JP2830854B2 - 電子ビーム用マスクおよび露光方法 - Google Patents
電子ビーム用マスクおよび露光方法Info
- Publication number
- JP2830854B2 JP2830854B2 JP8215626A JP21562696A JP2830854B2 JP 2830854 B2 JP2830854 B2 JP 2830854B2 JP 8215626 A JP8215626 A JP 8215626A JP 21562696 A JP21562696 A JP 21562696A JP 2830854 B2 JP2830854 B2 JP 2830854B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- electron beam
- region
- design rule
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31777—Lithography by projection
- H01J2237/31788—Lithography by projection through mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31793—Problems associated with lithography
- H01J2237/31794—Problems associated with lithography affecting masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
を一括して転写する電子ビーム、すなわち荷電粒子ビー
ム露光に用いる電子ビーム露光用マスクとその露光方法
に関するものである。
トが要求されており、これは微細パターンを半導体ウェ
ハ上に形成するリソグラフィにおいても例外ではない。
このため、紫外光を用いる光リソグラフィやX線を用い
るX線リソグラフィばかりでなく、電子線を用いる電子
線リソグラフィにおいても、光用マスクやX線用マスク
と同様に予め所望パターンが形成された電子ビームマス
クを使用する転写法が提案されている。この転写法で使
用する電子ビーム用マスクには、通常、可変成型用の開
口とデバイス設計データから抽出された繰り返しパター
ンの開口が複数個形成されている。
ム用マスク100のマスク基板101には、マスク基板
101を所望のパターンに開口して形成した複数個の部
分一括描画用のパターン102が配置されている。そし
て、パターン転写の際には、転写するパターンデータに
合わせてビーム偏向器で電子ビームを偏向し、選択され
たパターンに電子ビームを投射して、その開口パターン
の転写を行っている。ここで、従来の電子ビーム用マス
クの製作に当たっては、マスク上のパターンの配置レイ
アウトは製作者に一任されており、特定の条件に従って
いるわけではない。
を用いて、図4に点描枠で示したようなマスクの外周領
域に配置されている開口のパターン102bを転写する
場合には、同図に白抜き枠で示したようなマスク中心領
域に配置された開口のパターン102aを描画する場合
に比べて、図5に示すように、電子ビームEBを大きく
偏向する必要がある。そのため、光学系の光軸中心から
離れたマスク外周部でビーム偏向量が大きくなり、ビー
ム偏向歪みや収差が大きくなり、マスク外周部の開口パ
ターン102bのパターン転写位置精度が低下され易い
という問題がある。
ではこの偏向歪み、収差を減少させる方向のアプローチ
が数多く検討されてきている。例えば、特開平7−20
1701号公報、特開平7−142321号公報。しか
しながら、これらの技術では、電子ビームの偏向光学系
に手を加えるために、装置の複雑化をまねくとともに、
これらの要因を完全に取り除くことは困難である。特
に、半導体デバイスは近年ますます微細化が進み、パタ
ーン転写時の転写精度もますます厳しくなっており、こ
の要求に応え得る精度を得ることは困難である。
収差にかかわらず、要求される転写精度を満たすことが
可能な電子ビーム用マスクおよび電子ビーム露光方法を
提供することにある。
スクは、電子ビーム露光装置の光学系の光軸中心に対応
する領域には設計ルールの厳しいパターンを配置し、そ
の周辺領域には設計ルールの緩やかなパターンを配置し
たことを特徴とする。例えば、マスク基板に複数のパタ
ーンが配置されており、これらパターンのうち設計ルー
ルの厳しいパターンは、設計ルールの緩やかなパターン
よりもマスク基板の中心側に配置された構成とする。特
に、マスク基板が矩形に形成された場合には、複数のパ
ターンは枡目状に配置され、その中心領域から外周領域
に向けてパターンの設計ルールが徐々に緩やかにされた
構成とされる。
を偏向しながらマスクの中心領域から周辺領域に投射
し、このマスクに形成されているパターンを露光体に転
写するに際し、電子ビームの偏向角度が小さい領域では
マスクに形成されている設計ルールの厳しいパターンを
転写し、電子ビームの偏向角度が大きい領域ではマスク
に形成されている設計ルールの緩やかなパターンを転写
することを特徴としている。
図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施形態で
ある荷電粒子ビーム用マスク、ここでは電子ビーム用マ
スクに適用したマスクパターンを示している。このマス
ク1は矩形のマスク基板2に、複数個の部分一括パター
ン3が枡目状に配置されており、このマスク1は、図2
に示すような電子ビーム露光装置10で用いられる。こ
の電子ビーム露光装置10は、電子ビームEBを発生さ
せる電子銃等の電子ビーム発生部11と、発生された電
子ビームEBの光軸をX方向及びY方向に偏向させる偏
向部12と、偏向された電子ビームが投射されるマスク
載置部13と、露光体としての半導体ウェハが載置され
るウェハ載置部14とを備えており、前記マスク載置部
13に前記したマスク1が載置され、このマスク1を透
過された電子ビームEBがウェハ載置部15に載置され
た半導体ウェハ20の表面の電子線レジストに照射され
て前記マスクのパターンを転写するように構成されてい
る。
ターン3は、その要求されるパターンに対応してその設
計ルール、すなわち位置精度がそれぞれ相違されている
が、これらのパターンをマスク基板2に配置するに際し
ては、その設計ルールが厳しい、あるいは極めて厳しい
位置精度の要求されるパターン(ファインパターン)3
aを中心側の領域に配置している。例えば、微細メモリ
等で厳しい位置精度を要求される下地のコンタクトパタ
ーンや、0.2μm以下の設計ルールのパターン等がこ
れらに該当する。
ルールが緩い、あるいは比較的厳しい位置精度の要求さ
れないパターン(ラフパターン)3bを配置する。例え
ば、微細メモリ等でも上地の配線パターンやコンタクト
パターン、あるいは0.2μm以上の設計ルールのパタ
ーン等がこれらに該当する。なお、図1はメモリデバイ
スパターンの例であり、ファインパターンとしてセルア
レイパターン、ラフパターンとしてその周辺回路パター
ンを配置した場合である。
製する場合のパターン配置方法をフローチャートで示し
たものである。デバイスの設計データより抽出された複
数の部分一括パターンは、このフローチャートに従って
マスク基板上に配置される。すなわち、複数のパターン
の各設計ルールを判断し、0.2μm以下と、以上とに
区分けする。そして、0.2μm以上の場合でも、位置
精度が厳しく要求される下地工程用のパターン、例えば
ゲート・コンタクト等のパターンは0.2μm以下の方
に区分する。その上で、0.2μm以下のパターンから
1つを選択してマスク基板の中央に配置し、以下1つず
つ選択してこの中央のパターンの周囲に順次配置する。
この0.2μm以下のパターンの配置が終了した後に、
0.2μm以上のパターンをその周囲に配置する。これ
により、図1に示したようなマスクが形成される。
示す電子ビーム露光装置により露光を行うと、偏向され
ない電子ビームEBはマスク1の中心部位に投射され、
この中心位置のパターン3aを半導体ウェハ20に転写
することが可能となる。また、その周囲に配置されてい
る同じく設計ルールの厳しい他のパターン3aに対して
は電子ビームの偏向角度が小さい状態でパターン転写を
行うことができる。これにより、マスクの中央領域およ
びその近傍周囲の領域のパターン3aは、電子ビームの
偏向歪みや収差が小さく状態でのパターン転写が行わ
れ、要求される厳しい位置精度に適応した転写が実現で
きる。
転写する際には、電子ビームの偏向角度が大きくなり、
偏向歪みや収差も大きなものとなる。この領域は図1に
斜線で示す領域である。このため、マスク周辺部のパタ
ーン3bを転写することによりその位置精度は低下され
る。しかしながら、マスク周辺部のパターン3bは、そ
の設計ルールが緩やかであるため、電子ビームの偏向歪
みや収差による位置精度は許容可能な範囲となり、この
条件下でのパターン転写によっても問題が生じることは
ない。
域と周辺領域とで2つの領域に分け、かつパターンの設
計ルールも0.2μmを基準にして区分けしているが、
実際の電子ビームの偏向歪や収差は、光軸から周辺部に
向けて連続的に変化されるため、マスクの中心領域から
周辺領域に向けて3以上の複数領域に区分し、設計ルー
ルの程度に応じて順次中心領域から周辺領域へと各パタ
ーンを配置するようにすればよい。
ム露光装置の光学系の光軸中心に対応する領域には設計
ルールの厳しいパターンを配置し、その周辺領域には設
計ルールの緩やかなパターンを配置しているので、電子
ビームの偏向歪が小さい状態では設計ルールの厳しいパ
ターンの転写が可能となり、電子ビームの偏向歪が大き
い状態では設計ルールの緩やかなパターンの転写が行わ
れるため、特に設計ルールの厳しいパターンの転写を高
い位置精度で行うことができる。また、その一方で、設
計ルールの緩やかなパターン転写は電子ビームの偏向歪
によっても実際上の影響が少ないため、パターン転写に
際して問題が生じることは殆ど無い。これにより、電子
ビーム露光装置の構造を複雑化することなく、簡易な露
光装置を用いて高い位置精度のパターン露光が実現でき
る。
図である。
構成図である。
するためのフローチャートである。
略平面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 電子ビーム等の荷電粒子ビームを偏向さ
せながらマスクに投射し、このマスクに形成されたパタ
ーンに対応するパターンを露光体に転写する電子ビーム
露光装置に用いられる電子ビーム用マスクにおいて、前
記電子ビーム露光装置の光学系の光軸中心に対応する領
域には設計ルールの厳しいパターンを配置し、その周辺
領域には設計ルールの緩やかなパターンを配置したこと
を特徴とする電子ビーム用マスク。 - 【請求項2】 マスク基板に複数のパターンが配置され
ており、これらパターンのうち設計ルールの厳しいパタ
ーンは、設計ルールの緩やかなパターンよりもマスク基
板の中心側に配置されてなる請求項1の電子ビーム用マ
スク。 - 【請求項3】 マスクは矩形に形成され、複数のパター
ンは枡目状に配置され、その中心領域から外周領域に向
けてパターンの設計ルールが徐々に緩やかにされてなる
請求項2の電子ビーム用マスク。 - 【請求項4】 電子ビームを偏向しながらマスクの中心
領域から周辺領域に投射し、このマスクに形成されてい
るパターンを露光体に転写する電子ビーム露光方法にお
いて、前記電子ビームの偏向角度が小さい領域ではマス
クに形成されている設計ルールの厳しいパターンを転写
し、電子ビームの偏向角度が大きい領域ではマスクに形
成されている設計ルールの緩やかなパターンを転写する
ことを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8215626A JP2830854B2 (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | 電子ビーム用マスクおよび露光方法 |
US08/910,424 US5968686A (en) | 1996-08-15 | 1997-08-13 | Charged-beam exposure mask and charged-beam exposure method |
TW086111646A TW398043B (en) | 1996-08-15 | 1997-08-14 | An electron-beam exposure mask and method |
KR1019970038868A KR100282281B1 (ko) | 1996-08-15 | 1997-08-14 | 하전 비임 노광 마스크 및 하전 비임 노광 방법 |
CN97116763A CN1086512C (zh) | 1996-08-15 | 1997-08-15 | 带电束曝光掩模及带电束曝光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8215626A JP2830854B2 (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | 電子ビーム用マスクおよび露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1064783A JPH1064783A (ja) | 1998-03-06 |
JP2830854B2 true JP2830854B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=16675524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8215626A Expired - Fee Related JP2830854B2 (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | 電子ビーム用マスクおよび露光方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5968686A (ja) |
JP (1) | JP2830854B2 (ja) |
KR (1) | KR100282281B1 (ja) |
CN (1) | CN1086512C (ja) |
TW (1) | TW398043B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6610988B1 (en) | 1999-10-18 | 2003-08-26 | Nec Electronics Corporation | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6218237B1 (en) | 1996-01-03 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a capacitor |
KR20000004534A (ko) * | 1998-06-30 | 2000-01-25 | 김영환 | 반도체 소자의 셀 프로젝션 마스크(cpm) 제조방법 |
JP2000031885A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-01-28 | Ntt Mobil Communication Network Inc | 移動局正常接続確認方法 |
US7253445B2 (en) * | 1998-07-28 | 2007-08-07 | Paul Heremans | High-efficiency radiating device |
US6504180B1 (en) * | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
US6214687B1 (en) | 1999-02-17 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a capacitor and a capacitor construction |
JP2000299266A (ja) * | 1999-04-12 | 2000-10-24 | Canon Inc | X線マスク、およびx線マスク作製方法 |
KR101120963B1 (ko) * | 2003-09-19 | 2012-03-13 | 후지필름 가부시키가이샤 | 염료함유 네가티브형 경화성 조성물, 컬러필터 및 그제조방법 |
US20050154109A1 (en) * | 2004-01-12 | 2005-07-14 | Minyu Li | Floor finish with lightening agent |
KR100584688B1 (ko) | 2005-02-07 | 2006-05-29 | 한국조폐공사 | 전자빔 마스크를 이용한 보안 이미지 형성 방법 |
KR20110101904A (ko) * | 2010-03-10 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 이온 도핑 장치 및 도핑 방법 |
KR101182239B1 (ko) * | 2010-03-17 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체 |
KR101156442B1 (ko) * | 2010-04-29 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 마스크 프레임 조립체 |
KR101820020B1 (ko) * | 2011-04-25 | 2018-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04137520A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | 電子線描画装置および描画方法 |
JPH07142321A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-06-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置の偏向量補正方法 |
US5674413A (en) * | 1993-12-23 | 1997-10-07 | International Business Machines Corporation | Scattering reticle for electron beam systems |
JPH07201701A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光装置および露光方法 |
-
1996
- 1996-08-15 JP JP8215626A patent/JP2830854B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-08-13 US US08/910,424 patent/US5968686A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-14 TW TW086111646A patent/TW398043B/zh active
- 1997-08-14 KR KR1019970038868A patent/KR100282281B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-08-15 CN CN97116763A patent/CN1086512C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6610988B1 (en) | 1999-10-18 | 2003-08-26 | Nec Electronics Corporation | Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1064783A (ja) | 1998-03-06 |
CN1086512C (zh) | 2002-06-19 |
KR100282281B1 (ko) | 2001-04-02 |
US5968686A (en) | 1999-10-19 |
KR19980018691A (ko) | 1998-06-05 |
TW398043B (en) | 2000-07-11 |
CN1174402A (zh) | 1998-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7459705B2 (en) | Charged particle beam exposure method of character projection system, charged particle beam exposure device of character projection system, program for use in charged particle beam exposure device, and manufacturing method of semiconductor device | |
JP2830854B2 (ja) | 電子ビーム用マスクおよび露光方法 | |
US9690201B2 (en) | Drawing method and method of manufacturing article | |
JP3085454B2 (ja) | 荷電粒子線露光方法 | |
US5334282A (en) | Electron beam lithography system and method | |
JP3647128B2 (ja) | 電子ビーム露光装置とその露光方法 | |
KR100581478B1 (ko) | 마이크로컬럼 어레이를 이용한 반도체 다이의 직기입 방법및 장치 | |
KR100339140B1 (ko) | 전자빔 노출 장치 | |
KR100253052B1 (ko) | 패턴형성방법 및 패턴형성장치 | |
US6503671B1 (en) | Electron beam writing method | |
US6258511B1 (en) | Charged particle beam exposure method utilizing partial exposure stitch area | |
US6218060B1 (en) | Electron beam exposure method and electron beam exposure apparatus | |
JPH09288991A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
US6433347B1 (en) | Charged-particle-beam projection-exposure methods and apparatus that selectively expose desired exposure units of a reticle pattern | |
EP0688036B1 (en) | Method for transferring patterns with charged particle beam | |
US7029799B2 (en) | Exposure method for forming pattern for IC chips on reticle by use of master masks | |
JP2874688B2 (ja) | マスク及びそれを用いた電子線露光方法 | |
JP3314762B2 (ja) | 電子線露光用マスク及びこれを用いる電子線露光方法と電子線露光装置並びにデバイスの製造方法 | |
JP3173162B2 (ja) | 透過マスク板 | |
US6335127B1 (en) | Charged beam mask having strut wider than charged beam, with shape that matches charged beam | |
JP3080006B2 (ja) | 電子ビーム露光補正方法 | |
JP2002222750A (ja) | 電子ビーム転写用マスク | |
JP2001015428A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
JP3728315B2 (ja) | 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光方法、および、デバイス製造方法 | |
JPH10303120A (ja) | 半導体装置製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080925 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090925 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100925 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100925 Year of fee payment: 12 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100925 Year of fee payment: 12 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110925 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110925 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120925 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120925 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130925 Year of fee payment: 15 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |