JP3353766B2 - パターンデータ処理方法及びプログラムを記憶した記憶媒体 - Google Patents
パターンデータ処理方法及びプログラムを記憶した記憶媒体Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いて微
細パターンを形成する電子線露光装置で用いられる電子
線描画用のパターンデータ処理方法及びその方法に用い
られるプログラムを記憶した記憶媒体に関する。
細パターンを形成する電子線露光装置で用いられる電子
線描画用のパターンデータ処理方法及びその方法に用い
られるプログラムを記憶した記憶媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴い、半導体デバイスに
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた露光方式は今後必要となる０．２５μｍ以下
のパターンを形成できる有効な露光方法である。
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた露光方式は今後必要となる０．２５μｍ以下
のパターンを形成できる有効な露光方法である。
【０００３】従来の電子線露光装置としては、図６に示
すような電子ビーム露光装置が用いられている。これは
第１アパーチャ３と複数の開口部６Ａ〜６Ｆを設けた第
２アパーチャ６とにより、電子ビーム５０Ａを開口部６
Ａ〜６Ｆに選択的に照射して電子ビーム５０Ｂ、あるい
は５０Ｃに成形し、これをレジストを塗布した半導体ウ
エハ１１上に照射して所望の微細パターンを露光する装
置である。
すような電子ビーム露光装置が用いられている。これは
第１アパーチャ３と複数の開口部６Ａ〜６Ｆを設けた第
２アパーチャ６とにより、電子ビーム５０Ａを開口部６
Ａ〜６Ｆに選択的に照射して電子ビーム５０Ｂ、あるい
は５０Ｃに成形し、これをレジストを塗布した半導体ウ
エハ１１上に照射して所望の微細パターンを露光する装
置である。
【０００４】図６において、電子銃１を発した電子ビー
ム５０は、ブランキング電極２、第１アパーチャ３、成
形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャ６、縮小レ
ンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レンズ１０を通
って試料台１２上の半導体ウエハ１１に照射される。第
１アパーチャ３には四角形の開口３Ａが形成されてお
り、この開口３Ａにより電子ビーム５０は矩形の電子ビ
ーム５０Ａに成形される。
ム５０は、ブランキング電極２、第１アパーチャ３、成
形レンズ４、成形偏向器５、第２アパーチャ６、縮小レ
ンズ７、主偏向器８、副偏向器９、投影レンズ１０を通
って試料台１２上の半導体ウエハ１１に照射される。第
１アパーチャ３には四角形の開口３Ａが形成されてお
り、この開口３Ａにより電子ビーム５０は矩形の電子ビ
ーム５０Ａに成形される。
【０００５】第２アパーチャ６には、それぞれ異なる開
口パターンを有する複数の開口部６Ａ〜６Ｆが設けられ
ている。一つの開口部の開口パターンは、１個又は複数
個の様々な形状の開口を有している。第１アパーチャ３
を通して四角形に成形された電子ビーム５０Ａを偏向さ
せて開口部６Ａ〜６Ｅの一つに照射することにより、そ
の開口部に応じたパターンを有する電子ビーム５０Ｂを
得る。これを半導体ウエハ１１上に塗布してあるレジス
トに照射することによって、複雑な形状を有する開口パ
ターンを一度に転写することができる。即ち、一回のシ
ョットにより１個又は複数の開口からなるパターンの潜
像をレジスト上に形成することができ、図形一括描画方
式による露光を実現することができる。
口パターンを有する複数の開口部６Ａ〜６Ｆが設けられ
ている。一つの開口部の開口パターンは、１個又は複数
個の様々な形状の開口を有している。第１アパーチャ３
を通して四角形に成形された電子ビーム５０Ａを偏向さ
せて開口部６Ａ〜６Ｅの一つに照射することにより、そ
の開口部に応じたパターンを有する電子ビーム５０Ｂを
得る。これを半導体ウエハ１１上に塗布してあるレジス
トに照射することによって、複雑な形状を有する開口パ
ターンを一度に転写することができる。即ち、一回のシ
ョットにより１個又は複数の開口からなるパターンの潜
像をレジスト上に形成することができ、図形一括描画方
式による露光を実現することができる。
【０００６】図形データは記憶装置１５に保存されてお
り、計算機１４によりデータバス１３を通じて図形デー
タ用メモリ１７に読み出された後、データの展開、ソー
ト等の必要な処理が行われる。これらのデータは制御装
置１６を通してブランキング電極２、成形偏向器５、主
偏向器８、副偏向器９に転送され、半導体ウエハ１１上
の所望の位置に所望のパターンを有する電子ビーム５０
Ｂを照射することができる。
り、計算機１４によりデータバス１３を通じて図形デー
タ用メモリ１７に読み出された後、データの展開、ソー
ト等の必要な処理が行われる。これらのデータは制御装
置１６を通してブランキング電極２、成形偏向器５、主
偏向器８、副偏向器９に転送され、半導体ウエハ１１上
の所望の位置に所望のパターンを有する電子ビーム５０
Ｂを照射することができる。
【０００７】尚、図６における５０Ｃは、従来から行わ
れてきた可変成形方式による電子ビームを示す。この可
変成形方式の場合は、第２アパーチャ６上の四角形の開
口を有する開口部６Ｆを選択する。そして、電子ビーム
５０Ａを少しづつずらせることにより所望のサイズを持
ったビーム５０Ｃを得ることができる。このようにし
て、開口部６Ｆを通った電子ビーム５０Ｃを半導体ウェ
ハ１１上に照射することによって、所望の形状のパター
ンに露光する。
れてきた可変成形方式による電子ビームを示す。この可
変成形方式の場合は、第２アパーチャ６上の四角形の開
口を有する開口部６Ｆを選択する。そして、電子ビーム
５０Ａを少しづつずらせることにより所望のサイズを持
ったビーム５０Ｃを得ることができる。このようにし
て、開口部６Ｆを通った電子ビーム５０Ｃを半導体ウェ
ハ１１上に照射することによって、所望の形状のパター
ンに露光する。
【０００８】従って、前述のような図形一括描画方式に
よれば、同様のパターンを描画するのに必要なショット
数を、従来の可変成形方式の電子ビーム露光装置に比べ
て約１／１０〜１／１００とすることができる。これに
よって、電子ビーム露光を行うのに必要な時間が減少
し、スループットを改善することができる。
よれば、同様のパターンを描画するのに必要なショット
数を、従来の可変成形方式の電子ビーム露光装置に比べ
て約１／１０〜１／１００とすることができる。これに
よって、電子ビーム露光を行うのに必要な時間が減少
し、スループットを改善することができる。
【０００９】さらに図形一括描画方式では、第２アパー
チャ６上に予め規定された寸法の開口パターンを有する
開口部が設けられているため、第２アパーチャ６を通過
した後の電子ビーム５０Ｂのサイズが安定しており、高
寸法精度のパターンを得ることができる。
チャ６上に予め規定された寸法の開口パターンを有する
開口部が設けられているため、第２アパーチャ６を通過
した後の電子ビーム５０Ｂのサイズが安定しており、高
寸法精度のパターンを得ることができる。
【００１０】一方、上記寸法精度を劣化させる現象とし
て近接効果が挙げられる。これは電子ビームを照射する
複数のパターンが近接して配置されている場合に、パタ
ーン間の微細なスペース部でレジスト残りが発生し、描
画不良となる現象である。この近接効果は近接して配置
されているパターンが大きいほど、また配置されている
パターン間の距離が狭いほど顕著に現われる。この近接
効果を補正する方法としては、従来より大面積パターン
の露光量を下げる露光量補正処理、あるいは大面積パタ
ーンの隣接辺を縁取りする、いわゆる輪郭処理等の方法
が用いられている。
て近接効果が挙げられる。これは電子ビームを照射する
複数のパターンが近接して配置されている場合に、パタ
ーン間の微細なスペース部でレジスト残りが発生し、描
画不良となる現象である。この近接効果は近接して配置
されているパターンが大きいほど、また配置されている
パターン間の距離が狭いほど顕著に現われる。この近接
効果を補正する方法としては、従来より大面積パターン
の露光量を下げる露光量補正処理、あるいは大面積パタ
ーンの隣接辺を縁取りする、いわゆる輪郭処理等の方法
が用いられている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記露
光量補正処理や輪郭処理のような特殊処理を行う場合、
対象とするべきパターンの抽出に時間がかかるという問
題があった。これはパターン自身の大きさだけでなく、
近隣に配置されているパターンとの距離も検索する必要
があるからである。
光量補正処理や輪郭処理のような特殊処理を行う場合、
対象とするべきパターンの抽出に時間がかかるという問
題があった。これはパターン自身の大きさだけでなく、
近隣に配置されているパターンとの距離も検索する必要
があるからである。
【００１２】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたもので、パターン間の微細なスペース部を高速に抽
出してデータ処理に要する時間を短縮すると共に、高精
度にパターンを形成することを目的としている。
れたもので、パターン間の微細なスペース部を高速に抽
出してデータ処理に要する時間を短縮すると共に、高精
度にパターンを形成することを目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明によるパターンデータ処理方法は、電子線
露光装置に用いるパターンデータの処理方法であって、
パターン設計データから第１の指定線幅より大きい線幅
をもつパターンデータを抽出する第１の工程と、前記第
１の工程で抽出されたパターンデータをポジネガ反転す
る第２の工程と、前記第２の工程で反転されたパターン
データから前記第１の指定線幅より小さく第２の指定線
幅より小さい線幅をもつパターンデータを抽出する第３
の工程と、前記第３の工程で抽出されたパターンデータ
の内、前記第１の工程で得られたパターンデータと辺を
共有するパターンを抽出する第４の工程と、前記第４の
工程で抽出されたパターンデータに特殊処理を行う第５
の工程と、前記第１の工程で抽出されなかったパターン
データと前記第４の工程で抽出されなかったパターンデ
ータと前記第５の工程で特殊処理を行ったパターンデー
タとを合わせて露光用パターンデータを得る第６の工程
とから構成される。
めに、本発明によるパターンデータ処理方法は、電子線
露光装置に用いるパターンデータの処理方法であって、
パターン設計データから第１の指定線幅より大きい線幅
をもつパターンデータを抽出する第１の工程と、前記第
１の工程で抽出されたパターンデータをポジネガ反転す
る第２の工程と、前記第２の工程で反転されたパターン
データから前記第１の指定線幅より小さく第２の指定線
幅より小さい線幅をもつパターンデータを抽出する第３
の工程と、前記第３の工程で抽出されたパターンデータ
の内、前記第１の工程で得られたパターンデータと辺を
共有するパターンを抽出する第４の工程と、前記第４の
工程で抽出されたパターンデータに特殊処理を行う第５
の工程と、前記第１の工程で抽出されなかったパターン
データと前記第４の工程で抽出されなかったパターンデ
ータと前記第５の工程で特殊処理を行ったパターンデー
タとを合わせて露光用パターンデータを得る第６の工程
とから構成される。
【００１４】また、本発明による他のパターンデータ処
理方法は、電子線露光装置に用いるパターンデータの処
理方法であって、パターン設計データから第１の指定線
幅より大きい線幅をもつパターンデータを抽出する第１
の工程と、前記第１の工程で抽出されたパターンデータ
をポジネガ反転する第２の工程と、前記第２の工程で反
転されたパターンデータから第２の指定線幅より小さい
線幅をもつパターンデータを抽出する第３の工程と、前
記第３の工程で抽出されたパターンデータの内、前記第
１の工程で得られたパターンデータと辺を共有するパタ
ーンを抽出する第４の工程と、前記第３の工程で抽出さ
れたパターンをリサイズする第５の工程と、前記第４の
工程で抽出されたパターンと第５の工程でリサイズされ
たパターン間でａｎｄ演算を行う第６の工程と、前記第
４の工程で得られたパターンデータと前記第６の工程で
得られたパターンデータ間でｓｕｂ演算を行う第７の工
程と、前記第１の工程で抽出されなかったパターンデー
タと前記第４の工程で抽出されなかったパターンデータ
と第６の工程で得られたパターンデータと第７の工程で
得られたパターンデータとを合わせて露光用パターンデ
ータを得る第８の工程から構成される。
理方法は、電子線露光装置に用いるパターンデータの処
理方法であって、パターン設計データから第１の指定線
幅より大きい線幅をもつパターンデータを抽出する第１
の工程と、前記第１の工程で抽出されたパターンデータ
をポジネガ反転する第２の工程と、前記第２の工程で反
転されたパターンデータから第２の指定線幅より小さい
線幅をもつパターンデータを抽出する第３の工程と、前
記第３の工程で抽出されたパターンデータの内、前記第
１の工程で得られたパターンデータと辺を共有するパタ
ーンを抽出する第４の工程と、前記第３の工程で抽出さ
れたパターンをリサイズする第５の工程と、前記第４の
工程で抽出されたパターンと第５の工程でリサイズされ
たパターン間でａｎｄ演算を行う第６の工程と、前記第
４の工程で得られたパターンデータと前記第６の工程で
得られたパターンデータ間でｓｕｂ演算を行う第７の工
程と、前記第１の工程で抽出されなかったパターンデー
タと前記第４の工程で抽出されなかったパターンデータ
と第６の工程で得られたパターンデータと第７の工程で
得られたパターンデータとを合わせて露光用パターンデ
ータを得る第８の工程から構成される。
【００１５】また、本発明によるプログラムを記憶した
記憶媒体においては、パターン設計データから第１の指
定線幅より大きい線幅をもつパターンデータを抽出する
第１の処理と、前記第１の処理で抽出されたパターンデ
ータをポジネガ反転する第２の処理と、前記第２の処理
で反転されたパターンデータから第２の指定線幅より小
さい線幅をもつパターンデータを抽出する第３の処理
と、前記第３の処理で抽出されたパターンデータの内、
前記第１の処理で得られたパターンデータと辺を共有す
るパターンデータを抽出する第４の処理と、前記第４の
処理で抽出されたパターンデータに特殊処理を行う第５
の処理と、前記第１の処理で抽出されなかったパターン
データと前記第４の処理で抽出されなかったパターンデ
ータと前記第５の処理で特殊処理を行ったパターンデー
タとを合わせたパターンデータを得る第６の処理とを実
行するためのプログラムを記憶している。
記憶媒体においては、パターン設計データから第１の指
定線幅より大きい線幅をもつパターンデータを抽出する
第１の処理と、前記第１の処理で抽出されたパターンデ
ータをポジネガ反転する第２の処理と、前記第２の処理
で反転されたパターンデータから第２の指定線幅より小
さい線幅をもつパターンデータを抽出する第３の処理
と、前記第３の処理で抽出されたパターンデータの内、
前記第１の処理で得られたパターンデータと辺を共有す
るパターンデータを抽出する第４の処理と、前記第４の
処理で抽出されたパターンデータに特殊処理を行う第５
の処理と、前記第１の処理で抽出されなかったパターン
データと前記第４の処理で抽出されなかったパターンデ
ータと前記第５の処理で特殊処理を行ったパターンデー
タとを合わせたパターンデータを得る第６の処理とを実
行するためのプログラムを記憶している。
【００１６】また、本発明による他のプログラムを記憶
した記憶媒体においては、パターン設計データから第１
の指定線幅より大きい線幅をもつパターンデータを抽出
する第１の処理と、前記第１の処理で抽出されたパター
ンデータをポジネガ反転する第２の処理と、前記第２の
処理で反転されたパターンデータから第２の指定線幅よ
り小さい線幅をもつパターンデータを抽出する第３の処
理と、前記第３の処理で抽出されたパターンデータの
内、前記第１の処理で得られたパターンデータと辺を共
有するパターンデータを抽出する第４の処理と、前記第
３の処理で抽出されたパターンデータをリサイズする第
５の処理と、前記第４の処理で抽出されたパターンデー
タと第５の処理でリサイズされたパターンデータ間でａ
ｎｄ演算を行う第６の処理と、前記第４の処理で得られ
たパターンデータと前記第６の処理で得られたパターン
データ間でｓｕｂ演算を行う第７の処理と、前記第１の
処理で抽出されなかったパターンデータと前記第４の処
理で抽出されなかったパターンデータと第６の処理で得
られたパターンデータと第７の処理で得られたパターン
データとを合わせて露光用パターンデータを得る第８の
処理とを実行するためのプログラムを記憶している。
した記憶媒体においては、パターン設計データから第１
の指定線幅より大きい線幅をもつパターンデータを抽出
する第１の処理と、前記第１の処理で抽出されたパター
ンデータをポジネガ反転する第２の処理と、前記第２の
処理で反転されたパターンデータから第２の指定線幅よ
り小さい線幅をもつパターンデータを抽出する第３の処
理と、前記第３の処理で抽出されたパターンデータの
内、前記第１の処理で得られたパターンデータと辺を共
有するパターンデータを抽出する第４の処理と、前記第
３の処理で抽出されたパターンデータをリサイズする第
５の処理と、前記第４の処理で抽出されたパターンデー
タと第５の処理でリサイズされたパターンデータ間でａ
ｎｄ演算を行う第６の処理と、前記第４の処理で得られ
たパターンデータと前記第６の処理で得られたパターン
データ間でｓｕｂ演算を行う第７の処理と、前記第１の
処理で抽出されなかったパターンデータと前記第４の処
理で抽出されなかったパターンデータと第６の処理で得
られたパターンデータと第７の処理で得られたパターン
データとを合わせて露光用パターンデータを得る第８の
処理とを実行するためのプログラムを記憶している。
【００１７】また、前記パターンデータ処理方法及びプ
ログラムを記憶した記憶媒体において、前記特殊処理
は、露光量補正処理及び／又は輪郭処理を含むものであ
ってよい。
ログラムを記憶した記憶媒体において、前記特殊処理
は、露光量補正処理及び／又は輪郭処理を含むものであ
ってよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
と共に説明する。本実施の形態は、ＬＳＩ設計データか
ら露光用パターンデータを作成する際に、ポジネガ反転
を用いて微細なスペース幅（パターン間距離）を抽出
し、前記露光量補正処理や輪郭処理のような特殊処理を
行うようにしたものである。
と共に説明する。本実施の形態は、ＬＳＩ設計データか
ら露光用パターンデータを作成する際に、ポジネガ反転
を用いて微細なスペース幅（パターン間距離）を抽出
し、前記露光量補正処理や輪郭処理のような特殊処理を
行うようにしたものである。
【００１９】これにより、大面積パターンが近接して配
置されることにより生じる微細なスペース部を高速に抽
出できるため、データ処理に要する時間を短縮できる。
さらに抽出した結果に基づいて大面積パターンに特殊処
理を行えるので、高精度にパターンを形成することがで
きる。
置されることにより生じる微細なスペース部を高速に抽
出できるため、データ処理に要する時間を短縮できる。
さらに抽出した結果に基づいて大面積パターンに特殊処
理を行えるので、高精度にパターンを形成することがで
きる。
【００２０】図１は本発明の第１の実施の形態によるパ
ターンデータ処理方法を実行するためのフローチャート
である。本実施の形態で用いられる電子線露光装置とし
ては、図６と実質的に同じ構成のものが用いられる。
ターンデータ処理方法を実行するためのフローチャート
である。本実施の形態で用いられる電子線露光装置とし
ては、図６と実質的に同じ構成のものが用いられる。
【００２１】図１において、まず、ＣＡＤデータ２０か
ら第１の指定線幅Ｌｔｈ１（例えば１０μｍ）以上の線
幅を持つパターンを抽出し（ステップＳ２１）、これを
パターンＡとする（ステップＳ２２）。また、このとき
抽出されなかったパターンをパターンＢとする（ステッ
プＳ２３）。
ら第１の指定線幅Ｌｔｈ１（例えば１０μｍ）以上の線
幅を持つパターンを抽出し（ステップＳ２１）、これを
パターンＡとする（ステップＳ２２）。また、このとき
抽出されなかったパターンをパターンＢとする（ステッ
プＳ２３）。
【００２２】次に、パターンＡをポジネガ反転し（ステ
ップＳ２４）、その中から第２の指定線幅Ｌｔｈ２（例
えば０．２μｍ）以下の線幅を持つパターンを抽出して
（ステップＳ２５）、パターンＣとする（ステップ２
６）。次に、パターンＡの内、パターンＣと辺を共有す
るパターンを抽出し（ステップＳ２７）、これをパター
ンＤとする（ステップＳ２８）。また、このとき抽出さ
れなかったパターンをパターンＥとする（ステップＳ２
９）。
ップＳ２４）、その中から第２の指定線幅Ｌｔｈ２（例
えば０．２μｍ）以下の線幅を持つパターンを抽出して
（ステップＳ２５）、パターンＣとする（ステップ２
６）。次に、パターンＡの内、パターンＣと辺を共有す
るパターンを抽出し（ステップＳ２７）、これをパター
ンＤとする（ステップＳ２８）。また、このとき抽出さ
れなかったパターンをパターンＥとする（ステップＳ２
９）。
【００２３】次に、パターンＤに対して、露光量補正処
理、輪郭処理等の特殊処理を行い（ステップＳ３０）、
このパターンとパターンＢ、パターンＥとを合わせたＥ
Ｂパターンデータを得、これを露光用パターンデータと
する（ステップＳ３１）。
理、輪郭処理等の特殊処理を行い（ステップＳ３０）、
このパターンとパターンＢ、パターンＥとを合わせたＥ
Ｂパターンデータを得、これを露光用パターンデータと
する（ステップＳ３１）。
【００２４】次に、図２の具体的なパターンを用いて上
記フローチャートに沿って説明する。図２（ａ）に示す
ようにＣＡＤデータとして、線幅Ｌ１を持つ孤立ライン
３９、線幅Ｌ１、スペース幅Ｌ１を持つライン＆スペー
ス（Ｌ／Ｓ）パターン４０、線幅Ｌ２を持つ２つの大面
積パターンが微細スペースＬ３を介して近接配置された
パターン４１、及び線幅Ｌ２を持つ大面積パターン４２
を有するパターンを露光する場合について説明する。
記フローチャートに沿って説明する。図２（ａ）に示す
ようにＣＡＤデータとして、線幅Ｌ１を持つ孤立ライン
３９、線幅Ｌ１、スペース幅Ｌ１を持つライン＆スペー
ス（Ｌ／Ｓ）パターン４０、線幅Ｌ２を持つ２つの大面
積パターンが微細スペースＬ３を介して近接配置された
パターン４１、及び線幅Ｌ２を持つ大面積パターン４２
を有するパターンを露光する場合について説明する。
【００２５】これらのパターンの中から、まず第１の指
定線幅Ｌｔｈ１（例えば１０μｍ）以上の線幅を持つパ
ターンを抽出すると、パターン４１とパターン４２が抽
出される（図２（ｂ））。次にこれをポジネガ反転する
と、図２（ｃ）に示すようなパターン４３が得られる。
さらにこの中から第２の指定線幅Ｌｔｈ２（例えば０．
２μｍ）以下の線幅を持つパターンを抽出すると、微細
スペース部を反転したパターン４４が得られる（図２
（ｄ））。次に図２（ｂ）に示されるパターンの内、パ
ターン４４と辺を共有するパターンを抽出すると、パタ
ーン４１が抽出される。
定線幅Ｌｔｈ１（例えば１０μｍ）以上の線幅を持つパ
ターンを抽出すると、パターン４１とパターン４２が抽
出される（図２（ｂ））。次にこれをポジネガ反転する
と、図２（ｃ）に示すようなパターン４３が得られる。
さらにこの中から第２の指定線幅Ｌｔｈ２（例えば０．
２μｍ）以下の線幅を持つパターンを抽出すると、微細
スペース部を反転したパターン４４が得られる（図２
（ｄ））。次に図２（ｂ）に示されるパターンの内、パ
ターン４４と辺を共有するパターンを抽出すると、パタ
ーン４１が抽出される。
【００２６】次に、このようにして抽出したパターン４
１に固有のショットタイムランクを与えてパターン４５
とし（図２（ｅ））、第１の指定線幅Ｌｔｈ１（例えば
１０μｍ）より小さい線幅を持つパターン３９、４０
と、パターン４１、４２の内、パターン４４と辺を共有
しないパターン４２とを合わせて図２（ｅ）のＥＢデー
タを得る。
１に固有のショットタイムランクを与えてパターン４５
とし（図２（ｅ））、第１の指定線幅Ｌｔｈ１（例えば
１０μｍ）より小さい線幅を持つパターン３９、４０
と、パターン４１、４２の内、パターン４４と辺を共有
しないパターン４２とを合わせて図２（ｅ）のＥＢデー
タを得る。
【００２７】そして、パターン４５に対してパターン４
２に与える露光量の８５％を与えることにより、パター
ン４５間の微細スペースＬ３を高精度に形成することが
できる。
２に与える露光量の８５％を与えることにより、パター
ン４５間の微細スペースＬ３を高精度に形成することが
できる。
【００２８】図３は本発明の第２の実施の形態によるパ
ターンデータ処理方法を実行するためのフローチャート
である。図３において、まず、ＣＡＤデータ２０から第
１の指定線幅Ｌｔｈ１（例えば１０μｍ）以上の線幅を
持つパターンを抽出し（ステップＳ２１）、これをパタ
ーンＡとする（ステップＳ２２）。また、このとき抽出
されなかったパターンをパターンＢとする（ステップＳ
２３）。
ターンデータ処理方法を実行するためのフローチャート
である。図３において、まず、ＣＡＤデータ２０から第
１の指定線幅Ｌｔｈ１（例えば１０μｍ）以上の線幅を
持つパターンを抽出し（ステップＳ２１）、これをパタ
ーンＡとする（ステップＳ２２）。また、このとき抽出
されなかったパターンをパターンＢとする（ステップＳ
２３）。
【００２９】次に、パターンＡをポジネガ反転し（ステ
ップＳ２４）、その中から第２の指定線幅Ｌｔｈ２（例
えば０．２μｍ）以下の線幅を持つパターンを抽出して
（ステップＳ２５）、パターンＣとする（ステップ２
６）。次に、パターンＡの内、パターンＣと辺を共有す
るパターンを抽出し（ステップＳ２７）、これをパター
ンＤとする（ステップＳ２８）。また、このとき抽出さ
れなかったパターンをパターンＥとする（ステップＳ２
９）。
ップＳ２４）、その中から第２の指定線幅Ｌｔｈ２（例
えば０．２μｍ）以下の線幅を持つパターンを抽出して
（ステップＳ２５）、パターンＣとする（ステップ２
６）。次に、パターンＡの内、パターンＣと辺を共有す
るパターンを抽出し（ステップＳ２７）、これをパター
ンＤとする（ステップＳ２８）。また、このとき抽出さ
れなかったパターンをパターンＥとする（ステップＳ２
９）。
【００３０】一方、パターンＣに対してリサイズ処理を
行い（ステップＳ３２）、パターンＦとする（ステップ
Ｓ３３）。次にパターンＤとパターンＦ間でａｎｄ演算
（ＤａｎｄＦ）を行い（ステップＳ３４）、パターンＧ
を得る（ステップＳ３５）。さらにパターンＤとパター
ンＧ間でｓｕｂ演算（ＤｓｕｂＧ）を行い（ステップＳ
３６）、パターンＨを得る（ステップＳ３７）。最後に
パターンＢ、Ｅ、Ｇ、Ｈを合わせてＥＢパターンデータ
（露光用パターンデータ）とする（ステップＳ３８）。
行い（ステップＳ３２）、パターンＦとする（ステップ
Ｓ３３）。次にパターンＤとパターンＦ間でａｎｄ演算
（ＤａｎｄＦ）を行い（ステップＳ３４）、パターンＧ
を得る（ステップＳ３５）。さらにパターンＤとパター
ンＧ間でｓｕｂ演算（ＤｓｕｂＧ）を行い（ステップＳ
３６）、パターンＨを得る（ステップＳ３７）。最後に
パターンＢ、Ｅ、Ｇ、Ｈを合わせてＥＢパターンデータ
（露光用パターンデータ）とする（ステップＳ３８）。
【００３１】次に、図４、図５の具体的なパターンを用
いて上記フローチャートに沿って説明する。図４（ａ）
に示すように、ＣＡＤデータとして線幅Ｌ１を持つ孤立
ライン３９、線幅Ｌ１、スペース幅Ｌ１を持つライン＆
スペース（Ｌ／Ｓ）パターン４０、線幅Ｌ２を持つ２つ
の大面積パターンが微細スペースＬ３を介して近接して
配置されたパターン４１、及び線幅Ｌ２を持つ大面積パ
ターン４２を有するパターンを露光する場合について説
明する。
いて上記フローチャートに沿って説明する。図４（ａ）
に示すように、ＣＡＤデータとして線幅Ｌ１を持つ孤立
ライン３９、線幅Ｌ１、スペース幅Ｌ１を持つライン＆
スペース（Ｌ／Ｓ）パターン４０、線幅Ｌ２を持つ２つ
の大面積パターンが微細スペースＬ３を介して近接して
配置されたパターン４１、及び線幅Ｌ２を持つ大面積パ
ターン４２を有するパターンを露光する場合について説
明する。
【００３２】これらのパターンの中から、まず第１の指
定線幅Ｌｔｈ１（例えば１０μｍ）以上の線幅を持つパ
ターンを抽出すると、パターン４１とパターン４２が抽
出される（図４（ｂ））。次にこれをポジネガ反転する
と、図４（ｃ）に示すようなパターン４３が得られる。
さらにこの中から第２の指定線幅Ｌｔｈ２（例えば０．
２μｍ）以下の線幅を持つパターンを抽出すると、微細
スペース部を反転したパターン４４が得られる（図４
（ｄ））。次に図４（ｂ）に示されるパターンの内、パ
ターン４４と辺を共有するパターンを抽出すると、パタ
ーン４１が抽出される。
定線幅Ｌｔｈ１（例えば１０μｍ）以上の線幅を持つパ
ターンを抽出すると、パターン４１とパターン４２が抽
出される（図４（ｂ））。次にこれをポジネガ反転する
と、図４（ｃ）に示すようなパターン４３が得られる。
さらにこの中から第２の指定線幅Ｌｔｈ２（例えば０．
２μｍ）以下の線幅を持つパターンを抽出すると、微細
スペース部を反転したパターン４４が得られる（図４
（ｄ））。次に図４（ｂ）に示されるパターンの内、パ
ターン４４と辺を共有するパターンを抽出すると、パタ
ーン４１が抽出される。
【００３３】一方、パターン４４にプラスのリサイズ
（例えば＋０．２μｍ）を行うと、パターン４７が得ら
れる。次にパターン４１とパターン４７とでａｎｄ演算
を行うと、図５（ｆ）のパターン４８が得られる。さら
にパターン４１とパターン４８とでｓｕｂ演算を行う
と、図５（ｆ）のパターン４９が得られる。最後にパタ
ーン４８、４９に、第１の指定線幅Ｌｔｈ１（例えば１
０μｍ）より小さい線幅を持つパターン３９、４０と、
パターン４１、４２の内、パターン４４と辺を共有しな
いパターン４２とを合わせてＥＢパターンデータ５０を
得る（図５（ｇ））。
（例えば＋０．２μｍ）を行うと、パターン４７が得ら
れる。次にパターン４１とパターン４７とでａｎｄ演算
を行うと、図５（ｆ）のパターン４８が得られる。さら
にパターン４１とパターン４８とでｓｕｂ演算を行う
と、図５（ｆ）のパターン４９が得られる。最後にパタ
ーン４８、４９に、第１の指定線幅Ｌｔｈ１（例えば１
０μｍ）より小さい線幅を持つパターン３９、４０と、
パターン４１、４２の内、パターン４４と辺を共有しな
いパターン４２とを合わせてＥＢパターンデータ５０を
得る（図５（ｇ））。
【００３４】パターン４８は輪郭処理を行った場合の輪
郭部に相当し、ショットサイズが小さいので電子ビーム
のプロファイルが向上するため、パターン４１間の微細
スペースを高精度に形成することができる。また、パタ
ーン４９は輪郭処理を行った場合の内部パターンに相当
するので、パターン４９に与える露光量をパターン４８
に与える露光量の８０％にすることにより、パターン４
１間の微細スペースをさらに高精度に形成することがで
きる。
郭部に相当し、ショットサイズが小さいので電子ビーム
のプロファイルが向上するため、パターン４１間の微細
スペースを高精度に形成することができる。また、パタ
ーン４９は輪郭処理を行った場合の内部パターンに相当
するので、パターン４９に与える露光量をパターン４８
に与える露光量の８０％にすることにより、パターン４
１間の微細スペースをさらに高精度に形成することがで
きる。
【００３５】尚、図１、図３のフローチャートに示す処
理を実行するためのプログラムが、図６の記憶装置１５
もしくは別に設けたＲＯＭ等の記憶装置に格納される。
計算機１４はこのプログラムに基づいて処理を行う。
理を実行するためのプログラムが、図６の記憶装置１５
もしくは別に設けたＲＯＭ等の記憶装置に格納される。
計算機１４はこのプログラムに基づいて処理を行う。
【００３６】このような記憶装置１５もしくは別に設け
たＲＯＭ等の記憶装置は、本発明によるプログラムを記
憶した記憶媒体を構成することになる。
たＲＯＭ等の記憶装置は、本発明によるプログラムを記
憶した記憶媒体を構成することになる。
【００３７】この記憶媒体としては、光ディスク、光磁
気ディスク、半導体記憶装置、磁気記録媒体等を用いる
ことができる。
気ディスク、半導体記憶装置、磁気記録媒体等を用いる
ことができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、大
面積パターンが近接して配置された場合に生じる微細な
スペース部を高速に抽出することができる。これによっ
て、データ処理に要する時間を短縮することができると
共に、抽出した結果に基づいて大面積パターンに輪郭処
理等の特殊処理を行えるので、高精度にパターンを形成
することができる。
面積パターンが近接して配置された場合に生じる微細な
スペース部を高速に抽出することができる。これによっ
て、データ処理に要する時間を短縮することができると
共に、抽出した結果に基づいて大面積パターンに輪郭処
理等の特殊処理を行えるので、高精度にパターンを形成
することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるパターンデー
タ処理方法を実行するためのフローチャートである。
タ処理方法を実行するためのフローチャートである。
【図２】本発明の第１の実施の形態で用いるパターンデ
ータの具体的な構成図である。
ータの具体的な構成図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態によるパターンデー
タ処理方法を実行するためのフローチャートである。
タ処理方法を実行するためのフローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施の形態で用いるパターンデ
ータの具体的な構成図である。
ータの具体的な構成図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態で用いるパターンデ
ータの具体的な構成図である。
ータの具体的な構成図である。
【図６】従来及び本発明の各実施の形態で用いる電子線
露光装置の構成図である。
露光装置の構成図である。
１ 電子銃 ２ ブランキング電極 ３ 第１アパーチャ ３Ａ 第１アパーチャ開口部 ４ 成形レンズ ５ 成形偏向器 ６ 第２アパーチャ ６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ、６Ｅ、６Ｆ 第２アパーチャ
開口部 ７ 縮小レンズ ８ 主偏向器 ９ 副偏向器 １０ 投影レンズ １１ 半導体ウエハ １１Ａ、１１Ｂ レジスト内の潜像 １２ 試料台 １３ データバス １４ 計算機 １５ 記憶装置 １６ 制御装置 １７ 図形データ用メモリ ２０ ＣＡＤデータ ３９，４０，４１，４２，４３，４４，４５，４６，４
７，４８，４９ パターン
開口部 ７ 縮小レンズ ８ 主偏向器 ９ 副偏向器 １０ 投影レンズ １１ 半導体ウエハ １１Ａ、１１Ｂ レジスト内の潜像 １２ 試料台 １３ データバス １４ 計算機 １５ 記憶装置 １６ 制御装置 １７ 図形データ用メモリ ２０ ＣＡＤデータ ３９，４０，４１，４２，４３，４４，４５，４６，４
７，４８，４９ パターン
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20
Claims (6)
- 【請求項１】 電子線露光装置に用いるパターンデータ
の処理方法であって、 パターン設計データから第１の指定線幅より大きい線幅
をもつパターンデータを抽出する第１の工程と、 前記第１の工程で抽出されたパターンデータをポジネガ
反転する第２の工程と、 前記第２の工程で反転されたパターンデータから第２の
指定線幅より小さい線幅をもつパターンデータを抽出す
る第３の工程と、 前記第３の工程で抽出されたパターンデータの内、前記
第１の工程で得られたパターンデータと辺を共有するパ
ターンデータを抽出する第４の工程と、 前記第４の工程で抽出されたパターンデータに特殊処理
を行う第５の工程と、 前記第１の工程で抽出されなかったパターンデータと前
記第４の工程で抽出されなかったパターンデータと前記
第５の工程で特殊処理を行ったパターンデータとを合わ
せて露光用パターンデータを得る第６の工程とから構成
されることを特徴とするパターンデータ処理方法。 - 【請求項２】 前記特殊処理は、露光量補正処理及び／
又は輪郭処理を含むことを特徴とする請求項１記載のパ
ターンデータ処理方法。 - 【請求項３】 電子線露光装置に用いるパターンデータ
の処理方法であって、 パターン設計データから第１の指定線幅より大きい線幅
をもつパターンデータを抽出する第１の工程と、 前記第１の工程で抽出されたパターンデータをポジネガ
反転する第２の工程と、 前記第２の工程で反転されたパターンデータから第２の
指定線幅より小さい線幅をもつパターンデータを抽出す
る第３の工程と、 前記第３の工程で抽出されたパターンデータの内、前記
第１の工程で得られたパターンデータと辺を共有するパ
ターンデータを抽出する第４の工程と、 前記第３の工程で抽出されたパターンデータをリサイズ
する第５の工程と、 前記第４の工程で抽出されたパターンデータと第５の工
程でリサイズされたパターンデータ間でａｎｄ演算を行
う第６の工程と、 前記第４の工程で得られたパターンデータと前記第６の
工程で得られたパターンデータ間でｓｕｂ演算を行う第
７の工程と、 前記第１の工程で抽出されなかったパターンデータと前
記第４の工程で抽出されなかったパターンデータと前記
第６の工程で得られたパターンデータと第７の工程で得
られたパターンデータとを合わせて露光用パターンデー
タを得る第８の工程とから構成されることを特徴とする
パターンデータ処理方法。 - 【請求項４】 パターン設計データから第１の指定線幅
より大きい線幅をもつパターンデータを抽出する第１の
処理と、 前記第１の処理で抽出されたパターンデータをポジネガ
反転する第２の処理と、 前記第２の処理で反転されたパターンデータから第２の
指定線幅より小さい線幅をもつパターンデータを抽出す
る第３の処理と、 前記第３の処理で抽出されたパターンデータの内、前記
第１の処理で得られたパターンデータと辺を共有するパ
ターンデータを抽出する第４の処理と、 前記第４の処理で抽出されたパターンデータに特殊処理
を行う第５の処理と、 前記第１の処理で抽出されなかったパターンデータと前
記第４の処理で抽出されなかったパターンデータと前記
第５の処理で特殊処理を行ったパターンデータとを合わ
せて露光用パターンデータを得る第６の処理とを実行す
るためのプログラムを記憶した記憶媒体。 - 【請求項５】 前記特殊処理は、露光量補正処理及び／
又は輪郭処理を含むことを特徴とする請求項４記載のプ
ログラムを記憶した記憶媒体。 - 【請求項６】 パターン設計データから第１の指定線幅
より大きい線幅をもつパターンデータを抽出する第１の
処理と、 前記第１の処理で抽出されたパターンデータをポジネガ
反転する第２の処理と、 前記第２の処理で反転されたパターンデータから第２の
指定線幅より小さい線幅をもつパターンデータを抽出す
る第３の処理と、 前記第３の処理で抽出されたパターンデータの内、前記
第１の処理で得られたパターンデータと辺を共有するパ
ターンデータを抽出する第４の処理と、 前記第３の処理で抽出されたパターンデータをリサイズ
する第５の処理と、 前記第４の処理で抽出されたパターンデータと前記第５
の処理でリサイズされたパターンデータ間でａｎｄ演算
を行う第６の処理と、 前記第４の処理で得られたパターンデータと前記第６の
処理で得られたパターンデータ間でｓｕｂ演算を行う第
７の処理と、 前記第１の処理で抽出されなかったパターンデータと前
記第４の処理で抽出されなかったパターンデータと第６
の処理で得られたパターンデータと第７の処理で得られ
たパターンデータとを合わせて露光用パターンデータを
得る第８の処理とを実行するためのプログラムを記憶し
た記憶媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34870799A JP3353766B2 (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | パターンデータ処理方法及びプログラムを記憶した記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34870799A JP3353766B2 (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | パターンデータ処理方法及びプログラムを記憶した記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168006A JP2001168006A (ja) | 2001-06-22 |
| JP3353766B2 true JP3353766B2 (ja) | 2002-12-03 |
Family
ID=18398832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34870799A Expired - Fee Related JP3353766B2 (ja) | 1999-12-08 | 1999-12-08 | パターンデータ処理方法及びプログラムを記憶した記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3353766B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4295172B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2009-07-15 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
| DE102010004939A1 (de) * | 2010-01-18 | 2011-07-21 | EQUIcon Software GmbH Jena, 07745 | Verfahren zur Steuerung der Elektronenstrahl-Belichtung von Wafern und Masken mit Proximity-Korrektur |
-
1999
- 1999-12-08 JP JP34870799A patent/JP3353766B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001168006A (ja) | 2001-06-22 |
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