JP3159810B2

JP3159810B2 - 電子線描画方法及びその装置

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Publication number: JP3159810B2
Application number: JP32060792A
Authority: JP
Inventors: 幸延柴田; 明平川
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-11-30
Filing date: 1992-11-30
Publication date: 2001-04-23
Anticipated expiration: 2016-04-23
Also published as: JPH06168869A; US5371373A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスのパタ
ーンニング工程であるリソグラフィープロセスに用いら
れる電子線描画方法及びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、メモリデバイスのパターニング
を高精度に行い得る電子線描画装置がある。上記電子線
描画装置の描画技術は、ＡＳＩＣ（Application specif
ic integrated circiut（特定用途向け集積回路））
等、マスクを作らないでデバイスを直接製造する直接描
画技術や、マスクそのものを製造するマスク描画技術と
して用いられている。この電子線描画装置は、高精度の
ものを描画するのには適しているが、量産デバイスに適
用するには、光露光方式と違いスループットが遅いとい
う問題点があった。つまり、可変成形方式の電子線描画
装置では、可変成形用転写マスクを用い、デバイスのパ
ターンを逐一矩形に分割して描画する必要があるため、
ショット数が著しく多く、処理に多大な時間が必要であ
った。

【０００３】そこで、電子線描画装置において、ショッ
ト数を減少するため、セルプロジェクション（一括露光
描画）技術が考えられた。このセルプロジェクション技
術は、デバイスのもつ繰返し性に着目し、その繰返しパ
ターンの単位であるセルをひとつの転写マスクとし、こ
の転写マスクと可変成形用転写マスクとを併用すること
で、ショット数を大幅に削減し、描画スループットを向
上させるものである。このセルプロジェクション技術と
しては、例えば、特開平４−１４８５３１号公報記載の
パターン描画方法がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記セ
ルプロジェクション技術にあっては、メモリ機能素子な
どが有する繰返し性に着目しているため、繰り返しセル
が少ない、例えば上記ＡＳＩＣに適用した場合には、描
画ショット数が多く、処理に多大な時間が必要であっ
た。さらに、メモリデバイス等においては、６４ＭＤＲ
ＡＭ、２５６ＭＤＲＡＭ等、高密度化が図られ、セルプ
ロジェクション技術を用いても、描画時間に多大な時間
が必要になってしまっていた。したがって、高密度化メ
モリデバイスや繰り返しセルが少ないＡＳＩＣであって
も、描画ショット数が低減され、高速に処理し得る電子
線描画方法及びその装置が望まれている。

【０００５】本発明の目的は、例えば、６４ＭＤＲＡＭ
以上の半導体デバイスの製造にあたって、繰返し性の高
いメモリデバイスばかりでなく、繰り返し性の少ないＡ
ＳＩＣデバイスであっても、描画ショット数が少なく、
高速に処理可能な電子線描画方法及びその装置を実現す
ることである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明においては、非繰
返しのパターンの中から、半ば強制的に繰返し構造を検
出し、この繰り返し構造を用いて描画ショット数の減少
化を図っている。このため、ＡＳＩＣパターンの作成方
法には、一定の設計規則が用いられていることに着目し
た。ＡＳＩＣパターンを構成する機能素子には、繰返し
て使用するものがあるが、配線層や他の層との重なり等
で、繰り返しパターンが、検出できないことがある。し
かし、配線層などに現れる幅付き線と呼ばれる、規則的
な長方形のパターンの集合に着目すると、上記長方形パ
ターンの幅は、その電子的特性から一定であり、配線間
隔も一定である。また、配線であれば曲線部分もある
が、この曲線部分も、一定性がある。本発明は、上記一
定性に着目し、構成されたものである。

【０００７】本発明は、電子線描画方法において、描画
するパターンの入力データを繰り返しパターンと非繰り
返しパターンとに分類するステップと、分類された繰り
返しパターンが、登録された単位パターンのどれに相当
するかを選定するステップと、分類された非繰り返しパ
ターンを所定の単位領域に分割するステップと、分割さ
れた単位領域を、繰り返し単位領域と非繰り返し単位領
域とに分類するステップと、分類された繰り返し単位領
域が、登録された単位領域パターンのどれに相当するか
を選定するステップと、選定された単位パターンと、単
位領域パターンと、非繰り返し単位領域とから描画デー
タを合成するステップと、描画データに基づいて、描画
対象物上にパターンを描画するステップと、を備える。

【０００８】好ましくは、上記電子線描画方法におい
て、分類された繰り返しパターンが、入力データのう
ち、少なくとも所定の繰り返し数以上あるか否かを判定
し、所定数未満の場合には、非繰り返しパターンとして
再分類するステップを、さらに備える。また、好ましく
は、上記電子線描画方法において、繰り返し単位領域と
は、配線パターンの所定長の直線部分である。また、好
ましくは、上記電子線描画方法において、繰り返し単位
領域とは、配線パターンの角部部分である。

【０００９】また、本発明は、電子線描画装置におい
て、描画するパターンの入力データを繰り返しパターン
と、非繰り返しパターンとに分類し、繰り返しパターン
が、予め登録された単位パターンのどれに相当するかを
選定するとともに、非繰り返しパターンを所定の単位領
域に分割し、分割した単位領域を、繰り返し単位領域と
非繰り返し単位領域とに分類して、繰り返し単位領域
が、予め登録された単位領域パターンのどれに相当する
かを選定する描画データ作成手段と、選定された単位パ
ターンと、単位領域パターンと、非繰り返し単位領域と
から描画データを合成する手段と、描画データに基づい
て、描画対象物に照射される電子線を制御する電子線制
御手段と、を備える。好ましくは、上記電子線描画装置
において、描画データ作成手段は、分類した繰り返しパ
ターンが、上記入力データのうち、少なくとも所定の繰
り返し数以上あるか否かを判定し、所定数未満の場合に
は、非繰り返しパターンとして再分類するように構成さ
れる。

【００１０】

【作用】描画するパターンの入力データのうち、繰り返
しパターンに分類されたパターンは、セルプロジェクシ
ョン技術により、単位パターンが使用され、描画され
る。また、描画するパターンの入力データのうち、非繰
り返しパターンに分類されたパターンは、さらに、単位
領域に分割される。そして、分割された単位領域は、繰
り返し単位領域と非繰り返し単位領域とに分類され、繰
り返し単位領域と分類されたパターンは、単位領域パタ
ーンが使用され、描画される。したがって、描画ショッ
ト数が、大幅に減少され、高速に描画処理が実行され
る。

【００１１】

【実施例】図３は、本発明の一実施例である電子線描画
方法に使用される電子線描画装置の概略構成図であり、
ＬＳＩ−ＣＡＤ／ＤＡシステム１で生成されるＬＳＩデ
バイス・パターンを描画するための装置である。図３に
おいて、ＬＳＩデバイス・パターンが入力データとし
て、ＥＢ（電子線描画装置）描画データ変換システム２
に供給され、ＥＢで読みとり可能な形式のデータに変換
される。このとき、入力データが、例えば、メモリデバ
イスのように繰返しパターン（ＬＳＩ−ＣＡＤシステム
によってはセルと呼称）であれば、効率的描画を実施す
るために、セルプロジェクション技術が利用される。こ
の場合、入力データは、セルプロジェクション用ＥＢ描
画データ作成システム３で処理される。データ変換シス
テム２及びデータ変換システム３により作成された描画
データは、ＥＢ描画制御システム４に転送され、このシ
ステム４に登録される。また、セルプロジェクション用
ＥＢ描画データ作成システム３で処理された繰返しパタ
ーンは、第２転写マスク２１として作成され、第２転写
マスク機構２に設置される。

【００１２】このようにして、描画のための描画データ
と第２転写マスク２１が作成されたならば、ＥＢ描画制
御システム４は、システムバス７を介してバッファメモ
リ５に描画データを高速転送する。バッファメモリ５
は、通常２面で構成され、一方のメモリが、システムバ
ス７を介して描画データを受信しているとき、他方のメ
モリは、描画実行中の装置本体のためにデータ制御系８
に描画データを高速で転送している。データ制御系８に
転送された描画データは、さらに描画の最小単位となる
ショット図形（可変成形では一般に矩形）に分割され
る。セルプロジェクション用データの場合は、単にマス
クが記録され、第２転写マスク機構２０との連動が指示
される。また、ショット図形は、各々の形をビームに変
えるためにアナログ制御系９の転写・偏向系１０及びレ
ンズ系１１で制御・校正され、ビーム１７として描画対
象物１５に照射される。このとき可変成形ビームであれ
ば第１転写マスク機構１８に設置されている可変成形用
の第１転写マスク１９と、第２転写マスク機構２０に設
置されている第２転写マスク２１の中にある可変成形用
マスク（図６の２９）とでビーム１７の成形が行われ
る。セルプロジェクションであれば、図６のマスク２４
〜２８が使用され、ビーム１７の成形が行われる。

【００１３】信号処理系１２は、ビーム１７の状態を監
視するためのセンサ１４からの信号が供給され、正常か
異常かを示す信号をＥＢ描画制御システム４に供給する
ものである。機構制御系１３は、描画対象物１５を移動
させるためのものである。描画手順制御システム６は、
データ制御系８とアナログ制御系９とを、ＥＢ描画制御
システム４からの描画手順指令に従って高速に制御す
る。

【００１４】図４は、メモリデバイスなどに見られる繰
返しパターンの例を示す図である。繰返し単位パターン
２２は、図７に示すように、配列基準点２３（図４で
は、パターン２２（３０）（２３））を基点に繰返し構
造３０（２２（３０）で示すパターン）を有する。同様
に、配列基準点Ａ（図４では、パターン２２（３３）
Ａ）を基点に繰返し構造３３を有する。つまり、図４に
おいては、繰り返し構造３０は、第１、３、５列のパタ
ーン２２であり、繰り返し構造３３は、第２、４、６列
のパターン２２である。繰返し構造３０、３３は、図７
に示すように、それぞれ（ｎ1×ｍ1）、（ｎ2×ｍ2）の
配置数を有する。

【００１５】図５は、図４に示した繰返し単位パターン
２２のショット図形の増加を説明するための図である。
このショット図形の増加が、スループットの低下の主因
となっている。図５において、繰返し単位パターン２２
（図５の（Ａ））を可変成形描画用の描画データとする
ときは、単位パターン２２は、図５の（Ｂ）に示すよう
に５個の描画パターン（これを通常基本図形と呼び、矩
形、平行四辺形、台形で表現される）６２〜６６で構成
される。これらは、上述の図３のデータ制御系８で、シ
ョット図形に分解されると、図５の（Ｃ）に示すような
多数のショット図形６７〜７６となる。これが、繰返し
単位パターン２２を１個のマスクとすること、ショット
図形は１個で済む。さらに、単位パターン２２の繰返し
があるので、描画データの大幅な圧縮が可能となる。

【００１６】図６は、セルプロジェクションで使用する
第２転写マスク２１のマスクレイアウトの例である。マ
スク２４〜２８は、セルプロジェクション用のものであ
り、マスク２９は可変成形用のマスクである。図７は、
図４の繰り返しパターンの例を繰返し構造３０、３３の
み抽出して図示したものである。繰返し構造３０（丸
印）、３３（黒丸）は、それぞれＸ軸方向配置数がｎ
1、Ｙ軸方向配置数がｍ1、Ｘ軸方向配置数がｎ2、Ｙ軸
方向配置数がｍ2となっている。

【００１７】図８は、配線パターンの例である。これら
は配線パターン３６、３７、３８の集合から構成されて
いる。それぞれトポロジカルには同値であるが幾何学的
には同値でない。したがって、入力データ上でも、これ
らはセルとしては、従来においては、分割することはで
きなかった。入力データ上においては、図９に示すよう
な幅付き線７８の表現がとられている。いずれにせよ、
この状態からは繰返し構造を見出すことはできない。そ
こで、セルプロジェクション単位領域３９、４０のよう
に、配線パターンを強制的に分割することで、繰返し構
造が見えてくる。これはセルプロジェクション単位領域
３９、４０の中にある配線パターン３６が、ＬＳＩ−Ｃ
ＡＤ／ＤＡシステム１のもつ設計規則に従って配置され
ていることで、その各パターン間が当間隔となるために
可能となる。

【００１８】以上のことより、繰返し構造は、配線パタ
ーン３６に関しては、セルプロジェクション単位領域３
９が、図の縦方向に２個、セルプロジェクション単位領
域４０が、図の横方向に３個となる。また、配線パター
ン３７に関しては、単位領域４０が、横方向に３個とな
り、配線パターン３８に関しては、単位領域４０が、横
方向に２個となる。ショット図形数の比較をしてみる
と、セルプロジェクション単位領域３９、４０は、可変
成形のケースで各１０個と仮定すると、上記繰返し構造
全体を描画するには１００回（単位領域４０が８個、単
位領域３９が２個で、１０ｘ１０＝１００）のショット
が必要であるが、セルプロジェクションでは１０回のシ
ョットで可能となる。また、繰返しにならないパターン
の集合体である非セルプロジェクション単位領域４１、
４２、４３等は、従来の方法で描画データを作成するこ
とになる。

【００１９】図９は、幅付き線７８の表現方法を示す図
である。入力データ上では幅付き線７８は、始点７９が
基準点となり、中間点８０、８１、終点８２、線幅ｗで
表現され、実体としての配線パターン３６は存在しな
い。ただし、ＥＢ描画データに変換する際、実体の配線
パターンとして再現される。本発明では、例えば中間点
８０から中間点８１までの長さに着目し、これからセル
プロジェクション単位領域をいくつ切り出せるか処理す
るように構成される。図１０は、図６のマスクレイアウ
トのマスク２６、２７に、本発明のマスクパターン４
７、４８をレイアウトした例である。このマスクパター
ン４７、４８は、図８の単位領域３９、４０にそれぞれ
対応している。

【００２０】図１は、本発明の一実施例である電子線描
画方法の描画データ変換処理の全体フローチャートであ
る。以下に述べる処理は、描画データ変換システム２と
セルプロジェクション用描画データ作成システム３で実
行される。図１のステップ４９における入力データの読
み込みでは、ＬＳＩ−ＣＡＤ／ＤＡシステム１からＬＳ
Ｉパターンデータの読み込みを行う。次に、ステップ５
０で、入力パターンデータのセル名称と配列構造から繰
返しパターン／非繰返しパターンを分類抽出し、仮登録
しておく。ここで、非繰返しパターンの場合、処理は図
２のＡに移る。

【００２１】ステップ５０において、繰り返しパターン
の場合は、ステップ５１に進み、セルプロジェクション
条件１を満足するか否かを判定する。セルプロジェクシ
ョン条件１とは、繰返し数が十分に多く、セルのサイズ
がマスクの大きさ以下であるか、またマスクを作成でき
る形状になっているかなどを示す。ここで、上記条件を
満たさない場合は、図２のＡに処理が移る。上記条件を
満たす場合は、ステップ５２に進み、第２転写マスク２
１を製作するための繰返し単位パターン（セルとも呼
ぶ）を設定し、ステップ５４に進む。そして、ステップ
５４で、第２転写マスクの作成処理（マスクレイアウト
及び描画データ変換）が行われ、ステップ５５で、第２
転写マスク機構２０へ設置される（なお、このステップ
５４及び５５は、一度マスクの作成及び設置が終了すれ
ば、次回の動作は、省略される）。

【００２２】ステップ５２において、設定した繰返し単
位パターンのマスクを設定し、同時に繰返し構造を設定
し、これらを登録する。次に、ステップ５３に進み、ス
テップ５０で仮登録された非繰返しパターンを取り出
し、通常の描画データ変換処理を施す。また、このとき
後述する図２の処理の中で再度出てきた非繰返しパター
ンも、ステップ５３にて、同時に処理される。さらに、
ステップ５６に進み、ステップ５２の結果であるマスク
及び繰返し構造を選定し、ステップ５３の結果の非繰返
しパターンの描画データとを合成する。その後、描画偏
向領域毎に再度これらの描画データをパターン分割、切
り出しを行う。次に、ステップ５７に進み、ステップ５
６の結果を描画順序に従ってソートし、描画データとし
て出力する。

【００２３】図２は、本発明の一実施例における動作フ
ローチャートであり、図１のフローチャートから分岐さ
れる動作を示し、セルプロジェクション単位領域を強制
的に切り出し、分割することによって、繰返し構造を創
出する処理である。図２のＡは、図１に示したフローチ
ャートからの分岐であることを示す。図２のステップ５
７Ａでは、非繰返しパターンとして転送された入力デー
タの中から幅付き線の有無をチェックし、同時にセルプ
ロジェクション適用条件２を満足するか否かを判定す
る。この適用条件２とは、セルプロジェクション単位領
域に入るべき幅付き線の数が、十分存在すること、幅が
皆同じであること、配置間隔も等しいこと、その長さは
セルプロジェクション単位領域のいずれの方向の長さよ
り十分長いこと等である。これらの適用条件を満足しな
かった場合は、図１のルートＢに戻る。ステップ５７Ａ
にて、上記適用条件を満たす場合には、ステップ５８に
進み、幅付き線を登録する。次に、ステップ５８からス
テップ５９に進み、予め指定されたセルプロジェクショ
ン単位領域毎に幅付き線を切り出す。この切り出し処理
のイメージは、図８に示したようになる。

【００２４】さらに、ステップ５９からステップ６０に
進み、幅付き線を切り出すことによって新たに得られた
繰返し単位領域パターンと繰返しのない残りの部分であ
る非繰返し単位領域パターンとに分類する。非繰返し単
位領域パターンの場合は、図１のルートＢに戻る。繰返
し単位領域パターンの場合は、ステップ６０からステッ
プ６１に進み、第２転写マスク２１を製作するための繰
返し単位領域パターン（セルとも呼ぶ）を設定し、ステ
ップ５４、ステップ５５に進む。ステップ６１におい
て、設定した繰返し単位領域パターンのマスクを設定
し、同時に繰返し構造も設定し、これらを登録する。そ
の後、処理は、ステップ６１から図１のルートＢに戻
る。

【００２５】図１１は、マスクパターンレイアウトの他
の例である。配線パターン（幅付き線）の直線部に注目
した図１０の例に対して、この図１１の例においては、
角部を取り上げており、マスクパターン８３〜８６では
４方向の直角に曲がる角部（例えば、図８の角部の単位
領域４１は、マスクパターン８６に対応する）を示して
いる。設計方法によっては、角部をマスクパターンとし
たケースも多数発生する。

【００２６】図１２は、マスクパターンレイアウトのさ
らに他の例である。この図１２の例は、図１１の例と同
様に、角部を取り上げているが、角部には４５°方向の
曲がりが入っている。そして、マスクパターン８７〜９
０は、４方向の角部を示していある。なお、この図１２
の例において、マスクパターンの角部が、曲線状となっ
たものもさらに他の例として考えられる。

【００２７】図１３は、パターンの線幅をマスクパター
ンとした場合の例である。この図１３の例においては、
同一の線幅を有する多数の配線パターンの場合に、特に
有効である。さらに、可変成形マスクの最大寸法を超過
する線幅を有する配線パターンへの適用に有効である。
つまり、線幅Ｗが上記最大寸法を超過する場合には、線
幅Ｗ1のマスクパターン９１と線幅Ｗ2のマスクパターン
９２とを組み合わせることにより、線幅Ｗの配線パター
ンを形成することができる。したがって、複数種類の線
幅Ｗiのマスクパターンを備えておけば、多数種類の線
幅Ｗに対応可能となる。

【００２８】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように、構成さ
れているため、以下のような効果がある。電子線描画方
法において、入力データを繰り返しパターンと、非繰り
返しパターンとに分類するステップと、繰り返しパター
ンが、登録された単位パターンのどれかを選定するステ
ップと、非繰り返しパターンを単位領域に分割するステ
ップと、単位領域を、繰り返し単位領域と非繰り返し単
位領域とに分類するステップと、繰り返し単位領域が、
登録された単位領域パターンのどれかを選定するステッ
プと、選定された単位パターンと、単位領域パターン
と、非繰り返し単位領域とから描画データを合成するス
テップと、描画データに基づいて、描画対象物上にパタ
ーンを描画するステップと、を備える。したがって、電
子線描画ショット数が大幅に低減され、高速に描画を実
行し得る電子線描画方法を実現することできる。

【００２９】また、電子線描画装置において、入力デー
タを繰り返しパターンと、非繰り返しパターンとに分類
し、繰り返しパターンが、登録された単位パターンのど
れに相当するかを選定するとともに、非繰り返しパター
ンを単位領域に分割し、単位領域を、繰り返し単位領域
と非繰り返し単位領域とに分類して、繰り返し単位領域
が、登録された単位領域パターンのどれに相当するかを
選定する描画データ作成手段と、選定された単位パター
ンと、単位領域パターンと、非繰り返し単位領域とから
描画データを合成する手段と、描画データに基づいて、
描画対象物に照射される電子線を制御する電子線制御手
段と、を備える。したがって、電子線描画ショット数が
大幅に低減され、高速に描画を実行し得る電子線描画装
置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である電子線描画方法の動作
全体フローチャートである。

【図２】図１のフローチャートから分岐される動作のフ
ローチャートである。

【図３】本発明の一実施例である電子線描画方法に用い
られる電子線描画装置の概略構成図である。

【図４】繰返し単位パターンの例を示す図である。

【図５】セルプロジェクション法と可変成形法との説明
図である。

【図６】セルプロジェクション法における第２転写マス
クのレイアオウトの一例を示す図である。

【図７】単位パターンの繰返し構造の説明図である。

【図８】配線パターンを単位領域に分割する一例を示す
図である。

【図９】幅付き線の表現の一例示す図である。

【図１０】図８に示した繰り返し単位領域のマスクレイ
アウトの例を示す図である。

【図１１】繰り返し単位領域のマスクレイアウトの他の
例を示す図である。

【図１２】繰り返し単位領域のマスクレイアウトの、さ
らに他の例を示す図である。

【図１３】線幅をマスクパターン化する場合の例を示す
図である。

【符号の説明】

１ＬＳＩ−ＣＡＤ／ＤＡシステム２ＥＢ描画データ変換システム３セルプロジェクション用描画データ
作成システム４ＥＢ描画制御システム５バッファメモリ６描画手順制御システム７システムバス８データ制御系９アナログ制御系１０転写・偏向系１１レンズ系１２信号処理系１３機構制御系１４センサ１５描画対象物１６ステージ１７電子ビーム１８第１転写マスク機構１９第１転写マスク２０第２転写マスク機構２１第２転写マスク（セルプロジェクシ
ョン用マスク）２２繰返し単位パターン（セル）２４〜２８セルプロジェクション用マスク２９可変成形用マスク３０、３３繰返し構造３６、３７、３８配線パターン３９、４０繰返し単位領域４１、４２、４３非繰返し単位領域４７、４８マスクパターン６２〜６６描画パターン（基本図形）６７〜７６ショット図形７８幅付き線７９幅付き線の始点８０、８１幅付き線の中間点８２幅付き線の終点８３〜８６配線パターンの角部（直角）８７〜９０配線パターンの角部（斜め４５°方
向）９１第１回目のマスクパターン９２第２回目のマスクパターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平２−139913（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−80837（ＪＰ，Ａ) 特開平５−198483（ＪＰ，Ａ) 特開平５−182899（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】電子線を描画対象物に照射して、所定の
パターンを描画する電子線描画方法において、描画するパターンの入力データを繰り返しパターンと、
非繰り返しパターンとに分類するステップと、分類された繰り返しパターンが、予め登録された単位パ
ターンのどれに相当するかを選定するステップと、分類された非繰り返しパターンを所定の単位領域に分割
するステップと、分割された単位領域を、繰り返し単位領域と非繰り返し
単位領域とに分類するステップと、分類された繰り返し単位領域が、予め登録された単位領
域パターンのどれに相当するかを選定するステップと、上記選定された単位パターンと、単位領域パターンと、
非繰り返し単位領域とから描画データを合成するステッ
プと、上記描画データに基づいて、上記描画対象物上にパター
ンを描画するステップと、を備えることを特徴とする電子線描画方法。
【請求項２】請求項１記載の電子線描画方法におい
て、分類された繰り返しパターンが、上記入力データの
うち、少なくとも所定の繰り返し数以上あるか否かを判
定し、所定数未満の場合には、非繰り返しパターンとし
て再分類するステップを、さらに備えることを特徴とす
る電子線描画方法。
【請求項３】請求項１又は請求項２記載の電子線描画
方法において、上記繰り返し単位領域とは、配線パター
ンの所定長の直線部分であることを特徴とする電子線描
画方法。
【請求項４】請求項１又は請求項２記載の電子線描画
方法において、上記繰り返し単位領域とは、配線パター
ンの角部部分であることを特徴とする電子線描画方法。
【請求項５】電子線を描画対象物に照射して、所定の
パターンを描画する電子線描画装置において、描画するパターンの入力データを繰り返しパターンと、
非繰り返しパターンとに分類し、繰り返しパターンが、
予め登録された単位パターンのどれに相当するかを選定
するとともに、非繰り返しパターンを所定の単位領域に
分割し、分割した単位領域を、繰り返し単位領域と非繰
り返し単位領域とに分類して、繰り返し単位領域が、予
め登録された単位領域パターンのどれに相当するかを選
定する描画データ作成手段と、上記選定された単位パターンと、単位領域パターンと、
非繰り返し単位領域とから描画データを合成する手段
と、上記描画データに基づいて、上記描画対象物に照射され
る電子線を制御する電子線制御手段と、を備えることを特徴とする電子線描画装置。
【請求項６】請求項５記載の電子線描画装置におい
て、描画データ作成手段は、分類した繰り返しパターン
が、上記入力データのうち、少なくとも所定の繰り返し
数以上あるか否かを判定し、所定数未満の場合には、非
繰り返しパターンとして再分類することを特徴とする電
子線描画装置。