JP2874688B2 - マスク及びそれを用いた電子線露光方法 - Google Patents
マスク及びそれを用いた電子線露光方法Info
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子線によって半導
体ウエハ上に微細パターンを露光する電子ビーム露光装
置で使用するマスクに関し、特により高速に微細パター
ンの形成が可能な図形一括描画方式で使用するマスク及
びそれを用いた電子線露光方法に関するものである。
体ウエハ上に微細パターンを露光する電子ビーム露光装
置で使用するマスクに関し、特により高速に微細パター
ンの形成が可能な図形一括描画方式で使用するマスク及
びそれを用いた電子線露光方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴い、半導体デバイスに
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた露光方法は今後必要となる０．２５μｍ以下
のパターンを形成する際に有効な露光方法である。
用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電子
線を用いた露光方法は今後必要となる０．２５μｍ以下
のパターンを形成する際に有効な露光方法である。
【０００３】電子線を用いた露光方法では図６に示すよ
うな電子ビーム露光装置が使用される。図６は電子ビー
ム露光装置の構成を示すブロック図である。図６に示し
た電子ビーム露光装置は、四角形の開口を有する第１の
マスク３と、半導体デバイスの全パターンのうち、任意
の領域内のパターン形状に開口された開口パターンを有
する第２のマスク６とを有し、第２のマスク３を透過し
た電子ビームをレジストが塗布された半導体ウエハ１１
上に縮小投影することで所望のパターンをレジスト上に
転写する装置である。
うな電子ビーム露光装置が使用される。図６は電子ビー
ム露光装置の構成を示すブロック図である。図６に示し
た電子ビーム露光装置は、四角形の開口を有する第１の
マスク３と、半導体デバイスの全パターンのうち、任意
の領域内のパターン形状に開口された開口パターンを有
する第２のマスク６とを有し、第２のマスク３を透過し
た電子ビームをレジストが塗布された半導体ウエハ１１
上に縮小投影することで所望のパターンをレジスト上に
転写する装置である。
【０００４】なお、第１のマスク３は、１ショットで一
度に露光する領域の大きさに電子ビームを成形するもの
であり、第１のマスク３の開口は、第１のマスク３を透
過した電子ビームが第２のマスク６の開口パターンの大
きさよりもわずかに大きい断面を有するように形成され
る。
度に露光する領域の大きさに電子ビームを成形するもの
であり、第１のマスク３の開口は、第１のマスク３を透
過した電子ビームが第２のマスク６の開口パターンの大
きさよりもわずかに大きい断面を有するように形成され
る。
【０００５】一方、第２のマスク６に形成される開口パ
ターンは、半導体メモリ等のように任意の領域内のパタ
ーンの繰り返しで全パターンが形成される半導体デバイ
スの場合、その任意の領域内のパターン形状で開口さ
れ、レジストにはその任意の領域単位のパターンの潜像
が一度に転写される。ここで、第２のマスク６には、例
えば図７に示すようなＬＳＩ等の設計データから抽出さ
れた複数の開口パターン６Ａ〜６Ｅが形成される。ま
た、電子ビームの断面積を大きくして一度に露光できる
領域を拡大した場合、第２のマスク６には１チップ分の
パターン形状の開口パターンが形成される。
ターンは、半導体メモリ等のように任意の領域内のパタ
ーンの繰り返しで全パターンが形成される半導体デバイ
スの場合、その任意の領域内のパターン形状で開口さ
れ、レジストにはその任意の領域単位のパターンの潜像
が一度に転写される。ここで、第２のマスク６には、例
えば図７に示すようなＬＳＩ等の設計データから抽出さ
れた複数の開口パターン６Ａ〜６Ｅが形成される。ま
た、電子ビームの断面積を大きくして一度に露光できる
領域を拡大した場合、第２のマスク６には１チップ分の
パターン形状の開口パターンが形成される。
【０００６】図６において、電子銃１から発せられた電
子ビーム５０は、ブランキング電極２、第１のマスク
３、成形レンズ４、成形偏向器５、第２のマスク６、縮
小レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、および投影レン
ズ１０を通って試料台１２上に固定された半導体ウエハ
１１上に照射される。
子ビーム５０は、ブランキング電極２、第１のマスク
３、成形レンズ４、成形偏向器５、第２のマスク６、縮
小レンズ７、主偏向器８、副偏向器９、および投影レン
ズ１０を通って試料台１２上に固定された半導体ウエハ
１１上に照射される。
【０００７】第１のマスク３には四角形の開口３Ａが形
成されており、電子銃１から発せられた電子ビーム５０
は第１のマスク３によって矩形状の電子ビーム５０Ａに
成形される。
成されており、電子銃１から発せられた電子ビーム５０
は第１のマスク３によって矩形状の電子ビーム５０Ａに
成形される。
【０００８】第２のマスク６には開口パターン６Ａが形
成されており、開口パターン６Ａを透過した電子ビーム
５０Ｂは縮小レンズ７によって縮小され、主偏向器８及
び副偏向器９により偏向されて、半導体ウエハ１１上の
所望の位置に照射される。
成されており、開口パターン６Ａを透過した電子ビーム
５０Ｂは縮小レンズ７によって縮小され、主偏向器８及
び副偏向器９により偏向されて、半導体ウエハ１１上の
所望の位置に照射される。
【０００９】半導体ウエハ１１上に描画するパターンの
図形データは予め記憶装置１５に保存され、計算機１４
は、必要な図形データを記憶装置１５から読み出して図
形データ用メモリ１７に格納し、図形データ用メモリ１
７に格納された図形データを用いて必要な処理を行う。
また、これらの図形データは制御装置１６を介してブラ
ンキング電極２、成形偏向器５、主偏向器８、および副
偏向器９にそれぞれ転送され、半導体ウエハ１１上の所
望の位置に所望の形状の電子ビーム５０Ｂを照射するこ
とができる。
図形データは予め記憶装置１５に保存され、計算機１４
は、必要な図形データを記憶装置１５から読み出して図
形データ用メモリ１７に格納し、図形データ用メモリ１
７に格納された図形データを用いて必要な処理を行う。
また、これらの図形データは制御装置１６を介してブラ
ンキング電極２、成形偏向器５、主偏向器８、および副
偏向器９にそれぞれ転送され、半導体ウエハ１１上の所
望の位置に所望の形状の電子ビーム５０Ｂを照射するこ
とができる。
【００１０】以上説明したような図形一括描画方式の電
子ビーム露光装置は、従来用いられてきた可変成形方式
の電子ビーム露光装置に比べて、同様のパターンを描画
するのに必要なショット数が約１／１０〜１／１００に
なる。したがって、可変成形方式の電子ビーム露光装置
に比べて露光に必要な時間が短縮され、スループットが
向上する。
子ビーム露光装置は、従来用いられてきた可変成形方式
の電子ビーム露光装置に比べて、同様のパターンを描画
するのに必要なショット数が約１／１０〜１／１００に
なる。したがって、可変成形方式の電子ビーム露光装置
に比べて露光に必要な時間が短縮され、スループットが
向上する。
【００１１】例えば、図８に示すようなパターンの基本
繰り返し部２０を多数配置することでセルアレイ１８を
構成する半導体デバイスの場合、半導体ウエハ１１上に
描画されるセルアレイ１８の中心部とセルアレイ１８の
端部とではパターンの密度が異なるため（セルアレイ端
部の周辺にはパターンが形成されないため）、レジスト
上に転写されたパターン寸法が異なるいわゆる近接効果
の問題が発生する。
繰り返し部２０を多数配置することでセルアレイ１８を
構成する半導体デバイスの場合、半導体ウエハ１１上に
描画されるセルアレイ１８の中心部とセルアレイ１８の
端部とではパターンの密度が異なるため（セルアレイ端
部の周辺にはパターンが形成されないため）、レジスト
上に転写されたパターン寸法が異なるいわゆる近接効果
の問題が発生する。
【００１２】図９は図８に示したセルアレイを描画する
場合のアレイ端からの距離に対するレジスト上に形成さ
れるパターンの線幅Ｌ1 の関係を示したグラフである。
場合のアレイ端からの距離に対するレジスト上に形成さ
れるパターンの線幅Ｌ1 の関係を示したグラフである。
【００１３】図９に示すように、アレイ中心部のパター
ンの線幅Ｌ1 が０．２μｍになるように電子ビーム露光
装置の露光量を設定すると、アレイ端部では０．１μｍ
以下の線幅になってしまう。特に、図形一括描画方式は
１ショット中の露光量を変えることができないため近接
効果の影響が多大であり、これを補正することは重要で
ある。
ンの線幅Ｌ1 が０．２μｍになるように電子ビーム露光
装置の露光量を設定すると、アレイ端部では０．１μｍ
以下の線幅になってしまう。特に、図形一括描画方式は
１ショット中の露光量を変えることができないため近接
効果の影響が多大であり、これを補正することは重要で
ある。
【００１４】近接効果の影響を補正するには、例えば特
開平４−２６１０１２号公報、および特開平５−３３５
２２１号公報に開示された方法がある。
開平４−２６１０１２号公報、および特開平５−３３５
２２１号公報に開示された方法がある。
【００１５】特開平４−２６１０１２号公報には、図１
０（ａ）に示すように第２のマスク２６の中心部にアレ
イ中心部に対応する中心部用開口パターン２６Ｇを設
け、それとは別に、アレイ端部に対応する開口寸法を大
きくした端部用開口パターン２６Ｈ〜２６Ｏを形成した
マスクが提案されている。なお、このマスク基体の厚さ
ｔ0 は一定である。
０（ａ）に示すように第２のマスク２６の中心部にアレ
イ中心部に対応する中心部用開口パターン２６Ｇを設
け、それとは別に、アレイ端部に対応する開口寸法を大
きくした端部用開口パターン２６Ｈ〜２６Ｏを形成した
マスクが提案されている。なお、このマスク基体の厚さ
ｔ0 は一定である。
【００１６】また、特開平５−３３５２２１号公報で
は、目的とする主露光パターンに補助露光パターンを重
ねて近接効果を補正する、いわゆるＧＨＯＳＴ露光方法
を図形一括描画方式に応用した電子線露光方法が提案さ
れている。これは図１１に示すように、第２のマスク３
６に、主露光用開口３６Ｐと補助露光用開口３６Ｑとを
設け、近接効果補正用の補助露光のショット数を削減し
ようとするものである。
は、目的とする主露光パターンに補助露光パターンを重
ねて近接効果を補正する、いわゆるＧＨＯＳＴ露光方法
を図形一括描画方式に応用した電子線露光方法が提案さ
れている。これは図１１に示すように、第２のマスク３
６に、主露光用開口３６Ｐと補助露光用開口３６Ｑとを
設け、近接効果補正用の補助露光のショット数を削減し
ようとするものである。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
ような従来の近接効果の影響を補正する方法のうち、特
開平４−２６１０１２号公報に記載された方法は、１チ
ップ分のパターンを１ショットで描画する図形一括描画
方式に適用できないという問題があった。
ような従来の近接効果の影響を補正する方法のうち、特
開平４−２６１０１２号公報に記載された方法は、１チ
ップ分のパターンを１ショットで描画する図形一括描画
方式に適用できないという問題があった。
【００１８】また、特開平５−３３５２２１号公報に示
された方法では、補助露光の分だけショット数が増大
し、スループットの低下をもたらすという問題があっ
た。
された方法では、補助露光の分だけショット数が増大
し、スループットの低下をもたらすという問題があっ
た。
【００１９】本発明は上記したような従来の技術が有す
る問題点を解決するためになされたものであり、１チッ
プ分のパターンを１ショットで描画する図形一括描画方
式にも適用可能な、近接効果の影響を補正することがで
きるマスク及びそれを用いた電子線露光方法を提供する
ことを目的とする。
る問題点を解決するためになされたものであり、１チッ
プ分のパターンを１ショットで描画する図形一括描画方
式にも適用可能な、近接効果の影響を補正することがで
きるマスク及びそれを用いた電子線露光方法を提供する
ことを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のマスクは、所望のパターン形状に開口された開
口パターンを有し、電子ビームのショット毎に前記開口
パターンに対応する潜像パターンをレジストの所定の領
域に形成する電子線露光方法で用いられるマスクであっ
て、前記開口パターンの密度に応じて、マスク基体を透
過させる電子線量を変化させる手段を有することを特徴
とする。
本発明のマスクは、所望のパターン形状に開口された開
口パターンを有し、電子ビームのショット毎に前記開口
パターンに対応する潜像パターンをレジストの所定の領
域に形成する電子線露光方法で用いられるマスクであっ
て、前記開口パターンの密度に応じて、マスク基体を透
過させる電子線量を変化させる手段を有することを特徴
とする。
【００２１】このとき、電子線量を変化させる手段は、
マスク基体の厚さを変化させるものである。
マスク基体の厚さを変化させるものである。
【００２２】また、本発明の電子線露光方法は、電子ビ
ームをショットする毎に、所望のパターン形状に開口さ
れた開口パターンに対応する潜像パターンをレジストの
所定の領域に形成する電子線露光方法であって、前記開
口パターンが形成され、前記開口パターンの密度に応じ
てマスク基体を透過する電子線量を変化させるマスクを
用いて露光を行うことを特徴とする。
ームをショットする毎に、所望のパターン形状に開口さ
れた開口パターンに対応する潜像パターンをレジストの
所定の領域に形成する電子線露光方法であって、前記開
口パターンが形成され、前記開口パターンの密度に応じ
てマスク基体を透過する電子線量を変化させるマスクを
用いて露光を行うことを特徴とする。
【００２３】このとき、マスクはマスク基体の厚さを変
化させることでマスク基体を透過する電子線量を変化さ
せるものである。
化させることでマスク基体を透過する電子線量を変化さ
せるものである。
【００２４】上記のように構成されたマスクは、開口パ
ターンの密度に応じて、マスク基体を透過させる電子線
量を変化させる手段を有することで、非開口部を透過す
る電子線量を制御することができる。したがって、開口
パターンが密になる部位では透過させる電子量を少なく
することができ、開口パターンが粗になる部位では透過
させる電子量を多くすることができる。よって、レジス
トに形成されるパターン寸法が領域によって異なる近接
効果の影響を補正することができる。
ターンの密度に応じて、マスク基体を透過させる電子線
量を変化させる手段を有することで、非開口部を透過す
る電子線量を制御することができる。したがって、開口
パターンが密になる部位では透過させる電子量を少なく
することができ、開口パターンが粗になる部位では透過
させる電子量を多くすることができる。よって、レジス
トに形成されるパターン寸法が領域によって異なる近接
効果の影響を補正することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２６】なお、以下では１チップ分のパターンを１
度のショットで露光する図形一括描画方式の場合で説明
する。
度のショットで露光する図形一括描画方式の場合で説明
する。
【００２７】（第１実施例）図１は本発明のマスクの構
造を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は
Ａ−Ａ’線から見た断面図である。なお、図１は図６に
示した電子ビーム露光装置の第２のマスクの構造を示す
図であり、図８に示した基本繰り返し部が多数配置され
るセルアレイを形成する際に用いられる。
造を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は
Ａ−Ａ’線から見た断面図である。なお、図１は図６に
示した電子ビーム露光装置の第２のマスクの構造を示す
図であり、図８に示した基本繰り返し部が多数配置され
るセルアレイを形成する際に用いられる。
【００２８】図１（ａ）において、本発明の第２のマス
ク４６には、多数の基本開口４０からなる１チップ分の
開口パターンが形成されている。ここで、図１（ｂ）に
示すように、第２のマスク４６のマスク基体の厚さは開
口パターンの密度によって変化し、図１（ｂ）ではマス
ク中心部が最も厚く、マスク端部に向って薄くなるよう
に形成されている。
ク４６には、多数の基本開口４０からなる１チップ分の
開口パターンが形成されている。ここで、図１（ｂ）に
示すように、第２のマスク４６のマスク基体の厚さは開
口パターンの密度によって変化し、図１（ｂ）ではマス
ク中心部が最も厚く、マスク端部に向って薄くなるよう
に形成されている。
【００２９】このように、開口パターンの密度に応じて
マスク基体の厚さを変えることで、非開口部位を透過す
る電子線量を制御することが可能になり、開口パターン
が密になるアレイ中心部に対応するマスク部位では透過
電子量を少なくし、開口パターンが粗になるアレイ端部
に対応するマスク部位では透過電子量を多くすることが
できる。したがって、アレイ中心部及びアレイ端部で同
等のパターン寸法を得ることができ、近接効果の影響を
補正することができる。さらに、このような第２のマス
ク４６を有することで、基本繰り返し部が多数配置され
たセルアレイ、すなわち１チップ分のパターンを１回の
ショットで１度に露光できるので、スループットを向上
させることができる。
マスク基体の厚さを変えることで、非開口部位を透過す
る電子線量を制御することが可能になり、開口パターン
が密になるアレイ中心部に対応するマスク部位では透過
電子量を少なくし、開口パターンが粗になるアレイ端部
に対応するマスク部位では透過電子量を多くすることが
できる。したがって、アレイ中心部及びアレイ端部で同
等のパターン寸法を得ることができ、近接効果の影響を
補正することができる。さらに、このような第２のマス
ク４６を有することで、基本繰り返し部が多数配置され
たセルアレイ、すなわち１チップ分のパターンを１回の
ショットで１度に露光できるので、スループットを向上
させることができる。
【００３０】なお、図１（ａ）ではＡ−Ａ’線に沿って
基本開口４０が一列に配置された様子のみを示している
が、基本開口４０は図の縦方向にも同様に配置され、そ
の方向のマスク基体の厚さは図１（ｂ）と同様に開口パ
ターンの密度に応じて変えらている。
基本開口４０が一列に配置された様子のみを示している
が、基本開口４０は図の縦方向にも同様に配置され、そ
の方向のマスク基体の厚さは図１（ｂ）と同様に開口パ
ターンの密度に応じて変えらている。
【００３１】次に、図１に示した第２のマスク４６のマ
スク基体の厚さを設計する手順について説明する。
スク基体の厚さを設計する手順について説明する。
【００３２】まず、描画対象のパターンを一定の大きさ
を有する領域に分割し、この領域内に存在するパターン
の密度を計算する。次に、このパターン密度から近接効
果の補正に必要な補助露光量を算出し、図２に示すよう
なグラフを作成する。図２は図８に示したセルアレイを
形成する場合のアレイ端からの距離に対する近接効果を
補正するための補助露光に必要なエネルギーを示したグ
ラフである。
を有する領域に分割し、この領域内に存在するパターン
の密度を計算する。次に、このパターン密度から近接効
果の補正に必要な補助露光量を算出し、図２に示すよう
なグラフを作成する。図２は図８に示したセルアレイを
形成する場合のアレイ端からの距離に対する近接効果を
補正するための補助露光に必要なエネルギーを示したグ
ラフである。
【００３３】次に、マスク基体の厚さｔを変化させたと
きの、マスク基体を透過する透過電子量の関係を求め、
図３に示すようなグラフを作成する。図３はマスク基体
の厚さに対するマスク基体を透過する電子量の関係を示
すグラフである。
きの、マスク基体を透過する透過電子量の関係を求め、
図３に示すようなグラフを作成する。図３はマスク基体
の厚さに対するマスク基体を透過する電子量の関係を示
すグラフである。
【００３４】したがって、図２および図３に示したグラ
フから近接効果の補正に必要な補助露光エネルギーに対
応したマスク基体の厚さを算出することができる。
フから近接効果の補正に必要な補助露光エネルギーに対
応したマスク基体の厚さを算出することができる。
【００３５】例えば、図８に示したようなセルアレイ１
８のパターンに対して、マスク基体の厚さを設計する場
合、マスク基体の厚さは、ｔ0 ＝２０μｍ、ｔ1 ＝１
３．５μｍ、ｔ2 ＝１１．２μｍ、ｔ3 ＝８．８μｍと
なる。
８のパターンに対して、マスク基体の厚さを設計する場
合、マスク基体の厚さは、ｔ0 ＝２０μｍ、ｔ1 ＝１
３．５μｍ、ｔ2 ＝１１．２μｍ、ｔ3 ＝８．８μｍと
なる。
【００３６】通常、第２のマスク４６はＳｉを用いて作
成される。したがって、このようなマスクの厚さを変化
させる構造は半導体の製造プロセスを用いて得ることが
できる。
成される。したがって、このようなマスクの厚さを変化
させる構造は半導体の製造プロセスを用いて得ることが
できる。
【００３７】図１に示したような第２のマスク４６を用
いて露光を行った結果、図８に示したセルアレイのアレ
イ中心部とアレイ端部の寸法誤差を設計値Ｌ1 ＝０．２
μｍの±５％以下にすることができた。
いて露光を行った結果、図８に示したセルアレイのアレ
イ中心部とアレイ端部の寸法誤差を設計値Ｌ1 ＝０．２
μｍの±５％以下にすることができた。
【００３８】（第２実施例）本実施例の第２のマスクは
図４に示すようなセルアレイ１９を形成する際に用いら
れるものであり、マスク基体の厚さが第１実施例と異な
っている。なお、第２のマスクの構造は第１実施例と同
様であるため、その説明は省略する。
図４に示すようなセルアレイ１９を形成する際に用いら
れるものであり、マスク基体の厚さが第１実施例と異な
っている。なお、第２のマスクの構造は第１実施例と同
様であるため、その説明は省略する。
【００３９】図４は本発明のマスクの第２実施例を用い
て形成されるセルアレイの構成を示す平面図である。
て形成されるセルアレイの構成を示す平面図である。
【００４０】図４に示すようなセルアレイを形成するた
めに第２のマスクのマスク基体の厚さを設計する際に
は、まず近接効果の補正に必要な補助露光量を算出し、
図５に示すようなグラフを作成する。図５は図４に示し
たセルアレイを形成する場合のアレイ端からの距離に対
する補助露光に必要なエネルギーを示したグラフであ
る。
めに第２のマスクのマスク基体の厚さを設計する際に
は、まず近接効果の補正に必要な補助露光量を算出し、
図５に示すようなグラフを作成する。図５は図４に示し
たセルアレイを形成する場合のアレイ端からの距離に対
する補助露光に必要なエネルギーを示したグラフであ
る。
【００４１】したがって、第１実施例で用いた図３およ
び図５に示したグラフから近接効果補正に必要な補助露
光エネルギーに対応したマスク基体の厚さを算出するこ
とができる。ここで、本実施例の第２のマスクのマスク
基体の厚さはｔ0 ＝２０μｍ、ｔ1 ＝１８μｍ、ｔ2 ＝
１７μｍ、ｔ3 ＝１６．５μｍとなる。
び図５に示したグラフから近接効果補正に必要な補助露
光エネルギーに対応したマスク基体の厚さを算出するこ
とができる。ここで、本実施例の第２のマスクのマスク
基体の厚さはｔ0 ＝２０μｍ、ｔ1 ＝１８μｍ、ｔ2 ＝
１７μｍ、ｔ3 ＝１６．５μｍとなる。
【００４２】このようにして設計した第２のマスクを用
いて露光を行った結果、図４に示したセルアレイのアレ
イ中心部とアレイ端部の寸法誤差を設計値ｄ1 ＝０．２
μｍの±５％以下にすることができた。
いて露光を行った結果、図４に示したセルアレイのアレ
イ中心部とアレイ端部の寸法誤差を設計値ｄ1 ＝０．２
μｍの±５％以下にすることができた。
【００４３】なお、上記各実施例では、電子線を用いた
露光方法を例にして説明したが、イオンビーム等その他
の荷電粒子を用いた露光方法にも本発明は適用できる。
また、基本繰り返し部だけでなく、その周辺に設けられ
る回路等に対しても、パターン密度に応じて第２のマス
クのマスク基体の厚さを変えれば近接効果の影響を補正
することができる。
露光方法を例にして説明したが、イオンビーム等その他
の荷電粒子を用いた露光方法にも本発明は適用できる。
また、基本繰り返し部だけでなく、その周辺に設けられ
る回路等に対しても、パターン密度に応じて第２のマス
クのマスク基体の厚さを変えれば近接効果の影響を補正
することができる。
【００４４】さらに、任意の領域内のパターンを繰り返
し露光することで１チップ分のパターンを露光する図形
一括描画方式の場合、アレイ中心部用、及びアレイ端部
用の開口パターンをそれぞれ設け、それらのマスク基体
の厚さをパターン密度に応じて変えれば、本発明と同様
に近接効果の影響を防止することができる。
し露光することで１チップ分のパターンを露光する図形
一括描画方式の場合、アレイ中心部用、及びアレイ端部
用の開口パターンをそれぞれ設け、それらのマスク基体
の厚さをパターン密度に応じて変えれば、本発明と同様
に近接効果の影響を防止することができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載する効果を奏する。
いるので、以下に記載する効果を奏する。
【００４６】開口パターンの密度に応じてマスク基体を
透過させる電子線量を変化させる手段を有することで、
レジストに形成されるパターン寸法が位置によって異な
る近接効果の影響を補正することができる。
透過させる電子線量を変化させる手段を有することで、
レジストに形成されるパターン寸法が位置によって異な
る近接効果の影響を補正することができる。
【００４７】さらに、マスク基体の厚さを変化させ、マ
スク基体を透過させる電子線量を変化させるで、基本繰
り返し部が多数配置されたセルアレイ、すなわち１チッ
プ分のパターンを１回のショットで１度に露光できるの
で、スループットを向上させることができる。
スク基体を透過させる電子線量を変化させるで、基本繰
り返し部が多数配置されたセルアレイ、すなわち１チッ
プ分のパターンを１回のショットで１度に露光できるの
で、スループットを向上させることができる。
【図１】本発明のマスクの構造を示す図であり、同図
（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ’線から見た断面
図である。
（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＡ−Ａ’線から見た断面
図である。
【図２】図８に示したセルアレイを形成する場合のアレ
イ端からの距離に対する補助露光に必要なエネルギーを
示すグラフである。
イ端からの距離に対する補助露光に必要なエネルギーを
示すグラフである。
【図３】マスク基体の厚さに対するマスク基体を透過す
る電子量の関係を示すグラフである。
る電子量の関係を示すグラフである。
【図４】本発明のマスクの第２実施例を用いて形成され
るセルアレイの構成を示す平面図である。
るセルアレイの構成を示す平面図である。
【図５】図４に示したセルアレイを形成する場合のアレ
イ端からの距離に対する補助露光に必要なエネルギーを
示したグラフである。
イ端からの距離に対する補助露光に必要なエネルギーを
示したグラフである。
【図６】電子ビーム露光装置の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図７】図６に示す第２のマスク上の形成される開口パ
ターン一例を示す平面図である。
ターン一例を示す平面図である。
【図８】図６に示す第２のマスクを用いて形成されるセ
ルアレイの構成を示す平面図である。
ルアレイの構成を示す平面図である。
【図９】図８に示したセルアレイを描画する場合のアレ
イ端からの距離に対するレジスト上に形成されるパター
ンの線幅Ｌ1 の関係を示したグラフである。
イ端からの距離に対するレジスト上に形成されるパター
ンの線幅Ｌ1 の関係を示したグラフである。
【図１０】従来の近接効果の影響の補正方法を説明する
図であり、中心部用開口パターン及び端部部用開口パタ
ーンを設けたマスクを示す平面図である。
図であり、中心部用開口パターン及び端部部用開口パタ
ーンを設けたマスクを示す平面図である。
【図１１】従来の近接効果の影響の補正方法を説明する
図であり、主露光用開口及び補助露光用開口を設けたマ
スクを示す平面図である。
図であり、主露光用開口及び補助露光用開口を設けたマ
スクを示す平面図である。
１９ セルアレイ ２１ 基本繰り返し部 ４０ 基本開口 ４６ 第２のマスク
Claims (4)
- 【請求項１】 所望のパターン形状に開口された開口パ
ターンを有し、 電子ビームのショット毎に前記開口パターンに対応する
潜像パターンをレジストの所定の領域に形成する電子線
露光方法で用いられるマスクであって、 前記開口パターンの密度に応じて、マスク基体を透過さ
せる電子線量を変化させる手段を有することを特徴とす
るマスク。 - 【請求項２】 請求項１に記載のマスクにおいて、 電子線量を変化させる手段は、 マスク基体の厚さを変化させることであることを特徴と
するマスク。 - 【請求項３】 電子ビームをショットする毎に、所望の
パターン形状に開口された開口パターンに対応する潜像
パターンをレジストの所定の領域に形成する電子線露光
方法であって、 前記開口パターンが形成され、前記開口パターンの密度
に応じてマスク基体を透過する電子線量を変化させるマ
スクを用いて露光を行うことを特徴とする電子線露光方
法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の電子線露光方法におい
て、 マスクは、マスク基体の厚さを変化させることでマスク
基体を透過する電子線量を変化させることを特徴とする
電子線露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8000797A JP2874688B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 |
| US09/050,943 US6001511A (en) | 1997-03-31 | 1998-03-31 | Mask for use in a projection electron beam exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8000797A JP2874688B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10274841A JPH10274841A (ja) | 1998-10-13 |
| JP2874688B2 true JP2874688B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=13706283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8000797A Expired - Fee Related JP2874688B2 (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6001511A (ja) |
| JP (1) | JP2874688B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI562186B (en) * | 2010-11-13 | 2016-12-11 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle lithography system and method for transferring a pattern onto a surface of a target and modulation device for use in a charged particle lithography system |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6355383B1 (en) | 1999-02-24 | 2002-03-12 | Nec Corporation | Electron-beam exposure system, a mask for electron-beam exposure and a method for electron-beam exposure |
| JP3360725B2 (ja) | 1999-10-19 | 2002-12-24 | 日本電気株式会社 | 電子線露光方法、並びにこれに用いるマスク及び電子線露光装置 |
| JP3274448B2 (ja) * | 2000-01-26 | 2002-04-15 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | ステンシルマスクの製造方法 |
| WO2001075947A1 (fr) * | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Advantest Corporation | Appareil d'exposition multifaisceau comprenant une lentille elctronique multi-axiale, une lentille electronique multi-axiale pour la focalisation de faisceaux d'electrons, et procede de fabrication de dispositif semi-conducteur |
| JP2007088385A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Advantest Corp | 電子ビーム露光用マスク、電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
| WO2012062854A1 (en) | 2010-11-13 | 2012-05-18 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system and method of refracting |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2906658B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1999-06-21 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
| JPH05335221A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子線露光法および露光装置 |
| US5723233A (en) * | 1996-02-27 | 1998-03-03 | Lsi Logic Corporation | Optical proximity correction method and apparatus |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8000797A patent/JP2874688B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-31 US US09/050,943 patent/US6001511A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI562186B (en) * | 2010-11-13 | 2016-12-11 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle lithography system and method for transferring a pattern onto a surface of a target and modulation device for use in a charged particle lithography system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10274841A (ja) | 1998-10-13 |
| US6001511A (en) | 1999-12-14 |
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|---|---|---|---|
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