JP3472009B2 - 露光データ作成装置、露光データ作成方法及び荷電粒子ビーム露光装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光データ作成装
置、露光データ作成方法及び荷電粒子ビーム露光装置に
関するものであり、特に、電子ビームにより半導体ウエ
ハ上にパターンを焼き付けるため露光データを作成する
装置、方法及びそれを応用した露光装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路（以下ＬＳＩという）装
置のマスク製作においては、一般に電子ビーム露光装置
が用られている。この装置は電子ビームによって、半導
体ウエハの露光領域に所定の露光パターンを焼き付ける
ものである。ウエハの露光領域はフィールドと呼ばれる
所定のサイズの領域に分割され、更に、フィールドは、
サブフィールドと呼ばれる所定サイズの領域に分割され
ている。

【０００３】また、ＬＳＩ設計データはサブフィールド
単位に存在し、露光パターンを単独にサブフィールドに
配置するための単独配置パターンデータと、同じデータ
でサブフィールド毎に複数の露光パターンを繰り返し配
置するためのマトリクス配置パターンデータから成る。
各データは、露光パターンの配置情報と、配置数、配置
番号及び配置範囲等の位置情報とを有している。このパ
ターンデータに関しても、単独配置パターンデータと、
複数のパターンデータをあたかも、１ショットで露光で
きる単独のブロック露光パターンデータと、配置情報を
持ったマトリクス配置ブロック露光パターンデータと、
配置情報を持ったマトリクス配置パターンデータとに分
類される。

【０００４】ここで、従来例に係る露光データ作成方法
を説明する。本発明者が先に特許出願（特開平５−第７
４６９１号）したデータ作成方法では、図３５（Ａ）に
示すように、例えば、被露光対象のフィールドを７×７
個に分割したサブフィールドに、ＬＳＩ設計データに応
じて、１つのマトリクス配置パターン１を配置する。こ
の配置によって、７×７個の各サブフィールドにマトリ
クス配置パターンデータが登録される。

【０００５】マトリクス配置パターン１は、メモリ等の
パターンが露光される３×３個のマトリクス配置Ａと、
その周辺を囲んだ４種類のマトリクス配置Ｂ〜Ｅと、更
に、配置Ｂ〜Ｅの周辺を囲んだマトリクス最外郭単独配
置サブフィールド２から構成され、このマトリクス配置
パターン１を２４個の単独配置サブフィールドが取り囲
んでいる。

【０００６】次に、サブフィールド毎に各パターンの露
光量を求め、さらに、これらの露光量の補正を行うべ
く、配置パターン１のマトリクス認識処理を行う。この
認識処理では、配置パターン１をマトリクス最外郭単独
配置サブフィールドと、マトリクス配置内部サブフィー
ルド（マトリクス配置Ａ〜Ｅ）とに分け、マトリクス最
外郭単独配置サブフィールドを全て展開する。

【０００７】この展開によって、１つのサブフィールド
を占有する露光パターンの密度を調べ、補正対象となる
露光パターンの境界部分と、隣接する露光パターンとの
近接効果ε〔μｍ〕を補正する。従来例では近接効果の
補正をサブフィールド毎に行い、この際に、照射量補正
及び寸法補正によって行っている。その後、補正された
パターンデータを電子ビーム露光装置の露光データにフ
ォーマット変換することにより、設計データに基づく露
光データが作成される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
の露光データ作成方法では、次のような問題がある。 各パターンの露光量を補正するべく、マトリクス認
識を行うときに、図３５（Ａ）に示すように、マトリク
ス配置パターン１をマトリクス最外郭単独配置サブフィ
ールドとマトリクス配置内部サブフィールドとに分け、
マトリクス最外郭単独配置サブフィールドを全て展開し
ているため、図３５（Ｂ）に示すような５列のサブフィ
ールドが一列置きに並んでいる５×５個のマトリクス配
置パターン２の場合や、図３５（Ｃ）に示すような５列
のサブフィールドが一列置きにずれて並んでいる５×５
個のマトリクス配置パターン３の場合でも、全てが単独
配置サブフィールドとして認識されてしまう。

【０００９】これにより、単独配置サブフィールドに関
しては周囲のサブフィールドとの近接効果を考えてパタ
ーン密度を調べる必要があることから、取り扱うサブフ
ィールド数及びパターンデータ数が膨大になり、パター
ンデータの補正処理の高速化の妨げとなっている。

【００１０】 最近のメモリ品種では、ＬＳＩ設計デ
ータの中にマトリクス配置パターンデータが数多く含ま
れており、また、この露光パターンの配置関係も複雑化
しており、マトリクス認識に多くの時間を要するように
なる。 また、各パターンの露光量がサブフィールド毎に求
められているため、設計データにマトリクス配置パター
ンデータ、あるいは、ブロック露光パターンデータを含
んでいる場合であって、近接効果を補正する補助露光パ
ターンを発生させるか否かの判断する場合に、チップ全
体の露光パターンの露光量を調べる必要があり、この判
断に至るまでに多くの時間を要することとなる。

【００１１】このようにＬＳＩの大容量化、高機能化に
伴い、計算機のデータ処理時間が大幅に膨れ上がり、大
規模なメモリ品種、大規模なロジック品種ではパターン
データの補正処理を困難にしている。本発明は、かかる
従来例の問題点に鑑み創作されたものであり、サブフィ
ールドに配置されたいかなる露光パターンであっても、
荷電粒子ビームの１ショット毎に最適な照射量を露光デ
ータに与えることが可能となる露光データ作成装置、露
光データ作成方法及び荷電粒子ビーム露光装置の提供を
目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、被露光対象の
設計データから荷電粒子ビーム露光装置の露光データを
作成する装置において、 前記荷電粒子ビーム露光装置に
よりビーム偏向可能な大きさに前記被露光対象の露光領
域を区分した第１の領域毎に、前記設計データに応じた
露光パターンを配置する配置手段と、 前記露光パターン
を配置した第１の領域を更に区分して前記露光装置の１
ショットの荷電粒子ビームで露光可能な大きさの複数個
の第２の領域を作成する領域作成手段と、 前記第２の領
域内に占める露光パターンの割合に応じた荷電粒子ビー
ムの照射量を算出する演算手段と、 １つの補正対象とな
る第２の領域から任意の長さだけ離れた周辺の第２の領
域までの各々離隔距離に、前記周囲の第２の領域に占め
る露光パターンの割合を積算して前記周辺の第２の領域
に占める露光パターンの割合を修正するための修正比率
をそれぞれ算出する修正手段とを備えたことを特徴とす
る。

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】

【００２７】

【００２８】

【００２９】

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】

【００３７】

【００３８】

【発明の実施の形態】次に、図を参照しながら本発明の
実施例について説明をする。図１〜図３２は、本発明の
実施例に係る露光データ作成装置、露光データ作成方法
及び荷電粒子ビーム露光装置の説明図である。

【００３９】（１）第１の実施例の説明 被設計半導体集積回路（以下被設計ＬＳＩという）の設
計データＤINから露光データＤOUT を作成する装置は、
図１に示すように、フィールド配置エディタ１１、マッ
プ作成エディタ１２、中央演算装置（以下単にＣＰＵと
いう）１３、露光量修正部１４、補助露光パターン発生
部１５、入力サポートツール１６、入力ファイル１７、
中間ファイル１８、露光量中間ファイル１９、補正テー
ブルメモリ２０、データ変換エディタ２１及び出力ファ
イル２２を備えている。

【００４０】フィールド配置エディタ１１は配置手段の
一例であり、パターンデータＤ１に基づいて図形配置を
するマイクロプロセッサやパターンデータＤ１や補助露
光データＤ５等を一時記憶するＲＡＭ（随時書込み読出
し可能なメモリ：以下ローカルメモリという）から成
る。例えば、配置エディタ１１は被設計ＬＳＩの設計デ
ータ上で、図２（Ａ）に示すような、あるチップ（被露
光対象）のフィールドの１つを１１×１３個のサブフィ
ールドに分割し、パターンデータＤ１に基づいて図２
（Ｂ）に示すような単独配置サブフィールド、マトリク
ス配置サブフィールド及び仮単独配置サブフィールド等
をこのフィールドに配置する機能を有している。フィー
ルド配置エディタ１１は図２（Ｂ）に示したような仮単
独配置サブフィールドを配置する場合、図２（Ａ）のフ
ィールドの中心に仮単独配置サブフィールドの中心を一
致させるようにしている。ここでフィールドとは被設計
ＬＳＩを形成する半導体チップの露光領域をいい、サブ
フィールドとはフィールドを電子ビーム露光装置により
電子ビームが偏向可能な大きさに区分した領域をいうも
のとする。被設計ＬＳＩの設計データＤINはサブフィー
ルド毎に与えられ、この中でも、パターンデータＤ１は
大きく分けて、単独配置パターンデータ、マトリクス配
置パターンデータ、単独配置ブロック露光パターンデー
タ、マトリクス配置ブロック露光パターンデータの４種
類に分かれる。

【００４１】単独配置サブフィールドは露光パターンを
単独に配置する領域であり、マトリクス配置サブフィー
ルドは同じデータでサブフィールド毎に複数の露光パタ
ーンを繰り返し配置する領域であり、仮単独配置サブフ
ィールドは後述する補助露光パターンを単独に発生させ
る領域である。

【００４２】マップ作成エディタ１１は作成手段の一例
であり、パターンデータＤ１に基づいて領域を区分する
マイクロプロセッサやデータＤ１，Ｄ５及びマップデー
タＤ２等を一時記憶するローカルメモリから成る。例え
ば、マップ作成エディタ１２はフィールド配置エディタ
１１によって配置されたサブフィールドを電子ビームの
１ショットで露光可能な大きさに区分して、例えば、図
３に示すような２５×２５の６２５個のマップを作成す
る機能を有している。ここで、マップとは電子ビーム露
光装置の電子ビームの１ショットでほぼ露光可能な大き
さの領域をいうものとする。

【００４３】マップの大きさは設計データＤINの中に、
ブロック露光データが存在しない場合には、外部入力情
報（カード）で指定された値がマップの大きさの候補に
なる。また、ブロック露光データが存在する場合には、
ブロックパターンの露光面積の最大のものが、マップの
大きさの候補に上げられる。この候補に上げられたマッ
プの大きさが、図３に示すようなサブフィールドサイズ
Ｘ，Ｙの整数分の１になっていない場合には、整数分の
１になるようにマップの大きさを変更して、最終的なマ
ップの大きさを決定する。

【００４４】例えば、マップの大きさの候補がｘ，ｙ共
に４．５６μｍの場合であって、サブフィールドサイズ
がＸ，Ｙ共に１１０μｍであり、マップに占める露光パ
ターンの割合（以下露光量という）の見直し時に周囲の
マップを取り込むための領域幅（以下単にマップ取り込
み領域という）を５．００μｍとするような場合には、
マップの大きさ×整数倍が１１０μｍになるように１つ
のマップの大きさを求める。この場合には、図３に示す
ように、一辺の長さが４．４μｍとする値が最適にな
り、この値をマップのサイズｘ，ｙに設定する。マップ
は、サブフィールドサイズとマップ取り込み領域の大き
さとマップの大きさの関係で偶数個を発生させる場合
と、奇数個を発生させる場合の２種類が対象となる。６
２５個の各マップの情報は、マップ毎に露光量を求める
ために、マップデータＤ２として中間ファイル１８に登
録する。

【００４５】ＣＰＵ１３は演算手段の一例であり、マッ
プデータＤ２に従って各種計算をする演算器（ＡＬＵ）
や、計算結果となる露光量データを一時記憶するローカ
ルメモリから成る。ＣＰＵ１３はフィールド配置エディ
タ１１のパターン配置によって、例えば、図４に示すよ
うな単独配置サブフィールド内の５×５個のマップエリ
アＡを占めるようになった露光パターンの露光量をマッ
プ毎に求め、該露光量に応じた電子ビームの照射量を各
露光パターン毎に与える機能を有している。エリアＡは
５×５個のマップｍａｐ１〜ｍａｐ２５から成る。ここ
で求めたマップ毎の露光量データＤ３は露光量中間ファ
イル１９に格納する。

【００４６】ＣＰＵ１３は、例えば、図５に示すように
マップの大きさ４．４μｍ×４．４μｍと該マップｍａ
ｐ６〜ｍａｐ８、ｍａｐ１１〜ｍａｐ１３の６つのエリ
アを占める露光パターンｐの大きさから各々のマップ毎
に面積比を算出する。 ｍａｐ６＝（ｘ２−ｘ１）×（ｙ２−ｙ１）／マップの面積 ｍａｐ７＝（ｘ３−ｘ２）×（ｙ２−ｙ１）／マップの面積 ｍａｐ８＝（ｘ４−ｘ３）×（ｙ２−ｙ１）／マップの面積 ｍａｐ11＝（ｘ３−ｘ１）×（ｙ３−ｙ２）／マップの面積 ｍａｐ12＝（ｘ３−ｘ２）×（ｙ３−ｙ２）／マップの面積 ｍａｐ13＝（ｘ４−ｘ３）×（ｙ３−ｙ２）／マップの面積 となる。このように各マップの露光量は、１つのマップ
の面積を占める露光パターンの面積の割合として求める
ことができる。本実施例ではこれを単に露光量といい、
この面積比に応じてＣＰＵ１３では電子ビームの照射量
に対する補正比率αを決定する。

【００４７】さらに、ＣＰＵ１３は図６に示すような補
正テーブルに従って、マップを占める露光パターンの密
度が大きい場合には、電子ビームの照射量に対する補正
比率αを小さく設定し、露光パターンの密度が小さい場
合には、補正比率αを大きく設定する機能を有してい
る。

【００４８】ここで補正テーブルは補正テーブルメモリ
２０の内容であり、マップを占める露光パターンの密度
を１１段階に分類し、この段階に対する補助露光パター
ンの発生の有無及び電子ビームの基本照射量に対する補
正比率αを規定したものである。補正比率αは０．１≦
α≦１．０であり、補正比率データＤ６として読み出さ
れる。この例では、露光パターンの密度０．０〜９．５
％の場合に補助露光パターンを発生するものとし、その
ランクを補助露光１とし、密度９．５〜18.5％を補助露
光２とし、密度18.5〜27.5％を補助露光３とし、密度2
7.5〜36.5％を補助露光４とし、密度36.5〜45.5％を補
助露光５に分けている。また、段階１〜５については露
光パターンの密度が小さい場合として、補正比率αを
１．０を設定している。なお、段階６〜１１については
露光パターンの密度が大きい場合として、「補助露光無
し」とし、補正比率αについては、段階６に対しては
１．０を設定するものの、段階７に対して０．８、段階
８に対して０．６、段階９に対して０．４、段階10に対
して０．２、段階11に対して０．１を設定している。

【００４９】露光量修正部１４は修正手段の一例であ
り、露光量データＤ３に基づいて修正比率データＤ４を
算出するマイクロプロセッサやデータＤ３，Ｄ４及び補
助露光データＤ５等を一時記憶するローカルメモリから
成る。例えば、露光量修正部１４は、１つの補正対象と
なるマップから任意の長さεμｍだけ離れた周辺のマッ
プまでの各々離隔距離に、ＣＰＵ１３が求めた周囲のマ
ップの露光量を積算して周辺のマップの露光量を修正す
るための修正比率βをそれぞれ算出する機能を有してい
る（第２の作成装置）。

【００５０】例えば、露光量修正部１４は図７に示すよ
うな一辺の長さが１μｍの正方形の見直しマップ（補正
対象マップ）からＸ，Ｙ方向にそれぞれ５μｍだけ離れ
た周辺の１２０個のマップまでの各々離隔距離に、ＣＰ
Ｕ１３が求めた周囲のマップの露光量を積算して周辺の
マップの露光量を修正するための修正比率βをそれぞれ
算出し、その後、一辺が４．４μｍのマップに修正比率
βを換算する機能を有している。

【００５１】図８（Ａ）は一辺の長さが１μｍのマップ
の露光量の修正比率βの算出結果であり、図７の左斜線
で表示した補正対象マップと周囲のマップとの間の露光
距離段階（１）から（10）に対する修正比率βを示して
いる。この修正比率βの算出結果は修正比率データＤ４
として露光量中間ファイル１９に格納する。

【００５２】図７において、マップ（１）と補正対象マ
ップの距離を１とすると、マップ（２）と補正対象マッ
プの距離は、図８（Ａ）に示すように、マップ（１）の
距離×√２で１．１４の距離にあり、マップ（３）まで
の距離は、２であり、マップ（４）までの距離は、マッ
プ（３）の距離×√２で２．２８の距離にあり、マップ
（５）までの距離は、３であり、マップ（６）までの距
離は、マップ（５）の距離×√２であり、マップ（７）
までの距離は、４であり、マップ（８）までの距離は、
マップ（７）の距離×√２であり、マップ（９）までの
距離は、５であり、マップ（10）までの距離は、マップ
（９）の距離×√２で５．７１にある。

【００５３】仮に、マップ（１）から受ける受光量の修
正比率βを０．９とすると、マップ（２）から受ける露
光量の修正比率βは図８（Ａ）に示すように、０．９／
√２で０．７９となる。同様に、マップ（３）から受け
る露光量の修正比率βを０．８とすると、マップ（４）
から受ける露光量の修正比率βは０．８／√２で０．７
０となる。マップ（５）から受ける露光量の修正比率β
を０．６とすると、マップ（６）から受ける露光量の修
正比率βは０．６／√２で０．５３となる。マップ
（７）から受ける露光量の修正比率βを０．４とする
と、マップ（８）から受ける露光量の修正比率βは０．
４／√２で０．３５となる。マップ（９）から受ける露
光量の修正比率βを０．２とすると、マップ（10) から
受ける露光量の修正比率βは０．２／√２で０．１７と
なる。

【００５４】露光量修正部１４は図７に示すような一辺
が１μｍのマップの修正比率βを算出すると、その後、
実際のマップの大きさとなる一辺が４．４μｍに換算し
た修正比率βを求める。その例を図９を参照しながら述
べると、４．４μｍの場合には、１μｍの場合と違っ
て、マップの大きさが異なるため、マップの大きさを考
慮する必要がある。

【００５５】すなわち、図７に示したような１１×１１
個のマップの場合であって、マップ取り込み領域が５μ
ｍの場合には、１２０個のマップを取り込んで修正比率
βを求めたが、図９の場合のように、５×５個のマップ
の場合であって、マップ取り込み領域が５μｍの場合に
は、２４個のマップを取り込んで修正比率βを求める。
ここで、１μｍのマップに合わせるようにするために、
４．４μｍのマップは露光量の全てを１／4.4 に変換す
る。

【００５６】例えば、マップ（１）から受ける露光量の
修正比率βは、１μｍのマップの場合には０．９であっ
たが、４．４μｍのマップの場合には図８（Ｂ）に示す
ように、０．９／4.4 で０．２０となる。同様に、マッ
プ（２）から受ける露光量の修正比率βは、１μｍのマ
ップの場合には０．７９であったが、４．４μｍのマッ
プの場合には０．７９／4.4 で０．１７となる。マップ
（３）から受ける露光量の修正比率βは、１μｍのマッ
プの場合には０．８０であったが、４．４μｍのマップ
の場合には０．８０／4.4 で０．１８となる。マップ
（４）から受ける露光量の修正比率βは、１μｍのマッ
プの場合には０．７０であったが、４．４μｍのマップ
の場合には０．７０／4.4 で０．１５となる。

【００５７】補助露光パターン発生部１５は発生手段の
一例であり、露光量データＤ３に基づいて補助露光デー
タＤ５の発生を抑制するマイクロプロセッサやデータＤ
３やＤ５等を一時記憶するローカルメモリから成る。例
えば、パターン発生部１５は図10に示すようなマップを
占める露光パターンの密度に応じて該マップに隣接して
補助露光パターンを発生する機能を有している（第３の
作成装置）。また、補助露光パターンは図６のパターン
密度の段階で補助露光１から補助露光５の条件で発生さ
せる。この条件とは、電子ビームの基本照射量より不足
している分の照射量を露光パターンに与えることをい
う。

【００５８】補助露光パターンの大きさは基本的にはマ
ップの大きさと同じ大きさで発生させ、補助露光パター
ンを発生したときには、補助露光データＤ５を各エディ
タ１１，１２，１４及び２１等に転送する。図10は、マ
トリクス配置サブフィールドの近傍にある仮単独配置サ
ブフィールド内に、補助露光パターンを発生させた例を
示している。この補助露光パターンは近接効果を補正す
るものであり、単独配置サブフィールド内及び補助露光
パターン間でも発生させることができる。ここで、近接
効果とは大きいパターンと小さいパターンとが接近する
ことによる露光惚けをいう。例えば、近接効果はコンタ
クトホールのような大きな露光パターンに細い配線パタ
ーンが接近すると、配線パターンの角が丸くなって露光
されてしまう現象であり、パターン間の隔離距離が小さ
くなるほど、その影響は大きい。

【００５９】なお、入力サポートツール１６はカード解
釈部やキーボード等から成り、データ処理に必要なパラ
メータを外部入力データＤ７に基づいて設定するもので
ある。カード解釈部はマップの大きさをカードで指定し
たり、露光データを作成する被設計ＬＳＩの処理層を指
定する。各種パラメータには自己補正処理時の計算式に
関するパラメータ、処理層名、マップの大きさ、粗密関
係の段階で段階数等の情報が含まれる。

【００６０】入力ファイル１７は被設計ＬＳＩの設計デ
ータを格納するメモリである。中間ファイル１８は設計
データを構成する図11のような被設計ＬＳＩの処理層に
関する情報、ブロック露光データに関する情報、フィー
ルドに関する情報及びサブフィールドに関する情報が記
述されている。サブフィールドの情報内容は、サブフィ
ールドの中心位置座標Ｘ，Ｙ、データ転送開始アドレ
ス、パターンデータ数及びファイル内の先頭開始アドレ
ス等である。

【００６１】露光量中間ファイル１９はフィールド番
号、サブフィールドの中心位置座標Ｘ，Ｙ、サブフィー
ルド内のマップの位置ｘ，ｙと、露光量（割合）％が格
納されている。このファイル１９には、マップの露光量
の修正比率データＤ４等が格納される。

【００６２】データ変換エディタ２１は補正されたパタ
ーンデータＤ１を電子ビーム露光装置に適合する露光デ
ータＤOUT にフォーマット変換する機能を有している。
出力ファイルメモリ２２はデータ変換エディタ２１から
の露光データＤOUT を格納するものである。データバス
２３は、これらフィールド配置エディタ１１、マップ作
成エディタ１１、ＣＰＵ１３、露光量修正部１４、補助
露光パターン発生部１５、入力サポートツール１６、入
力ファイル１７、中間ファイル１８、露光量中間ファイ
ル１９、補正テーブルメモリ２０、データ変換エディタ
２１及び出力ファイル２２を接続するものであり、これ
により本発明の露光データ作成装置を構成する。

【００６３】次に図１３〜図２５を参照しながら本実施
例の露光データ作成装置の動作について、露光データ作
成方法を説明をする。この実施例では、設計データＤIN
の中にブロック露光データが存在し、また、被補正対象
フィールドにマトリクス配置サブフィールドが存在して
いる場合について説明をする。なお、チップ内の全ての
サブフィールドに対して説明するのは困難なため、チッ
プ内のある一部分について説明をする。

【００６４】図１３において、まず、ステップＰ１で露
光データ作成に必要なパラメータ及び被設計ＬＳＩの処
理層名等を設定する。本実施例では、入力サポートツー
ル１６のカード解釈部によって、実際の被設計ＬＳＩの
処理層を指定すると、外部入力データＤ７がＣＰＵ１３
に転送され、該ＣＰＵＩ３によってパラメータが設定さ
れる。各種パラメータには、自己補正処理をするための
計算式に関するパラメータ、被設計ＬＳＩのメモリや周
辺回路等を階層別に示した処理層名、マップの大きさ、
露光パターンの密度（粗密関係）を調べるための段階数
等が含まれている。

【００６５】次に、ステップＰ２で被設計ＬＳＩの設計
データＤINを入力する。ここでは、先に指定された設計
データＤINが入力ファイル１７から選び出され、必要な
パターンデータＤ１が中間ファイル１８に転送される。
この際に、パターンデータＤ１を補正し易くするため
に、また、データを効率良く転送するために、パターン
データＤ１を図１１に示したようなフォーマットに変換
して、中間ファイル１８に書き込む。この書込みは被設
計ＬＳＩの処理層内の全てパターンデータＤ１に対して
行われる。また、フィールド配置エディタ１１によっ
て、例えば、サイズＸ，Ｙが共に１１０μｍとするよう
なサブフィールドが１つのフィールドに配置される。

【００６６】次いで、ステップＰ３で設計データＤINの
中に、ブロック露光データが含まれているか否かを判断
する。ここで、ブロック露光データが存在しない場合
（ＮＯ）には、各フィールド内にマトリクス配置サブフ
ィールドが存在するか否かを調べる。また、ブロック露
光データもマトリクス配置サブフィールドも存在しない
場合もあるので、サブフィールドの配置関係を調べるよ
うにする。

【００６７】本実施例では、１つのフィールドに配置す
るサブフィールドの組合わせは、単独配置サブフィー
ルドのみの場合、単独配置サブフィールドとマトリク
ス配置サブフィールドの２配置が存在する場合、ブロ
ック露光データが存在し単独配置サブフィールドのみの
場合、ブロック露光データが存在しマトリクス配置サ
ブフィールドのみの場合、ブロック露光データが存在
しマトリクス配置サブフィールドのみの場合、ブロッ
ク露光データが存在しマトリクス配置サブフィールド及
び単独配置サブフィールドが共に存在する場合の合計６
種類が対象となっている。設計データＤINの中にブロッ
ク露光データを含んでいる場合には、このデータを中間
ファイルメモリ１８に格納しておく。なお、ブロック露
光データが存在しない場合（ＮＯ）には、ステップＰ６
に移行する。

【００６８】本実施例では設計データＤINの中にブロッ
ク露光データを含んでいるために、ステップＰ４でブロ
ック露光パターンがブロック露光領域内に存在している
か否かを認識する。この処理は各マップの露光量を正確
に求めるために、ブロック露光パターンに関するパター
ンデータＤ１を全て中間ファイル１８から読出して、図
16（Ａ）に示すようなブロック露光領域内にブロックパ
ターンが全体を占めていない場合も、図16（Ｂ）に示す
ようなブロック露光領域内にブロックパターンが全体を
占めている場合も、全て認識する。この際に、ブロック
露光データの開始位置座標の最小値と終了位置座標の最
大値からパターンの大きさを認識する。ここで、ブロッ
クパターンの露光領域（面積）の最大のものが、マップ
の大きさの候補に上げられる。

【００６９】例えば、図16（Ｃ）に示すように、ブロッ
ク露光領域内に全体を占めていないブロックパターンが
３つ連続して露光される場合に、実線に示したブロック
露光領域の大きさがマップの大きさになる。なお、各マ
ップの露光量を求める場合は、図16（Ｃ）の矢印に示す
ように、マップの大きさとブロックパターンが各マップ
を占めるようになった領域（以下露光パターン存在領域
という）を使用して露光量を求め、これらの各マップの
露光量データＤ３として露光中間ファイル１９に格納す
るようにする。

【００７０】これにより、ブロックパターンの露光パタ
ーン存在領域が決定したので、ステップＰ５でブロック
露光領域の露光基準量を設定する。露光基準量は、補助
露光パターンを発生するか否かの閾値となるものであ
り、各ブロック露光データが元々有しているブロック内
面積を露光パターン存在領域の面積に換算して求めるよ
うにする。

【００７１】例えば、各ブロックパターンの露光パター
ン存在領域の最大面積と最小面積とを平均した値を求
め、この平均値を露光基準量に設定する。この露光基準
量に基づいてパターン密度（粗密関係）の段階を作成す
る。本実施例では図６に示したような１〜１１段階のパ
ターン密度を設定している。なお、説明の都合上、図６
では露光基準量として５０％を設定した場合を示してい
るが、パターン密度０〜１００％を何段階に設定するか
は、カード解釈部で定義されたパターン密度の段階数を
利用して指定しても良い。

【００７２】ここまでは、ブロック露光データが存在す
る場合についてのデータ処理であるが、ブロック露光デ
ータが存在しない場合であって、マトリクス配置サブフ
ィールドのみの場合、単独配置サブフィールドのみの場
合、単独配置サブフィールドとマトリクス配置サブフィ
ールドの２配置が存在する場合には、露光基準量の設定
やパターン密度の段階の設定をステップＰ15で行うこと
にする。

【００７３】次に、ステップＰ６で電子ビームの基本照
射量とマップの大きさとを設定する。基本照射量は露光
パターンの幅又は長さや、電子線レジスト材料の感度等
を基準にして決める。ここで、マップ作成エディタ１１
において、サブフィールドが電子ビームの１ショットで
露光可能な大きさ、すなわち、本実施例ではブロック露
光領域の大きさに区分され、例えば、図３に示したよう
なサイズ１１０μｍのサブフィールド内に一辺の長さが
４．４μｍとする２５×２５＝６２５個（Ｘ，Ｙ方向に
奇数個）のマップが発生され、露光量見直し時のマップ
取り込み領域を５μｍとすることができる。ここで、奇
数個のマップを発生させる場合には、図３に示したよう
に、サブフィールドの中心とマップの中心とが一致する
ようにする。

【００７４】なお、一辺が１１０μｍのサイズのサブフ
ィールドにマップを偶数個発生させる場合には、図17
（Ａ）のように、一辺を５μｍとするマップを設定する
ことにより、２２個×２２個＝４８４個のマップが形成
される。また、偶数個のマップの場合には、図17（Ａ）
のように、中央のマップの左下座標とサブフィールドの
中心を一致させるように発生させる。また、一辺の長さ
を１μｍで発生させる場合には、Ｘ，Ｙ方向に共に、１
１０×１１０個のマップを発生させることになる。

【００７５】このような各マップの情報は、マップ毎に
露光量を求めるために、マップデータＤ２として中間フ
ァイル１８に登録される。以降の説明では、マップの大
きさ４．４μｍの場合について説明する。これまでのデ
ータ処理が終了すると、ステップＰ７で、補正対象とな
るフィールド（以下被補正対象フィールドという）のサ
ブフィールド情報を入力する。この処理では、中間ファ
イル１８から被補正対象フィールドのサブフィールドに
関する情報を全て読み出してフィールド配置エディタ１
１に転送する。サブフィールドの情報内容は、サブフィ
ールドの中心位置座標Ｘ，Ｙ、データ転送開始アドレ
ス、パターンデータ数及びファイル内の先頭開始アドレ
ス等である。これにより、フィールド配置エディタ１１
によって、図17（Ｂ）に示すような被露光対象フィール
ドが２０×２０個のサブフィールドに分割され、パター
ンデータＤ１に基づいて図19に示すようなマトリクス配
置パターン等が配置される。

【００７６】さらに、ステップＰ８で被補正対象フィー
ルドを取り囲むフィールド（隣接フィールド）のサブフ
ィールド（隣接サブフィールド）の情報を読み込む。こ
こで、被補正対象フィールドの各サブフィールドにマッ
プ取り込み領域εμｍ（本実施例では５μｍ）を設定
し、この領域に含まれるサブフィールドの情報を全て中
間ファイル１８から読み出してフィールド配置エディタ
１１に転送する。この際に、隣接サブフィールドの中心
位置座標Ｘ，Ｙを共に被補正対象フィールドの座標系に
全て変更して置く。

【００７７】次に、ステップＰ９で被補正対象フィール
ド内のサブフィールドと隣接サブフィールドとのサブフ
ィールド情報を作成する。このサブフィールド情報は、
パターンデータＤ１を補正する順番を決めるものであ
る。このサブフィールド情報は、図１１に示したような
フォーマットと同じフォーマットにより作成する。但
し、被補正対象フィールド内のサブフィールドと隣接サ
ブフィールドとは分けてサブフィールド情報を作成す
る。被補正対象フィールド内のサブフィールドはサブフ
ィールド内サブフィールド情報と呼び、隣接サブフィー
ルドは隣接サブフィールド内サブフィールド情報と呼
ぶ。

【００７８】次に、ステップＰ10でサブフィールド内に
発生したマップ毎に露光量を求める。この処理では、中
間ファイル１８内のサブフィールド情報の先頭アドレス
に基づいてサブフィールドのパターンデータＤ１を読み
出し、このデータＤ１をＣＰＵ１３に転送する。同様
に、隣接サブフィールド内サブフィールド情報から隣接
サブフィールドのパターンデータを読出してＣＰＵ１３
に転送する。ＣＰＵ１３においては、例えば、図４に示
したような単独配置サブフィールド内の５×５個のマッ
プエリアＡを占めるようになった露光パターンの露光量
が図５に示したようなマップ毎に求められ、該露光量に
応じた電子ビームの照射量が各露光パターン毎に与えら
れる。露光量の計算は全フィールドの全サブフィールド
に対して行う。

【００７９】また、図18（Ａ）に示すようなサブフィー
ルドのマップ上に配置されたマトリクス配置パターンの
露光量については、エリアＢを拡大した図18（Ｂ）にお
いて、３×３＝９個のマトリクス配置パターンの１つを
基準とするマトリクス配置基準パターンＰｒの露光量を
求め、この露光量と図18（Ｃ）に示すようなマトリクス
配置情報に基づいて残りの８個のマトリクスパターンの
露光量を繰り返して計算する。

【００８０】図18（Ｃ）において、マトリクス配置情報
には、マトリクス認識フラグ、Ｘ方向繰り返し個数、Ｙ
方向繰り返し個数、Ｘ方向繰り返しピッチｐｘ１、Ｙ方
向繰り返しピッチｐｙ１が記述され、マトリクス配置基
準パターンＰｒについては、パターン形状、露光量、開
始位置座標ｘ１，ｙ１、パターンの高さｈ及びパターン
幅ｗが記述される。

【００８１】さらに、図19（Ａ）に示すようなサブフィ
ールドのマップ上に配置されたブロック露光パターンの
露光量については、エリアＣを拡大した図19（Ｂ）にお
いて、４×４＝１６個のブロック露光パターンが配置さ
れた場合、その１つのブロック露光パターンを図19
（Ｃ）に示すように、１つのブロック露光領域の面積を
ＢＢＳとし、１つのブロック露光領域を占める露光パタ
ーンの面積をＰＰＳとし、１６個のブロック露光領域の
総面積をＢＳとしたときに、各マップの露光量ＰＳは、 ＰＳ＝ＢＳ×（ＰＰＳ／ＢＢＳ） によって求める。

【００８２】また、図20（Ａ）に示すようなサブフィー
ルドのマップ上に配置されたマトリクス配置ブロック露
光パターンの露光量については、エリアＤを拡大した図
20（Ｂ）において、４×４＝１６個のマトリクス配置ブ
ロック露光パターンが配置された場合、その１つを基準
とするマトリクス配置ブロック露光基準パターンＰＢｒ
の露光量を求め、この露光量と図20（Ｃ）に示すような
マトリクス配置ブロック露光情報に基づいて残りの15個
のマトリクス配置ブロック露光パターンの露光量を繰り
返して計算する。

【００８３】図20（Ｃ）において、マトリクス配置ブロ
ック露光情報には、マトリクスブロック認識フラグ、Ｘ
方向繰り返し個数、Ｙ方向繰り返し個数、Ｘ方向繰り返
しピッチ、Ｙ方向繰り返しピッチが記述され、マトリク
ス配置ブロック露光基準パターンＰＢｒについては、形
状、露光量、開始位置座標ｘ１，ｙ１、パターンの高さ
ｈ及びパターン幅ｗが記述されている。

【００８４】ここでＣＰＵ１３が求めた各マップの露光
量データＤ３は露光量中間ファイル１９に転送される。
なの、単独配置パターンやマトリクス配置パターンの中
で露光される非矩形パターンに関しては第３の実施例に
おいて説明する。そして、ステップＰ11で各サブフィー
ルドのマップの露光量を全て設定できたか否かを判断す
る。各マップの露光量を全て求めていない場合（ＮＯ）
には、ステップＰ10の内容を繰り返す。サブフィールド
内の各マップの露光量を全て求めた場合（ＹＥＳ）に
は、ステップＰ12に移行してフィールド全体の露光量を
全て求めたか否かを判断する。チップ内の全フィールド
の露光量を全て求めた場合（ＹＥＳ）には、ステップＰ
13に移行する。全チップ内の全フィールドの露光量を全
て求めていない場合（ＮＯ）には、ステップＰ２に戻っ
て、ステップＰ２からＰ11の内容を繰り返す。

【００８５】ステップＰ13では、チップの全フィールド
に関する露光量ファイルを作成する。露光量ファイルは
チップ内の全てフィールドの露光量の算出結果をサブフ
ィールド単位毎に、露光量データＤ３として露光量中間
ファイル１９に書き込むことによって作成される。露光
量データＤ３は図１２に示すようなフォーマットであ
る。

【００８６】その後、ステップＰ14では全フィールドに
関する露光量ファイルを作成したか否かを判断する。フ
ァイルを作成した場合（ＹＥＳ）には、ステップＰ15に
移行し、ファイルを作成していない場合（ＮＯ）には、
ステップＰ７に戻って、ステップＰ７〜Ｐ14の内容を繰
り返す。

【００８７】全フィールドの各マップの露光量が求まる
と、ステップＰ15において、電子ビームの基本照射量に
対する補正比率αを求めるパターン粗密の段階及び露光
距離マップを作成する。この処理では、設計データＤIN
にブロック露光パターンデータが存在している場合につ
いては、既に、ステップＰ５でパターン密度の段階を求
めているので、ブロック露光パターンデータが存在しな
い場合であって、マトリクス配置サブフィールドが存在
する場合と、単独配置サブフィールドが存在する場合の
パターン密度の段階を求めるものである。

【００８８】パターン密度の段階については、図６に示
したように１〜１１段階を設定する。また、ここでの露
光基準量はマトリクス配置サブフィールド及び単独配置
サブフィールドにおいて、補助露光パターンを発生する
か否かの閾値となるものであり、全チップ内のマトリク
ス配置基準サブフィールド内のマップの露光量の最大値
と最小値とを求め、その平均値を設定する。但し、マト
リクス配置サブフィールドが存在しない場合には、全チ
ップ内の各マップの露光量の最大値と最小値とを求め、
その平均値を露光基準量に設定する。

【００８９】このようにパターン密度の段階が求まる
と、その後、マップ間の距離に対する露光量を関係付け
た露光距離マップを作成する。露光距離マップは補正対
象となるマップの露光量を見直す処理で使用するもので
ある。この露光距離マップは図７に示したような一辺が
１．０μｍのマップの修正比率βを先に求め、その後、
この修正比率βを一辺が４．４μｍのマップの修正比率
βに換算して求める。一辺が１．０μｍのマップの修正
比率βは、図７に示したような見直しマップ（補正対象
マップ）からＸ，Ｙ方向にそれぞれ５μｍだけ離れた周
辺の１２０個のマップまでの各々離隔距離に、周囲のマ
ップの露光量を積算することにより、周辺のマップに対
する露光量の修正比率βを求める。図８（Ａ）は一辺の
長さが１μｍのマップの露光量の修正比率βであり、図
８（Ｂ）は一辺の長さが４．４μｍのマップの露光量の
修正比率βをそれぞれ示している。ここで計算された結
果は修正比率データＤ４として露光量中間ファイル１９
に格納される。

【００９０】そして、再度、ステップＰ16で被補正対象
フィールドを入力する。ここでは被補正対象フィールド
に隣接するフィールドの隣接サブフィールドは取り込ま
ない。これは、ステップＰ８で既にマップ取り込み領域
５μｍを設定し、隣接サブフィールド内のパターンデー
タを使用して各マップの露光量を求めているためであ
る。また、露光量の見直し処理を行う場合には、パター
ンデータＤ１ではなく、露光量データＤ３を読出してマ
ップ内の露光量を用いて判断する。

【００９１】次に、ステップＰ17で被補正対象フィール
ド内のサブフィールド情報を作成する。ここでは、サブ
フィールド内のパターンデータＤ１を補正する順序を設
定する。そして、ステップＰ18で、露光量中間ファイル
１９より該当するフィールド内の全サブフィールドに対
する露光量データＤ３を読み出す。

【００９２】次に、ステップＰ19でブロック露光パター
ン、マトリクス配置サブフィールドが存在する場合で、
補助露光パターンを発生する必要があるか否かを判断す
る。補助露光パターンを発生する必要がある場合（ＹＥ
Ｓ）には、ステップＰ20で仮単独配置サブフィールドを
設定する。なお、補助露光パターンを発生する必要がな
い場合（ＮＯ）には、ステップＰ22に移行する。

【００９３】ステップＰ20ではフィールド内に仮単独配
置サブフィールドを設定する。例えば、マトリクス配置
サブフィールド及び単独配置サブフィールドがフィール
ドに配置された場合であって、マトリクス配置サブフィ
ールドの周囲に単独配置サブフィールドが存在しない場
合には、図21に示すようなマトリクス配置サブフィール
ドに隣接して仮単独配置サブフィールドを配置する。こ
の配置情報は、単独配置サブフィールド情報として作成
され、そのフォーマットを図21（Ａ）に示している。仮
単独配置サブフィールドの情報内容は、仮単独配置サブ
フィールドの中心位置座標Ｘ，Ｙ、データ転送開始アド
レス、サブフィールド内のパターンデータ数及び仮単独
配置認識フラグ等である。

【００９４】この情報が作成されると、ステップＰ21で
仮単独配置サブフィールド情報と実際のサブフィールド
情報とを合成する。この処理では、パターンデータＤ１
を補正する順番に情報を並び換え、仮単独配置サブフィ
ールド情報内の仮単独配置サブフィールドの中心位置座
標Ｘ，Ｙと実際のサブフィールド情報内の単独配置サブ
フィールドの中心位置座標Ｘ，Ｙが同じ値を持つ場合に
は、補助露光パターンを仮単独配置サブフィールドに発
生させないようにするため、仮単独配置サブフィールド
情報を削除する。この仮単独配置サブフィールドに補助
露光パターンを発生した場合には、図21（Ａ）に示した
データ転送開始アドレス、サブフィールド内パターンデ
ータ数の内容を変更する。補助露光パターンはステップ
Ｐ25において発生する。

【００９５】次に、ステップＰ22では各露光パターンの
自己補正処理を行う。この処理は、先のステップＰ６で
電子ビームの基本照射量を設定しているが、各露光パタ
ーン間での電子ビームの照射量を決定するために、各サ
ブフィールド内のパターンデータを読み込んで、各露光
パターンの大きさに応じて照射量を決定するものであ
る。

【００９６】各露光パターンの自己補正処理の終了後、
ステップＰ23で各マップ内の露光量の見直しを行う。こ
の処理では図６に示したようなパターン密度の段階と図
８（Ａ）に示したような露光距離マップと、ＣＰＵ１３
が求めたマップ取り込み領域５μｍの各マップの露光量
とを使用して、図22，23に示すような露光量の見直し処
理を実行する。本実施例では、露光基準量の割合が５０
％の場合である。

【００９７】図22は、あるサブフィールド内の１１×１
１のマップを示しており、１つのマップの大きさが１μ
ｍで、パターンデータＤ１の中から補正対象マップｐを
取り出したときの、この周辺５μｍに含まれるマップの
露光量を％値で表したものである。露光パターンｐａは
露光量４０％であり、１つのマップの大きさよりも露光
パターンｐａが小さい場合である。

【００９８】図22において、各マップ（マップｐを除
く）に露光量修正部１４によって図７で説明した（１）
〜（１０）の露光距離段階を設定する。マップａは露光
距離段階１０、マップｂは露光距離段階９、マップｃは
露光距離段階８、マップｄは露光距離段階７、マップｅ
は露光距離段階６、マップｆは露光距離段階５、マップ
ｇは露光距離段階４、マップｈは露光距離段階３、マッ
プｉは露光距離段階２、マップｊは露光距離段階１とい
う具合に、全てのマップに露光距離段階を設定する。

【００９９】これら露光距離段階を設定した後、各マッ
プに露光距離段階に応じた修正比率βを与える。この結
果、マップａは１００％の露光量×０．１７＝１７％に
なる。このように、残りのマップ（マップｐを除く）に
対して同様な処理を行う。この処理結果を図23に示して
いる。

【０１００】次に、マップｐの最終的な露光量を求め
る。ここで、マップｐを含まないマップ取り込み領域の
全マップ数をａ１とし、マップｐを含まないマップ取り
込み領域の全マップの露光量の総合値をｂ１としたとき
に、マップｐにおける露光量の平均値を求める（第２の
作成方法）。すなわち、マップｐの最終露光量ＰＳｆ
は、 ＰＳｆ＝見直し前のマップｐの露光量＋見直し後のマッ
プｐ以外の全マップの露光量の平均値 ＝４０％＋ｂ１／ａｌ＝４０％＋2165.7／120 ＝５８．０６％ となる。これは図６に示したパターン密度の段階では７
段階目に含まれているため、図８（Ａ）に示した露光量
の見直し時の欄において、α＝０．８を電子ビームの基
本照射量に対する補正比率としてパターンデータＤ１に
与える。なお、１つのマップより大きい露光パターンに
関しては、第５の実施例において説明する。

【０１０１】次に、ステップＰ24でマップ内の露光量の
見直し処理の終了を判断する。見直し処理を終了する場
合（ＹＥＳ）には、ステップＰ25に移行し、見直し処理
を終了しない場合（ＮＯ）には、ステップＰ22，Ｐ23で
サブフィールド内のパターンデータの数だけ露光量の見
直し処理を繰り返す。

【０１０２】この見直し処理において、図21に示すよう
なマトリクス配置サブフィールド、単独配置サブフィー
ルド、仮単独配置サブフィールドがフィールドに配置さ
れた場合には、マトリクス配置サブフィールドに関して
は、マトリクス配置基準サブフィールドで設定されてい
る露光量でパターン密度の段階を調べ、各露光パターン
の電子ビームの基本照射量の補正比率αを与えるように
することで、全ての階層を展開する必要が無くなるた
め、マップ内に露光量の見直しも行わなくて済む。しか
し、単独配置サブフィールドの近傍にマトリクス配置サ
ブフィールドが存在している場合には、単独配置サブフ
ィールドの中で露光量の見直し処理を行う必要がある。

【０１０３】その後、マトリクス配置サブフィールドの
近傍、あるいは、ブロック露光パターンの近傍に補助露
光パターンを発生するために、ステップＰ25で補助露光
パターンを発生させるか否かを判断する。補助露光パタ
ーンを発生させる場合（ＹＥＳ）には、ステップＰ26に
移行する。補助露光パターンデータを発生しない場合
（ＮＯ）には、ステップＰ27に移行する。

【０１０４】ステップＰ26では露光量の見直し処理で行
ったように、１×１μｍのマップの場合には、図７に示
したように露光距離段階と図８（Ａ）に示したような露
光距離マップを利用し、また、４．４×４．４μｍの場
合には、１×１μｍのマップに基づいて露光距離マップ
を作成し、その後、図９のような露光距離段階と図８
（Ｂ）に示したような露光距離マップを作成し、これを
利用して補助露光パターンを発生させる。

【０１０５】本実施例では、マトリクス配置サブフィー
ルドの周囲に単独配置サブフィールドが存在しない場合
には、ステップＰ20で仮単独配置サブフィールドを発生
させているので、このサブフィールドに補助露光パター
ンを発生させて、仮単独配置サブフィールドの情報をサ
ブフィールド情報に加えて出力する。補助露光パターン
は近接効果を補正するパターンであり、このパターンの
大きさは、マップの大きさと同じ大きさで発生させる。

【０１０６】この補助露光パターンはマップ間のみで補
正する。例えば、補助対象マップの周囲の５μｍ内に含
まれるマップデータＤ２を中間ファイル１８から全て読
出し、各マップ内の露光量の見直し処理で行ったよう
に、露光距離マップを利用して各マップに修正比率βを
与える。ここで、補助対象マップと周囲５μｍで含まれ
ている各マップの総露光量をＱＱとすると、また、その
時のマップ数をＭ個とすると、被補正対象マップの露光
量の平均値ＱＭは、 ＱＭ＝ＱＱ／Ｍ〔％〕 である。このＱＭが図６に示した補正テーブルの補助露
光パターンを発生する場合の欄で、どの段階に含まれる
かを調べ、６〜１１段階にランクされるマップに対して
は補助露光パターンを発生させない。１段階から５段階
に含まれている場合には、パターン密度に応じた補助露
光１〜補助露光５を発生させる。この処理はサブフィー
ルド内のマップ数だけ行えば良い。この補助露光パター
ンによってマップの露光量を変え、電子ビームの照射量
の補正比率αを決定する。例えば、パターン密度の段階
１〜６については補正比率αを１．０を設定し、段階７
に対してはαを０．８、段階８に対してαを０．６、段
階９に対してαを０．４、段階10に対してαを０．２、
段階１１に対してαを０．１をそれぞれ設定している。

【０１０７】次に、ステップＰ27では各種パターンデー
タのマトリクス認識処理を行う。この処理は露光量の見
直し処理において、同じ繰り返しのマトリクス配置パタ
ーンやマトリクス配置ブロック露光パターン等でも電子
ビームの照射量が異なっている場合があるため、マトリ
クス配置を再編成するものである。

【０１０８】例えば、図24（Ａ）に示すような４×４個
のマトリクス配置パターンが与えられた場合であって、
４個のマトリクス配置パターンｐ６，ｐ７，ｐ10，ｐ11
の露光量と、その周辺の１２個のマトリクス配置パター
ンｐ１〜ｐ５、ｐ８，ｐ９，ｐ13〜ｐ16の露光量とが異
なっている場合を再編成する。なお、図24（Ｂ）はマト
リクス認識フラグ、Ｘ方向繰り返し個数＝４、Ｙ方向繰
り返し個数＝４、Ｘ方向繰り返しピッチｐｘ１、Ｙ方向
繰り返しピッチｐｙ１を記述したマトリクス配置情報
と、パターン形状、照射量、開始位置座標ｘ１，ｙ１、
パターンの高さｈ及びパターン幅ｗを記述したマトリク
ス配置基準パターンｐ１の情報とを示している。

【０１０９】この場合には、図２５に示すように、４×
４個のマトリクス配置パターンの中の３つのマトリクス
配置パターンｐ１，ｐ５，ｐ６を基準とするマトリクス
配置に再編成することができる。マトリクス配置基準パ
ターンｐ１は繰り返し個数ｘが４で、ｙが２、ｘ方向の
繰り返しピッチがｐｘ１で、ｙ方向の繰り返しピッチが
パターンｐ13の始点ｙ座標からパターンｐ１の始点ｙ座
標を引いた長さであり、マトリクス配置基準パターンｐ
１と同じパターンデータとなるマトリクス配置パターン
は、ｐ２〜ｐ４、ｐ13〜ｐ16の７個となる。

【０１１０】また、マトリクス配置基準パターンｐ５は
繰り返し個数ｘが２で、ｙが２、ｘ方向の繰り返しピッ
チがパターンｐ８の始点ｘ座標からパターンｐ５の始点
ｘ座標を引いた長さであり、ｙ方向の繰り返しピッチが
パターンｐ９の始点ｙ座標からパターンｐ５の始点ｙ座
標を引いた長さであり、マトリクス配置基準パターンｐ
５と同じパターンデータとなるマトリクス配置パターン
は、ｐ８，ｐ９，ｐ12の３個となる。

【０１１１】さらに、マトリクス配置基準パターンｐ６
は繰り返し個数ｘが２で、ｙが２、ｘ方向の繰り返しピ
ッチがパターンｐ７の始点ｘ座標からパターンｐ６の始
点ｘ座標を引いた長さであり、ｙ方向の繰り返しピッチ
がパターンｐ10の始点ｙ座標からパターンｐ６の始点ｙ
座標を引いた長さであり、マトリクス配置基準パターン
ｐ６と同じパターンデータとなるマトリクス配置パター
ンは、ｐ７，ｐ10，ｐ11の３個となる。これらのパター
ンデータＤ１は中間ファイル１８を利用してデータ処理
する。

【０１１２】なお、単独配置サブフィールド内に補助露
光パターンを発生した場合及び仮単独配置サブフィール
ドに補助露光パターンを発生した場合にも、補助露光パ
ターン同士でマトリクス認識処理をしても良い。次に、
ステップＰ28でサブフィールド内のパターンデータＤ１
をデータ変換エディタ２１に出力し、ステップＰ29でパ
ターンデータＤ１の出力を終了判断をする。パターンデ
ータＤ１の出力が終了した場合（ＹＥＳ）には、ステッ
プＰ30に移行する。パターンデータＤ１の出力が終了し
ない場合（ＮＯ）には、ステップＰ19に戻って、ステッ
プＰ18からＰ28の内容を繰り返す。

【０１１３】サブフィールド内のパターンデータＤ１の
出力が終了すると、ステップＰ30でフィールド内のパタ
ーンデータＤ１をデータ変換エディタ２１に出力する。
この処理は、パターンデータＤ１を露光装置に必要なデ
ータフォーマットに変換して出力ファイル２２に格納す
るものである。このときに、先のステップＰ20で発生し
た仮単独配置サブフィールドにステップＰ26で補助露光
パターンを発生した場合には、そのサブフィールド情報
に加えられている仮単独配置サブフィールドの情報に基
づいて露光順序を並び変え、パターンデータＤ１を変換
する。

【０１１４】また、ステップＰ31で全てのフィールドの
パターンデータの変換を終了したか否かを判断する。パ
ターンデータの変換が終了した場合（ＹＥＳ）には、ス
テップＰ32に移行する。パターンデータの変換が終了し
ない場合（ＮＯ）には、ステップＰ16に戻って、ステッ
プＰ16からＰ30の内容を繰り返す。

【０１１５】全てのフィールドに対して変換処理が終了
すると、ステップＰ32で被設計ＬＳＩの処理層内の情報
を露光装置のフォーマットに変換し、また、処理層に関
する必要な情報を書き換えて、露光データＤOUT を出力
ファイル２２に格納する。そして、ステップＰ33で被設
計ＬＳＩの全ての処理層数を終了したか否かを判断す
る。全ての処理層数を終了した場合（ＹＥＳ）には、デ
ータ処理を終了する。全ての処理層数を終了していない
場合（ＮＯ）には、ステップＰ２に戻って、ステップＰ
２からＰ32の内容を繰り返す。これにより、設計データ
ＤINの中にブロック露光データが存在し、また、被補正
対象フィールドにマトリクス配置サブフィールドが存在
している場合の露光データを作成することができる。

【０１１６】このようにして、本発明の各実施例に係る
露光データ作成装置によれば、被露光対象のフィールド
を電子ビームにより偏向可能な大きさに区分したサブフ
ィールドに、フィールド配置エディタ１１により設計デ
ータに応じた露光パターンが配置されると、マップ作成
エディタ１１において、このサブフィールドが露光装置
の１ショットの電子ビームで露光可能な大きさに区分さ
れる。また、露光パターンが配置されたサブフィールド
内に複数個のマップが作成される。さらに、フィールド
配置エディタ１１のパターン配置によって、サブフィー
ルド内のマップに占めるようになった露光パターンの露
光量がマップ毎にＣＰＵ１３により求められ、この露光
量に応じた電子ビームの照射量がＣＰＵ１３によって各
露光パターン毎に与えられる。

【０１１７】このようにサブフィールド内のマップを占
める露光パターンの露光量が、１ショットの電子ビーム
で露光可能な大きさのマップ毎に求められるため、サブ
フィールドに配置されたいかなる露光パターンであって
も、電子ビームの１ショット毎に要する最適な照射量を
与えられることになる。

【０１１８】また、本発明の実施例によれば、露光パタ
ーンの大きさに応じて、予め、電子ビームの照射量が決
定されると、ＣＰＵ１３により電子ビームの照射量に対
する補正比率αとして、マップの大きさと該マップを占
める露光パターンの大きさから、マップと露光パターン
との面積比がマップ毎に算出されるため、この面積比に
応じた電子ビームの最適な照射量が各露光パターン毎に
決定されることになる。

【０１１９】さらに、本発明の実施例によれば、各マッ
プの露光量が図１３のステップＰ10によって容易に求め
られ、また、１つの補正対象となるマップの露光量はス
テップＰ15によって容易に得られるため、マップの１つ
に他のマップの基準となる露光基準量を設定し、この露
光基準量より大きい露光量のマップについては、電子ビ
ームの照射量がそのまま設定されることになる。また、
露光基準量より小さい露光量のマップについては、該マ
ップの大きさと等しい補助露光パターンを隣接して発生
させ、補助露光パターンによってマップの露光量を変え
ることにより電子ビームの照射量の補正比率αが容易に
設定されることになるので、電子ビームの１ショットを
基準にした近接効果が補正できる。

【０１２０】また、本発明の実施例によれば、マップを
占める露光パターンの密度が高い場合には、ＣＰＵ１３
によって、電子ビームの照射量に対する補正比率αが小
さく設定され、反対に、露光パターンの密度が低い場合
には、補正比率αが大きく設定されているため、１つの
マップを占める露光パターンの密度が高い場合には他の
マップに比べて電子ビームの照射量を少なくすること、
１つのマップを占める露光パターンの密度が低い場合に
他のマップに比べて電子ビームの照射量を多くすること
ができ、露光パターンの密度及び電子ビームの１ショッ
トの照射量を基準にした近接効果が補正できる。

【０１２１】本発明の実施例によれば、１つの補正対象
となるマップから５μｍだけ離れた周辺のマップまでの
各々離隔距離に、周囲のマップの露光量が露光量修正部
１４によって積算され、その周辺のマップの露光量を修
正する修正比率βがそれぞれ算出されるため、この修正
比率βを用いて１つの補正対象となるマップと、その周
辺のマップとの間で露光量を調整することができ、被設
計ＬＳＩの階層を崩さずに、各露光パターン間の近接効
果を電子ビームの照射位置を基準にして補正ができる。

【０１２２】また、本発明の実施例によれば、予め、一
辺を１μｍとするマップに関する修正比率βが求めら
れ、その後、一辺を任意の長さとするマップに修正比率
βが換算されるため、一辺を４．４μｍとするマップを
占有している露光パターンの露光量の見直し処理を容易
に行うことができる。

【０１２３】本発明の実施例によれば、補助露光パター
ンを発生させる補助露光パターン発生部１５が設けられ
ているため、被露光対象のフィールドを区分したサブフ
ィールドのマトリクス配置サブフィールドの近傍に補正
露光パターンを発生させる場合であって、マトリクス配
置サブフィールドの近傍に単独配置サブフィールドが存
在する場合には、単独配置サブフィールド内のマップの
大きさで補正露光パターンを発生させることができ、マ
トリクス配置サブフィールドの近傍に仮単独配置サブフ
ィールドが存在する場合には、仮単独配置サブフィール
ド内のマップの大きさで補正露光パターンを発生させる
ことができる。これにより、マトリクス配置サブフィー
ルドのマップを占める露光パターン密度に応じた近接効
果を補正することができる。

【０１２４】（２）第２の実施例の説明 図２６は本発明の第２の実施例に係るＣＰＵの機能を説
明する補正テーブルメモリの内容図を示している。第２
の実施例では第１の実施例と異なり、露光基準量を３０
％として作成したパターン密度の段階に従ってＣＰＵが
電子ビームの照射量に対する補正比率αを決定するもの
である。

【０１２５】図２６において、マップを占めるパターン
密度の段階は第１の実施例と同様に、１１段階に分類
し、この段階に対する補助露光パターンの発生の有無及
び電子ビームの基本照射量に対する補正比率αを露光基
準量＝３０％として規定したものである。補正比率αは
０．１≦α≦１．０である。この例では、露光パターン
の密度０．０〜７．５％の場合に補助露光パターンを発
生するものとし、そのランクを補助露光３とし、同様
に、密度７．５〜16.5％を補助露光４とし、密度16.5〜
25.5％を補助露光５とに分けている。また、段階１〜３
については露光パターンの密度が小さい場合として、補
正比率αを１．０を設定している。なお、段階４〜１１
については露光パターンの密度が大きい場合として、
「補助露光無し」とし、補正比率αについては、段階４
に対しては０．８、段階５に対して０．６、段階６に対
して０．４、段階７に対して０．２、段階８〜11に対し
て０．１を設定している。

【０１２６】ＣＰＵ１３は、図２６に示すような補正テ
ーブルに従って、マップを占める露光パターンの密度が
大きい場合には、電子ビームの照射量に対する補正比率
αを小さく設定し、露光パターンの密度が小さい場合に
は、補正比率αを大きく設定するものである。

【０１２７】このように露光基準量を可変することによ
り、補助露光パターンの発生及び電子ビームの照射量に
対する補正比率αを適宜変更することができるので、被
設計ＬＳＩの回路規模に応じた露光データが作成でき
る。 （３）第３の実施例の説明 図２７は本発明の第３の実施例に係る非矩形パターンの
露光量の算出方法の説明図を示している。第３の実施例
では第１の実施例と異なり、複数のマップを跨ぐ非矩形
パターンの露光量を求め、この露光量とパターン密度の
段階に従ってＣＰＵが電子ビームの照射量に対する補正
比率αを決定するものである。

【０１２８】例えば、図２７に示すような９個のマップ
ｍａｐ１〜ｍａｐ４，ｍａｐ６〜ｍａｐ９，ｍａｐ11及
びｍａｐ12を跨ぐ三角形の露光パターンの露光量を求め
る場合、まず、各マップと露光パターンとの交点を全て
調べる。すなわち、Ｘ方向の交点はｘ２からｘ８の７
点、また、Ｙ方向の交点はｙ２からｙ８の７点が存在す
る。ここで、座標（ｘ２，ｙ２）と（ｘ８，ｙ８）を通
る線分の方程式を求めて置く。この方程式をＦ１（Ｙ）
＝ＭＸ＋Ｐとすると、Ｍは（ｙ８−ｙ２）／（ｘ８−ｘ
２）となり、Ｐは（ｙ２・ｘ８−ｘ２・ｙ８）／（ｘ８
−ｘ２）となる。

【０１２９】 次に、Ｘ方向の交点ｘ２，ｘ３と、Ｙ
方向の交点ｙ２，ｙ３とを利用して、三角形の露光パタ
ーンの一部がどのマップに含まれるかを調べると、この
４つの交点は全てｍａｐ１に含まれているため、この場
合にはパターンの一部がｍａｐ１に属する。また、座標
（ｘ２，ｙ２）と（ｘ８，ｙ２）を通る直線の方程式を
求めて置く。この方程式をＦ２（Ｙ）＝Ｑとすると、ｍ
ａｐ１の露光量ｓ１は、（１）式、すなわち、

【０１３０】

【数１】

【０１３１】により求めることができる。 次に、Ｘ方向の交点ｘ３，ｘ４と、Ｙ方向の交点ｙ
３，ｙ４とを利用して、三角形の露光パターンの一部が
どのマップに含まれるかを調べると、この４点全てがｍ
ａｐ２に属する。また、座標（ｘ３，ｙ２）と（ｘ８，
ｙ２）を通る直線の方程式を求めて置く。この方程式を
Ｆ３（Ｙ）＝Ｑとすると、ｍａｐ２の露光量ｓ２は
（２）式、すなわち、

【０１３２】

【数２】

【０１３３】により求めることができる。 次に、Ｘ方向の交点ｘ４，ｘ５と、Ｙ方向の交点ｙ
４，ｙ５とを利用して、三角形の露光パターンの一部が
どのマップに含まれるかを調べると、ｘ４，ｘ５，ｙ４
に関しては、ｍａｐ２に属するが、ｙ５に関してはｍａ
ｐ６に属する。そこで、座標（ｘ４，ｙ４）と（ｘ８，
ｙ４）を通る直線の方程式を求めて置く。この方程式を
Ｆ４（Ｙ）＝Ｒ、座標（ｘ４，ｙ２）と（ｘ８，ｙ２）
を通る直線の方程式を求めて置く。この方程式をＦ５
（Ｙ）＝Ｑとすると、ｍａｐ２の露光量ｓ３は、（３）
式、すなわち、

【０１３４】

【数３】

【０１３５】により求めることができる。ｍａｐ６の露
光量ｘ６は、（４）式、すなわち、

【０１３６】

【数４】

【０１３７】により求めることができる。他のマップも
同様にして求めることができる。この結果、マップｍａ
ｐ１の露光量はｓ１、マップｍａｐ２の露光量はｓ２＋
Ｓ３、マップｍａｐ３の露光量はｓ４、マップｍａｐ４
の露光量はｓ５、マップｍａｐ６の露光量はｓ６、マッ
プｍａｐ７の露光量はｓ７＋Ｓ８、マップｍａｐ８の露
光量はｓ９、マップｍａｐ11の露光量はｓ10及びマップ
ｍａｐ12の露光量はｓ11として求められる。

【０１３８】このように、本発明の第３の実施例によれ
ば、９個のマップｍａｐ１〜ｍａｐ４，ｍａｐ６〜ｍａ
ｐ９，ｍａｐ11及びｍａｐ12を跨ぐ三角形の露光パター
ンの各露光量が求められるため、露光パターンの大きさ
に応じて、予め、電子ビームの照射量が決定されると、
ＣＰＵ１３により電子ビームの照射量に対する補正比率
αを設定することができ、三角形の露光パターンの露光
量に対する電子ビームの最適な照射量を決定することが
できる。

【０１３９】（４）第４の実施例の説明 図２８，２９は本発明の第４の実施例に係るマップを跨
ぐパターンの見直し処理の説明図（その１，２）を示し
ている。第４の実施例では第１の実施例と異なり、図２
８に示すように１２個のマップを占めるようになった露
光パターンの露光量を、これらのマップから５μｍだけ
離れた周辺の１７０個のマップの全露光量の平均値に、
１２個のマップを占めるようになった露光パターンの全
露光量の平均値を加算することにより求めるものであ
る。

【０１４０】図２８は一辺が１μｍのマップ１３×１４
に１２個のマップを占めるようになった露光パターンが
配置された図を示している。ここで、パターンデータに
含まれているマップ数を１２、それ以外のマップ数を１
７０とし、パターンデータに含まれているマップの総露
光量をＱＡとし、それ以外のマップであって、露光距離
マップのパターン密度の段階毎に見直した結果のマップ
の総露光量をＱＢとすると、１２個のマップを占めるよ
うになった露光パターンの見直し後の露光量Ｑｆは、 Ｑｆ（％）＝〔ＱＡ／１２〕＋〔ＱＢ／170 〕 により求められる。この値を第１の実施例と同様に、パ
ターン密度の段階に応じて電子ビームの照射量に対する
補正比率αを設定する。

【０１４１】なお、図２９に示すように一辺が４．４μ
ｍのマップであって、６×７個のマップｍａｐ１〜ｍａ
Ｐ４２に配置された単独配置サブフィールドの露光パタ
ーンＰＡの露光量を見直す場合には、まず、パターンＰ
Ａを含んでいるマップｍａｐ１５，ｍａｐ１６，ｍａｐ
２１，ｍａｐ２２，ｍａｐ２７，ｍａｐ２８を選択し、
次に、マップ取り込み領域５μｍ内に含まれる全てのマ
ップを抽出する。

【０１４２】ここで、第１の実施例において説明したよ
うに、露光距離段階と露光距離マップにより各マップｍ
ａｐ１からｍａｐ４２に、それぞれＱ１からＱ４２の露
光量が与えられているものとし、この露光量に修正比率
βを積算した結果をＱＱ１からＱＱ４２とする。但し、
ＱＱ１５，ＱＱ１６，ＱＱ２１，ＱＱ２２，ＱＱ２７，
ＱＱ２８はもとの露光量のままであり、露光パターンＰ
Ａに含まれないマップ数は３６個であり、露光パターン
ＰＡに含まれるマップ数は６個である。

【０１４３】この値を利用して露光パターンＰＡの露光
量ＰＱＡを以下のように求める。まず、露光パターンＰ
Ａを含むマップの露光量の平均値をＰＱＱとすると、 ＰＱＱ＝（ＱＱ１５＋ＱＱ１６＋ＱＱ２１＋ＱＱ２２＋
ＱＱ２７＋ＱＱ２８）／６となる。また、露光パターン
ＰＡを含まない全マップの露光量の平均値をＰＱＱ１と
すると、 ＰＱＱ１＝（ＱＱ１＋…＋ＱＱ１４＋ＱＱ１７＋…ＱＱ
２０＋ＱＱ２３＋…＋ＱＱ２６＋ＱＱ２９＋…＋ＱＱ４
２）／３６になる。

【０１４４】上記のＰＱＱ及びＰＱＱ１から露光パター
ンＰＡの露光量ＰＱＡを求めると、 ＰＱＡ〔％〕＝ＰＱＱ＋ＰＱＱ１ となる。この露光量ＰＱＡを露光パターンＰＡの最終的
な露光量に設定する。このＰＱＡの値がパターン密度の
段階でどのランクに含まれているかを調べる。例えば、
図６の補正テーブル内でこの露光パターンＰＡのＰＱＡ
値がパターン密度の段階の１から６にランクされる場合
には、電子ビームの照射量に対して補正比率α＝１．０
を与え、また、段階＝７にランクされる場合には、同様
に補正比率α＝０．８を与えて、露光量の見直しをす
る。また、補正露光パターン発生時でも補正比率αを与
えることができる（本発明の第３の作成方法）。

【０１４５】（５）第５の実施例の説明 図３０は、本発明の第５の実施例に係る電子ビーム露光
装置の構成図であり、荷電粒子ビーム露光装置の一例と
なるブロック露光機能付き電子ビーム露光装置を示して
いる。図３０において、100 は被露光対象の設計データ
ＤINから露光データＤOUT を作成する露光データ作成装
置100 であり、データ作成手段の一例である。露光デー
タ作成装置100 には本発明の実施例に係る露光データ作
成装置を用いる。

【０１４６】101 は露光データ作成装置100 からの露光
データＤOUT に応じてビーム偏向系に制御信号Ｓ１〜Ｓ
４等を出力する電子ビーム制御装置であり、制御装置の
一例である。Ｓ１は電子ビームＥＢの位置決め用の信号
であり、Ｓ２は電子ビームＥＢのマスク選択用の信号で
あり、Ｓ３は電子ビームＥＢの偏向用の信号であり、Ｓ
４はステージ移動用の信号である。

【０１４７】102 は制御装置101 の制御信号Ｓ１〜Ｓ４
に従って電子ビームＥＢを偏向したり、ステージを移動
する電子ビーム装置であり、偏向手段の一例である。本
実施例では電子ビーム装置102 内にブロックパターンを
露光するマスク手段を設けている。マスク手段には好ま
しくはステンシルマスク３４を用いる。ステンシルマス
ク３４は電子ビームの１ショットで露光可能なブロック
パターン開孔部を複数設けたものである。なお、３１は
電子ビームＥＢを出射する電子銃、３２は電子ビームＥ
Ｂを位置決めするアライメントコイル、３３は電子ビー
ムＥＢを矩形状に整形するアパーチャ、３５は電子ビー
ムＥＢを収束する電子レンズや電磁偏向するメインディ
フレクタ、３６は電子ビームＥＢを静電偏向するサブデ
ィフレクタ、３７は被露光対象を載置してＸ，Ｙ方向に
移動するステージである。

【０１４８】本発明の電子ビーム露光装置の動作を説明
する。まず、露光データ作成装置100 によって、被露光
対象３８の設計データＤINから露光データＤOUT が作成
されると、このデータＤOUT に応じてビーム偏向系を制
御するための制御信号Ｓ１〜Ｓ４が制御装置101 から電
子ビーム装置102 に出力される。これにより、制御装置
101 の制御信号Ｓ１〜Ｓ４に従った最適な照射量の電子
ビームＥＢが被露光対象３８の露光領域を区分したサブ
フィールドで照射偏向され、各種パターンが被露光対象
３８に露光される。また、電子ビーム装置102 のステン
シルマスク３４によってブロックパターンが露光され
る。

【０１４９】このようにして、本発明の第５の実施例に
係るブロック露光機能付き電子ビーム露光装置によれ
ば、本実施例の露光データ作成装置100 が設けられてい
るため、作成装置100 において被露光対象３８の設計デ
ータＤINから、電子ビームの１ショットに要する最適な
照射量を与えた露光データＤOUT が作成されるため、こ
の露光データＤOUT に応じた制御信号Ｓ１〜Ｓ４によっ
て制御装置101 により電子ビーム装置102 のアパーチャ
３３、ステンシルマスク３４、メインディフレクタ３
５、サブディフレクタ３６及びステージ３７等が駆動さ
れることにより、被露光対象３８のサブフィールド上に
おいて、１ショット毎に最適な照射量を与えた電子ビー
ムＥＢにより被露光対象３８を露光することができる。

【０１５０】これにより、各種パターンの密度に左右さ
れることなく、被露光対象３８に均一なパターンを露光
することができるので、半導体回路が高集積化しても、
高解像度のＬＳＩパターンマスク等を形成することがで
きる。 （６）第６実施例の説明 次に本発明の第６の実施例を説明する。第６の実施例
は、電子ビーム露光装置の構成上発生するフィールド境
界上でのパターンの繋ぎ精度を向上させることを意図
し、このために露光データ作成処理の処理を工夫したも
のである。

【０１５１】図３１（Ａ）は、フィールド境界上で発生
する可能性のある問題点を図示するものである。フィー
ルド境界上のサブフィールドＡとＢを跨ぐパターンに
は、図示するような段差が発生する可能性がある。この
段差は、主として電子ビーム露光装置のステージ移動の
誤差に起因するものであり、実際問題としてこの誤差を
なくすことはできない。このような段差の発生を前提と
して、第６の実施例では、図３１（Ｂ）の破線で示すよ
うに、段差部分を滑らかに接続するようにして、段差に
よる断線等の発生を防止させる。これにより、フィール
ド境界上でのパターンの繋ぎ精度を実質的に向上させる
ことができる。

【０１５２】図３１（Ｂ）に示すパターンの接続を実現
するために、第６の実施例では、図３２及び図３３に示
す処理を行う。なお、図３２及び図３３は、可変矩形パ
ターンの場合であり、ブロックパターンの場合は後述す
る。図３２において、フィールド境界上にあるサブフィ
ールドＡとＢを跨ぐパターンがあり、サブフィールドＡ
はパターンＰＴ１を有し、サブフィールドＢはパターン
ＰＴ２を有する。換言すれば、サブフィールドＡに登録
されているパターンＰＴ１は、隣接フィールドの隣接サ
ブフィールドＢに登録されているパターンＰＴ２と接触
している。この場合、サブフィールドＢの取り込み領域
（この領域まで露光できることが保証される領域で、例
えばサブフィールドの境界からｘ及びｙ方向に４μｍの
範囲）の境界に対し、サブフィールドＡのパターンＡを
パターンＰＴ１ａとＰＴ１ｂに分割し、分割したパター
ンＰＴ１ｂをサブフィールドＢの露光パターンとして登
録する。従って、サブフィールドＢを露光する際には、
パターンＰＴ１ｂも同時に露光する。このパターンＰＴ
１ｂはサブフィールドＡにも登録されて露光されるの
で、結局パターンＰＴ１ｂはサブフィールドＡ及びＢの
露光時にそれぞれ露光される。すなわち、フィールド境
界を跨ぐパターンのフィールド境界部分は、サブフィー
ルドＡ露光時及びサブフィールドＢ露光時に合計２回露
光される（２重露光）。同様にして、サブフィールドＡ
のパターンとして、サブフィールドＢのパターンＰＴ２
の一部が登録され、サブフィールドＡの露光の際にこの
部分が露光される。このようにして、同じパターンを２
度露光することで、図３１（Ｂ）の破線で示すような滑
らかな接続が可能となる。

【０１５３】図３３に示す場合には、パターンＰＴ１は
３つのパターンＰＴ１ａ，ＰＴ１ｂ及びＰＴ１ｃに分割
され、パターンＰＴ１ｂがサブフィールドＢに登録され
ると共に、パターンＰＴ１はＰＴ１ａ，ＰＴ１ｂ及びＰ
Ｔ１ｃとしてサブフィールドＡに登録される。

【０１５４】なお、２重露光をするパターン部分に対す
る露光量は、他の部分の露光量よりも低い値に設定す
る。例えば、２重露光をする部分の１回の露光量は、他
の部分の露光量の半分に設定する。このために、露光量
を半分にして登録する構成（すなわち、露光データ作成
装置での処理）と、電子ビーム露光装置側で露光量を半
分にする処理を行う構成のいずれかを用いることができ
る。後者の場合には、境界付近に位置する分割されたパ
ターンのパターンデータであることを示すフラグを付け
て登録する。電子ビーム露光装置は、フラグ付のパター
ンデータを受け取った場合には、このパターンに関する
露光量を現在設定されている値の例えば半分に設定す
る。

【０１５５】以上の処理を、フィールド境界に隣接する
各サブフィールド毎に、かつＸ方向及びＹ方向に行う。
上記パターン分割及び登録は取り込み領域の境界を基準
に行う構成であるが、サブフィールド領域と取り込み領
域との中間の大きさの領域でパターン分割及び登録する
こととしても良い。

【０１５６】サブフィールドＡとＢにブロックパターン
が存在する場合（ブロック露光の場合）には、上記パタ
ーン分割を行わない。この代わりに、各サブフィールド
Ａ及びＢを２回露光するようにする。サブフィールドＢ
のパターンとして、その取り込み領域であるサブフィー
ルドＡ内のブロックパターンが登録される。これによ
り、サブフィールドＢの取り込み領域内のブロックパタ
ーンは、サブフィールドＡ及びサブフィールドＢの露光
時に合計２回重ねて露光される。２重露光の露光量につ
いては、前述した通りである。

【０１５７】以上の処理を実現するために、第６の実施
例では、前述した図１５のフローチャートにいくつかの
ステップを加え、図３４に示すフローチャートを用い
る。図３４に示すフローチャートは図１５のフローチャ
ートに対し、ステップＰ３５〜Ｐ４０を加えたものであ
る。

【０１５８】前述したステップＳ２６に続き、ステップ
Ｐ３５で、現在処理中のサブフィールドがフィールド境
界上のサブフィールドであるかどうかを判断する。判断
結果がＮＯの場合には、ステップＰ２７に進む。判断結
果がＹＥＳの場合には、ステップＰ３６で隣接フィール
ド内に含まれるパターンとの接触認識を行い、フィール
ド境界に接するパターン（接触パターン）を抽出する。
図３２及び図３３では、ｙ方向に延びるフィールド境界
上に隣接するサブフィールドＡ，Ｂについて説明した
が、仮にサブフィールドＡ，Ｂがｘ方向に延びるフィー
ルド境界上に隣接する場合には、ｘ方向のフィールド境
界に隣接する接触パターンをも特定する。なお、処理中
のフィールド境界上に隣接する隣接サブフィールドのパ
ターンデータは、前述の図１３及び図１４に示すフロー
チャートを実行することでパターンデータ作成装置内に
読み込まれている。

【０１５９】接触パターンが見つかった場合には、ステ
ップＰ３７でパターン分割を行う。パターン分割は図３
２及び図３３を参照して説明した通りである。なお、サ
ブフィールドの取り込み領域内にあるパターンがブロッ
ク露光のブロックパターンの場合には、前述したように
パターン分割をしない。

【０１６０】次にステップＰ３８で、分割後のパターン
を隣接するサブフィールドのパターンとして登録する。
図３２の場合には、サブフィールドＡの分割後のパター
ンＰＴ１ｂがサブフィールドＢのパターンとして登録さ
れる。ブロックパターンの場合には、このパターンがそ
のまま隣接サブフィールドのパターンとして登録され
る。この際、ステップＰ３８で登録されたパターンであ
ることを示すために、フラグを付加する。このフラグ
は、前述したように、電子ビーム露光装置側で用いられ
るものであり、フラグが立っているパターンデータに対
する露光量を、受け取った露光量の例えば１／２にして
露光するために用いられる。

【０１６１】ステップＰ３９では、分割後のパターンを
自分自身のサブフィールドにも登録する。例えば、図３
２の例では、パターンＰＴ１に代えてパターンＰＴ１ａ
及びＰＴ１ｂがサブフィールドＡに登録される。この
際、隣接サブフィールドＢに登録されたパターンＰＴ１
ｂには上記フラグが付加される。ブロックパターンの場
合には、隣接サブフィールドに登録されたブロックパタ
ーンに対し、フラグが付加される。

【０１６２】その後、前述したようにステップＰ２７〜
Ｐ３１の処理を行い、ステップＰ４０で、サブフィール
ド毎にデータを読んで分割されたパターンを合成する。
ステップＰ３８で登録された分割パターンは、システム
上別ファイルとして登録されるので、このファイル内の
パターンデータをもともとのパターンデータに合成する
必要がある。この処理により、図３２の例では、サブフ
ィールドＢに関し露光されるパターンのすべてが１つの
ファイルに集約されることになる。

【０１６３】なお、上記フラグは図３０に示す電子ビー
ム露光制御装置１０１内で上記の通り処理され（受け取
った露光量（照射量）を、例えば１／２にする）、制御
信号Ｓ１〜Ｓ４に従い露光処理される。なお、本発明の
各実施例では電子ビーム露光装置の露光データを作成す
る場合について説明したが、イオンビーム露光装置に適
用する露光データを作成する場合にも、本発明の露光デ
ータ作成方法を適用することができる。

【０１６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光デー
タ作成装置によれば、荷電粒子ビームにより偏向可能な
大きさに被露光対象の露光領域を区分した第１の領域内
を更に１ショットの荷電粒子ビームで露光可能な大きさ
に区分した第２の領域毎に、当該第２の領域に占める露
光パターンの割合が求められるため、第１の領域に配置
されたいかなる露光パターンであっても、荷電粒子ビー
ムの１ショットに要する照射量が最適に与えられること
になる。

【０１６５】

【０１６６】本発明の作成装置によれば、第２の領域の
１つに他の第２の領域の基準となる露光基準量が設定さ
れると、この露光基準量及び第２の領域を占める露光パ
ターンの密度に応じて荷電粒子ビームの照射量の補正比
率を容易に決定することができる。

【０１６７】本発明の作成装置によれば、１つの補正対
象となる第２の領域から任意の長さだけ離れた周辺の第
２の領域に占める露光パターンの割合と離隔距離に基づ
いて修正比率が求められるため、この修正比率を用いて
第２の領域間で露光パターンの割合を調整することがで
き、被露光対象の階層を崩さずに、各露光パターン間の
近接効果が補正できる。

【０１６８】本発明の作成装置によれば、単独配置領域
内の第２の領域の大きさで補正露光パターンを発生させ
ること、及び、仮単独配置領域内の第２の領域の大きさ
で補正露光パターンを発生させることができるので、マ
トリクス配置領域の第２の領域を占めるパターン密度に
応じた近接効果を補正することができる。

【０１６９】本発明の作成方法によれば、マトリクス配
置領域の１つを荷電粒子ビームの１ショットによってパ
ターン露光可能な大きさに分割した第２の領域間で露光
パターンの割合を調整したマトリクス基準配置パターン
が作成されているため、この基準配置パターンに従って
残りのマトリクス配置領域の近接効果の補正や荷電粒子
ビームの照射量を決定することができ、マトリクス配置
領域を全て展開しないで済む。これにより、パターンデ
ータの増大、メモリ容量の増大が阻止でき、パターンデ
ータの補正時間が高速化できる。

【０１７０】本発明の荷電粒子ビーム露光装置によれ
ば、本発明の露光データ作成装置によって、被露光対象
の設計データから露光データが作成されるため、１ショ
ット毎に最適な照射量が与えられた荷電粒子ビームによ
って、被露光対象を露光できるので、高解像度のＬＳＩ
パターンマスク等を形成することができる。

【０１７１】また、所定のフィールド境界に接する露光
パターンは複数回の露光で形成されるため、露光装置の
精度による誤差に起因したパターンの段差等はなめらか
な形となり、パターン断線等の発生を回避できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の各実施例に係る露光データの作成装置
の構成図である。

【図２】本発明の実施例に係るパターン配置エディタの
機能説明図である。

【図３】本発明の各実施例に係るマップ作成エディタの
機能説明図である。

【図４】本発明の各実施例に係る単独配置サブフィール
ドにおける露光パターンの説明図である。

【図５】本発明の第１の実施例に係るパターンの露光量
の算出方法の説明図である。

【図６】本発明の第１の実施例に係るＣＰＵの機能を説
明する補正テーブルメモリの内容図である。

【図７】本発明の第１の実施例に係る見直し対象マップ
と、その周辺マップの説明図である。

【図８】本発明の第１の実施例に係る１×１μｍのマッ
プ及び４．４×４．４μｍのマップの修正比率の内容図
である。

【図９】本発明の第１の実施例に係る見直しマップ
（４．４μｍ×４．４μｍ）の説明図である。

【図１０】本発明の各実施例に係る補助露光パターンの
発生部の機能説明図である。

【図１１】本発明の各実施例に係る中間ファイルの内容
説明図である。

【図１２】本発明の各実施例に係る露光量中間ファイル
の内容説明図である。

【図１３】本発明の各実施例に係る露光データ作成フロ
ーチャート（その１）である。

【図１４】本発明の各実施例に係る露光データ作成フロ
ーチャート（その２）である。

【図１５】本発明の各実施例に係る露光データ作成フロ
ーチャート（その３）である。

【図１６】本発明の各実施例に係るブロック露光パター
ンの説明図である。

【図１７】本発明の各実施例に係る偶数個のマップ及び
被補正対象フィールドの説明図である。

【図１８】本発明の各実施例に係るマップ上のマトリク
ス配置パターンの説明図である。

【図１９】本発明の各実施例に係るマップ上のブロック
露光パターンの説明図である。

【図２０】本発明の各実施例に係るマップ上のマトリク
ス配置ブロック露光パターンの説明図である。

【図２１】本発明の各実施例に係る仮単独配置サブフィ
ールドの情報内容及び各サブフィールドの配置説明図で
ある。

【図２２】本発明の第１の実施例に係る露光量の見直し
処理の説明図（その１）である。

【図２３】本発明の第１の実施例に係る露光量の見直し
処理の説明図（その２）である。

【図２４】本発明の各実施例に係るマトリクス配置パタ
ーンの見直し処理の説明図である。

【図２５】本発明の各実施例に係るマトリクス配置の再
編成処理の説明図である。

【図２６】本発明の第２の実施例に係るＣＰＵの機能を
説明する補正テーブルメモリの内容図である。

【図２７】本発明の第３の実施例に係る非矩形パターン
の露光量の算出方法の説明図である。

【図２８】本発明の第４の実施例に係るマップを跨ぐパ
ターンの露光量の見直し処理の説明図（その１）であ
る。

【図２９】本発明の第４の実施例に係るマップを跨ぐパ
ターンの露光量の見直し処理の説明図（その２）であ
る。

【図３０】本発明の第５の実施例に係る電子ビーム露光
装置の構成図である。

【図３１】本発明の第６実施例が解決しようとする課題
を示す図である。

【図３２】本発明の第６の実施例による処理を説明する
ための図である。

【図３３】本発明の第６の実施例による処理を説明する
ための別の図である。

【図３４】本発明の第６の実施例による処理を示すフロ
ーチャートである。

【図３５】従来例に係る露光データ作成装置の構成図で
ある。

【符号の説明】

１１ パターン配置エディタ １２ マップ作成エディタ １３ ＣＰＵ １４ 露光量修正部 １５ 補助露光パターン発生部 １６ 入力サポートツール １７ 入力ファイル １８ 中間ファイル １９ 露光量中間ファイル ２０ 補正テーブルメモリ ２１ 出力ファイル ３１ 電子銃 ３２ アライメントコイル ３３ アパーチャ ３４ マスク手段 ３５ メインディフレクタ ３６ 静電偏向器 ３７ ステージ

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−227842（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−333796（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−34918（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−186620（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−208944（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−212407（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光データを作成する装置において、 前記荷電粒子ビーム露光装置によりビーム偏向可能な大
   きさに前記被露光対象の露光領域を区分した第１の領域
   毎に、前記設計データに応じた露光パターンを配置する
   配置手段と、 前 記露光パターンを配置した第１の領域を更に区分して
   前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可能
   な大きさの複数個の第２の領域を作成する領域作成手段
   と、 前 記第２の領域内に占める露光パターンの割合に応じた
   荷電粒子ビームの照射量を算出する演算手段と、 １つの補正対象となる第２の領域から任意の長さだけ離
   れた周辺の第２の領域までの各々離隔距離に、前記周囲
   の第２の領域に占める露光パターンの割合を積算して前
   記周辺の第２の領域に占める露光パターンの割合を修正
   するための修正比率をそれぞれ算出する修正手段と を備
   えていることを特徴とする露光データ作成装置。
2. 【請求項２】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光データを作成する装置において、 前記荷電粒子ビーム露光装置によりビーム偏向可能な大
   きさに前記被露光対象の露光領域を区分した第１の領域
   毎に、前記設計データに応じた露光パターンを配置する
   配置手段と、 前記露光パターンを配置した第１の領域を更に区分して
   前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可能
   な大きさの複数個の第２の領域を作成する領域作成手段
   と、 前記第２の領域内に占める露光パターンの割合に応じた
   荷電粒子ビームの照射量を算出する演算手段と、 前記第２の領域を占める露光パターンの密度に応じて該
   第２の領域に隣接して補助露光パターンを発生するパタ
   ーン発生手段を備えていることを特徴とする露光データ
   作成装置。
3. 【請求項３】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光データを作成する装置において、 前記荷電粒子ビーム露光装置によりビーム偏向可能な大
   きさに前記被露光対象の露光領域を区分した第１の領域
   毎に、前記設計データに応じた露光パターンを配置する
   配置手段と、 前記露光パターンを配置した第１の領域を更に区分して
   前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可能
   な大きさの複数個の第２の領域を作成する領域作成手段
   と、 前記第２の領域内に占める露光パターンの割合に応じた
   荷電粒子ビームの照射量を算出する演算手段とを有し、 前記演算手段は、所定のフィールド境界に接する露光パ
   ターンであって所定範囲内にあるパターンを複数回の露
   光で形成するように処理することを特徴とする露光デー
   タ作成装置。
4. 【請求項４】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光データを作成する方法であって、 前記被露光対象の露光領域を区分して前記荷電粒子ビー
   ム露光装置の偏向系によりビーム偏向可能な大きさの第
   １の領域を作成し、 前記第１の領域毎に前記被露光対象の設計データに応じ
   た露光パターンを配置し、前記第１の領域を更に区分し
   て前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可
   能な大きさの複数個の第２の領域を作成し、 前記第２の領域に占める露光パターンの割合を該第２の
   領域毎に求め、前記露光パターンの割合に応じた前記荷
   電粒子ビームの照射量を各露光パターン毎に与え、 前記被露光対象の設計データの中に、前記荷電粒子ビー
   ムの１ショットによってブロック露光可能なブロックパ
   ターンを含んでいるか否かを検索し、前記ブロックパタ
   ーンを含んでいる場合には、１つのブロックパターンの
   大きさになるように前記第１の領域を区分して第２の領
   域を作成し、前記ブロックパターンを含んでいない場合
   には、前記荷電粒子ビームの１ショットによってパター
   ン露光可能な大きさになるように前記第１の領域を区分
   して第２の領域を作成することを 特徴とする露光データ
   作成方法。
5. 【請求項５】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光データを作成する方法であって、 前記被露光対象の露光領域を区分して前記荷電粒子ビー
   ム露光装置の偏向系によりビーム偏向可能な大きさの第
   １の領域を作成し、 前記第１の領域毎に前記被露光対象の設計データに応じ
   た露光パターンを配置し、前記第１の領域を更に区分し
   て前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可
   能な大きさの複数個の第２の領域を作成し、 前記第２の領域に占める露光パターンの割合を該第２の
   領域毎に求め、前記露光パターンの割合に応じた前記荷
   電粒子ビームの照射量を各露光パターン毎に与え、 前記第１の領域内に作成された第２の領域の１つに、他
   の第２の領域に占める露光パターンの割合の基準となる
   露光基準量を設定し、前記露光基準量に応じて露光パタ
   ーンの近隣に該第２の領域の大きさに等しい補助露光パ
   ターンを発生させることを特徴とする露光データ作成方
   法。
6. 【請求項６】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光データを作成する方法であって、 前記被露光対象の露光領域を区分して前記荷電粒子ビー
   ム露光装置の偏向系によりビーム偏向可能な大きさの第
   １の領域を作成し、 前記第１の領域毎に前記被露光対象の設計データに応じ
   た露光パターンを配置し、前記第１の領域を更に区分し
   て前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可
   能な大きさの複数個の第２の領域を作成し、 前記第２の領域に占める露光パターンの割合を該第２の
   領域毎に求め、前記露光パターンの割合に応じた前記荷
   電粒子ビームの照射量を各露光パターン毎に与え、 前記第１の領域内に作成された任意の第２の領域に占め
   る露光パターンの割合を周辺の第２の領域に占める露光
   パターンの割合に基づいて補正する ことを特徴とする露
   光データ作成方法。
7. 【請求項７】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光 データを作成する方法であって、 前記被露光対象の露光領域を区分して前記荷電粒子ビー
   ム露光装置の偏向系によりビーム偏向可能な大きさの第
   １の領域を作成し、 前記第１の領域毎に前記被露光対象の設計データに応じ
   た露光パターンを配置し、前記第１の領域を更に区分し
   て前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可
   能な大きさの複数個の第２の領域を作成し、 前記第２の領域に占める露光パターンの割合を該第２の
   領域毎に求め、前記露光パターンの割合に応じた前記荷
   電粒子ビームの照射量を各露光パターン毎に与え、 前記第１の領域内の補正対象となった第２の領域に占め
   る露光パターンの割合は、前記補正対象の第２の領域か
   ら任意の距離だけ離れた周辺の第２の領域の全露光パタ
   ーンの割合の平均値に、前記補正対象となった第２の領
   域に占める露光パターンの割合を加算することを特徴と
   する露光データ作成方法。
8. 【請求項８】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光データを作成する方法であって、 前記被露光対象の露光領域を区分して前記荷電粒子ビー
   ム露光装置の偏向系によりビーム偏向可能な大きさの第
   １の領域を作成し、 前記第１の領域毎に前記被露光対象の設計データに応じ
   た露光パターンを配置し、前記第１の領域を更に区分し
   て前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可
   能な大きさの複数個の第２の領域を作成し、 前記第２の領域に占める露光パターンの割合を該第２の
   領域毎に求め、前記露光パターンの割合に応じた前記荷
   電粒子ビームの照射量を各露光パターン毎に与え、 前記第１の領域内に作成された複数の第２の領域に占め
   る露光パターンの割合は、前記第２の領域から任意の長
   さだけ離れた周辺の第２の領域に占める全露光パターン
   の割合の平均値に、該複数の第２の領域に占める露光パ
   ターンの全露光パターンの割合の平均値を加算すること
   を特徴とする露光データ作成方法。
9. 【請求項９】 被露光対象の設計データから荷電粒子ビ
   ーム露光装置の露光データを作成する方法であって、 前記被露光対象の露光領域を区分して前記荷電粒子ビー
   ム露光装置の偏向系によりビーム偏向可能な大きさの第
   １の領域を作成し、 前記第１の領域毎に前記被露光対象の設計データに応じ
   た露光パターンを配置し、前記第１の領域を更に区分し
   て前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可
   能な大きさの複数個の第２の領域を作成し、 前記第２の領域に占める露光パターンの割合を該第２の
   領域毎に求め、前記露光パターンの割合に応じた前記荷
   電粒子ビームの照射量を各露光パターン毎に与え、 前記被露光対象の露光領域を、露光パターンを全く含ま
   ない仮単独配置領域と、前記露光パターンを繰り返すマ
   トリクス配置領域と、前記露光パターンを繰り返さない
   単独配置領域とに区分することを特徴とする露光データ
   作成方法。
10. 【請求項１０】 被露光対象の設計データから荷電粒子
    ビーム露光装置の露光データを作成する方法であって、 前記被露光対象の露光領域を区分して前記荷電粒子ビー
    ム露光装置の偏向系によりビーム偏向可能な大きさの第
    １の領域を作成し、 前記第１の領域毎に前記被露光対象の設計データに応じ
    た露光パターンを配置し、前記第１の領域を更に区分し
    て前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可
    能な大きさの複数個の第２の領域を作成し、 前記第２の領域に占める露光パターンの割合を該第２の
    領域毎に求め、前記露光パターンの割合に応じた前記荷
    電粒子ビームの照射量を各露光パターン毎に与え、 前記被露光対象の設計データの中に、前記マトリクス配
    置領域を含んでいるか否かを検出し、前記マトリクス配
    置領域を検出した場合には、前記荷電粒子ビームの１シ
    ョットによってパターン露光可能な大きさに、前記マト
    リクス配置領域の１つを分割して第２の領域を作成し、 前記マトリクス配置領域内の第２の領域内に占める露光
    パターンの割合に応じた荷電粒子ビームの照射量を算出
    してマトリクス基準配置パターンを作成し、 前記マトリクス基準配置パターンに従って残りの前記マ
    トリクス配置領域の電子ビームの照射量を決定し又は補
    正することを特徴とする露光データ作成方法。
11. 【請求項１１】 被露光対象の設計データから露光デー
    タを作成するデータ作成手段と、前記データ作成手段の
    出力データに応じてビーム偏向系の制御信号を生成する
    制御装置と、前記制御装置の出力信号に従って荷電粒子
    ビームを偏向する偏向手段とを備えた荷電粒子ビーム露
    光装置であって、 前記データ作成手段は、前記荷電粒子ビーム露光装置に
    よりビーム偏向可能な大きさに前記被露光対象の露光領
    域を区分した第１の領域毎に、前記設計データに応じた
    露光パターンを配置する配置手段と、 前記露光パターンを配置した第１の領域を更に区分して
    前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可能
    な大きさの複数個の第２の領域を作成する領域作成手段
    と、 前記第２の領域内に占める露光パターンの割合に応じた
    荷電粒子ビームの照射量を算出する演算手段とを有し、 前記演算手段は、所定のフィールド境界に接する露光パ
    ターンであって所定範囲内にあるパターンを複数回の露
    光で形成するように処理することを特徴とする荷電粒子
    ビーム露光装置。
12. 【請求項１２】 被露光対象の設計データから露光デー
    タを作成するデータ作成手段と、前記データ作成手段の
    出力データに応じてビーム偏向系の制御信号を生成する
    制御装置と、前記制御装置の出力信号に従って荷電粒子
    ビームを偏向する偏向手段とを備えた荷電粒子ビーム露
    光装置であって、 前記データ作成手段は、前記荷電粒子ビーム露光装置に
    よりビーム偏向可能な大きさに前記被露光対象の露光領
    域を区分した第１の領域毎に、前記設計データに応じた
    露光パターンを配置する配置手段と、 前記露光パターンを配置した第１の領域を更に区分して
    前記露光装置の１ショットの荷電粒子ビームで露光可能
    な大きさの複数個の第２の領域を作成する領域作成手段
    と、 前記第２の領域内に占める露光パターンの割合に応じた
    荷電粒子ビームの照射量を算出する演算手段とを有し、 前記偏向手段は、ブロックパターンを露光するマスク手
    段を有し、 前記演算手段は、前記所定範囲内にあるパターンを複数
    回の露光で形成するよ うに荷電粒子ビームの照射量を算
    出することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。