der Referenzmarkierung erneut zu erhalten. Da eine Differenz zwischen den Koordinaten und den vorhergehenden Koordinaten die Driftgröße ist, wird eine Elektronenstrahl-Schreibposition unter Verwendung der erhaltenden Daten korrigiert.
In herkömmlichen Verfahren wird die Erfassung der Position der Referenzmarkierung während des Schreibens in einem vorbestimmten Zeitintervall durchgeführt. Wenn insbesondere das Schreiben eines Streifenendes gemäß einem vorher eingestellten Korrekturintervall beendet ist, wird die Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu der Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Bei der Driftkorrektur wird ein Wert, der durch lineare Interpolation einer Differenz zwischen der erfassten Position und der letzten erfassten Position erhalten wird, als eine Positionsvariation vor dem Start der nächsten Erfassung definiert. Ein zulässiger Fehler nach der Driftkorrektur ist erforderlich hinreichend kleiner als eine Positionsgenauigkeit eines Maskenmusters.
Mit der hohen Integration von integrierten Halbleiterschaltungen werden Schaltungsmuster weiter miniaturisiert und verkompliziert. Eine höhere Positionsgenauigkeit des Musters ist daher für die Maske erforderlich, und der Fehler nach der Driftkorrektur muss daher weiter reduziert werden. Wenn jedoch die Driftkorrektur gemäß dem vorher eingestellten Korrekturintervall durchgeführt wird, wird die Anzahl der Messungen der Driftgröße erhöht, um einen Korrekturfehler zu reduzieren, so dass ein Problem darin besteht, dass die gesamte Schreibzeit länger wird.
Patentliteratur 1: Japanisches veröffentlichtes Patent mit der Veröffentlichungsnummer Hei 9-293670 (1997)
Patentliteratur 2: Japanisches veröffentlichtes Patent mit der Veröffentlichungsnummer Hei 7-142321 (1995)
Die vorliegende Erfindung dient zur Lösung der obigen Probleme. Insbesondere zielt die vorliegende Erfindung auf die Bereitstellung eines Driftkorrekturverfahrens, das eine Drift erfasst, die herkömmlich schwierig zu erfassen ist, und eine Korrekturgenauigkeit verbessern kann, sowie ein Musterschreibdaten-Erzeugungsverfahren, das geeignet mit dem Driftkorrekturverfahren verwendet werden kann.
Weitere Anregungen und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind aus der folgenden Beschreibung ersichtlich.
Zusammenfassung der Erfindung
Ein Driftkorrekturverfahren gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst: Unterteilen einer Schreibfläche einer Probe in eine Vielzahl von Streifen, die eine Breite entsprechend einer Flächendichte eines Musters aufweisen, das mit einem Ladungsträgerstrahl auf der Probe geschrieben wird; Stoppen des Schreibens, wenn zumindest ein Streifen beendet ist, oder während des Schreibens von einem der Streifen, und Messen einer Driftgröße; und Korrigieren einer Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls unter Verwendung der Driftgröße.
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei die Schreibfläche in Streifen unterteilt wird, die eine Referenzbreite aufweisen, und in eine Netzform (engl. Mesh Shape) mit einer vorbestimmten Größe unterteilt wird, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, wobei eine Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen berechnet wird, ein Durchschnittswert der Flächendichte der kleinen Fläche, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten ist, erhalten wird, und die Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert angepasst wird.
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei dann, wenn der Durchschnittswert der Flächendichte größer als ein vorbestimmter Wert ist, ein Streifen eine Breite aufweist, die geringer als die Referenzbreite ist, und dann, wenn der Durchschnittswert der Flächendichte geringer als der vorbestimmte Wert ist, der Streifen eine Breite aufweist, die breiter als die Referenzbreite ist.
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei nach Anpassung der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert der Flächendichte die Breite ferner gemäß der Variation der Flächendichte des Musters zwischen den Streifen angepasst wird.
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei die Breite des Streifens eine Breite entsprechend der Variation einer Drift vom Beginn der Bestrahlung mit dem Ladungsträgerstrahl ist.
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei die Schreibfläche in Streifen unterteilt wird, die eine Referenzbreite aufweisen, und in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe unterteilt wird, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, wobei eine Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen berechnet wird, ein Maximalwert der Flächendichte der kleinen Fläche, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten ist, erhalten wird, und die Referenzbreite gemäß dem Maximalwert angepasst wird
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei die Schreibfläche in Streifen unterteilt wird, die eine Referenzbreite aufweisen, und in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe unterteilt wird, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, wobei eine Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen berechnet wird, ein Minimalwert der Flächendichte der kleinen Fläche, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten ist, erhalten wird, und die Referenzbreite gemäß dem Minimalwert angepasst wird.
Ein Driftkorrekturverfahren nach einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung mit den Schritten zum: Erzeugen von Layout-Daten aus Musterdaten eines Musters, das auf einer Schreibfläche auf einer Probe zu schreiben ist; Unterteilen der Layout-Daten in Streifen, die eine Referenzbreite aufweisen, und Unterteilen der Layout-Daten in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe, zum Ausbilden einer Vielzahl von kleinen Flächen, Berechnen einer Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen, und Erhalten eines Durchschnittswerts der Flächendichte der kleinen Flächen, die in dem Streifen mit dem Referenzwert enthalten sind; Anpassen der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert; und Schreiben des Musters auf der Probe mit einem Ladungsträgerstrahl gemäß angepasster Streifen, wobei dann, wenn das Schreiben von zumindest einem angepassten Streifen beendet ist, oder während des Schreibens von einem der angepassten Streifen, das Schreiben gestoppt wird, um eine Driftgröße zu messen, und eine Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls unter Verwendung der Driftgröße korrigiert wird.
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei in dem Schritt zum Schreiben des Musters mit dem Ladungsträgerstrahl das Muster geschrieben wird, während der Ladungsträgerstrahl durch einen Hauptdeflektor und einen Unterdeflektor abgelenkt wird, die an einem optischen Weg des Ladungsträgerstrahls angeordnet sind, und ein Wert der Referenzbreite größer als Null und nicht mehr als ein Maximalwert einer Ablenkungsbreite des Hauptdeflektors ist.
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei nach Anpassung der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert der Flächendichte die Breite ferner gemäß der Variation der Flächendichte des Musters zwischen den Streifen angepasst wird.
Ein Driftkorrekturverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei die Breite des angepassten Streifens eine Breite entsprechend der Variation einer Drift von dem Beginn der Bestrahlung mit dem Ladungsträgerstrahl ist.
Ein Driftkorrekturverfahren gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung mit den Schritten zum: Erzeugen von Layout-Daten aus Musterdaten eines Musters, das auf einer Schreibfläche auf einer Probe zu schreiben ist; Unterteilen der Layout-Daten in Streifen, die eine Referenzbreite aufweisen, und Unterteilen der Layout-Daten in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, Berechnen einer Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen, und Erhalten eines Maximalwerts der Flächendichten der kleinen Flächen, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten sind; Anpassen der Referenzbreite gemäß dem Maximalwert; und Schreiben des Musters auf der Probe mit einem Ladungsträgerstrahl gemäß angepasster Streifen, wobei dann, wenn das Schreiben von zumindest einem angepassten Streifen beendet ist, oder während des Schreibens von einem der angepassten Streifen, das Schreiben gestoppt wird, um eine Driftgröße zu messen, und eine Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls unter Verwendung der Driftgröße korrigiert wird.
Driftkorrekturverfahren gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung, mit den Schritten zum: Erzeugen von Layout-Daten aus Musterdaten eines Musters, das auf einer Schreibfläche auf einer Probe zu schreiben ist; Unterteilen der Layout-Daten in Streifen, die eine Referenzbreite aufweisen, und Unterteilen der Layout-Daten in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe, zum Ausbilden einer Vielzahl von kleinen Flächen, Berechnen einer Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen, und Erhalten eines Minimalwerts der Flächendichten der kleinen Flächen, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten sind; Anpassen der Referenzbreite gemäß dem Minimalwert; und Schreiben des Musters auf der Probe mit einem Ladungsträgerstrahl gemäß angepasster Streifen, wobei dann, wenn das Schreiben von zumindest einem angepassten Streifen beendet ist, oder während des Schreibens von einem der angepassten Streifen, das Schreiben gestoppt wird, um eine Driftgröße zu messen, und eine Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls unter Verwendung der Driftgröße korrigiert wird.
Ein Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung zum Schreiben eines vorbestimmten Musters auf einer Probe mit einem Ladungsträgerstrahl, wobei Layout-Daten, in denen das Muster definiert ist, in eine Vielzahl von Streifen unterteilt werden, die eine Breite entsprechend einer Flächendichte des Musters aufweisen, um die Muster-Schreibdaten zu erzeugen.
Ein Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei die Breite des Streifens eine Breite entsprechend der Variation einer Drift von dem Beginn der Bestrahlung mit dem Ladungsträgerstrahl ist.
Ein Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, ferner: Unterteilen der Layout-Daten in Streifen, die eine Referenzbreite aufweisen, und Unterteilen der Layout-Daten in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, Berechnen einer Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen, und Erhalten eines Durchschnittswerts der Flächendichten der kleinen Flächen, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten sind, und Anpassen der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert.
Ein Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei dann, wenn der Durchschnittswert der Flächendichten größer als ein vorbestimmter Wert ist, ein Streifen eine Breite aufweist, die geringer als die Referenzbreite ist, und dann, wenn der Durchschnittswert der Flächendichte geringer als der vorbestimmte Wert ist, der Streifen eine Breite aufweist, die breiter als die Referenzbreite ist.
Ein Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren nach diesem Aspekt der vorliegenden Erfindung, wobei nach Anpassung der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert der Flächendichte die Breite ferner gemäß der Variation der Flächendichte des Musters zwischen den Streifen angepasst wird.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1 ist eine schematische Ansicht zur Darstellung der Konfiguration einer Elektronenstrahlschreibvorrichtung gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
2 ist ein schematisches Diagramm zur Darstellung eines Elektronenstrahlschreibverfahrens.
3 zeigt ein vergleichendes Beispiel der vorliegenden Ausführungsform, und in dem vergleichenden Beispiel haben alle Streifen die gleiche Referenzbreite.
4 zeigt ein Beispiel, bei dem die Streifen gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine unterschiedliche Breite aufweisen.
5 zeigt eine Driftvariation, die sich zeitlich ändert, und zwei Beispiele unterschiedlicher Zeitintervalle zur Driftkorrektur.
6 zeigt ein Driftkorrekturverfahren und Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform.
7 zeigt ein Beispiel, bei dem eine zeitliche Änderung des verbleibenden Driftkorrekturfehlers in der vorliegenden Ausführungsform mit dem in einem herkömmlichen Verfahren verglichen wird.
Detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen
1 zeigt eine Elektronenstrahlschreibvorrichtung, die einen Elektronenstrahl B auf eine Oberfläche einer Maske M anwendet und ein gewünschtes Muster schreibt. Die Elektronenstrahlschreibvorrichtung ist bereitgestellt mit einer Schreibkammer 1 und einem elektronischen optischen Linsen-Tubus 2, wobei es sich um eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsvorrichtung handelt, die aufrecht auf einem Rahmenabschnitt der Schreibkammer 1 bereitgestellt ist.
Ein Träger 3 ist in der Schreibkammer 1 angeordnet. Eine Maske M ist auf dem Träger 3 angebracht. Die Maske M ist ein Beispiel einer Probe, die durch den Elektronenstrahl beschrieben wird, zum Beispiel, ein Glassubstrat, ein Chrom-(Cr)Film als Lichtschutzfilm auf dem Glassubstrat und einem Fotolack- bzw. Resist-Film auf dem Lichtschutzfilm.
Der Träger 3 ist in die X- und Y-Richtung senkrecht zur Richtung der optischen Achse des Elektronenstrahls B beweglich. Ein Markierungsträger 4 ist auf dem Träger 3 aufrecht bereitgestellt. Der Markierungsträger 4 weist eine Referenzmarkierung auf (nicht gezeigt). Es wird bevorzugt, dass die Referenzmarkierung aus einem Material ist, das eine Elektron-Reflektivität vergleichbar zu der Maske M aufweist. Die Referenzmarkierung kann eine rechteckige Form, eine runde Form, eine dreieckige Form, eine Kreuzform oder dergleichen aufweisen.
Die Elektronenstrahlschreibvorrichtung erfasst die Position der Referenzmarkierung während des Schreibens, wodurch die Strahlendriftgröße zum Korrigieren gemessen wird, so dass eine Schreibposition eine gewünschte Position ist. Zum Beispiel werden die Koordinaten der Referenzmarkierung unmittelbar vor dem Schreiben zuerst erhalten. Anschließend wird der Schreibbetrieb während des Schreibens temporär gestoppt, und die Koordinaten der Referenzmarkierung werden erneut erhalten. Zum Beispiel wird die Referenzmarkierung mit einem Elektronenstrahl abgetastet, und die reflektierten Elektronen werden in einem Detektor eingefangen. Die Position der Referenzmarkierung kann durch Analysieren einer erhaltenen Wellenform erfasst werden. Dann wird eine Differenz von den vorhergehenden Koordinaten erhalten und die Strahlendriftgröße wird erfasst. Die Referenzmarkierung kann auf der Maske M bereitgestellt werden, ohne dass der Markierungsträger 4 bereitgestellt wird.
Der elektronische optische Linsen-Tubus 2 in 1 bildet den Elektronenstrahl B, der von einem Elektronenstrahlerzeuger 101 emittiert wird, der in dem elektronischen optischen Linsen-Tubus 2 eingebaut ist, in eine erforderliche Querschnittsform aus, lenkt dann den Elektronenstrahl B ab, und wendet den abgelenkten Elektronenstrahl B auf die Maske M an.
Eine optische Elektronensäule 2 enthält einen Elektronenstrahlerzeuger (engl. Electron Gun) 101, eine Belichtungslinse 102, einen Austast- bzw. Blanking-Deflektor 103, eine Austast- bzw. Blanking-Apertur 104, eine erste Formgebungsapertur 105, eine Projektionslinse 106, einen Formgebungsdeflektor 107, eine zweite Formgebungsapertur 108, einen Hauptdeflektor 109, ein Objektiv 110 und einen Unterdeflektor 111, gezeigt von dem oberen Teil in 1.
Der Elektronenstrahl B, der von dem Elektronenstrahlerzeuger 101 emittiert wird, wird über eine Belichtungslinse 102 zu der ersten Formgebungsapertur 105 geführt. Zum Blanking-On-Zeitpunkt (nicht Schreibperiode) wird der Elektronenstrahl B durch einen Austast- bzw. Blanking-Deflektor 103 abgelenkt, um zur Austast- bzw. Blanking-Apertur 104 und nicht zu der ersten Formgebungsapertur 105 geführt zu werden.
Die erste Formgebungsapertur 105 weist eine rechteckige Öffnung auf. Wenn, gemäß dieser Ausbildung, der Elektronenstrahl B durch die erste Formgebungsapertur 105 hindurch geht, wird die Querschnittsform des Elektronenstrahls B in eine rechteckige Form gebracht. Danach wird der Elektronenstrahl B auf eine zweite Formgebungsapertur 108 über eine Projektionslinse 106 projiziert. Der Formgebungsdeflektor 107 ändert eine Position, an der der Elektronenstrahl B auf der zweiten Formgebungsapertur 108 projiziert wird. Die Form und Größe des Elektronenstrahls B kann somit gesteuert werden.
Der Fokus des Elektronenstrahls B, der durch die zweite Formgebungsapertur 108 geleitet wird, wird über ein Objektiv 110 auf der Maske M ausgerichtet. Eine Position, an der der Elektronenstrahl B auf der Maske M angewendet wird, wird durch einen Hauptdeflektor 109 und einen Unterdeflektor 111 gesteuert.
Die Form und die Bestrahlungsposition des Elektronenstrahls B in der Schreibkammer 1 und dem elektronischen optischen Linsen-Tubus 2, der Bestrahlungszeitpunkt und dergleichen werden über eine Bestrahlungssteuereinheit 7 durch eine Steuereinheit 10 gesteuert.
Beim Elektronenstrahlschreiben wird zuerst ein Layout einer integrierten Halbleiterschaltung entworfen, und dann wird das Musterlayout, d. h., Layout-Daten (Entwicklungsdaten), in denen die Form und Position einer zu schreibenden Figur definiert sind, erzeugt. Die Layout-Daten werden ferner als Musterschreibdaten über verschiedene Datenprozesse erzeugt. Das Schreiben wird gemäß den Musterschreibdaten durchgeführt.
Die Steuereinheit 10 ist mit einem Speicher 11 verbunden, wobei es sich um ein Speichermedium handelt. Der Speicher 11 speichert die Musterdaten. Die Steuereinheit 10 erzeugt die Layout-Daten auf Grundlage der Musterdaten von dem Speicher 11.
CAD-Daten, bereitgestellt durch den Entwickler (oder Nutzer) werden in einem hierarchischen Format, wie zum Beispiel OASIS, in Entwicklungszwischendaten konvertiert. Die Entwicklungszwischendaten enthalten Daten (Entwicklungsmusterdaten) des Musters, das auf jeder Maske ausgebildet ist, die für jede Schicht erzeugt wird. Die Entwicklungsmusterdaten werden in einem Speicher 11 gespeichert.
Es wird vermerkt, dass im Allgemeinen die Elektronenstrahlschreibvorrichtungen nicht in der Lage sind, direkt OASIS-Daten zu lesen. D. h., dass jeder Hersteller von Elektronenstrahlschreibvorrichtungen unterschiedliche Formatdaten verwendet. Daher werden OASIS-Daten für jede Schicht in Formatdaten in einem Format konvertiert, das spezifisch für die verwendete Elektronenstrahlvorrichtung ist, und diese Formatdaten werden in die Elektronenstrahlschreibvorrichtung eingegeben.
Die Formatdaten werden über den Speicher 11 in die Steuereinheit 10 eingegeben. Die Entwicklungsmusterdaten enthalten Mustermerkmale, die jeweils aus elementaren Merkmalen bestehen, wie zum Beispiel Rechtecke und Dreiecke. Die Steuereinheit 10 erzeugt Layout-Daten, die die Form, Größe und Position von jedem Mustermerkmal anzeigen, insbesondere eine Information, wie zum Beispiel die Koordinaten (x, y) der Referenzposition von jedem Merkmal, die Länge von dessen Seiten, und einen Form-Code (oder Identifikator), der den Formentyp, wie zum Beispiel ein Rechteck oder Dreieck, identifiziert.
Eine Gruppe von Mustermerkmalen, die in einem Bereich von ca. einigen 10 μm² definiert sind, wird ferner als ein „Cluster” oder „Zelle” definiert. Es ist allgemeine Praxis, dass die Entwicklungsmusterdaten in einer hierarchischen Struktur unter Verwendung von Clustern oder Zellen definiert sind. Ein Cluster (oder eine Zelle), das ein Mustermerkmal oder Merkmale enthält, kann allein oder wiederholt in bestimmten Intervallen verwendet werden.
Die Layout-Daten werden auf Grundlage der maximalen Schussgröße, die durch die Größe des Elektronenstrahls B bestimmt wird, unterteilt, und die Koordinatenpositionen, Größe und Belichtungszeit von jedem unterteilten Schuss werden ebenfalls eingestellt. Dann werden Schreibdaten erzeugt, so dass jeder Schuss gemäß der Form oder Größe eines zu schreibenden Musterelements geformt wird.
Die Schreibdaten werden in Streifenregionen unterteilt, und jede der Streifenregionen wird weiter in Unterablenkungsregionen unterteilt. D. h., dass die Schreibdaten des gesamten Chips eine hierarchische Datenstruktur aufweist, einschließlich der Daten einer Vielzahl von Streifen und der Daten einer Vielzahl von Unterablenkungsbereichseinheiten, die in dem Streifen angeordnet sind.
Die Elektronenstrahlvorrichtung enthält eine Trägerpositions-Messeinheit 12, die eine Position in der X-Richtung und eine Position in der Y-Richtung des Trägers 3 misst. Die Trägerpositions-Messeinheit 12 enthält eine Laser-Längenmesseinheit, die eine Position des Trägers 3 durch Einfall und Reflektion eines Lasers auf einen Trägerspiegel 3a, der auf dem Träger 3 fixiert ist, misst.
Die Bestrahlungssteuereinheit 7 bestätigt die Position des Trägers 3, gemessen durch die Trägerpositions-Messeinheit 12, auf Grundlage der Musterschreibdaten, die von der Steuereinheit 10 eingegeben werden, und führt in der Zwischenzeit eine Formgebungssteuerung und Ablenkungssteuerung des Elektronenstrahls B in dem elektronischen optischen Linsen-Tubus 2 durch, und die Bestrahlungssteuereinheit 7 führt den Elektronenstrahl B zu einer erforderlichen Position der Maske M.
2 ist ein Diagramm zur Darstellung des Schreibens mit dem Elektronenstrahl 200. Wie in 2 gezeigt, wird ein Schreibbereich 51 auf der Maske M in eine Vielzahl von Streifen 52 unterteilt. Das Schreiben mit dem Elektronenstrahl B wird für jeden Streifen 52 wiederholt, während der Träger 3 kontinuierlich in eine Richtung bewegt wird, zum Beispiel in die Plus- oder Minus-X-Richtung. Die Streifen 52 werden weiter in eine Vielzahl von Unterablenkungsbereiche 53 unterteilt, und der Elektronenstrahl B schreibt nur die notwendigen internen Bereiche von jedem Unterablenkungsbereich 53. In 2 ist die Breite von jedem Streifen 52 gleich. Bei den Streifen 52 handelt es sich um einen rechteckigen Schreibbereich, der durch die Ablenkungsbreite des Hauptdeflektors 109 bestimmt ist, und der Unterablenkungsbereich 53 ist ein Schreibbereich, der durch die Ablenkungsbreite des Unterdeflektors 111 bestimmt ist.
Die Bestimmung der Standardposition der Unterablenkungsbereiche 53 erfolgt mit dem Hauptdeflektor 109; das Schreiben in den Unterablenkungsbereichen 53 wird durch den Unterdeflektor 111 gesteuert. D. h., dass der Elektronenstrahl B durch den Hauptdeflektor 109 in den spezifischen Unterablenkungsbereichen 53 positioniert wird, wobei die Schreibposition in den Unterablenkungsbereichen 53 durch den Unterdeflektor 111 bestimmt wird. Der Formgebungsdeflektor 107 und die erste Apertur 105 und die zweite Apertur 108 zum Formgeben des Elektronenstrahls bestimmen ferner die Form und Größe des Elektronenstrahls B. Während der Träger 3 kontinuierlich in eine Richtung bewegt wird, wird ein Muster in dem Unterablenkungsbereich 53 geschrieben, und bei Abschluss des Schreibens wird der nächste Unterablenkungsbereich 53 geschrieben. Wenn das Schreiben in dem gesamten Unterablenkungsbereich 53 in dem Streifen 52 beendet ist, d. h., wenn das Schreiben das Streifenende (hinteres Ende des Streifens) erreicht, wird der Träger 3 schrittweise in eine Richtung (zum Beispiel die Y-Richtung) senkrecht zu einer Richtung bewegt, in der der Träger 3 kontinuierlich bewegt wird. Eine vergleichbare Verarbeitung wird dann zum sequentiellen Schreiben der Streifen 52 wiederholt.
Die Unterablenkungsbereiche 53 sind Bereiche, die durch den Elektronenstrahl B abgetastet und geschrieben werden, schneller als das Abtasten und Schreiben von Hauptablenkungsbereichen durch Unterdeflektor 111, wobei die Unterablenkungsbereiche 53 im Allgemeinen die kleinsten Schreibbereiche sind. Wenn ein Schreiben in den Unterablenkungsbereichen 53 durchgeführt wird, wird die Größe und Form eines Schusses gemäß der Musterform präpariert; der Formgebungsdeflektor 107 bildet dann den gewünschten Schuss aus. Insbesondere wird der Elektronenstrahl B von dem Elektronenstrahlerzeuger 101 ausgestrahlt, wobei die erste Formgebungsapertur 105 den Strahl in eine quadratische Form bringt, der Elektronenstrahl dann durch den Formgebungsdeflektor 107 auf die zweite Formgebungsapertur 108 projiziert wird, die zweite Apertur 18 die Strahlenform und Größe ändert. Danach wird der Elektronenstrahl B, der durch den Unterdeflektor 111 und den Hauptdeflektor 109 abgelenkt wird, auf die Maske M gestrahlt, die auf dem Träger 3 angebracht ist.
Im Stand der Technik wird, nachdem das Streifenende gemäß einem vorher eingestellten Korrekturintervall geschrieben wird, eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Bei der Driftkorrektur wird dann ein Wert als eine Positionsvariation vor dem Start der nächsten Erfassung definiert, der durch eine lineare Interpolation einer Differenz zwischen der erfassten Position und der letzten erfassten Position erhalten wird. In diesem Fall wird die Driftgröße in einem konstanten Zeitintervall gemessen. Wenn ein Korrekturfehler reduziert werden soll, muss daher das Zeitintervall der Messung reduziert werden, um die Anzahl zu erhöhen, mit der die Referenzmarkierung erfasst wird. Dies führt jedoch zu einem Anwachsen der Schreibzeit.
In herkömmlichen Verfahren wurden die Musterschreibdaten in eine Vielzahl von Streifen unterteilt, die die gleiche Breite aufweisen. In der vorliegenden Ausführungsform wird unterdessen die Breite der Streifen gemäß einer Flächendichte eines Musters, das auf der Maske M zu schreiben ist, geändert. Insbesondere wird der Schreibbereich der Maske M in Streifen unterteilt, so dass die Breite der Streifen der Flächendichte eines Figurenmusters entspricht, das auf der Maske M geschrieben wird. Die Musterschreibdaten werden durch Unterteilen der Layout-Daten erhalten, in denen die Figurenmuster in einer Vielzahl von Streifen definiert werden, die eine Breite entsprechend der Flächendichte des Figurenmusters aufweisen.
In der vorliegenden Ausführungsform wird die Breite der Streifen wie folgt bestimmt. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt.
Zuerst wird der Schreibbereich in Streifen unterteilt, die eine Referenzbreite aufweisen, und gleichzeitig in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe unterteilt, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden. Obwohl die „Referenzbreite” geeignet eingestellt werden kann, ist die obere Grenz der Maximalwert einer Ablenkungsbreite eines Hauptdeflektors, und die untere Grenze kann ein Wert größer als Null sein, zum Beispiel eine Ablenkungsbreite eines Unterdeflektors. Das Netz zur Fogging-Korrektur (die später beschrieben wird) kann das gleiche Netz sein, das bei der Berechnung der Flächendichte der Muster verwendet wird. Anschließend wird die Musterflächendichte für jede kleine Fläche berechnet, und es wird ein Durchschnittswert der Flächendichten der kleinsten Flächen erhalten, die in dem Streifen enthalten sind, der eine Referenzbreite aufweist. Der Durchschnittswert ist die Musterflächendichte in der vorliegenden Ausführungsform. Die Referenzbreite wird gemäß dem erhaltenen Durchschnittswert angepasst. Wenn zum Beispiel der Durchschnittswert der Flächendichte größer als ein vorbestimmter Wert ist, weist der Streifen eine Breite auf, die kleiner als die Referenzbreite ist, und weist insbesondere eine Breite auf, die größer als Null und kleiner als die Referenzbreite ist. Wenn unterdessen der Durchschnittswert der Flächendichte kleiner als der vorbestimmte Wert ist, weist der Streifen eine Breite auf, die größer als die Referenzbreite ist, und weist insbesondere eine Breite auf, die nicht mehr als der Maximalwert einer Ablenkungsbreite eines Hauptdeflektors und größer als die Referenzbreite ist. Es wird der Maximalwert der Flächendichte der kleinen Fläche erhalten, die in dem Streifen mit einer Referenzbreite enthalten ist, und die Referenzbreite kann gemäß dem Maximalwert angepasst werden. Alternativ wird der Minimalwert der Flächendichte der kleinen Fläche erhalten, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten ist, und die Referenzbreite kann gemäß dem Minimalwert angepasst werden.
Die Musterflächendichte und die Driftgröße werden miteinander korreliert, und im Allgemeinen entspricht eine größere Musterflächendichte einer größeren Driftgröße. Wenn zum Beispiel der Durchschnittswert der Musterflächendichte in einem einzigen Streifen 50 Prozent oder mehr ist, wird daher der Streifen in zwei Bereiche in einer Richtung senkrecht zu der Breitenrichtung des Streifens unterteilt. Da somit das Streifenende verdoppelt wird, kann der Betrieb zum Erfassen der Position der Referenzmarkierung nach dem Schreiben des Streifenendes verdoppelt werden. Da ferner die Breite des Streifens die Hälfte einer Referenzstreifenbreite ist, wird die Zeit reduziert, die dafür erforderlich ist, beim Schreiben das Streifenende zu erreichen. Da bei der Erfassung der Position der Referenzmarkierung, die unter Verwendung des Elektronenstrahls durchgeführt wird, die Zeit für die nächste Erfassung reduziert werden kann, kann somit eine Drift erfasst werden, die in herkömmlichen Verfahren nicht gefunden werden kann. Folglich kann die Genauigkeit der Driftkorrektur mehr als zuvor erhöht werden.
Wenn unterdessen die Flächendichte des Musters gering ist, wird vorhergesagt, dass die Driftgröße reduziert ist, und daher kann die Streifenbreite mehr als ein Referenzwert erhöht werden. Da gemäß dieser Ausbildung die Anzahl der Erfassung der Referenzmarkierung reduziert werden kann, wird die Anzahl der Erfassungen der Referenzmarkierung, die durch Reduzierung der Streifenbreite erhöht wird, kompensiert, und es wird verhindert, dass die gesamte Schreibzeit anwächst.
3 zeigt ein vergleichendes Beispiel der vorliegenden Ausführungsform, und in dem vergleichenden Beispiel weisen alle Streifen die gleiche Referenzbreite auf. S101 bis S108 zeigen jeweils den Streifen.
Nachdem zum Beispiel das Streifenende von S101 in 3 geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Als nächstes wird der Streifen S102 geschrieben, und dann wird der Streifen S103 geschrieben. Nachdem das Streifenende S103 geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Dann wird ein Wert als eine Positionsvariation vor dem Start der nächsten Erfassung definiert, der durch lineare Interpolation einer Differenz zwischen der erfassten Position und der letzten erfassten Position erhalten wird, und eine Driftkorrektur wird durchgeführt.
Als nächstes wird der Streifen S104 geschrieben, gefolgt durch den Streifen S105. Nachdem das Streifenende von S105 geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Gleichermaßen wird der Streifen S106 geschrieben, und nachdem der Streifen S107 geschrieben ist, erfolgt eine Bestrahlung durch den Elektronenstrahl, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Dann wird ein Wert als Positionsvariation vor dem Start der nächsten Erfassung definiert, der durch lineare Interpolation eine Differenz zwischen der erfassten Position und der letzten erfassten Position erhalten wird, und die Driftkorrektur wird durchgeführt.
Wenn die Korrekturgenauigkeit erhöht werden soll, wenn alle Streifen die gleiche Breite aufweisen, wie in 3 gezeigt, wird die Anzahl der Erfassung der Referenzmarkierung erhöht. Dies führt zum Anwachsen der gesamten Schreibzeit.
4 zeigt ein Beispiel, bei dem die Streifen gemäß der vorliegenden Ausführungsform eine unterschiedliche Breite aufweisen. Ein Muster, das auf der Maske M zu schreiben ist, ist gleich zu dem, wie im Beispiel der 3.
In 4 weisen S203, S204 und S208 die gleiche Breite wie die Streifen der 3 auf. Die Breite dieser Streifen ist eine Referenzbreite.
Obwohl jede Streifenbreite von S201, S202, S206 und S207 kleiner als die Referenzstreifenbreite ist, ist jede Streifenbreite von S205 und S209 breiter als die Referenzbreite.
In der vorliegenden Ausführungsform wird die Driftgröße gemessen, nachdem das Schreiben zumindest eines Streifens beendet ist. Der Zeitpunkt zum Messen der Driftgröße wird vorab vor dem Start des Schreibens bestimmt.
Nachdem im Beispiel das Streifenende von S201 geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Nachdem als nächstes das Streifenende von S202 geschrieben ist, erfasst der Elektronenstrahl die Referenzmarkierung auf die gleiche Art und Weise. Dann wird ein Wert als Positionsvariation vor dem Start der nächsten Erfassung definiert, der durch lineare Interpolation einer Differenz zwischen der erfassten Position und der letzten erfassten Position erhalten wird, und die Driftkorrektur wird durchgeführt.
Bezüglich S203 wird nachdem das Streifenende geschrieben ist, eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Als nächstes werden die Streifen S204, S205 und S206 in einer Reihenfolge geschrieben. Nachdem das Streifenende von S206 geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Dann wird ein Wert als Positionsvariation vor dem Start der nächsten Erfassung definiert, der durch lineare Interpolation einer Differenz zwischen der erfassten Position und der letzten erfassten Position erhalten wird, und die Driftkorrektur wird durchgeführt.
Nachdem das Streifenende von S207 geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Nachdem danach das Streifenende von S208 geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Dann wird ein Wert als Positionsvariation vor dem Start der nächsten Erfassung definiert, der durch lineare Interpolation eine Differenz zwischen der erfassten Position und der letzten erfassten Position erhalten wird, und die Driftkorrektur wird durchgeführt.
Wenn die Streifenbreite, wie in 4 gezeigt, geändert wird, kann die Genauigkeit der Driftkorrektur erhöht werden, während ein Anwachsen der gesamten Schreibzeit unterdrückt wird. Dies wird durch Vergleich mit dem Beispiel in 3 erläutert.
In 4 werden S201 und S202 durch Unterteilung eines Referenzstreifens in zwei Abschnitte in der Richtung senkrecht zu der Breitenrichtung des Referenzstreifens erhalten. Im Übrigen sind alle Streifenbreiten in 3 Referenzstreifenbreiten. Entsprechend stimmt in diesem Fall die Breite von S101 der 3 mit der Breite überein, die durch Kombination der Breiten von S201 und S202 der 4 erhalten wird.
In 3 wird bezüglich des Streifens S101 ein Schreiben durchgeführt, bis das Streifenende erreicht wird; die Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition wird dann zu der Referenzmarkierung bewegt. Die Position der Referenzmarkierung wird erfasst, indem diese mit einem Elektronenstrahl abgetastet wird. Unterdessen wird, wie in 4 gezeigt, bezüglich des Streifens S201 ein Schreiben durchgeführt bis das Streifenende erreicht wird; die Position der Referenzmarkierung wird dann erfasst. Anschließend wird in dem Streifen S202 ein Schreiben durchgeführt bis das Streifenende geschrieben ist, und die Position der Referenzmarkierung wird dann vergleichbar erfasst. Und zwar wird in dem Beispiel der 4 die Position der Referenzmarkierung zweimal in einer Periode von dem Beginn des Schreibens bis zu der Erfassung der Position der Referenzmarkierung in dem Beispiel der 3 erfasst.
Wenn die Musterflächendichte in S201 größer als die Musterflächendichte in S102 ist, wird vorhergesagt, dass die Driftgröße in S101 größer als die Driftgröße in S102 ist. Wenn daher S101 in der gleichen Schreibzeit wie S102 geschrieben wird, kann die Drift nicht ausreichend erfasst werden.
Da im Gegensatz dazu in dem Beispiel der 4 (S201 und S202) die Referenzmarkierung zweimal während einer einzigen Erfassung der Referenzmarkierung in dem Beispiel der 3 (S101) erfasst wird, kann die Drift, die in dem Beispiel der 3 nicht erfasst werden kann, erfasst werden. Gemäß dem Beispiel der 4 kann folglich die Driftkorrektur verglichen mit dem Beispiel der 3 erhöht werden, Die Variation der Drift wächst im Allgemeinen unmittelbar nach dem Beginn der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl an, unabhängig von der Musterflächendichte. 5 zeigt einen derartigen Zustand.
Wie durch eine durchgezogene Linie in 5 dargestellt, ist die Driftvariation unmittelbar nach dem Beginn der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl groß und wird dann allmählich reduziert. Es wird angenommen, dass diese Tatsache darauf beruht, dass ein optisches System und ein Detektor in einer Elektronenstrahlschreibvorrichtung zum Beginn der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl nicht aufgeladen sind. Es wird daher bevorzugt, dass ein Intervall der Driftkorrektur unmittelbar nach dem Beginn der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl so kurz wie möglich ist. In der vorliegenden Ausführungsform wird bevorzugt, dass die Streifenbreite reduziert wird, so dass das Korrekturintervall unmittelbar nach dem Beginn der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl so kurz wie möglich ist.
In 5 zeigt eine gestrichelte Linie ein Zeitintervall beim Messen der Driftgröße und 5 zeigt ein Beispiel, bei dem die Streifenbreite nur unter Berücksichtigung der Flächendichte des Musters bestimmt wird. Und zwar werden die entsprechenden ersten, zweiten und dritten Streifen für jede Zeitperiode beschrieben, die durch die gestrichelte Linie gezeigt ist.
In dem Beispiel, das durch die gestrichelte Linie dargestellt ist, wird die Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl in dem ersten Streifen gestartet. Nachdem zum Beispiel das Streifenende des ersten Streifens geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Nachdem das Streifenende des zweiten Streifens geschrieben ist, wird eine Elektronenstrahl-Bestrahlungsposition zu einer Referenzmarkierung bewegt, und die Referenzmarkierung wird mit dem Elektronenstrahl abgetastet, um die Position der Referenzmarkierung zu erfassen. Nachdem das Schreiben durchgeführt ist, um das Streifenende zu erreichen, erfasst der Elektronenstrahl die Position der Referenzmarkierung. Es wird dann ein Wert als Positionsvariation vor dem Start der nächsten Erfassung definiert, der durch lineare Interpolation einer Differenz zwischen der erfassten Position und der letzten erfassten Position erhalten wird, und die Driftkorrektur wird durchgeführt.
Die jeweiligen Muster der gestrichelten ersten, zweiten und dritten Streifen weisen die gleiche Flächendichte auf. Folglich weisen diese Streifen die gleiche Breite auf, und das Zeitintervall, in dem die Driftgröße gemessen wird, ist in jedem Streifen gleich, wie durch die gestrichelte Linie dargestellt.
Unterdessen zeigt in 5 eine gepunktete Linie ein anderes Beispiel des Zeitintervalls in der Driftgrößenmessung. Dieser Fall entspricht einem Fall, wenn die Streifenbreite nicht nur unter Berücksichtigung der Musterflächendichte sondern auch unter Berücksichtigung der Driftvariation unmittelbar nach Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl bestimmt wird. Der entsprechende erste bis sechste Streifen wird für jede Zeitperiode geschrieben, die durch die gepunktete Linie dargestellt ist.
Bezüglich der Driftgröße, die durch die Durchgezogene Linie in 5 gezeigt ist, ist die Variation, die gefunden wird, wenn der gestrichelte erste Streifen geschrieben wird, größer als die Variation, die gefunden wird, wenn der gestrichelte zweite Streifen geschrieben wird. Wenn der gestrichelte dritte Streifen geschrieben wird, ist die Driftgröße im Wesentlichen konstant. Folglich wird bevorzugt, unter Berücksichtigung der Erhöhung der Genauigkeit der Driftkorrektur, die Streifenbreite derart zu bestimmen, dass das Messintervall der Driftvariation entspricht. In einem Bereich, in dem die Variation groß ist, wird folglich die Streifenbreite reduziert, um das Messintervall zu verkürzen, und in einem Bereich, in dem die Variation gering ist, wird die Streifenbreite vergrößert, um das Messintervall zu verlängern. Die derart erhaltenen Streifen sind der erste bis sechste Streifen, und das Zeitintervall in der Driftgrößenmessung wird durch die gepunktete Linie gezeigt.
Die Driftvariation, die gefunden wird, wenn der erste Streifen geschrieben wird, ist gemäß 5 größer als die Driftvariation, die gefunden wird, wenn zum Beispiel der vierte Streifen geschrieben wird.
Das Intervall der gepunkteten Linie entsprechend dem ersten Streifen ist kürzer als das Intervall der gepunkteten Linie entsprechend dem vierten Streifen. Dies zeigt, dass die Schreibzeit des ersten Streifens kürzer als die Schreibzeit des vierten Streifens ist, und zeigt folglich, dass das Zeitintervall vor der Driftgrößenmessung in dem ersten Streifen kürzer als das in dem vierten Streifen ist.
Die Driftvariation, die zum Beispiel gemäß 5 gefunden wird, wenn der sechste Streifen geschrieben ist, ist geringer als die Driftvariation, die gefunden wird, wenn zum Beispiel der erste Streifen geschrieben wird. Das Intervall der gepunkteten Linie entsprechend dem sechsten Streifen ist länger als das Intervall der gepunkteten Linie entsprechend dem ersten Streifen. Dies zeigt, dass die Schreibzeit des sechsten Streifens länger als die Schreibzeit des ersten Streifens ist, und zeigt, dass das Zeitintervall vor der Driftgrößenmessung in dem sechsten Streifen länger als das in dem ersten Streifen ist.
Der gepunktete erste, zweite und dritte Streifen werden zum Beispiel durch Unterteilung des gestrichelten ersten Streifens in drei Abschnitte in eine Richtung senkrecht zu der Breitenrichtung erhalten. Diese Streifen werden in dieser Reihenfolge geschrieben, und in jedem Streifen wird die Position der Referenzmarkierung erfasst, nachdem das Schreiben durchgeführt wird, um jedes Streifenende zu erreichen. In diesem Fall wird die Erfassung der Position dreimal während einer Periode vom Schreiben des gestrichelten ersten Streifens bis zur Erfassung der Referenzmarkierung durchgeführt.
Der gepunktete vierte und fünfte Streifen werden durch Unterteilung des gestrichelten zweiten Streifens in zwei Abschnitte in eine Richtung senkrecht zu der Breitenrichtung erhalten. Diese Streifen werden in dieser Reihenfolge geschrieben, und in jedem Streifen wird die Position der Referenzmarkierung erfasst, nachdem das Schreiben zum Erreichen jedes Streifenendes durchgeführt ist. In diesem Fall wird folglich die Erfassung der Position zweimal während einer Periode von dem Schreiben des gestrichelten zweiten Streifens bis zur Erfassung der Referenzmarkierung durchgeführt.
Der gestrichelte sechste Streifen weist die gleiche Breite wie der gestrichelte dritte Streifen auf, und wird auf vergleichbare Art und Weise zu dem dritten Streifen geschrieben. Nachdem das Schreiben das Streifenende erreicht, wird die Position der Referenzmarkierung in jedem Streifen erfasst.
Da gemäß den gepunkteten sechsten Streifen, wie oben beschrieben, die Anzahl von Messungen in einem Bereich erhöht wird, in dem die Driftvariation groß ist, kann die Genauigkeit der Driftkorrektur erhöht werden. Da ferner die Anzahl von Messungen in einem Bereich reduziert wird, in dem die Driftvariation gering ist, wird somit verhindert, dass die gesamte Schreibzeit aufgrund des Anwachsens der Anzahl von Messungen in dem Bereich länger wird, in dem die Driftvariation groß ist.
Wie oben erläutert, korrelieren die Musterflächendichte und die Driftgröße miteinander, und eine größere Musterflächendichte ist mit einer größeren Driftgröße verbunden. Die Variation der Musterflächendichte zwischen den Streifen beeinflusst auch die Driftgröße. Umso größer die Variation der Musterflächendichte ist, umso größer wird die Driftgröße. Wenn daher die Streifenbreite bestimmt ist, wird bevorzugt, nicht nur die Musterflächendichte zu berücksichtigen, sondern auch die Variation der Musterflächendichte. Insbesondere wird bevorzugt, die Streifenbreite weiter zu reduzieren, wenn die Musterflächendichte größer ist und die Variation der Musterflächendichte relativ zu einem als nächstes zu schreibenden Streifen größer ist. Es wird ferner bevorzugt, die Driftvariation von dem Beginn der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl zu berücksichtigen.
Die Schreibfläche wird zum Beispiel in Streifen unterteilt, die eine Referenzbreite aufweisen, und gleichzeitig in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe unterteilt, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden. Die Musterflächendichte wird dann für jede kleine Fläche berechnet, und ein Durchschnittswert der Flächendichten der kleinsten Flächen, die in dem Streifen mit einer Referenzbreite enthalten sind, wird erhalten. Die Referenzbreite wird gemäß dem erhaltenen Durchschnittswert angepasst. Danach wird die Breite weiter gemäß der Variation der Musterflächendichte zwischen den Streifen angepasst.
Als nächstes wird ein Schreibverfahren gemäß der vorliegenden Ausführungsform unter Verwendung der 1 und 6 beschrieben.
Zuerst werden die Layout-Daten in einer Layout-Datenerzeugungseinheit 13 der Steuereinheit 10 erzeugt, auf Grundlage von Musterdaten von dem Speicher 11 der 1 (Prozess (1)) in 6.
Als nächstes wird die Flächendichte des Musters der Layout-Daten in einer Musterflächendichte-Berechnungseinheit 17 erhalten (Prozess (2)). Zum Beispiel wird die Referenzstreifenbreite bestimmt, und gleichzeitig wird die Hauptablenkungsfläche in eine Netzform unterteilt. Die Musterflächendichte wird dann für jedes Netz berechnet, und ein Durchschnittswert der Musterflächendichte eines Netzes, das in einem einzigen Streifen enthalten ist, wird erhalten. In der Musterflächendichte-Berechnungseinheit 17 kann die Variation der Musterflächendichte zwischen den Streifen erhalten werden.
In einer Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung handelt es sich bei einem Fogging-Effekt um ein Phänomen, bei dem ein Elektron, das auf einen Fotolack- bzw. Resist-Film gestrahlt wird, auf der Oberfläche des Fotolack- bzw. Resist-Films reflektiert wird, und dann von der optischen Einheit der Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung reflektiert wird, und dann erneut über einen weiten Bereich des Fotolack- bzw. Resist-Films ausgestrahlt wird. Dieses Phänomen wird durch ein Sekundärelektron verursacht, das auf den Fotolack- bzw. Resist-Film ausgestrahlt wird. Eine Dimension eines zu schreibenden Musters wird durch den Fogging-Effekt variiert. Eine akkumulierte Bestrahlungsgröße des Elektronenstrahls, akkumuliert in einem Fotolack bzw. Resist wird folglich angepasst. Da zu diesem Zeitpunkt eine Musterflächendichte der Umgebung die dimensionale Variabilität beeinflusst, wird die dimensionale Variabilität unter Verwendung eines Werts der Musterflächendichte korrigiert. In der vorliegenden Ausführungsform kann die Musterflächendichte verwendet werden, die in der Fogging-Korrektur erhalten wird. In dem Prozess (2) in 6 kann zum Beispiel eine Abbildung der Musterflächendichte, die in der Fogging-Korrektur erhalten wird, zu der Musterflächendichte-Berechnungseinheit 17 gesendet werden.
Eine Streifenbreitenbestimmungs-Informationserfassungseinheit 18 erhält eine Information zum Bestimmen bezüglich der Art des Streifens, indem die Layout-Daten unterteilt werden (Prozess (3)). Eine Information bezüglich der Musterflächendichte, erhalten in der Musterflächendichte-Berechnungseinheit 17, und die Variation der Musterflächendichte zwischen den Streifen sind zum Beispiel eine Information, die durch die Streifenbreitenbestimmungs-Informationserfassungseinheit 18 erhalten werden.
Die aufgezeichneten Daten, die in dem Speicher 11 gespeichert sind, sind ein Element der Information, die durch die Streifenbreitenbestimmungs-Informationserfassungseinheit 18 erhalten wird. Die aufgezeichneten Daten stellen in diesem Fall eine Information über die Layout-Muster, die vorher geschrieben wurden, und eine Information, die erforderlich ist, um eine Differenz von einem Designwert zu reduzieren, der nach der Driftkorrektur verbleibt, und geringer als ein Referenzwert ist.
In der Driftkorrektur wird der Driftwert zum Zeitpunkt des Schreibens durch eine Interpolation vorhergesagt. Und zwar wird in der Driftkorrektur die Referenzmarkierung, die auf der Maske bereitgestellt ist, erfasst, um die Driftgröße zu berechnen, und um somit eine vorhersagende Berechnung des Driftwerts zum Zeitpunkt des Schreibens durch Interpolation durchzuführen. Egal wie sehr die Driftkorrekturgenauigkeit verbessert wird, es verbleibt somit schwierig, die Schreibposition und die geplante Position nach der Driftkorrektur vollständig zueinander anzupassen. In der vorliegenden Anwendung wird eine Differenz zwischen der Schreibposition und der geplanten Position nach der Driftkorrektur als ein „verbleibender Korrekturfehler” bezeichnet.
Es ist erforderlich, dass der verbleibende Korrekturfehler ausreichend stärker als die Positionsgenauigkeit eines Maskenmusters reduziert wird. Mit dem Fortschritt der Miniaturisierung eines Schaltungsmusters in den letzten Jahren ist es insbesondere erforderlich, dass der verbleibende Korrekturfehler ferner reduziert wird. Folglich wird eine Information, die als aufgezeichnete Daten verwendet wird, die erforderlich sind, um den verbleibenden Korrekturfehler auf einen Wert kleiner als einen Referenzwert zu reduzieren, in dem Speicher 11 gespeichert, basierend auf vorhergehenden Musterschreibdaten. Zum Beispiel ist eine Abbildung der Driftgröße, die mit einem Muster assoziiert ist, das vergleichbar zu einem Muster ist, das jetzt geschrieben werden soll, unter den vorher geschriebenen Layout-Mustern ein Element aufgezeichneter Daten. Unter den aufgezeichneten Daten sind die Daten der Driftvariation unmittelbar nach dem Beginn der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl (wie in 5 gezeigt) ein Element einer wichtigen Information, auf die verwiesen wird, wenn die Streifenbreite bestimmt wird.
Wenn in der vorliegenden Ausführungsform die Musterflächendichte, die in der Fogging-Korrektur erhalten wird, verwendet wird, wird die Abbildung zu der Streifenbreitenbestimmungs-Informationserfassungseinheit 18 gesendet, und die Abbildung kann als eine der Informationen verwendet werden, die verwendet wird, wenn die Layout-Daten in Streifen unterteilt wird. In diesem Fall kann der Prozess (2) in 6 weggelassen werden.
Die Streifenerzeugungseinheit 19 unterteilt die Layout-Daten in Streifen mit einer vorbestimmten Breite, basierend auf einer Information von der Streifenbreitenbestimmungs-Informationserfassungseinheit 18 (Schritt 4). Die Breite des Streifens wird gemäß einer Flächendichte eines Musters der Layout-Daten geändert. Es wird zum Beispiel angenommen, dass die Daten von der Musterflächendichte-Berechnungseinheit 17 eine Musterflächendichte von jedem Streifen ist, wenn das Layout-Muster in eine Vielzahl von Streifen mit einer Standardbreite unterteilt wird. Wenn in diesem Fall die Musterflächendichte bei einem vorbestimmten Wert ist, oder mehr als ein vorbestimmter Wert ist, ist die Breite des Streifens geringer als die Standardbreite. Wenn die Musterflächendichte bei einem vorbestimmten Wert ist, oder geringer als ein vorbestimmter Wert ist, ist die Breite der Streifen größer als die Standardbreite. Wenn zum Beispiel die Musterflächendichte in einem einzigen Streifen 50 Prozent oder mehr ist, wird der Streifen in zwei Abschnitte in eine Richtung senkrecht zu der Breitenrichtung des Streifens unterteilt.
In der Streifenerzeugungseinheit 19 wird die Streifenbreite bevorzugt nicht nur unter Berücksichtigung der Musterflächendichte sondern auch unter Berücksichtigung der Driftvariation unmittelbar nach dem Beginn der Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl B und der Variation der Musterflächendichte zwischen den Streifen bestimmt.
In dem ersten Streifen, in dem die Bestrahlung mit dem Elektronenstrahl B begonnen hat, kann die Variation der Musterflächendichte nicht erhalten werden, da es keinen Streifen gibt, der vor dem ersten Streifen geschrieben wurde. In dem ersten Streifen wird somit bezüglich der Driftgröße des ersten Streifens auf ein vergleichbares Muster von den aufgezeichneten Daten verwiesen, die in dem Speicher 11 gespeichert sind, und die Streifenbreite kann bestimmt werden. Da alternativ, wie oben beschrieben, eine Tendenz zum Anwachsen der Driftvariation in dem ersten Streifen nicht von der Musterflächendichte abhängt, kann die Breite des ersten Streifens unabhängig von der Art des Musters eingestellt werden.
Das Layout-Muster wird in vorbestimmte Streifen in der Streifenerzeugungseinheit 19 unterteilt, wodurch die Musterschreibdaten erzeugt werden. Die Musterschreibdaten werden an die Bestrahlungssteuereinheit 7 gesendet, und ein Schreiben wird durchgeführt (Prozess (5)). Insbesondere bestätigt die Bestrahlungssteuereinheit 7 die Position des Trägers 3, gemessen durch die Trägerpositions-Messeinheit 12, basierend auf diesen Musterschreibdaten, und führt unterdessen eine Formgebungssteuerung und Ablenkungssteuerung des Elektronenstrahls B in dem elektronischen optischen Linsen-Tubus 2 durch, und dann wendet die Bestrahlungssteuereinheit 7 den Elektronenstrahl B an einer erforderlichen Position der Maske M an.
Nachdem der erste Streifen geschrieben ist, und das Schreiben das Streifenende des ersten Streifens erreicht, wird in dem Prozess (6) bestimmt, ob oder ob nicht die Driftgröße gemessen wird. Wenn die Messung durchgeführt wird, geht der Fluss zum Prozess (7). Insbesondere wird die Bestrahlungsposition des Elektronenstrahls B zu der Referenzmarkierung bewegt. Die Position der Referenzmarkierung wird dann mit dem Elektronenstrahl B abgetastet, um die Position zu erfassen, und somit die Driftgröße in einer Driftgrößen-Messeinheit 14 zu messen.
Ein Driftkorrekturwert wird dann in einer Driftkorrekturgrößen-Berechnungseinheit 15 berechnet, basierend auf der gemessenen Driftgröße (Prozess (8)). Da der Speicher 11 Korrekturkoeffizienten speichert, wird die Information von der Driftkorrekturgrößen-Berechnungseinheit 15 abgerufen, und ein Korrekturwert entsprechend der Driftgröße wird berechnet.
Die Musterschreibdaten, die in einer Streifenerzeugungseinheit 19 erzeugt werden, sind Daten eines geplanten Werts. Die Musterschreibdaten des geplanten Werts und die Daten des Korrekturwerts von der Driftkorrekturgrößen-Berechnungseinheit 15 werden somit durch einen Additionsberechner 16 addiert und kombiniert. Gemäß dieser Ausbildung werden die Musterschreibdaten des geplanten Werts erneut geschrieben, und es werden die Musterschreibdaten erhalten, in denen die Strahlendriftgröße korrigiert ist.
Anschließend wird der zweite Streifen geschrieben, basierend auf den korrigierten Musterschreibdaten (Prozess (5)).
Nachdem der Schreibprozess das Streifenende des zweiten Streifens erreicht, wird im Prozess (6) bestimmt, ob oder ob nicht die Driftgröße gemessen wird. Wenn die Driftgröße gemessen wird, werden die Prozesse (7) und (8) durchgeführt, und der Fluss bzw. Arbeitsablauf kehrt dann zum Prozess (5) zurück, um das Schreiben durchzuführen.
Wenn in dem Prozess (6) bestimmt wird, dass die Driftgröße nicht gemessen wird, wird in dem Prozess (9) bestimmt, ob oder ob nicht das Schreiben beendet wird. Wenn ein Muster zu schreiben ist, geht der Fluss bzw. Arbeitsablauf zum Prozess (5) zurück, um das Schreiben durchzuführen. Zu diesem Zeitpunkt wird die Driftgröße in dem dritten Streifen durch eine Interpolation von der Driftgröße, die zuletzt gemessen wurde, vorhergesagt, und der korrigierte Wert, basierend auf der Driftgröße, wird in der Driftkorrekturgrößen-Berechnungseinheit 15 berechnet und zu den Musterschreibdaten des dritten Streifens addiert. Danach wird der dritte Streifen basierend auf den korrigierten Musterschreibdaten geschrieben. Wenn unterdessen kein Muster vorliegt, das in dem Prozess (9) zu schreiben ist, wird die obige Reihe von Schreibprozessen beendet.
7 zeigt ein Beispiel, bei dem eine zeitliche Änderung des verbleibenden Driftkorrekturfehlers in der vorliegenden Ausführungsform mit dem eines herkömmlichen Verfahrens verglichen wird.
Die gestrichelte Linie zeigt eine zeitliche Änderung des verbleibenden Korrekturfehlers in dem herkömmlichen Verfahren.
Der gestrichelte Pfeil zeigt einen Zeitpunkt der Driftgrößenmessung in dem herkömmlichen Verfahren.
In dem herkömmlichen Verfahren wird die Position der Referenzmarkierung in der Mitte des Schreibens in einem konstanten Zeitintervall erfasst. Und zwar wird, wie durch den gestrichelten Pfeil gezeigt, die Driftgröße in einem konstanten Zeitintervall gemessen. Wenn somit eine Drift zwischen den Messungen auftritt, kann das Auftreten der Drift nicht erfasst werden. Folglich wird die Genauigkeit der Driftkorrektur verringert und der verbleibende Korrekturfehler ist außerhalb eines erlaubten Bereichs. Unmittelbar nach dem Beginn des Schreibens ist die Driftvariation besonders groß, und der verbleibende Korrekturfehler ist somit, wie in 7 gezeigt, oft außerhalb des erlaubten Bereichs. Die Größe des erlaubten Bereichs ist ein Wert, der ausreichend geringer als die Positionsgenauigkeit des Maskenmusters ist.
Unterdessen zeigt die durchgezogene Linie in 7 die zeitliche Veränderung des verbleibenden Korrekturfehlers gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Der durchgezogene Pfeil zeigt einen Zeitpunkt der Driftgrößenmessung in der vorliegenden Ausführungsform.
In der vorliegenden Ausführungsform wird die Breite der Streifen gemäß der Musterflächendichte geändert, wobei das Intervall der Driftmessung zwischen den Streifen geändert wird. Wenn die Flächendichte des Musters gleich ist, ist die Zeit, die zum Schreiben erforderlich ist, das durchgeführt wird, bis das Streifenende erreicht ist, in dem Streifen, der eine geringe Breite aufweist, kürzer als die in dem Streifen, der eine große Breite aufweist. Die Driftgröße wird gemessen, nachdem das Schreiben das Streifenende erreicht, und daher wird, wenn die Schreibzeit zum Erreichen des Streifenendes reduziert wird, das Zeitintervall in der Driftmessung reduziert.
Folglich kann eine abrupt auftretende Drift erfasst werden, die in dem herkömmlichen Verfahren schwierig zu erfassen ist, und die Korrekturgenauigkeit kann verbessert werden; es kann somit verhindert werden, dass der verbleibende Korrekturfehler außerhalb des erlaubten Bereichs liegt.
In der vorliegenden Ausführungsform wird die Streifenbreite unter Berücksichtigung der Größe der Driftvariation unmittelbar nach dem Beginn des Schreibens bestimmt, wobei die Genauigkeit der Driftkorrektur weiter verbessert werden kann. Das Intervall der Driftmessung wird in dem Bereich erhöht, in dem die Musterflächendichte gering ist, wodurch es möglich wird, zu verhindern, dass die gesamte Schreibzeit lang wird.
Die Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung können wie folgt zusammengefasst werden.
Gemäß der ersten Ausführungsform werden die Layout-Daten in Streifen unterteilt, die eine Referenzbreite aufweisen und gleichzeitig in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe unterteilt, um eine Vielzahl von kleinen Bereichen auszubilden. Die Musterflächendichte wird dann für jeden kleinen Bereich berechnet, und ein Durchschnittswert der Flächendichten der kleinen Bereiche, die in dem Streifen mit einer Referenzbreite enthalten sind, wird erhalten. Die Referenzbreite wird gemäß dem erhaltenen Durchschnittswert angepasst. Die erste Ausführungsform stellt daher ein Driftkorrekturverfahren bereit, das eine Drift erfasst, die herkömmlich schwer zu erfassen ist, und kann daher die Korrekturgenauigkeit verbessern.
Gemäß der zweiten Ausführungsform werden Schreibdaten durch Unterteilen der Layout-Daten erhalten, in denen ein Muster in eine Vielzahl von Streifen definiert wird, die eine Breite entsprechend der Flächendichte der Muster aufweisen. Die zweite Ausführungsform stellt daher ein Schreibdaten-Erzeugungsverfahren bereit, das für ein Driftkorrekturverfahren geeignet ist, das eine Drift erfasst, die herkömmlich schwer zu erfassen ist, und kann daher die Korrekturgenauigkeit verbessern.
Gemäß der dritten Ausführungsform wird eine Schreibfläche einer Probe in eine Vielzahl von Streifen unterteilt, so dass eine Breite eines Streifens einer Flächendichte eines Musters entspricht, das auf der Probe geschrieben wird. Die dritte Ausführungsform stellt daher ein Driftkorrekturverfahren bereit, das eine Drift erfasst, die herkömmlich schwierig zu erfassen ist und kann daher eine Korrekturgenauigkeit verbessern.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obigen Ausführungsformen beschränkt und kann in verschiedenen Formen modifiziert werden, ohne vom Umfang der Erfindung abzuweichen.
In der oben erwähnten Ausführungsform wird zum Beispiel das Schreiben gestoppt und die Driftgröße wird gemessen, nachdem das Schreiben zumindest eines Streifens beendet ist, d. h., das Schreiben das Streifenende erreicht. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Ausführungsform beschränkt.
In der vorliegenden Ausführungsform wird das Schreiben während dem Schreiben von einem der Streifen gestoppt, und die Driftgröße kann gemessen werden. Das Zeitintervall in der Driftmessung kann folglich weiter reduziert werden. Die Messzeit kann bei bestimmten Abschnitten reduziert werden, wie zum Beispiel einem Abschnitt, in dem die Musterdichte groß in dem Streifen ist, und einem Abschnitt, in dem aus den aufgezeichneten Daten vorhergesagt wird, dass die Driftgröße groß ist. Wenn zum Beispiel die Musterflächendichte für jede kleine Fläche berechnet wird, die durch Unterteilen der Schreibfläche in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe erhalten wird, kann die Driftgröße nach dem Schreiben einer vorbestimmten kleinen Fläche gemessen werden.
Ein Fall, bei dem das Schreiben gestoppt wird, nachdem das Schreiben zumindest eines Streifens beendet ist, um die Driftgröße zu messen, und ein Fall, bei dem das Schreiben gestoppt wird, während des Schreibens von zumindest einem der Streifen, um die Driftgröße zu messen, kann kombiniert werden. Und zwar kann ein Fall bereitgestellt werden, bei dem die Driftgröße gemessen wird, nachdem das Schreiben das Streifenende bezüglich einer einzelnen Maske erreicht, und ein Fall, bei dem die Driftgröße während des Schreibens von einem der Streifen gemessen wird. Gemäß dieser Ausbildung kann die Genauigkeit der Driftkorrektur weiter erhöht werden.
Obwohl in der vorliegenden Ausführungsform die Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung mit einem Hauptdeflektor und einem Unterdeflektor beschrieben wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Die Elektronenstrahl-Schreibvorrichtung erfordert nicht zwei Träger, einschließlich dem Hauptdeflektor und dem Unterdeflektor (oder einer Vielzahl von Trägern), und kann die Bestrahlungsposition auf einer Maske bestimmen, während der Elektronenstrahl mit einem einzelnen Träger eines Deflektors abgelenkt und ein Muster geschrieben wird.
In der oben erwähnten Ausführung wurde ferner ein Elektronenstrahl verwendet, die vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, und kann einen anderen Ladungsträgerstrahl, zum Beispiel einen Ionenstrahl, verwenden.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2012-138003 [0001]
JP 9-293670 [0012]
JP 7-142321 [0012]

Claims

Driftkorrekturverfahren, umfassend: Unterteilen einer Schreibfläche einer Probe in eine Vielzahl von Streifen, die eine Breite entsprechend einer Flächendichte eines Musters aufweisen, das mit einem Ladungsträgerstrahl auf der Probe geschrieben wird; Stoppen des Schreibens, wenn zumindest ein Streifen beendet ist, oder während des Schreibens von einem der Streifen, und Messen einer Driftgröße; und Korrigieren einer Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls unter Verwendung der Driftgröße,
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 1, wobei die Schreibfläche in Streifen unterteilt wird, die eine Referenzbreite aufweisen, und in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe unterteilt wird, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, wobei eine Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen berechnet wird, ein Durchschnittswert der Flächendichte der kleinen Fläche, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten ist, erhalten wird, und die Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert angepasst wird.
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 2, wobei dann, wenn der Durchschnittswert der Flächendichte größer als ein vorbestimmter Wert ist, ein Streifen eine Breite aufweist, die geringer als die Referenzbreite ist, und dann, wenn der Durchschnittswert der Flächendichte geringer als der vorbestimmte Wert ist, der Streifen eine Breite aufweist, die breiter als die Referenzbreite ist.
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 2, wobei nach Anpassung der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert der Flächendichte die Breite ferner gemäß der Variation der Flächendichte des Musters zwischen den Streifen angepasst wird.
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 1, wobei die Breite des Streifens eine Breite entsprechend der Variation einer Drift vom Beginn der Bestrahlung mit dem Ladungsträgerstrahl ist.
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 1, wobei die Schreibfläche in Streifen unterteilt wird, die eine Referenzbreite aufweisen, und in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe unterteilt wird, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, wobei eine Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen berechnet wird, ein Maximalwert der Flächendichte der kleinen Fläche, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten ist, erhalten wird, und die Referenzbreite gemäß dem Maximalwert angepasst wird.
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 1, wobei die Schreibfläche in Streifen unterteilt wird, die eine Referenzbreite aufweisen, und in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe unterteilt wird, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, wobei eine Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen berechnet wird, ein Minimalwert der Flächendichte der kleinen Fläche, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten ist, erhalten wird, und die Referenzbreite gemäß dem Minimalwert angepasst wird.
Driftkorrekturverfahren, umfassend die Schritte zum: Erzeugen von Layout-Daten aus Musterdaten eines Musters, das auf einer Schreibfläche auf einer Probe zu schreiben ist; Unterteilen der Layout-Daten in Streifen, die eine Referenzbreite aufweisen, und Unterteilen der Layout-Daten in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe, zum Ausbilden einer Vielzahl von kleinen Flächen, Berechnen einer Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen, und Erhalten eines Durchschnittswerts der Flächendichte der kleinen Flächen, die in dem Streifen mit dem Referenzwert enthalten sind; Anpassen der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert; und Schreiben des Musters auf der Probe mit einem Ladungsträgerstrahl gemäß angepasster Streifen, wobei dann, wenn das Schreiben von zumindest einem angepassten Streifen beendet ist, oder während des Schreibens von einem der angepassten Streifen, das Schreiben gestoppt wird, um eine Driftgröße zu messen, und eine Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls unter Verwendung der Driftgröße korrigiert wird.
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 8, wobei in dem Schritt zum Schreiben des Musters mit dem Ladungsträgerstrahl das Muster geschrieben wird, während der Ladungsträgerstrahl durch einen Hauptdeflektor und einen Unterdeflektor abgelenkt wird, die an einem optischen Weg des Ladungsträgerstrahls angeordnet sind, und ein Wert der Referenzbreite größer als Null und nicht mehr als ein Maximalwert einer Ablenkungsbreite des Hauptdeflektors ist.
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 8, wobei nach Anpassung der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert der Flächendichte die Breite ferner gemäß der Variation der Flächendichte des Musters zwischen den Streifen angepasst wird.
Driftkorrekturverfahren nach Anspruch 8, wobei die Breite des angepassten Streifens eine Breite entsprechend der Variation einer Drift von dem Beginn der Bestrahlung mit dem Ladungsträgerstrahl ist.
Driftkorrekturverfahren, umfassend die Schritte zum: Erzeugen von Layout-Daten aus Musterdaten eines Musters, das auf einer Schreibfläche auf einer Probe zu schreiben ist; Unterteilen der Layout-Daten in Streifen, die eine Referenzbreite aufweisen, und Unterteilen der Layout-Daten in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, Berechnen einer Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen, und Erhalten eines Maximalwerts der Flächendichten der kleinen Flächen, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten sind; Anpassen der Referenzbreite gemäß dem Maximalwert; und Schreiben des Musters auf der Probe mit einem Ladungsträgerstrahl gemäß angepasster Streifen, wobei dann, wenn das Schreiben von zumindest einem angepassten Streifen beendet ist, oder während des Schreibens von einem der angepassten Streifen, das Schreiben gestoppt wird, um eine Driftgröße zu messen, und eine Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls unter Verwendung der Driftgröße korrigiert wird.
Driftkorrekturverfahren, umfassend die Schritte zum: Erzeugen von Layout-Daten aus Musterdaten eines Musters, das auf einer Schreibfläche auf einer Probe zu schreiben ist; Unterteilen der Layout-Daten in Streifen, die eine Referenzbreite aufweisen, und Unterteilen der Layout-Daten in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe, zum Ausbilden einer Vielzahl von kleinen Flächen, Berechnen einer Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen, und Erhalten eines Minimalwerts der Flächendichten der kleinen Flächen, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten sind; Anpassen der Referenzbreite gemäß dem Minimalwert; und Schreiben des Musters auf der Probe mit einem Ladungsträgerstrahl gemäß angepasster Streifen, wobei dann, wenn das Schreiben von zumindest einem angepassten Streifen beendet ist, oder während des Schreibens von einem der angepassten Streifen, das Schreiben gestoppt wird, um eine Driftgröße zu messen, und eine Bestrahlungsposition des Ladungsträgerstrahls unter Verwendung der Driftgröße korrigiert wird.
Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren zum Schreiben eines vorbestimmten Musters auf einer Probe mit einem Ladungsträgerstrahl, wobei Layout-Daten, in denen das Muster definiert ist, in eine Vielzahl von Streifen unterteilt werden, die eine Breite entsprechend einer Flächendichte des Musters aufweisen, um die Muster-Schreibdaten zu erzeugen.
Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren nach Anspruch 14, wobei die Breite des Streifens eine Breite entsprechend der Variation einer Drift von dem Beginn der Bestrahlung mit dem Ladungsträgerstrahl ist.
Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren nach Anspruch 14, ferner: Unterteilen der Layout-Daten in Streifen, die eine Referenzbreite aufweisen, und Unterteilen der Layout-Daten in eine Netzform mit einer vorbestimmten Größe, um eine Vielzahl von kleinen Flächen auszubilden, Berechnen einer Flächendichte des Musters für jede der kleinen Flächen, und Erhalten eines Durchschnittswerts der Flächendichten der kleinen Flächen, die in dem Streifen mit der Referenzbreite enthalten sind, und Anpassen der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert.
Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren nach Anspruch 14, wobei dann, wenn der Durchschnittswert der Flächendichten größer als ein vorbestimmter Wert ist, ein Streifen eine Breite aufweist, die geringer als die Referenzbreite ist, und dann, wenn der Durchschnittswert der Flächendichte geringer als der vorbestimmte Wert ist, der Streifen eine Breite aufweist, die breiter als die Referenzbreite ist.
Muster-Schreibdaten-Erzeugungsverfahren nach Anspruch 14, wobei nach Anpassung der Referenzbreite gemäß dem Durchschnittswert der Flächendichte die Breite ferner gemäß der Variation der Flächendichte des Musters zwischen den Streifen angepasst wird.