JPH05182899A - ブロック露光用パターン抽出方法 - Google Patents
ブロック露光用パターン抽出方法Info
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- JPH05182899A JPH05182899A JP3347053A JP34705391A JPH05182899A JP H05182899 A JPH05182899 A JP H05182899A JP 3347053 A JP3347053 A JP 3347053A JP 34705391 A JP34705391 A JP 34705391A JP H05182899 A JPH05182899 A JP H05182899A
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ブロック露光用パターン抽出方法に
関し、効率よく電子ビーム露光するためのブロック露光
用パターンを、階層設計されたマスクパターンデータか
らより短時間で抽出することを目的とする。 【構成】（１、２）マスクパターン設計段階で、ブロッ
ク定義枠を設定し、ストラクチャ名を指定しておき、
（３）マスクパターンに対し図形処理を行い、（４）枠
サイズをピッチとして、繰り返し配置されるブロックパ
ターンを探索し、（５）任意角長大パターンから対象性
をもつパターンを抽出し、（６）該枠内、指定ストラク
チャ内及び探索し抽出したブロックパターンから候補ブ
ロックを決定し、（７）候補ブロックの優先順位を決定
し、（８、９）優先順位の高い所定個数の候補ブロック
をブロック露光用パターンとして抽出する。
関し、効率よく電子ビーム露光するためのブロック露光
用パターンを、階層設計されたマスクパターンデータか
らより短時間で抽出することを目的とする。 【構成】（１、２）マスクパターン設計段階で、ブロッ
ク定義枠を設定し、ストラクチャ名を指定しておき、
（３）マスクパターンに対し図形処理を行い、（４）枠
サイズをピッチとして、繰り返し配置されるブロックパ
ターンを探索し、（５）任意角長大パターンから対象性
をもつパターンを抽出し、（６）該枠内、指定ストラク
チャ内及び探索し抽出したブロックパターンから候補ブ
ロックを決定し、（７）候補ブロックの優先順位を決定
し、（８、９）優先順位の高い所定個数の候補ブロック
をブロック露光用パターンとして抽出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、階層化設計された半導
体集積回路用マスクパターンデータから、電子ビーム透
過マスク上に所定個数形成され電子ビームを通してその
断面を所望の形状にするブロック露光用パターンを抽出
するブロック露光用パターン抽出方法に関する。
体集積回路用マスクパターンデータから、電子ビーム透
過マスク上に所定個数形成され電子ビームを通してその
断面を所望の形状にするブロック露光用パターンを抽出
するブロック露光用パターン抽出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子ビーム露光は、パターンをピクセル
に分解し、電子ビームをラスタ走査又はベクタ走査する
ことにより、微細パターンを描画可能である。しかし、
パターンが微細で複雑になるほど、スループットが低下
する。そこで、ステンシルマスクを用いてブッロック露
光することにより、より微細なパターンを高速描画する
方法が提案され、２５６Ｍビット以上のＤＲＡＭのパタ
ーンが描画可能となった。
に分解し、電子ビームをラスタ走査又はベクタ走査する
ことにより、微細パターンを描画可能である。しかし、
パターンが微細で複雑になるほど、スループットが低下
する。そこで、ステンシルマスクを用いてブッロック露
光することにより、より微細なパターンを高速描画する
方法が提案され、２５６Ｍビット以上のＤＲＡＭのパタ
ーンが描画可能となった。
【０００３】このステンシルマスクは、例えば最大４μ
ｍ×４μｍのブロック露光用パターンを５０個配列した
ものであり、偏向器で電子ビームを偏向させて、択一の
ブロック露光用パターンに電子ビームを通すことによ
り、電子ビーム断面形状が所望の微細パターンに成形さ
れる。ブロック露光は、ピクセル露光よりも高速で微細
な高画質の描画ができる。
ｍ×４μｍのブロック露光用パターンを５０個配列した
ものであり、偏向器で電子ビームを偏向させて、択一の
ブロック露光用パターンに電子ビームを通すことによ
り、電子ビーム断面形状が所望の微細パターンに成形さ
れる。ブロック露光は、ピクセル露光よりも高速で微細
な高画質の描画ができる。
【０００４】ステンシルマスク上に配列できるブロック
露光用パターンの数は限定されているので、全体のショ
ット数をできるだけ少なくすることができるブロック露
光用パターンをステンシルマスク上に配列する必要があ
る。また、描画に高精度を要する微細パターンに対して
は、できるだけブロック露光する必要がある。
露光用パターンの数は限定されているので、全体のショ
ット数をできるだけ少なくすることができるブロック露
光用パターンをステンシルマスク上に配列する必要があ
る。また、描画に高精度を要する微細パターンに対して
は、できるだけブロック露光する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、階層化設計さ
れた半導体集積回路のマスクパターンデータを展開後に
ブロック露光用パターン抽出処理を行うと、１層分の
パターンデータ量が例えば磁気テープ３０巻にもなり、
繰り返し配置数の多いブロックパターン、頂角が４５°
の倍数以外の頂角を有する任意角パターン及び微細パタ
ーンを探索しブロック化するのに、膨大な処理時間を要
する。この処理時間を短縮しようとすると、最適なブロ
ック露光用パターンを得るのが困難となる。これに対
し、展開前のパターンデータからブロック露光パターン
を抽出すると、リサイジングなどの図形処理を行った後
に階層展開されるので、同一階層内のブロックパターン
間または異なる階層のブロックパターン間の接続部分に
オーバーラップやスリットが生じ、パターン不良とな
る。
れた半導体集積回路のマスクパターンデータを展開後に
ブロック露光用パターン抽出処理を行うと、１層分の
パターンデータ量が例えば磁気テープ３０巻にもなり、
繰り返し配置数の多いブロックパターン、頂角が４５°
の倍数以外の頂角を有する任意角パターン及び微細パタ
ーンを探索しブロック化するのに、膨大な処理時間を要
する。この処理時間を短縮しようとすると、最適なブロ
ック露光用パターンを得るのが困難となる。これに対
し、展開前のパターンデータからブロック露光パターン
を抽出すると、リサイジングなどの図形処理を行った後
に階層展開されるので、同一階層内のブロックパターン
間または異なる階層のブロックパターン間の接続部分に
オーバーラップやスリットが生じ、パターン不良とな
る。
【０００６】本発明の目的は、このような問題点に鑑
み、効率よく電子ビーム露光するためのブロック露光用
パターンを、階層化設計されたマスクパターンデータか
らより短時間で抽出することができるブロック露光用パ
ターン抽出方法を提供することにある。
み、効率よく電子ビーム露光するためのブロック露光用
パターンを、階層化設計されたマスクパターンデータか
らより短時間で抽出することができるブロック露光用パ
ターン抽出方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及びその作用】図１は、本
発明に係るブロック露光用パターン抽出方法の原理構成
を示す。以下、括弧内の数値は図中のステップ識別番号
を表す。
発明に係るブロック露光用パターン抽出方法の原理構成
を示す。以下、括弧内の数値は図中のステップ識別番号
を表す。
【０００８】本発明では、階層化設計された半導体集積
回路用マスクパターンデータから、電子ビーム透過マス
ク上に所定個数形成され電子ビームを通してその断面を
所望の形状にするブロック露光用パターンを抽出するブ
ロック露光用パターン抽出方法において、（１）該マス
クパターンデータ設計段階で、基本セルがアレイ状に配
置された階層において該基本セルの領域を囲むブロック
定義枠、例えば図６に示すようなブロック定義枠Ｅ、４
５°の倍数以外の頂角を有する任意角パターン、例えば
図７に示す任意角パターン２０を含む領域を囲むブロッ
ク定義枠、又は、頂点間の距離が所定値以下の微細パタ
ーンを含む領域を囲むブロック定義枠、例えば図６に示
すようなブロック定義枠Ｆを設定しておき、（３）該マ
スクパターンに対するリサイジング処理を該ブロック定
義枠に対しても行い、該マスクパターンに対し拡縮処理
を施した後に該ブロック定義枠の近傍でパターンのスリ
ット及びオーバラップが生じた場合には該スリット及び
該オーバラップを無くし、（７）図形処理後かつ展開前
の該ブロック定義枠内のパターン群の中から１ショット
ブロック露光サイズに対応したパターン群を抽出し、該
パターン群を該ブロック露光用パターンの候補ブロック
とする。
回路用マスクパターンデータから、電子ビーム透過マス
ク上に所定個数形成され電子ビームを通してその断面を
所望の形状にするブロック露光用パターンを抽出するブ
ロック露光用パターン抽出方法において、（１）該マス
クパターンデータ設計段階で、基本セルがアレイ状に配
置された階層において該基本セルの領域を囲むブロック
定義枠、例えば図６に示すようなブロック定義枠Ｅ、４
５°の倍数以外の頂角を有する任意角パターン、例えば
図７に示す任意角パターン２０を含む領域を囲むブロッ
ク定義枠、又は、頂点間の距離が所定値以下の微細パタ
ーンを含む領域を囲むブロック定義枠、例えば図６に示
すようなブロック定義枠Ｆを設定しておき、（３）該マ
スクパターンに対するリサイジング処理を該ブロック定
義枠に対しても行い、該マスクパターンに対し拡縮処理
を施した後に該ブロック定義枠の近傍でパターンのスリ
ット及びオーバラップが生じた場合には該スリット及び
該オーバラップを無くし、（７）図形処理後かつ展開前
の該ブロック定義枠内のパターン群の中から１ショット
ブロック露光サイズに対応したパターン群を抽出し、該
パターン群を該ブロック露光用パターンの候補ブロック
とする。
【０００９】基本セルのパターン配置数は比較的多く、
また、任意角パターンや微細パターンは露光に高精度を
要する。本発明によれば、効率よく電子ビーム露光する
ためのブロック露光用パターンを、階層化設計されたマ
スクパターンデータから従来よりも短時間で抽出するこ
とができる。
また、任意角パターンや微細パターンは露光に高精度を
要する。本発明によれば、効率よく電子ビーム露光する
ためのブロック露光用パターンを、階層化設計されたマ
スクパターンデータから従来よりも短時間で抽出するこ
とができる。
【００１０】本発明の第１態様では、上記発明の構成に
さらに、（５）上記リサイジング処理後のブロック定義
枠、例えばブロック定義枠Ｅのサイズをセルピッチ
ＬX、ＬYとし、ブロック定義枠Ｅで囲まれたパターン以
外の上記マスクパターンの中から該セルピッチで繰り返
し所定数以上配置されたブロックパターンを抽出し、
（７）該ブロックパターンの中から１ショットブロック
露光サイズに対応したパターン群を抽出し、該パターン
群を前記ブロック露光用パターンの候補ブロックとす
る。
さらに、（５）上記リサイジング処理後のブロック定義
枠、例えばブロック定義枠Ｅのサイズをセルピッチ
ＬX、ＬYとし、ブロック定義枠Ｅで囲まれたパターン以
外の上記マスクパターンの中から該セルピッチで繰り返
し所定数以上配置されたブロックパターンを抽出し、
（７）該ブロックパターンの中から１ショットブロック
露光サイズに対応したパターン群を抽出し、該パターン
群を前記ブロック露光用パターンの候補ブロックとす
る。
【００１１】一般に、上記ブロック定義枠のサイズをセ
ルピッチとする繰り返しパターンが多いので、この構成
の場合、ブロック定義枠内以外のパターンについても、
繰り返しパターンを容易迅速に見つけることができ、し
たがって、効率よく電子ビーム露光するためのブロック
露光用パターンを、階層化設計されたマスクパターンデ
ータから短時間で抽出することができる。
ルピッチとする繰り返しパターンが多いので、この構成
の場合、ブロック定義枠内以外のパターンについても、
繰り返しパターンを容易迅速に見つけることができ、し
たがって、効率よく電子ビーム露光するためのブロック
露光用パターンを、階層化設計されたマスクパターンデ
ータから短時間で抽出することができる。
【００１２】本発明の第２態様では、上記発明の構成に
さらに、（２）マスクパターンデータ設計段階で、同一
パターンが繰り返し多数配置されたストラクチャ名、又
は、４５°の倍数以外の頂角を有する任意角パターン若
しくは頂点間の距離が短い微細パターンを含むストラク
チャ名を指定しておき、（７）図形処理後かつ展開前の
該指定ストラクチャ内のパターン群の中から１ショット
ブロック露光サイズに対応したパターン群を抽出し、該
パターン群を前記ブロック露光用パターンの候補ブロッ
クとする。
さらに、（２）マスクパターンデータ設計段階で、同一
パターンが繰り返し多数配置されたストラクチャ名、又
は、４５°の倍数以外の頂角を有する任意角パターン若
しくは頂点間の距離が短い微細パターンを含むストラク
チャ名を指定しておき、（７）図形処理後かつ展開前の
該指定ストラクチャ内のパターン群の中から１ショット
ブロック露光サイズに対応したパターン群を抽出し、該
パターン群を前記ブロック露光用パターンの候補ブロッ
クとする。
【００１３】この構成の場合も、ブロック定義枠内以外
のパターンについて、ブロック定義枠内パターンと同様
に、効率よく電子ビーム露光するためのブロック露光用
パターンを、階層化設計されたマスクパターンデータか
ら従来よりも短時間で抽出することができる。本発明の
第３態様では、上記発明の構成にさらに、（６）図形処
理後かつ展開前の前記マスクパターンデータの中から前
記候補ブロックを抽出する際、ストラクチャの対称配置
情報に基づき、互いに対称配置されたストラクチャ内で
共通の該候補ブロックがより多く存在するように対称な
該候補ブロックを抽出する。
のパターンについて、ブロック定義枠内パターンと同様
に、効率よく電子ビーム露光するためのブロック露光用
パターンを、階層化設計されたマスクパターンデータか
ら従来よりも短時間で抽出することができる。本発明の
第３態様では、上記発明の構成にさらに、（６）図形処
理後かつ展開前の前記マスクパターンデータの中から前
記候補ブロックを抽出する際、ストラクチャの対称配置
情報に基づき、互いに対称配置されたストラクチャ内で
共通の該候補ブロックがより多く存在するように対称な
該候補ブロックを抽出する。
【００１４】この対称配置情報は、回転対称及び反転対
称の配置情報であって、マスクパターンデータを階層化
設計する際に、登録したストラクチャを回転させ又は／
及び反転して配置する場合の回転角、反転有無及び反転
対称軸の情報である。例えば、図６のストラクチャＡ内
のストラクチャＢに付した記号Ｆ及びＦを反転した記号
は、回転角０°かつＹ軸反転の対称配置情報を表してい
る。
称の配置情報であって、マスクパターンデータを階層化
設計する際に、登録したストラクチャを回転させ又は／
及び反転して配置する場合の回転角、反転有無及び反転
対称軸の情報である。例えば、図６のストラクチャＡ内
のストラクチャＢに付した記号Ｆ及びＦを反転した記号
は、回転角０°かつＹ軸反転の対称配置情報を表してい
る。
【００１５】この構成の場合、繰り返し配置数の多いよ
り有効なブロック露光用パターンを抽出することができ
る。本発明の第４態様では、上記発明の構成にさらに、
（７）図形処理後かつ展開前のマスクパターンデータの
中から候補ブロックを抽出する際、着目している階層及
びその下位の全ての階層について、同一構成のストラク
チャの配置数が多い順に、該ストラクチャ内から該候補
ブロックを抽出する。
り有効なブロック露光用パターンを抽出することができ
る。本発明の第４態様では、上記発明の構成にさらに、
（７）図形処理後かつ展開前のマスクパターンデータの
中から候補ブロックを抽出する際、着目している階層及
びその下位の全ての階層について、同一構成のストラク
チャの配置数が多い順に、該ストラクチャ内から該候補
ブロックを抽出する。
【００１６】この構成の場合、より短時間で効率よくブ
ロック露光用パターンを抽出することができる。本発明
の第５態様では、上記発明の構成にさらに、（４）図形
処理後かつ展開前のマスクパターンデータの中から候補
ブロックを抽出する際、抽出済みの候補ブロックと同一
のパターン群を該マスクパターンの中から探索し、該パ
ターン群をその後の該候補ブロック抽出処理の対象外と
する。
ロック露光用パターンを抽出することができる。本発明
の第５態様では、上記発明の構成にさらに、（４）図形
処理後かつ展開前のマスクパターンデータの中から候補
ブロックを抽出する際、抽出済みの候補ブロックと同一
のパターン群を該マスクパターンの中から探索し、該パ
ターン群をその後の該候補ブロック抽出処理の対象外と
する。
【００１７】この構成の場合も、より短時間で効率よく
ブロック露光用パターンを抽出することができる。
ブロック露光用パターンを抽出することができる。
【００１８】本発明の第６態様では、上記発明の構成に
さらに、（８）上記セルピッチに基づく候補ブロック以
外の候補ブロックを最優先とし、該セルピッチに基づく
候補ブロックについては、繰り返し配置数、パターンの
微細度及び任意角パターンであるかどうかに基づいて優
先順位を決定し、（９）優先順位の高い方から所定個数
の該候補ブロックを選出し、選出した該候補ブロックを
ブロック露光用パターンとする。
さらに、（８）上記セルピッチに基づく候補ブロック以
外の候補ブロックを最優先とし、該セルピッチに基づく
候補ブロックについては、繰り返し配置数、パターンの
微細度及び任意角パターンであるかどうかに基づいて優
先順位を決定し、（９）優先順位の高い方から所定個数
の該候補ブロックを選出し、選出した該候補ブロックを
ブロック露光用パターンとする。
【００１９】この構成の場合、より効率よく電子ビーム
露光するためのブロック露光用パターンを選択的に抽出
することができる。
露光するためのブロック露光用パターンを選択的に抽出
することができる。
【００２０】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【００２１】図４において、親ストラクチャ１０、例え
ばＲＡＭのパターン設計段階で、繰り返し配置数の多い
パターンや頂点間の距離が所定値以下の微細パターンを
識別することができる。そこで、例えば子ストラクチャ
１１中の繰り返し配置数の多いブロックパターンに対
し、繰り返し単位の範囲を定めるブロック定義枠１１ａ
を設定する。このブロックパターンは、例えば基本セル
のパターンである。また、子ストラクチャ１２中の微細
パターンに対し、ブロック定義枠１２ａを設定する。さ
らに、周囲のパターンとの接続が無くてパターン展開の
際の図形処理により境界部分のパターン形状が変化しな
い子ストラクチャ１３、例えばコンタクトホールの集合
のストラクチャに付けられた名称を指定しておく。
ばＲＡＭのパターン設計段階で、繰り返し配置数の多い
パターンや頂点間の距離が所定値以下の微細パターンを
識別することができる。そこで、例えば子ストラクチャ
１１中の繰り返し配置数の多いブロックパターンに対
し、繰り返し単位の範囲を定めるブロック定義枠１１ａ
を設定する。このブロックパターンは、例えば基本セル
のパターンである。また、子ストラクチャ１２中の微細
パターンに対し、ブロック定義枠１２ａを設定する。さ
らに、周囲のパターンとの接続が無くてパターン展開の
際の図形処理により境界部分のパターン形状が変化しな
い子ストラクチャ１３、例えばコンタクトホールの集合
のストラクチャに付けられた名称を指定しておく。
【００２２】半導体集積回路の設計パターンは、例えば
図５及び図６に示す如く、階層構造となっている。図
中、Ａは、半導体チップ全体、例えばＲＡＭのストラク
チャであって、繰り返し配置されるストラクチャＢと、
１個だけ配置されるストラクチャＣ1及びＣ2とからな
る。ストラクチャＢは、数個のメモリセルを備えたスト
ラクチャＤが格子状に繰り返し配置されて構成されてお
り、記憶容量は例えば数Ｍビットである。ストラクチャ
Ｄは、基本セルであるストラクチャＥが４個繰り返し配
置されている。ストラクチャＡは、ストラクチャＢ、Ｃ
1及びＣ2の配置データで記述され、ストラクチャＢは、
ストラクチャＤの配置データで記述され、ストラクチャ
ＤはストラクチャＥの配置データで記述され、ストラク
チャＥ、Ｃ1及びＣ2は、各パターンの頂点の座標の集合
であるベクトルデータで記述される。以下、ストラクチ
ャＡを階層１とし、ストラクチャＢ、Ｃ1及びＣ2を階層
２とし、ストラクチャＤを階層３とし、ストラクチャＥ
を階層４とする。
図５及び図６に示す如く、階層構造となっている。図
中、Ａは、半導体チップ全体、例えばＲＡＭのストラク
チャであって、繰り返し配置されるストラクチャＢと、
１個だけ配置されるストラクチャＣ1及びＣ2とからな
る。ストラクチャＢは、数個のメモリセルを備えたスト
ラクチャＤが格子状に繰り返し配置されて構成されてお
り、記憶容量は例えば数Ｍビットである。ストラクチャ
Ｄは、基本セルであるストラクチャＥが４個繰り返し配
置されている。ストラクチャＡは、ストラクチャＢ、Ｃ
1及びＣ2の配置データで記述され、ストラクチャＢは、
ストラクチャＤの配置データで記述され、ストラクチャ
ＤはストラクチャＥの配置データで記述され、ストラク
チャＥ、Ｃ1及びＣ2は、各パターンの頂点の座標の集合
であるベクトルデータで記述される。以下、ストラクチ
ャＡを階層１とし、ストラクチャＢ、Ｃ1及びＣ2を階層
２とし、ストラクチャＤを階層３とし、ストラクチャＥ
を階層４とする。
【００２３】上記同様に設計段階において、図６に示す
如く、繰り返し配置されるストラクチャＥに対し、ブロ
ック定義枠を設定し、ストラクチャＣ1中の微細パター
ンに対し、ブロック定義枠Ｆを設定しておく。ブロック
定義枠は、マスクパターンデータのレイヤーと重ねて対
応される他のレイヤー上に設定する。
如く、繰り返し配置されるストラクチャＥに対し、ブロ
ック定義枠を設定し、ストラクチャＣ1中の微細パター
ンに対し、ブロック定義枠Ｆを設定しておく。ブロック
定義枠は、マスクパターンデータのレイヤーと重ねて対
応される他のレイヤー上に設定する。
【００２４】図２は、露光データ生成システムを示す。
マスクパターン設計装置３０は、入力装置３１から入力
されたデータに基づいて、マスクパターンデータを作成
し、これをマスクパターンデータファイル３２に格納す
る。また、入力装置３１から、ブロック定義枠の設定デ
ータ、指定ストラクチャ名、ブロックサイズの最小値及
び最大値、設計シフト値や図形論理演算（ＡＮＤ、ＯＲ
等）指定等の図形処理情報、設計データの層情報（第１
配線層、第２配線層等）、並びに、製造方式、リサイジ
ング指定及びビーム偏向範囲等の露光装置情報が入力さ
れ、制御データファイル３３に格納される。露光データ
生成装置３４は、マスクパターンデータファイル３２及
び制御データファイル３３からデータを読み出し、これ
に基づき、電子ビーム露光装置に対する露光データを生
成して、露光データファイル３５に格納する。この露光
データは、ステンシルマスク上の選択すべきブロック露
光用パターンの配列位置、並びに、ピクセル露光のショ
ットサイズ及びショット数が、走査順に配列されてい
る。
マスクパターン設計装置３０は、入力装置３１から入力
されたデータに基づいて、マスクパターンデータを作成
し、これをマスクパターンデータファイル３２に格納す
る。また、入力装置３１から、ブロック定義枠の設定デ
ータ、指定ストラクチャ名、ブロックサイズの最小値及
び最大値、設計シフト値や図形論理演算（ＡＮＤ、ＯＲ
等）指定等の図形処理情報、設計データの層情報（第１
配線層、第２配線層等）、並びに、製造方式、リサイジ
ング指定及びビーム偏向範囲等の露光装置情報が入力さ
れ、制御データファイル３３に格納される。露光データ
生成装置３４は、マスクパターンデータファイル３２及
び制御データファイル３３からデータを読み出し、これ
に基づき、電子ビーム露光装置に対する露光データを生
成して、露光データファイル３５に格納する。この露光
データは、ステンシルマスク上の選択すべきブロック露
光用パターンの配列位置、並びに、ピクセル露光のショ
ットサイズ及びショット数が、走査順に配列されてい
る。
【００２５】次に、図３に基づいて、露光データ生成装
置３４による露光データ生成手順を説明する。以下、括
弧内の数値は図中のステップ識別番号を表す。
置３４による露光データ生成手順を説明する。以下、括
弧内の数値は図中のステップ識別番号を表す。
【００２６】（４０）制御データファイル３３からの図
形処理情報に基づいて、リサイジング、シフト及びスト
ラクチャ間図形論理演算などの処理を行う。このリサイ
ジングにより、ブロック定義枠も枠内パターンと同率で
拡大又は縮小される。また、マスクパターンに対し拡縮
処理を施した後にブロック定義枠の近傍でパターンのス
リット及びオーバラップが生じた場合には、例えば特開
平２−２１６３５号公報で公知の処理により、該スリッ
ト及び該オーバラップを無くする。
形処理情報に基づいて、リサイジング、シフト及びスト
ラクチャ間図形論理演算などの処理を行う。このリサイ
ジングにより、ブロック定義枠も枠内パターンと同率で
拡大又は縮小される。また、マスクパターンに対し拡縮
処理を施した後にブロック定義枠の近傍でパターンのス
リット及びオーバラップが生じた場合には、例えば特開
平２−２１６３５号公報で公知の処理により、該スリッ
ト及び該オーバラップを無くする。
【００２７】（４１）このリサイジング後の矩形ブロッ
ク定義枠の横及び縦の長さＬX及びＬYをセルピッチとし
て記憶しておく。
ク定義枠の横及び縦の長さＬX及びＬYをセルピッチとし
て記憶しておく。
【００２８】（４２）階層Ｒを１に初期設定する。以下
のステップ４３〜５３の処理は、階層Ｒに着目し、階層
Ｒより下位の全ての階層を考慮した処理である。 （４２ａ）階層Ｒ及び階層Ｒより下位の全ての階層、す
なわちｎ＋１−Ｒ個の階層の階層化マスクパターンデー
タの中から、同一構成のストラクチャの配置数が最も多
いストラクチャのパターンデータを、次の又は以下のス
テップ４３〜５３の処理を行なうサブルーチンに対し渡
す。このような処理により、処理時間が短縮される。図
６の場合、最初にストラクチャＥ内のパターンデータを
渡す。
のステップ４３〜５３の処理は、階層Ｒに着目し、階層
Ｒより下位の全ての階層を考慮した処理である。 （４２ａ）階層Ｒ及び階層Ｒより下位の全ての階層、す
なわちｎ＋１−Ｒ個の階層の階層化マスクパターンデー
タの中から、同一構成のストラクチャの配置数が最も多
いストラクチャのパターンデータを、次の又は以下のス
テップ４３〜５３の処理を行なうサブルーチンに対し渡
す。このような処理により、処理時間が短縮される。図
６の場合、最初にストラクチャＥ内のパターンデータを
渡す。
【００２９】（４３、４４）制御データファイル３３を
読んでブロック定義枠が設定されているかどうかを調
べ、設定されていればその枠内のパターンをマスクパタ
ーンデータファイル３２から抽出する。図６の場合、ス
トラクチャＥ内のパターンを抽出する。
読んでブロック定義枠が設定されているかどうかを調
べ、設定されていればその枠内のパターンをマスクパタ
ーンデータファイル３２から抽出する。図６の場合、ス
トラクチャＥ内のパターンを抽出する。
【００３０】（４５）ブロック定義枠のサイズが、ブロ
ックサイズの最小値以上最大値以下であればこれを候補
ブロックとし、ブロックサイズの最大値以上であれば最
小値以上最大値以下となるようにブロック定義枠内のパ
ターンを分割して候補ブロックを決定し、ブロックサイ
ズの最小値以下であれば最小値以上最大値以下となるよ
うにブロック定義枠の近傍のパターンも抽出して候補ブ
ロックを決定する。
ックサイズの最小値以上最大値以下であればこれを候補
ブロックとし、ブロックサイズの最大値以上であれば最
小値以上最大値以下となるようにブロック定義枠内のパ
ターンを分割して候補ブロックを決定し、ブロックサイ
ズの最小値以下であれば最小値以上最大値以下となるよ
うにブロック定義枠の近傍のパターンも抽出して候補ブ
ロックを決定する。
【００３１】また、決定した候補ブロックに番号ｉを付
け、この候補ブロックと同一ブロックを全て検出してマ
ークしかつ該番号ｉを付して候補ブロックを識別し、同
一候補ブロックの個数Ｎｉを計数する。この処理は、展
開前なので簡単に行える。後に他の候補ブロックを抽出
する際、既にマークされた候補ブロックは対象外となる
ので、処理時間が短縮される。
け、この候補ブロックと同一ブロックを全て検出してマ
ークしかつ該番号ｉを付して候補ブロックを識別し、同
一候補ブロックの個数Ｎｉを計数する。この処理は、展
開前なので簡単に行える。後に他の候補ブロックを抽出
する際、既にマークされた候補ブロックは対象外となる
ので、処理時間が短縮される。
【００３２】（４６、４７）制御データファイル３３を
読んでストラクチャ名が指定されているかどうかを調
べ、指定されていれば、この指定ストラクチャ内のパタ
ーンをマスクパターンデータファイル３２から抽出す
る。
読んでストラクチャ名が指定されているかどうかを調
べ、指定されていれば、この指定ストラクチャ内のパタ
ーンをマスクパターンデータファイル３２から抽出す
る。
【００３３】（４８）上記ステップ４５と同様の処理
を、指定ストラクチャ内から抽出されたパターンに対し
て行う。
を、指定ストラクチャ内から抽出されたパターンに対し
て行う。
【００３４】（４９〜５１）マスクパターンデータファ
イル３２を読んで他にパターン記述のストラクチャがあ
るかどうかを調べ、あれば、上記ステップ４５及び４８
で決定された候補ブロックｉと同じパターン群があるか
どうか探索し、同じものがあれば、これをマークしかつ
番号ｉを付して候補ブロックを識別し、同一候補ブロッ
クの個数Ｎｉを累積計数する。
イル３２を読んで他にパターン記述のストラクチャがあ
るかどうかを調べ、あれば、上記ステップ４５及び４８
で決定された候補ブロックｉと同じパターン群があるか
どうか探索し、同じものがあれば、これをマークしかつ
番号ｉを付して候補ブロックを識別し、同一候補ブロッ
クの個数Ｎｉを累積計数する。
【００３５】（５２）次に、セルピッチＬX、ＬYの各々
及びセルピッチＬXかつＬYで、繰り返しパターンを探索
する。このようにすれば、繰り返しパターンを容易迅速
に見つけることができる。例えば図６のストラクチャＣ
2は、セルピッチＬXの繰り返しパターンを含んでいる。
及びセルピッチＬXかつＬYで、繰り返しパターンを探索
する。このようにすれば、繰り返しパターンを容易迅速
に見つけることができる。例えば図６のストラクチャＣ
2は、セルピッチＬXの繰り返しパターンを含んでいる。
【００３６】また、図７に示すような、４５°の倍数以
外の頂角を有し比較的長い任意角長大パターン２０に対
しては、この任意角長大パターン２０を含む互いに対称
なストラクチャが他に存在するかどうかを調べ、存在す
れば、この回転対称性を有する任意角パターン２１を任
意角長大パターン２０から分割する。これは、繰り返し
配置数のより多い有効な候補ブロックとするためであ
る。
外の頂角を有し比較的長い任意角長大パターン２０に対
しては、この任意角長大パターン２０を含む互いに対称
なストラクチャが他に存在するかどうかを調べ、存在す
れば、この回転対称性を有する任意角パターン２１を任
意角長大パターン２０から分割する。これは、繰り返し
配置数のより多い有効な候補ブロックとするためであ
る。
【００３７】（５３）ステップ５２で見つけた繰り返し
パターン及び分割したパターンに対して、上記ステップ
４５と同様の処理を行う。
パターン及び分割したパターンに対して、上記ステップ
４５と同様の処理を行う。
【００３８】（５４）階層Ｒをインクリメントする。
【００３９】（５５）Ｒ＜ｎであれば、上記ステップ４
３へ戻る。
３へ戻る。
【００４０】（５６）上記ステップ４５、４８及び５３
で決定された全ての候補ブロックの数がブロック露光パ
ターン数の上限値よりも大きければ、効果的に電子ビー
ム露光を行なうためのブロック露光用パターンを全候補
ブロックの中から選出する。選出基準は、ブロック定義
枠及び指定ストラクチャ名に基づいて決定された候補ブ
ロックを最優先とし、次に、例えば繰り返し配置数Ｎｉ
と候補ブロックｉをピクセル分解した場合のピクセル数
との積の大きい順とする。このピクセルのサイズは、実
際のピクセル露光に対応して、微細パターンほど小さく
し、また、任意角パターンの場合は９０°パターンより
も小さくする。
で決定された全ての候補ブロックの数がブロック露光パ
ターン数の上限値よりも大きければ、効果的に電子ビー
ム露光を行なうためのブロック露光用パターンを全候補
ブロックの中から選出する。選出基準は、ブロック定義
枠及び指定ストラクチャ名に基づいて決定された候補ブ
ロックを最優先とし、次に、例えば繰り返し配置数Ｎｉ
と候補ブロックｉをピクセル分解した場合のピクセル数
との積の大きい順とする。このピクセルのサイズは、実
際のピクセル露光に対応して、微細パターンほど小さく
し、また、任意角パターンの場合は９０°パターンより
も小さくする。
【００４１】以上の処理により、効率よく電子ビーム露
光するためのブロック露光用パターンを、階層化設計さ
れたマスクパターンからより短時間で抽出することがで
きる。
光するためのブロック露光用パターンを、階層化設計さ
れたマスクパターンからより短時間で抽出することがで
きる。
【００４２】（５７）次に、階層化マスクパターンデー
タを展開し、露光データに変換する。この際、上記ステ
ップ４５、４８及び５３でマークされた候補ブロックの
うち、選出されたブロック露光用パターンに一致してい
れば、そのブロックをブロック露光用データ（ブロック
識別コード）に変換し、そうでなければピクセル露光用
データに変換する。
タを展開し、露光データに変換する。この際、上記ステ
ップ４５、４８及び５３でマークされた候補ブロックの
うち、選出されたブロック露光用パターンに一致してい
れば、そのブロックをブロック露光用データ（ブロック
識別コード）に変換し、そうでなければピクセル露光用
データに変換する。
【００４３】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係るブロッ
ク露光用パターン抽出方法によれば、効率よく電子ビー
ム露光するためのブロック露光用パターンを、階層化設
計されたマスクパターンデータから従来よりも短時間で
抽出することができるという優れた効果を奏し、集積度
の高いＬＳＩの生産性向上に寄与するところが大きい。
ク露光用パターン抽出方法によれば、効率よく電子ビー
ム露光するためのブロック露光用パターンを、階層化設
計されたマスクパターンデータから従来よりも短時間で
抽出することができるという優れた効果を奏し、集積度
の高いＬＳＩの生産性向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明に係るブロック露光用パターン抽出方法
の原理構成を示すブロック図である。
の原理構成を示すブロック図である。
【図２】マスクパターンデータから露光データを生成す
るシステムの構成図である。
るシステムの構成図である。
【図３】露光データ生成手順を示すフローチャートであ
る。
る。
【図４】マスクパターンデータに対するブロック定義枠
及び指定ストラクチャの説明図である。
及び指定ストラクチャの説明図である。
【図５】マスクパターンの階層構造図である。
【図６】図５の説明図である。
【図７】ストラクチャの対称配置情報を考慮した対称性
パターン抽出説明図である。
パターン抽出説明図である。
１０ 親ストラクチャ １１、１２、１３ 子ストラクチャ １１ａ、１２ａ ブロック定義枠 ２０ 任意角長大パターン ２１ 任意角パターン Ａ、Ｂ、Ｃ1、Ｃ2、Ｄ、Ｅ ストラクチャ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｆ 15/60 ３７０ Ｄ 7922−5Ｌ Ｈ０１Ｌ 21/82
Claims (8)
- 【請求項１】 階層化設計された半導体集積回路用マス
クパターンデータから、電子ビーム透過マスク上に所定
個数形成され電子ビームを通してその断面を所望の形状
にするブロック露光用パターンを抽出するブロック露光
用パターン抽出方法において、 該マスクパターンデータ設計段階で、基本セルがアレイ
状に配置された階層において該基本セルの領域を囲むブ
ロック定義枠（Ｅ）を設定しておき、 該マスクパターンに対するリサイジング処理を該ブロッ
ク定義枠に対しても行い、該マスクパターンに対し拡縮
処理を施した後に該ブロック定義枠の近傍でパターンの
スリット及びオーバラップが生じた場合には該スリット
及び該オーバラップを無くし、 図形処理後かつ展開前の該ブロック定義枠内のパターン
群の中から１ショットブロック露光サイズに対応したパ
ターン群を抽出し、該パターン群を該ブロック露光用パ
ターンの候補ブロックとする、 ことを特徴とするブロック露光用パターン抽出方法。 - 【請求項２】 前記リサイジング処理後の前記ブロック
定義枠（Ｅ）のサイズをセルピッチ（ＬX、ＬY）とし、 前記ブロック定義枠（Ｅ）で囲まれたパターン以外の前
記マスクパターンの中から該セルピッチで繰り返し所定
数以上配置されたブロックパターンを抽出し、 該ブロックパターンの中から１ショットブロック露光サ
イズに対応したパターン群を抽出し、該パターン群を前
記ブロック露光用パターンの候補ブロックとする、 ことを特徴とする請求項１記載のブロック露光用パター
ン抽出方法。 - 【請求項３】 前記マスクパターンデータ設計段階で、
４５°の倍数以外の頂角を有する任意角パターン（２
０）を含む領域又は頂点間の距離が所定値以下の微細パ
ターンを含む領域を囲むブロック定義枠を設定してお
き、 図形処理後かつ展開前の該ブロック定義枠内のパターン
群の中から１ショットブロック露光サイズに対応したパ
ターン群を抽出し、該パターン群を前記ブロック露光用
パターンの候補ブロックとする、 ことを特徴とする請求項１又は２記載のブロック露光用
パターン抽出方法。 - 【請求項４】 前記マスクパターンデータ設計段階で、
同一パターンが繰り返し多数配置されたストラクチャ
名、又は、４５°の倍数以外の頂角を有する任意角パタ
ーン（２０）若しくは頂点間の距離が短い微細パターン
を含むストラクチャ名を指定しておき、 図形処理後かつ展開前の該指定ストラクチャ内のパター
ン群の中から１ショットブロック露光サイズに対応した
パターン群を抽出し、該パターン群を前記ブロック露光
用パターンの候補ブロックとする、 ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載
のブロック露光用パターン抽出方法。 - 【請求項５】 図形処理後かつ展開前の前記マスクパタ
ーンデータの中から前記候補ブロックを抽出する際、 着目している階層及びその下位の全ての階層について、
同一構成のストラクチャの配置数が多い順に、該ストラ
クチャ内から該候補ブロックを抽出する、 ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載
のブロック露光用パターン抽出方法。 - 【請求項６】 図形処理後かつ展開前の前記マスクパタ
ーンデータの中から前記候補ブロックを抽出する際、 抽出済みの候補ブロックと同一のパターン群を該マスク
パターンの中から探索し、該パターン群をその後の該候
補ブロック抽出処理の対象外とする、 ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載
のブロック露光用パターン抽出方法。 - 【請求項７】 図形処理後かつ展開前の前記マスクパタ
ーンデータの中から前記候補ブロックを抽出する際、 ストラクチャの対称配置情報に基づき、互いに対称配置
されたストラクチャ内で共通の該候補ブロックがより多
く存在するように対称な該候補ブロックを抽出する、 ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載
のブロック露光用パターン抽出方法。 - 【請求項８】 請求項１、請求項３及び請求項４の候補
ブロックを最優先とし、 請求項２の候補ブロックについては、繰り返し配置数、
パターンの微細度及び任意角パターンであるかどうかに
基づいて優先順位を決定し、 優先順位の高い方から前記所定個数の該候補ブロックを
選出し、選出した該候補ブロックを前記ブロック露光用
パターンとする、 ことを特徴とするブロック露光用パターン抽出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03347053A JP3118048B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | ブロック露光用パターン抽出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03347053A JP3118048B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | ブロック露光用パターン抽出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05182899A true JPH05182899A (ja) | 1993-07-23 |
| JP3118048B2 JP3118048B2 (ja) | 2000-12-18 |
Family
ID=18387604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03347053A Expired - Fee Related JP3118048B2 (ja) | 1991-12-27 | 1991-12-27 | ブロック露光用パターン抽出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3118048B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6225025B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-05-01 | Fujitsu Limited | Fabrication process of a semiconductor device by electron-beam lithography |
| KR100291494B1 (ko) * | 1997-03-07 | 2001-07-12 | 아끼구사 나오유끼 | 노광데이타작성방법과노광데이타작성장치 |
| US6275604B1 (en) | 1998-03-16 | 2001-08-14 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for generating semiconductor exposure data |
| US6393604B1 (en) | 1998-11-09 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Process for preparing data for direct-writing by a charged particle ray, process for verifying data for direct-writing by a charged particle ray, process for displaying data for direct-writing by a charged particle ray, and exposure device |
| US6543044B2 (en) | 2000-03-24 | 2003-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of extracting characters and computer-readable recording medium |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4705550B2 (ja) | 2006-10-26 | 2011-06-22 | 日本化薬株式会社 | スクイブならびにエアバッグ用ガス発生装置およびシートベルトプリテンショナー用ガス発生装置 |
-
1991
- 1991-12-27 JP JP03347053A patent/JP3118048B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100291494B1 (ko) * | 1997-03-07 | 2001-07-12 | 아끼구사 나오유끼 | 노광데이타작성방법과노광데이타작성장치 |
| US6225025B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-05-01 | Fujitsu Limited | Fabrication process of a semiconductor device by electron-beam lithography |
| US6275604B1 (en) | 1998-03-16 | 2001-08-14 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for generating semiconductor exposure data |
| US6393604B1 (en) | 1998-11-09 | 2002-05-21 | Nec Corporation | Process for preparing data for direct-writing by a charged particle ray, process for verifying data for direct-writing by a charged particle ray, process for displaying data for direct-writing by a charged particle ray, and exposure device |
| US6543044B2 (en) | 2000-03-24 | 2003-04-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of extracting characters and computer-readable recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3118048B2 (ja) | 2000-12-18 |
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