JP3282894B2 - 露光データ作成方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム露光装置を
用いて半導体装置（以下、ＬＳＩという）のパターン形
状を高精度に露光するための露光データの作成方法に関
する。

【０００２】近年のＬＳＩは大規模、微細化が進み、露
光されたＬＳＩパターンの精度をより向上させ得る露光
データ作成方法が必要になっている。

【０００３】

【従来の技術】電子ビーム露光装置のための露光データ
作成方法では、図１３に示すように、チップ領域がＸＹ
直交座標上に設定される。そして、露光装置のステージ
を固定した状態で露光可能なフィールド１２（実線で囲
まれる領域）がチップ領域全面に碁盤目状に与えられ
る。フィールド１２とは露光装置において一回のステー
ジ移動で露光できる領域である。サブフィールド１３
（破線で囲まれる領域）がチップ領域全体に展開したイ
メージで配置される。サブフィールド１３はフィールド
１２において電磁偏向により露光できる領域であり、サ
ブフィールドサイズはフィールドサイズを均等分割した
大きさとなっている。図８に示すように、各サブフィー
ルド１３にはその周囲を囲み、かつ、そのサブフィール
ド１３と同時に露光できるマージン領域１４が設定され
る。

【０００４】図９には従来の露光データの作成方法が示
されている。まず、ステップ１で入力パターンデータフ
ァイル７から例えば図１１に示すように、微小な多角形
パターンデータ１５が読み込まれ、そのパターンデータ
１５がサブフィールドに割り付けられる。パターンデー
タ１５は露光装置で露光可能な微小なパターンに分割さ
れる。例えば、５つのパターン１５ａ〜１５ｅに分割さ
れる。

【０００５】ステップ２で各パターンがどのサブフィー
ルドに含まれるかの確認が行われる。この処理は、ま
ず、ステップ９でパターン１６の４つの頂点のうち、Ｘ
座標値及びＹ座標値が最も小さい最小点１７（図８にお
いて左下）の座標（ｏｘ，ｏｙ）に基づいてこの端点１
７を含むサブフィールド１３が求められる。

【０００６】次に、ステップ１０でパターン１６のサイ
ズに基づいてパターン１６がマージン領域１４内に完全
に含まれるかどうかが判定される。パターン１６のｘ方
向の辺の長さをｄｘ、ｙ方向の辺の長さがｄｙとし、マ
ージン領域１４の４つの頂点のうち、Ｘ座標値及びＹ座
標値が最も小さい最大点１８の座標を（ｍｘ２，ｍｙ
２）とする。この判定は、ｏｘ＋ｄｘ≦ｍｘ２、かつ、
ｏｙ＋ｄｙ≦ｍｙ２で行われる。

【０００７】ステップ１０でパターン１６がマージン領
域１４内に完全に含まれると判定されると、ステップ３
で前記サブフィールド１３がパターン１６を登録するた
めのサブフィールドとして決定される。ステップ１０で
端点１８がマージン領域１４内に完全に含まれないと判
定されると、ステップ１１でサブフィールドの境界線に
よってパターンが分割され、前記ステップ９，１０の処
理が繰り返し実行される。

【０００８】ステップ３でサブフィールドが決定される
と、ステップ４において、ステージの移動方向（例え
ば、図１３において左から右、又、下から上）に従っ
て、フィールドの各サブフィールドに格納されているパ
ターンデータ群が収集される。そして、フィールド毎に
パターンデータ群が露光データに変換され、露光データ
が出力パターンデータファイル８に出力される。

【０００９】そして、ステップ５で未処理の分割パター
ンの有無が判定される。分割パターンが有ると、ステッ
プ２〜４の処理が繰り返し実行される。分割パターンが
無いとステップ６に進み、未処理の入力パターンデータ
の有無が判定される。未処理の入力パターンデータが有
ると判定されると、ステップ１〜５の処理が繰り返し実
行される。未処理の入力パターンデータが無いと判定さ
れると、露光データの作成処理が終了される。

【００１０】従って、図１１に示すパターン１５ａの最
小点はサブフィールド１３Ｃに含まれ、パターン１５ａ
がマージン領域１４Ｃに完全に含まれる。そのため、パ
ターン１５ａはサブフィールド１３Ｃに登録される。パ
ターン１５ｂの最小点はサブフィールド１３Ａに含ま
れ、パターン１５ｂはマージン領域１４Ａに完全に含ま
れる。そのため、パターン１５ｂはサブフィールド１３
Ａに登録される。パターン１５ｃの最小点はサブフィー
ルド１３Ａに含まれ、パターン１５ｃはマージン領域１
４Ａに完全に含まれる。そのため、パターン１５ｃはサ
ブフィールド１３Ａに登録される。パターン１５ｄの最
小点はサブフィールド１３Ｄに含まれ、パターン１５ｄ
はマージン領域１４Ｄに完全に含まれる。そのため、パ
ターン１５ｄはサブフィールド１３Ｄに登録される。パ
ターン１５ｅの最小点はサブフィールド１３Ｂに含ま
れ、パターン１５ｅはマージン領域１４Ｂに完全に含ま
れる。そのため、パターン１５ｅはサブフィールド１３
Ｂに登録される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】隣接する複数のサブフ
ィールドのマージン領域内で複数のパターンから多角形
が形成されるような場合において、各パターンは複数の
マージン領域に登録可能である。このようなパターンを
両立パターンという。

【００１２】ところが、従来の露光データ作成方法で
は、個々の両立パターンは、その位置とサイズに基づい
て登録するサブフィールドが決定される。そのため、パ
ターン１５ａ〜１５ｅはどのサブフィールドにも登録可
能であるのにもかかわらず、別々のサブフィールドに登
録されることになる。

【００１３】電子ビーム露光装置においては、サブフィ
ールド毎にビーム量の補正が考慮されている。そのた
め、１つの多角形内の複数のパターンが別々のサブフィ
ールドに登録されると、補正条件が異なるため、複数の
パターンの形状の精度がそれぞれ異なったものとなり、
多角形の形状の向上が望めなかった。

【００１４】また、電子ビーム露光装置には帯電作用が
あり、同一のサブフィールドに大きいパターンの直後に
微小なパターンが続くと、微小なパターンは帯電作用に
よりその小さいパターンが露光されない可能性がある。
例えば、図１２に示すように、サブフィールド２２Ａに
大きいパターン１９と微小なパターン２０とが登録さ
れ、サブフィールド２２Ｂにパターン２１が登録された
とする。この場合には、パターン２２の直後の微小なパ
ターン２０は露光されなくなってしまう。このように、
両方のマージン領域２３Ａ，２３Ｂに完全に含まれる微
小なパターンを登録するサブフィールドを決定する際、
微小なパターンに隣接するパターンのサイズを認識しな
いで登録サブフィールドを決定すると、微小パターンが
露光されない可能性があった。

【００１５】また、露光装置がステージを連続的に移動
させながら露光を行うものである場合、フィールド、サ
ブフィールド間で登録パターン数（＝総ショット数）に
ばらつきがあるとする。この場合には、ステージ移動及
び電磁偏向が均等な速度で行われず、露光時間にばらつ
きがでて、チップ全体での精度の向上が望めない。

【００１６】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、隣接する複数のサブフ
ィールドのマージン領域内で接触する別のパターンの隣
接状態を認識することにより、パターンを登録するサブ
フィールドを決定してパターンを高精度に露光できる露
光データ作成方法を提供することにある。

【００１７】また、本発明の目的は、フィールド、サブ
フィールド間の総ショット数の均等化を考慮することに
より、パターンを登録するサブフィールドを決定してパ
ターンを高精度に露光できる露光データ作成方法を提供
することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、電磁偏向により露光可能な領域であるサブフ
ィールドと、前記サブフィールドを囲む領域であって前
記サブフィールドとともに露光可能なマージン領域とを
設定し、露光パターンをいずれかの前記サブフィールド
に登録するようにした露光データ作成方法において、互
いに隣接する複数のサブフィールドのマージン領域に完
全に含まれた露光パターンについて、当該露光パターン
に接触する別の露光パターンの面積情報を含む隣接情報
を求める。そして、前記露光パターンの隣接情報に基づ
いて、面積が最も小さい露光パターンが登録されている
サブフィールドを求め、その求めたサブフィールドに前
記露光パターンを登録する。

【００１９】また、本発明は、互いに隣接する複数のサ
ブフィールドのマージン領域に完全に含まれた露光パタ
ーンについて、当該露光パターンに接触する別の露光パ
ターンの面積情報及びその接触部の長さ情報を含む隣接
情報を求める。そして、前記露光パターンの隣接情報に
基づいて、面積が最も小さく、かつ、接触部の長さが最
も短い露光パターンが登録されているサブフィールドを
求め、その求めたサブフィールドに前記露光パターンを
登録する。

【００２０】さらに、本発明は、互いに隣接する複数の
サブフィールドのマージン領域に完全に含まれた露光パ
ターンについて、当該露光パターンに接触する別の露光
パターンの面積情報、その接触部の長さ情報及び当該露
光パターンを登録可能なサブフィールドの総ショット数
情報を含む隣接情報を求める。そして、前記露光パター
ンの隣接情報に基づいて、面積が最も小さく、かつ、接
触部の長さが最も短い露光パターンが登録されるととも
に、総ショット数が最も少ないサブフィールドを求め、
その求めたサブフィールドに前記露光パターンを登録す
る。

【００２１】

【作用】互いに隣接する複数のサブフィールドのマージ
ン領域に完全に含まれ、かつ、多角形を形成する露光パ
ターンは、当該パターンに接触し、かつ、面積が最も小
さい別の露光パターンが登録されているサブフィールド
に登録される。従って、マージン領域内に含まれる複数
のパターンが１つ若しくは隣接した少数のサブフィール
ドに登録される。そのため、これら露光パターンの補正
条件はほぼ同一となって複数パターンの形状の精度はほ
ぼ同一となり、多角形の形状が向上される。

【００２２】また、マージン領域内に含まれるパターン
を登録するサブフィールドが、そのパターンを登録可能
な複数のサブフィールドの総ショット数の最も少ないサ
ブフィールドに決定される。そのため、露光装置がステ
ージを連続的に移動させながら露光を行うものである場
合、フィールド、サブフィールド間における総ショット
数のばらつきが減少され、ステージ移動及び電磁偏向が
ほぼ均等な速度で行われる。そのため、露光時間のばら
つきが減少され、チップ全体での露光精度が向上され
る。

【００２３】

【実施例】以下、本発明を具体化した一実施例を図１〜
図７に従って説明する。尚、説明の便宜上、図９と同様
の構成については同一の符号を付してその説明を一部省
略する。

【００２４】図１には本実施例の露光データ作成処理の
フローチャートが示されている。このデータ作成処理は
計算機支援設計（ＣＡＤ）装置よりなる露光データ作成
装置にて実行される。

【００２５】まず、ステップ１で入力パターンデータフ
ァイル７から多角形のパターンデータが読み込まれる。
そのパターンデータは図３，１３に示すサブフィールド
に割り付けられるとともに、露光装置で露光可能な例え
ば矩形のパターンに分割される。

【００２６】ステップ３０では、分割された露光パター
ンに接触する別の露光パターンの隣接情報が収集され
る。隣接情報としては当該パターンに接触する別の露光
パターンの面積情報、その接触部の長さ情報及び隣接す
る複数のサブフィールドの総ショット数の情報が求めら
れる。

【００２７】例えば、図２（ａ）においてパターン４０
（斜線で示す）に注目したとき、パターン４０の左側に
隣接するパターン４１の面積はＳ１であり、接触部の長
さはｄ１である。

【００２８】また、図２（ｂ）に示すように、パターン
４２（斜線で示す）の左側に複数のパターン４３，４４
が隣接する場合がある。パターン４３，４４の面積はそ
れぞれＳ２，Ｓ３（Ｓ２＞Ｓ３）であり、接触部の長さ
はそれぞれｄ２，ｄ３（ｄ２＞ｄ３）であるとする。こ
の場合、面積情報として最も小さい面積のＳ３が採用さ
れ、長さ情報としてｄ３が採用される。

【００２９】さらに、図２（ｃ）に示すように、パター
ン４５（斜線で示す）の左側に複数のパターン４６，４
７が隣接する場合がある。パターン４６，４７の面積は
それぞれＳ４，Ｓ５（Ｓ４＝Ｓ５）であり、接触部の長
さはそれぞれｄ４，ｄ５（ｄ４＜ｄ５）であるとする。
この場合、長さ情報として最も短い長さのｄ４が採用さ
れ、面積情報としてＳ４が採用される。

【００３０】このようにして、分割されたパターンに接
触する別のパターンの隣接情報が、当該パターンの上、
下、左、右方向の各辺について個々に求められる。この
際、隣接するパターンが存在しない方向の隣接情報は求
められない。

【００３１】ステップ３１において、分割された各パタ
ーンデータの情報が前記ステップ３０で得られた隣接情
報とともに分割パターンデータとして中間ファイル３６
に格納される。

【００３２】ステップ３２で未処理の入力パターンデー
タの有無が判定される。未処理の入力パターンデータが
有ると判定されるとステップ１に戻り、未処理の入力パ
ターンデータが無いと判定されるとステップ２に進む。

【００３３】ステップ２では、中間ファイル３６から分
割パターンデータが読み出される。そして、その分割パ
ターンデータに対応するパターンがどのサブフィールド
に位置するかが、そのパターンの最小点に基づいて求め
られる。そのサブフィールドが登録が可能な仮サブフィ
ールドとして求められる。

【００３４】ステップ３４において、その仮サブフィー
ルド内でのパターンの位置が求められ、そのパターンが
仮サブフィールド及び隣接するサブフィールドのマージ
ン領域に完全に含まれるかどうかが判定される。

【００３５】例えば、図５（ａ）に示すパターン６１の
最小点（左下の頂点）はサブフィールド５８に含まれて
いるが、マージン領域６０に含まれていない。パターン
６１の最大点（右上の頂点）はマージン領域６０に含ま
れている。従って、パターン６１はサブフィールド５８
に入り、マージン領域６０には入らないと判定される。
パターン６２の最小点（左下の頂点）及び最大点は（右
上の頂点）はマージン領域６０に含まれている。従っ
て、パターン６２はマージン領域６０に入ると判定され
る。

【００３６】ステップ３４でパターンがマージン領域に
入らないと判定されると、ステップ３にてパターンを登
録するサブフィールドがそのパターンを含むサブフィー
ルドに決定される。ステップ４において、ステージの移
動方向（例えば、図１３において左から右、又、下から
上）に従って、フィールドの各サブフィールドに格納さ
れているパターンデータ群が収集される。そして、フィ
ールド毎にパターンデータ群が露光データに変換され、
露光データが出力パターンデータファイル８に出力され
る。

【００３７】ステップ３４でパターンがマージン領域に
入ると判定されるとステップ３５に進む。ステップ３５
では、そのパターンの上、下、左、右方向の隣接情報の
比較が行われ、そのパターンを登録すべきサブフィール
ドが求められる。

【００３８】図３にはサブフィールドの配置状態が示さ
れている。左斜め上方に延びる斜線で示されたマージン
領域５２はサブフィールド４８，４９の境界であり、右
斜め上方に延びる斜線で示されたマージン領域５３はサ
ブフィールド４８，５０の境界である。左斜め上方及び
右斜め上方に延びる斜線で示された格子状のマージン領
域５４はサブフィールド４８，４９，５０，５１の境界
である。

【００３９】隣接情報の比較において、図４（ａ）に示
すように、マージン領域５２に入るパターン５５につい
ては、そのパターン５５の左右方向において接触するパ
ターンの隣接情報が比較される。図４（ｂ）に示すよう
に、マージン領域５３に入るパターン５６については、
そのパターン５６の上下方向において接触するパターン
の隣接情報が比較される。また、図４（ｃ）に示すよう
に、マージン領域５４に入るパターン５７については、
そのパターン５７の左右方向において接触するパターン
の隣接情報が優先して比較される。ここで隣接情報がな
い方向は比較対象外である。

【００４０】上記の隣接情報の比較処理では、まず、隣
接情報における面積情報に基づいて、着目パターンに接
触する別のパターンの面積が比較される。そして、面積
が最も小さいパターンが登録されているサブフィールド
が求められる。着目パターンの登録はこの求められたサ
ブフィールドに決定される。

【００４１】従って、図５（ａ）に示すように、左右方
向において隣接するサブフィールド５８，５９に対して
多角形を構成する複数のパターン６１，６２が割り当て
られているとする。パターン６２に着目すると、パター
ン６２には左方向のみに接触するパターン６１が存在す
る。

【００４２】パターン６１の最小点はサブフィールド５
８に含まれ、マージン領域６０に含まれていない。パタ
ーン６１はサブフィールド５８に入る。パターン６２の
最小点及び最大点は共にマージン領域６０に含まれてお
り、パターン６２はマージン領域６０に入る。そのた
め、パターン６２が登録されるサブフィールドは左方向
のサブフィールド５８に決定される。

【００４３】その結果、図５（ｂ）に示すように両パタ
ーン６１，６２は共に同一のサブフィールド５８に登録
される。また、図６（ａ）に示すように、左右方向にお
いて隣接するサブフィールド６３，６４に対して多角形
を構成する複数のパターン６６，６７，６８が割り当て
られているとする。パターン６７に着目すると、パター
ン６７には左及び右方向において接触するパターン６
６，６８がそれぞれ存在する。

【００４４】パターン６６の最小点はサブフィールド６
３に含まれ、マージン領域６５に含まれていない。パタ
ーン６６はサブフィールド６３に入る。パターン６８の
最大点はサブフィールド６４に含まれ、マージン領域６
５に含まれていない。パターン６８はサブフィールド６
４に入る。パターン６７の最小点及び最大点は共にマー
ジン領域６５に含まれており、パターン６７はマージン
領域６５に入る。パターン６６，６８の面積はそれぞれ
Ｓ６，Ｓ７（Ｓ６＞Ｓ７）である。そのため、パターン
６７が登録されるサブフィールドは右方向のサブフィー
ルド６４に決定される。

【００４５】その結果、図６（ｂ）に示すようにパター
ン６６のみがサブフィールド６３に登録される。また、
図６（ｃ）に示すようにパターン６７，６８は同一のサ
ブフィールド６４に登録される。

【００４６】また、面積情報の比較結果が同一である場
合には、隣接情報における接触部の長さ情報に基づい
て、着目パターンに接触する別のパターンの接触部の長
さが比較される。そして、接触部の長さの最も短いパタ
ーンが登録されているサブフィールドが求められる。着
目パターンの登録はこの求められたサブフィールドに決
定される。

【００４７】さらに、面積情報の比較結果及び長さ情報
の比較結果がそれぞれ同一である場合には、着目パター
ンを登録することが可能な複数のサブフィールドに登録
されているパターンの総ショット数が比較される。そし
て、総ショット数が最も小さいサブフィールドが求めら
れる。着目パターンの登録はこの求められたサブフィー
ルドに決定される。

【００４８】以上の隣接情報の比較において、パターン
が登録されるサブフィールドの優先順位は、左下、右
下、左上、右上の順に設定されている。従って、図７
（ａ）に示すように、左右方向において隣接するサブフ
ィールド６９，７０に対して多角形を構成する複数のパ
ターン７２〜８１が割り当てられているとする。パター
ン７２〜７４が既にサブフィールド６９に登録され、パ
ターン７９〜８１が既にサブフィールド７０に登録され
ているとする。また、パターン７４，７９の面積は同一
であるとする。

【００４９】パターン７５〜７８に着目すると、パター
ン７５〜７８には左及び右方向において接触するパター
ン７４，７９がそれぞれ存在する。パターン７５〜７８
の最小点及び最大点はそれぞれマージン領域７１に含ま
れており、パターン７５〜７８はマージン領域７１に入
る。パターン７５と両パターン７４，７９との接触部の
長さは同一である。同様に各パターン７６〜７８と両パ
ターン７４，７９との接触部の長さは同一である。ま
た、サブフィールド６９，７０の総ショット数も同一で
ある。

【００５０】従って、パターンを登録するサブフィール
ドの優先順位に基づいて、パターン７５の登録は左方向
のサブフィールド６９に決定される。パターン７５がサ
ブフィールド６９に登録されると、サブフィールド７０
の総ショット数が小さくなる。そのため、パターン７６
の登録は右方向のサブフィールド７０に決定される。パ
ターン７７の登録はパターン７５と同様の方法でサブフ
ィールド６９に決定され、パターン７８の登録はパター
ン７６と同様の方法でサブフィールド７０に決定され
る。

【００５１】その結果、図７（ｂ）に示すようにパター
ン７２〜７４，７５，７７はサブフィールド６９に登録
される。また、図７（ｃ）に示すようにパターン７９〜
８１，７６，７８はサブフィールド７０に登録される。

【００５２】ステップ３でパターンを登録するためのサ
ブフィールドが決定すると、ステップ４において、各サ
ブフィールドに格納されているパターンデータ群が収集
される。そして、フィールド毎にパターンデータ群が露
光データに変換され、露光データが出力パターンデータ
ファイル８に出力される。

【００５３】ステップ５では、中間ファイル３６に格納
した分割パターンデータにおける未処理の分割パターン
の有無が判定される。分割パターンが有ると判定される
と、ステップ２，３４，３５，３，４の処理が繰り返し
実行される。分割パターンが無いと判定されると、露光
データの作成処理が終了される。

【００５４】このように、本実施例では、マージン領域
内に含まれるパターンを登録するサブフィールドが、そ
のパターンに接触する別の露光パターンの面積情報を考
慮して決定される。そのため、マージン領域内に含まれ
る複数のパターンを１つ若しくは隣接した少数のサブフ
ィールドに登録することができる。そのため、これら露
光パターンの補正条件をほぼ同一にすることができ、複
数パターンの形状の精度をほぼ同一にして、多角形パタ
ーンの形状を向上することができる。

【００５５】また、本実施例では、マージン領域内に含
まれるパターンを登録するサブフィールドが、そのパタ
ーンを登録可能な複数のサブフィールドの総ショット数
の最も少ないサブフィールドに決定される。そのため、
露光装置がステージを連続的に移動させながら露光を行
うものである場合、フィールド、サブフィールド間にお
ける総ショット数のばらつきを減少させることができ
る。その結果、ステージ移動及び電磁偏向をほぼ均等な
速度で行わせ、露光時間のばらつきを減少させて、チッ
プ全体での露光精度を向上させることができる。

【００５６】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
隣接する複数のサブフィールドのマージン領域内で接触
する別のパターンの隣接状態を認識することにより、パ
ターンを登録するサブフィールドを決定してパターンを
高精度に露光することができる。

【００５７】また、本発明によれば、フィールド、サブ
フィールド間の総ショット数の均等化を考慮してパター
ンを登録するサブフィールドを決定することにより、パ
ターンを高精度に露光することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一実施例の露光データ作成処理を示すフローチ
ャートである。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は隣接情報の収集を示す説明図
である。

【図３】サブフィールドの配置状態を示す説明図であ
る。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は隣接情報の比較を示す説明図
である。

【図５】（ａ），（ｂ）は隣接情報の比較を示す説明図
である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は隣接情報の比較を示す説明図
である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は隣接情報の比較を示す説明図
である。

【図８】サブフィールドのマージン領域の説明図であ
る。

【図９】従来の露光データ作成処理を示すフローチャー
トである。

【図１０】図９における領域確認の処理を示すフローチ
ャートである。

【図１１】従来の露光データ作成処理における問題点を
示す説明図である。

【図１２】従来の露光データ作成処理における問題点を
示す説明図である。

【図１３】チップに対してサブフィールドを与えた状態
を示す説明図である。

【符号の説明】

１２ フィールド １３，４８〜５１，５８，５９，６３，６４，６９，７
０ サブフィールド １４，５２〜５４，６０，６５，７１ マージン領域 ４０，４２，４５，５５〜５７，６２，６７，７５〜７
８ パターン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−280419（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−162715（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−297823（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−25415（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−196410（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 521

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電磁偏向により露光可能な領域であるサ
   ブフィールドと、前記サブフィールドを囲む領域であっ
   て前記サブフィールドとともに露光可能なマージン領域
   とを設定し、露光パターンをいずれかの前記サブフィー
   ルドに登録するようにした露光データ作成方法におい
   て、 互いに隣接する複数のサブフィールドのマージン領域に
   完全に含まれた露光パターンについて、当該露光パター
   ンに接触する別の露光パターンの面積情報を含む隣接情
   報を求め、 前記露光パターンの隣接情報に基づいて、面積が最も小
   さい露光パターンが登録されているサブフィールドを求
   め、その求めたサブフィールドに前記露光パターンを登
   録するようにしたことを特徴とする露光データ作成方
   法。
2. 【請求項２】 電磁偏向により露光可能な領域であるサ
   ブフィールドと、前記サブフィールドを囲む領域であっ
   て前記サブフィールドとともに露光可能なマージン領域
   とを設定し、露光パターンをいずれかの前記サブフィー
   ルドに登録するようにした露光データ作成方法におい
   て、 互いに隣接する複数のサブフィールドのマージン領域に
   完全に含まれた露光パターンについて、当該露光パター
   ンに接触する別の露光パターンの面積情報及びその接触
   部の長さ情報を含む隣接情報を求め、 前記露光パターンの隣接情報に基づいて、面積が最も小
   さく、かつ、接触部の長さが最も短い露光パターンが登
   録されているサブフィールドを求め、その求めたサブフ
   ィールドに前記露光パターンを登録するようにしたこと
   を特徴とする露光データ作成方法。
3. 【請求項３】 電磁偏向により露光可能な領域であるサ
   ブフィールドと、前記サブフィールドを囲む領域であっ
   て前記サブフィールドとともに露光可能なマージン領域
   とを設定し、露光パターンをいずれかの前記サブフィー
   ルドに登録するようにした露光データ作成方法におい
   て、 互いに隣接する複数のサブフィールドのマージン領域に
   完全に含まれた露光パターンについて、当該露光パター
   ンに接触する別の露光パターンの面積情報、その接触部
   の長さ情報及び当該露光パターンを登録可能なサブフィ
   ールドの総ショット数情報を含む隣接情報を求め、 前記露光パターンの隣接情報に基づいて、面積が最も小
   さく、かつ、接触部の長さが最も短い露光パターンが登
   録されるとともに、総ショット数が最も少ないサブフィ
   ールドを求め、その求めたサブフィールドに前記露光パ
   ターンを登録するようにしたことを特徴とする露光デー
   タ作成方法。