JP2000299266A - Ｘ線マスク、およびｘ線マスク作製方法 - Google Patents
Ｘ線マスク、およびｘ線マスク作製方法Info
- Publication number
- JP2000299266A JP2000299266A JP10390999A JP10390999A JP2000299266A JP 2000299266 A JP2000299266 A JP 2000299266A JP 10390999 A JP10390999 A JP 10390999A JP 10390999 A JP10390999 A JP 10390999A JP 2000299266 A JP2000299266 A JP 2000299266A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- exposure
- ray
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 63
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 38
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002224 dissection Methods 0.000 abstract 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 abstract 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度なＸ線マスクを形成可能とするＸ線マ
スク作製方法を提供する。 【解決手段】 周期構造を持つ吸収体パターンにより形
成される吸収体パターンと、所望のレジスト像に対応し
た吸収体パターンにより形成される吸収体パターンとを
多重露光することにより、線幅コントロールに優れ、ま
たパターン精度が向上したＸ線マスクを作製する。
スク作製方法を提供する。 【解決手段】 周期構造を持つ吸収体パターンにより形
成される吸収体パターンと、所望のレジスト像に対応し
た吸収体パターンにより形成される吸収体パターンとを
多重露光することにより、線幅コントロールに優れ、ま
たパターン精度が向上したＸ線マスクを作製する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気
ヘッド等の検出素子、およびＣＣＤ等の撮像素子といっ
た各種デバイスの製造に用いられるマスクとそれを用い
たデバイス製造方法に関する。
ＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気
ヘッド等の検出素子、およびＣＣＤ等の撮像素子といっ
た各種デバイスの製造に用いられるマスクとそれを用い
たデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度高速化に
伴い、集積回路のパタ−ン線幅が縮小され、半導体製造
方法にも一層の高性能化が要求されてきている。このた
め、半導体製造工程中のリソグラフィー工程のうちレジ
ストパターンの形成に用いる露光装置にも，ＫｒＦレー
ザー(248nm)，ＡｒＦレーザー(193nm)，F2レーザー(157
nm)などの極端紫外線やＸ線（0.2〜15nm）などの徐々に
短い露光波長を利用したステッパが開発されている。
伴い、集積回路のパタ−ン線幅が縮小され、半導体製造
方法にも一層の高性能化が要求されてきている。このた
め、半導体製造工程中のリソグラフィー工程のうちレジ
ストパターンの形成に用いる露光装置にも，ＫｒＦレー
ザー(248nm)，ＡｒＦレーザー(193nm)，F2レーザー(157
nm)などの極端紫外線やＸ線（0.2〜15nm）などの徐々に
短い露光波長を利用したステッパが開発されている。
【０００３】極端紫外光を用いた露光では主に４〜５分
の１の縮小露光が採用されるため、原板であるレチクル
には被転写体であるウェハーに必要なパターンを４〜５
倍に拡大されたパターンが形成されていた。しかし、等
倍であるＸ線プロキシミティー露光においては、原版た
るＸ線マスクには必要なパターンと同じ微細パターンを
形成する必要があり、X線マスクの作製はX線プロキシミ
ティー露光のキーテクノロジーの1つとなっている。
の１の縮小露光が採用されるため、原板であるレチクル
には被転写体であるウェハーに必要なパターンを４〜５
倍に拡大されたパターンが形成されていた。しかし、等
倍であるＸ線プロキシミティー露光においては、原版た
るＸ線マスクには必要なパターンと同じ微細パターンを
形成する必要があり、X線マスクの作製はX線プロキシミ
ティー露光のキーテクノロジーの1つとなっている。
【０００４】そのX線マスクの従来の作製方法を図を用
いて説明する。
いて説明する。
【０００５】図６ａに示すように支持枠１となるＳｉ基
板上にＸ線透過膜２となるＳｉＣを成膜する。図６ｂに
示すようにＸ線透過領域を、支持枠をエッチングするこ
とによって形成する。更にＸ線吸収体３となるＷを成膜
し、図６ｃとする。成膜は図６ｂで行ったエッチング前
におこなってもよい。
板上にＸ線透過膜２となるＳｉＣを成膜する。図６ｂに
示すようにＸ線透過領域を、支持枠をエッチングするこ
とによって形成する。更にＸ線吸収体３となるＷを成膜
し、図６ｃとする。成膜は図６ｂで行ったエッチング前
におこなってもよい。
【０００６】続いて電子線レジスト４を塗布し、図６ｄ
とする。等倍のＸ線露光であるため、被転写体であるウ
ェハー上に必要なパターンと、同じパターンが描画でき
るようにデーターの準備をし、電子線露光装置を用いて
電子線レジストを描画し、現像することによって図６ｅ
のようなレジストパターンを形成する。更に図６ｆにあ
るように、ドライエッチングを行いＸ線吸収体を所望の
パターンに形成する。不図示ではあるが、Ｘ線透過領域
の形成はＸ線吸収体パターンの形成後におこなってもか
まわない。
とする。等倍のＸ線露光であるため、被転写体であるウ
ェハー上に必要なパターンと、同じパターンが描画でき
るようにデーターの準備をし、電子線露光装置を用いて
電子線レジストを描画し、現像することによって図６ｅ
のようなレジストパターンを形成する。更に図６ｆにあ
るように、ドライエッチングを行いＸ線吸収体を所望の
パターンに形成する。不図示ではあるが、Ｘ線透過領域
の形成はＸ線吸収体パターンの形成後におこなってもか
まわない。
【０００７】以上のように所望の形状を持つのＸ線吸収
体を持つＸ線マスクが形成される。
体を持つＸ線マスクが形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
X線マスクの作製には、以下の理由から解像度及び位置
精度に限界が生じていた。
X線マスクの作製には、以下の理由から解像度及び位置
精度に限界が生じていた。
【０００９】まず、原版の作製に用いられる電子線描画
装置であるが、電子線の照射位置の制御は、電磁場また
は静電場を電子線にかけて偏向することで行われる。そ
のため、偏向器にかける電圧の制御性がパターンの位置
制御に影響を与えている。通常、微細なパターンを描画
する際は、ビームを絞って描画するため電流値が低くな
り、データー数も多くなり、データーの転送時間及び描
画時間の双方に時間がかかり、X線マスクのパターンの
描画には長時間（数時間以上）を要し、その結果として
その中でドリフト等が発生した。また、最近微細な線幅
を解像するレジストとして開発された化学増幅型のレジ
ストでは、露光からベークまでの時間により、酸の拡散
距離が変わり、レジストの線幅及び形状に影響を与える
ため、この最新のレジストを用いることができなかっ
た。
装置であるが、電子線の照射位置の制御は、電磁場また
は静電場を電子線にかけて偏向することで行われる。そ
のため、偏向器にかける電圧の制御性がパターンの位置
制御に影響を与えている。通常、微細なパターンを描画
する際は、ビームを絞って描画するため電流値が低くな
り、データー数も多くなり、データーの転送時間及び描
画時間の双方に時間がかかり、X線マスクのパターンの
描画には長時間（数時間以上）を要し、その結果として
その中でドリフト等が発生した。また、最近微細な線幅
を解像するレジストとして開発された化学増幅型のレジ
ストでは、露光からベークまでの時間により、酸の拡散
距離が変わり、レジストの線幅及び形状に影響を与える
ため、この最新のレジストを用いることができなかっ
た。
【００１０】現状の電子線描画技術を用いたマスク作製
方法では、解像度を上げるためにビームを絞ると、上述
したように描画に長時間かかってしまい、位置精度を低
下させていた。また、電子線の描画時間が、X線マスク
作製のスループットおよび、コストに大きな影響を与え
ていた。
方法では、解像度を上げるためにビームを絞ると、上述
したように描画に長時間かかってしまい、位置精度を低
下させていた。また、電子線の描画時間が、X線マスク
作製のスループットおよび、コストに大きな影響を与え
ていた。
【００１１】前述のスループット向上およびコスト低下
をめざして、X線マスクの複製をX線露光で行う方法が特
開平7-135169号で提案されている。しかし、原版のX線
マスクは電子線描画により作製されるため、解像度及び
位置精度の向上が図られているものの、検討の余地が残
されていた。
をめざして、X線マスクの複製をX線露光で行う方法が特
開平7-135169号で提案されている。しかし、原版のX線
マスクは電子線描画により作製されるため、解像度及び
位置精度の向上が図られているものの、検討の余地が残
されていた。
【００１２】本発明の目的は、高精度なＸ線マスクを形
成可能とするＸ線マスク作製方法を提供することにあ
る。
成可能とするＸ線マスク作製方法を提供することにあ
る。
【００１３】本発明の他の目的は、現状の電子線描画及
び露光装置を用いて、現状では作製が困難であった高精
度で、なおかつスループットの更なる向上およびコスト
低下も実現できる X線マスクを形成可能とするX線マス
ク作製方法と、X線マスクを提供するとともに、このよ
うなX線マスクを用いたX線露光方法、X線露光装置、半
導体デバイスおよび半導体デバイス製造方法を提供する
ことにある。
び露光装置を用いて、現状では作製が困難であった高精
度で、なおかつスループットの更なる向上およびコスト
低下も実現できる X線マスクを形成可能とするX線マス
ク作製方法と、X線マスクを提供するとともに、このよ
うなX線マスクを用いたX線露光方法、X線露光装置、半
導体デバイスおよび半導体デバイス製造方法を提供する
ことにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明は、周期構造を持つ吸収体パターン
を用いて基板上に周期パターン像を形成する露光と、所
望のレジスト像に対応した吸収体パターンを用いて基板
上にパターン像を形成する露光と、により作製されたＸ
線マスクを特徴とする。
め、請求項１の発明は、周期構造を持つ吸収体パターン
を用いて基板上に周期パターン像を形成する露光と、所
望のレジスト像に対応した吸収体パターンを用いて基板
上にパターン像を形成する露光と、により作製されたＸ
線マスクを特徴とする。
【００１５】本発明のＸ線マスクは、より具体的には前
記周期構造を持つ吸収体パターンを用いてパターン像を
形成する露光は、基板上に1/n倍（但しnは2以上の整
数）周期のパターン像を形成する露光である。
記周期構造を持つ吸収体パターンを用いてパターン像を
形成する露光は、基板上に1/n倍（但しnは2以上の整
数）周期のパターン像を形成する露光である。
【００１６】また請求項３の発明は、前記周期構造を持
つ吸収体パターンを用いて基板上に周期パターン像を形
成する露光において、吸収体パターンが載置された原板
と被転写基板との間隔を任意に変えて露光することを特
徴とする。
つ吸収体パターンを用いて基板上に周期パターン像を形
成する露光において、吸収体パターンが載置された原板
と被転写基板との間隔を任意に変えて露光することを特
徴とする。
【００１７】更に請求項４の発明は、Ｘ線マスクを、周
期構造を持つ吸収体パターンを用いて基板上に周期パタ
ーン像を形成し作製する第一のマスク作成用マスクと、
所望のレジスト像に対応した吸収体パターンによりパタ
ーン像を形成し作製した第二のマスク作成用マスクと
を、少なくとも使用して作製し、前記Ｘ線マスクの対と
してＸ線露光に供するための第二のＸ線マスクを作製す
る際に、少なくとも前記第一のマスク作成用マスクを使
用することを特徴とする。
期構造を持つ吸収体パターンを用いて基板上に周期パタ
ーン像を形成し作製する第一のマスク作成用マスクと、
所望のレジスト像に対応した吸収体パターンによりパタ
ーン像を形成し作製した第二のマスク作成用マスクと
を、少なくとも使用して作製し、前記Ｘ線マスクの対と
してＸ線露光に供するための第二のＸ線マスクを作製す
る際に、少なくとも前記第一のマスク作成用マスクを使
用することを特徴とする。
【００１８】請求項５の発明は、前記周期構造を持つ吸
収体パターンを用いてパターン像を形成する露光は、基
板上に1/n倍（但しnは2以上の整数）周期のパターン像
を形成する露光であることを特徴とする。
収体パターンを用いてパターン像を形成する露光は、基
板上に1/n倍（但しnは2以上の整数）周期のパターン像
を形成する露光であることを特徴とする。
【００１９】請求項６の発明は、電子ビームを用いて周
期構造を持つ吸収体パターンを作製する第一の工程によ
り作製されたマスク作製用マスクと、前記電子ビームと
は異ったアドレスサイズまたは/および電子ビーム径を
用いて、所望のレジスト像に対応した吸収体パターンを
作製する第二の工程により作製されたマスク作製用マス
クと、少なくとも上記２つのマスク作製用マスクを用い
ることを特徴とする。
期構造を持つ吸収体パターンを作製する第一の工程によ
り作製されたマスク作製用マスクと、前記電子ビームと
は異ったアドレスサイズまたは/および電子ビーム径を
用いて、所望のレジスト像に対応した吸収体パターンを
作製する第二の工程により作製されたマスク作製用マス
クと、少なくとも上記２つのマスク作製用マスクを用い
ることを特徴とする。
【００２０】請求項７の発明は、周期構造を持つ吸収体
パターンを用いて周期構造を持つパターン像を作製し、
電子ビーム露光により所望のレジスト像に対応した吸収
体パターンを作製することを特徴とする。
パターンを用いて周期構造を持つパターン像を作製し、
電子ビーム露光により所望のレジスト像に対応した吸収
体パターンを作製することを特徴とする。
【００２１】請求項８の発明は、前記周期構造を持つ吸
収体パターンは、該周期構造よりもn倍（但しnは2以上
の整数）のピッチを持つ周期構造の吸収体パターンを用
いて作製することを特徴とする。
収体パターンは、該周期構造よりもn倍（但しnは2以上
の整数）のピッチを持つ周期構造の吸収体パターンを用
いて作製することを特徴とする。
【００２２】請求項９の発明は、周期構造を持つ吸収体
パターンを用いて基板上に周期パターン像を形成する露
光と、所望のレジスト像に対応した吸収体パターンを用
いて基板上にパターン像を形成する露光と、を含む工程
を有することを特徴とする。
パターンを用いて基板上に周期パターン像を形成する露
光と、所望のレジスト像に対応した吸収体パターンを用
いて基板上にパターン像を形成する露光と、を含む工程
を有することを特徴とする。
【００２３】請求項１０の発明は、前記周期構造を持つ
吸収体パターンを用いてパターン像を形成する露光は、
基板上に1/n倍（但しnは2以上の整数）周期のパターン
像を形成する露光であることを特徴とする。
吸収体パターンを用いてパターン像を形成する露光は、
基板上に1/n倍（但しnは2以上の整数）周期のパターン
像を形成する露光であることを特徴とする。
【００２４】請求項１１の発明は、前記周期構造を持つ
吸収体パターンを用いて基板上に周期パターン像を形成
する露光において、吸収体パターンが載置された原板と
被転写基板との間隔を任意に変えて露光することを特徴
とした請求項９項記載のＸ線マスク作製方法。
吸収体パターンを用いて基板上に周期パターン像を形成
する露光において、吸収体パターンが載置された原板と
被転写基板との間隔を任意に変えて露光することを特徴
とした請求項９項記載のＸ線マスク作製方法。
【００２５】請求項１２の発明は、Ｘ線マスクを、周期
構造を持つ吸収体パターンを用いて基板上に周期パター
ン像を形成し作製する第一のマスク作成用マスクと、所
望のレジスト像に対応した吸収体パターンによりパター
ン像を形成し作製した第二のマスク作成用マスクとを、
少なくとも使用して作製し、前記Ｘ線マスクの対として
Ｘ線露光に供するための第二のＸ線マスクを作製する際
に、少なくとも前記第一のマスク作成用マスクを使用す
ることを特徴とするＸ線マスク作製方法。
構造を持つ吸収体パターンを用いて基板上に周期パター
ン像を形成し作製する第一のマスク作成用マスクと、所
望のレジスト像に対応した吸収体パターンによりパター
ン像を形成し作製した第二のマスク作成用マスクとを、
少なくとも使用して作製し、前記Ｘ線マスクの対として
Ｘ線露光に供するための第二のＸ線マスクを作製する際
に、少なくとも前記第一のマスク作成用マスクを使用す
ることを特徴とするＸ線マスク作製方法。
【００２６】請求項１３の発明は、前記周期構造を持つ
吸収体パターンを用いてパターン像を形成する露光は、
基板上に1/n倍（但しnは2以上の整数）周期のパターン
像を形成する露光であることを特徴とする請求項4項記
載のＸ線マスク作製方法。
吸収体パターンを用いてパターン像を形成する露光は、
基板上に1/n倍（但しnは2以上の整数）周期のパターン
像を形成する露光であることを特徴とする請求項4項記
載のＸ線マスク作製方法。
【００２７】請求項１４の発明は、前記請求項１〜５項
記載のＸ線マスクを用いて露光するＸ線露光方法を特徴
とする。
記載のＸ線マスクを用いて露光するＸ線露光方法を特徴
とする。
【００２８】請求項１５の発明は、前記請求項１〜５項
記載のＸ線マスクを用いて露光するＸ線露光装置を特徴
とする。
記載のＸ線マスクを用いて露光するＸ線露光装置を特徴
とする。
【００２９】請求項１６の発明は、前記請求項１〜５項
記載のＸ線マスクを用いて露光することを特徴とするＸ
線露光方法により作製された半導体デバイスの製造方
法。
記載のＸ線マスクを用いて露光することを特徴とするＸ
線露光方法により作製された半導体デバイスの製造方
法。
【００３０】請求項１７の発明は、前記請求項１〜５項
記載のＸ線マスクを用いて露光するＸ線露光方法により
作製された半導体デバイスを特徴とする。
記載のＸ線マスクを用いて露光するＸ線露光方法により
作製された半導体デバイスを特徴とする。
【００３１】請求項１８の発明は、前記請求項６〜8項
記載のＸ線マスク作製方法を用いて作製したＸ線マスク
である。
記載のＸ線マスク作製方法を用いて作製したＸ線マスク
である。
【００３２】請求項１９の発明は、周期構造を持つ吸収
体パターンを用いて基板上に周期パターン像を形成する
露光と、所望のレジスト像に対応した吸収体パターンを
用いて基板上にパターン像を形成する露光と、により作
製されたＸ線マスクを特徴とする。
体パターンを用いて基板上に周期パターン像を形成する
露光と、所望のレジスト像に対応した吸収体パターンを
用いて基板上にパターン像を形成する露光と、により作
製されたＸ線マスクを特徴とする。
【００３３】
【発明の実施の形態】まず、本発明の詳細について説明
するに先立ち、本発明の内容の理解を容易とするための
説明をする。
するに先立ち、本発明の内容の理解を容易とするための
説明をする。
【００３４】本件出願人は、現状の技術で作製可能なマ
スクと、現状の露光装置を用いて現状より高い解像度お
よび位置精度でパターンを形成することが可能な露光方
法を、先に特願平９−３０４２３２号で出願した。この
露光方法は、ファインパターン露光とラフパターン露光
を基板上のレイヤーに２重又は多重（重複）に行なうこ
とにより解像度を上げるもので、この方式について簡単
に説明する。
スクと、現状の露光装置を用いて現状より高い解像度お
よび位置精度でパターンを形成することが可能な露光方
法を、先に特願平９−３０４２３２号で出願した。この
露光方法は、ファインパターン露光とラフパターン露光
を基板上のレイヤーに２重又は多重（重複）に行なうこ
とにより解像度を上げるもので、この方式について簡単
に説明する。
【００３５】ファインパターン露光とは周期構造を有す
るパターンの露光であり、前述の方式はファインパター
ンが露光された基板上のレイヤーに対して、所望のレジ
ストパターンに対応したラフパターンを２重又は多重に
露光し、ラフパターンが露光された部分（位置）のファ
インパターンが残るような条件で現像する。ファインパ
ターン露光とラフパターン露光はいずれを先に行っても
良く、更に、最適なレジストパターンが得られるように
各露光量が決められる。
るパターンの露光であり、前述の方式はファインパター
ンが露光された基板上のレイヤーに対して、所望のレジ
ストパターンに対応したラフパターンを２重又は多重に
露光し、ラフパターンが露光された部分（位置）のファ
インパターンが残るような条件で現像する。ファインパ
ターン露光とラフパターン露光はいずれを先に行っても
良く、更に、最適なレジストパターンが得られるように
各露光量が決められる。
【００３６】このような２重又は多重（重複）露光方法
によれば、基板上のあるレイヤーを露光する際に１枚の
原板を用いる従来の露光方法に比して、解像度及び位置
精度を向上させることが可能である。
によれば、基板上のあるレイヤーを露光する際に１枚の
原板を用いる従来の露光方法に比して、解像度及び位置
精度を向上させることが可能である。
【００３７】また、Ｘ線プロキシミティ露光では、ラフ
マスクのパターン形状と被転写物の形状と鏡像の関係に
あり、これを考慮してラフパターンの形状が決められ
る。
マスクのパターン形状と被転写物の形状と鏡像の関係に
あり、これを考慮してラフパターンの形状が決められ
る。
【００３８】ここで、ファインパターンとラフパターン
について更に説明をする。ファインパターンとは、現像
後の所望とするレジストパターンより狭い線幅で、かつ
一定の周期構造をもつパターンで、例えば、図３ａに示
す様なＸ線吸収体３とＸ線透過膜２からなるライン＆ス
ペース状パターンまたは、チェッカーボード型パターン
（図３ｂ）、さらには格子状パターン（図３ｃ）のよう
に、レジスト上を一定の規則に従って、区割りしたパタ
ーンをいう。
について更に説明をする。ファインパターンとは、現像
後の所望とするレジストパターンより狭い線幅で、かつ
一定の周期構造をもつパターンで、例えば、図３ａに示
す様なＸ線吸収体３とＸ線透過膜２からなるライン＆ス
ペース状パターンまたは、チェッカーボード型パターン
（図３ｂ）、さらには格子状パターン（図３ｃ）のよう
に、レジスト上を一定の規則に従って、区割りしたパタ
ーンをいう。
【００３９】これに対して、ラフパターンとは、現像後
の所望するレジストパターン（レジスト像）に対応した
パターンで、例えば、2本のライン状のレジストパター
ンを作製したいときに、転写されたファイン像の上に重
ねる2本のライン状の開口パターンを、ラフパターンと
称する。パターンの形状は、所望するレジストパターン
（レジスト像）と同じ形状である必要はなく、光学像を
修正するためのＯＰＣの様な補助パターンがあってもよ
い。更に、一つのレジスト像をいくつかのパターンに分
解して露光してもよい。例えば、Ｌ字状のパターンを露
光する場合、図３ｄのような形状のラフマスクを用いて
１回で露光してもよいし、図３ｅと図３ｆに示す様に縦
と横の開口に分解し2回露光して、ラフパターン像を形
成してもよい。
の所望するレジストパターン（レジスト像）に対応した
パターンで、例えば、2本のライン状のレジストパター
ンを作製したいときに、転写されたファイン像の上に重
ねる2本のライン状の開口パターンを、ラフパターンと
称する。パターンの形状は、所望するレジストパターン
（レジスト像）と同じ形状である必要はなく、光学像を
修正するためのＯＰＣの様な補助パターンがあってもよ
い。更に、一つのレジスト像をいくつかのパターンに分
解して露光してもよい。例えば、Ｌ字状のパターンを露
光する場合、図３ｄのような形状のラフマスクを用いて
１回で露光してもよいし、図３ｅと図３ｆに示す様に縦
と横の開口に分解し2回露光して、ラフパターン像を形
成してもよい。
【００４０】本発明は、正確に転写されたファインパタ
ーン像（周期パターン像）と所望のレジスト像に対応し
たラフパターン像を重ねて露光し、露光用のＸ線マスク
を作製することである。
ーン像（周期パターン像）と所望のレジスト像に対応し
たラフパターン像を重ねて露光し、露光用のＸ線マスク
を作製することである。
【００４１】以下の説明では、ファインパターンをもつ
ファインマスクとラフパターンをもつラフマスクをマス
ク作製マスクとして、この２種のマスクを２重又は多重
（重複）露光方法によって、高精度な露光用マスクを作
製場合について説明する。
ファインマスクとラフパターンをもつラフマスクをマス
ク作製マスクとして、この２種のマスクを２重又は多重
（重複）露光方法によって、高精度な露光用マスクを作
製場合について説明する。
【００４２】（１）本発明のＸ線マスクの作製方法につ
いて 本発明の基本構成は、図1ｅに示す様に、マスク作製用
マスクであるファインマスクのファインパターンをＸ線
露光によって転写する。その結果、Ｘ線透過膜上のレジ
ストにファインパターンの潜像（周期パターン像）が形
成される。次に、図１fに示す様に、ラフマスクと呼ば
れるマスク作製用マスクであるラフマスクのパターン２
３を先にファインパターン像を転写したレジスト４上
に、２重露光した後、現像する。
いて 本発明の基本構成は、図1ｅに示す様に、マスク作製用
マスクであるファインマスクのファインパターンをＸ線
露光によって転写する。その結果、Ｘ線透過膜上のレジ
ストにファインパターンの潜像（周期パターン像）が形
成される。次に、図１fに示す様に、ラフマスクと呼ば
れるマスク作製用マスクであるラフマスクのパターン２
３を先にファインパターン像を転写したレジスト４上
に、２重露光した後、現像する。
【００４３】このとき、解像されるレジストパターンの
位置は、ファインパターン像の転写される位置に強く依
存する。更に、解像されるレジストパターンの大きさ
も、ファインパターン像に大きく影響を受ける。なぜな
ら、レジストに形成される潜像はファインパターン像と
ラフパターン像が重ね合わさったものであり、その潜像
のうち露光量がある閾値以上の部分のレジストが、レジ
ストパターンとして残るからである。
位置は、ファインパターン像の転写される位置に強く依
存する。更に、解像されるレジストパターンの大きさ
も、ファインパターン像に大きく影響を受ける。なぜな
ら、レジストに形成される潜像はファインパターン像と
ラフパターン像が重ね合わさったものであり、その潜像
のうち露光量がある閾値以上の部分のレジストが、レジ
ストパターンとして残るからである。
【００４４】従って、ファインパターンが正確にできて
いれば、２重露光を行うことでラフパターンの位置精度
や解像度の向上が可能なことがわかる。例えば、マスク
作製用マスクであるファインマスク作製時に、ライン＆
スペース状のパターンを電子線で描画する場合には、電
子線のビーム径を細く絞り、描画位置の分解能を細かく
設定し、描画中に電子線によってマスクが変位しないよ
うに、電流量を調節する。しかし、マスク作製用マスク
であるラフマスク作製時は、描画する電子線のビーム径
を大きくし描画位置の分解能であるアドレッシングをあ
る程度大きくしても、完成した露光用のＸ線マスクに必
要な位置精度や分解能を確保できるので、Ｘ線マスク作
製の負荷が軽減される。また、ラフマスクのパターンに
無関係に、ファインマスクは同じマスクを使用できる。
そのため、一度高精度なファインマスクを作製すれば、
マスク作製用マスクとして繰り返し使用できるので、フ
ァインマスク作製時の負荷が露光用マスク作製の全体の
負荷を押し上げることはない。
いれば、２重露光を行うことでラフパターンの位置精度
や解像度の向上が可能なことがわかる。例えば、マスク
作製用マスクであるファインマスク作製時に、ライン＆
スペース状のパターンを電子線で描画する場合には、電
子線のビーム径を細く絞り、描画位置の分解能を細かく
設定し、描画中に電子線によってマスクが変位しないよ
うに、電流量を調節する。しかし、マスク作製用マスク
であるラフマスク作製時は、描画する電子線のビーム径
を大きくし描画位置の分解能であるアドレッシングをあ
る程度大きくしても、完成した露光用のＸ線マスクに必
要な位置精度や分解能を確保できるので、Ｘ線マスク作
製の負荷が軽減される。また、ラフマスクのパターンに
無関係に、ファインマスクは同じマスクを使用できる。
そのため、一度高精度なファインマスクを作製すれば、
マスク作製用マスクとして繰り返し使用できるので、フ
ァインマスク作製時の負荷が露光用マスク作製の全体の
負荷を押し上げることはない。
【００４５】（２）複数のレイヤーで使用するマスクに
ついて 次に、複数のレイヤー間で本発明のＸ線マスクを使用す
る場合について、説明する。レイヤー１と２があって、
レイヤー１とレイヤー２を重ね合わせるような転写を考
える。レイヤー１と２で使用する露光用マスク作製時に
使用するマスク作製用のファインマスクを共通化する。
これによって、マスク作製用のファインマスクのパター
ンに歪みがあっても、レイヤー１と２の露光用マスクの
パターンも、同じファインマスクによる転写像の上に、
ラフパターンの転写像を重ねて作製しているので、どち
らの露光用マスクのパターンも同じ歪みが載ることにな
り、結局、レイヤー１と２の重ね合わせ精度が悪くなら
ない。
ついて 次に、複数のレイヤー間で本発明のＸ線マスクを使用す
る場合について、説明する。レイヤー１と２があって、
レイヤー１とレイヤー２を重ね合わせるような転写を考
える。レイヤー１と２で使用する露光用マスク作製時に
使用するマスク作製用のファインマスクを共通化する。
これによって、マスク作製用のファインマスクのパター
ンに歪みがあっても、レイヤー１と２の露光用マスクの
パターンも、同じファインマスクによる転写像の上に、
ラフパターンの転写像を重ねて作製しているので、どち
らの露光用マスクのパターンも同じ歪みが載ることにな
り、結局、レイヤー１と２の重ね合わせ精度が悪くなら
ない。
【００４６】
【実施例】（実施例1）図１を用いて本発明の第１の実
施例を説明する。
施例を説明する。
【００４７】図１aから、図１ｄまでは、通常のマスク
作製工程と同様で、マスク支持枠１となるＳｉウエハ、
２はＸ線透過膜である厚さ２μｍ程度のＳｉＣ膜で、３
はＸ線吸収体となる厚さ0.2〜0.５μｍ程度のＷ（タン
グステン）等の膜である。さらに、４は、レジスト層で
ある。
作製工程と同様で、マスク支持枠１となるＳｉウエハ、
２はＸ線透過膜である厚さ２μｍ程度のＳｉＣ膜で、３
はＸ線吸収体となる厚さ0.2〜0.５μｍ程度のＷ（タン
グステン）等の膜である。さらに、４は、レジスト層で
ある。
【００４８】（ファインパターン転写）次に、図１ｅに
示すようにＸ線露光によって、露光用マスク３０（基
板）の表面に塗布されたレジスト層４にファインパター
ン像を形成する。これには、マスク作製用マスクである
ファインマスク１５を露光用マスク３０（基板）に対し
て適当な間隔を離して保持し、上からＸ線１１を照射す
る。
示すようにＸ線露光によって、露光用マスク３０（基
板）の表面に塗布されたレジスト層４にファインパター
ン像を形成する。これには、マスク作製用マスクである
ファインマスク１５を露光用マスク３０（基板）に対し
て適当な間隔を離して保持し、上からＸ線１１を照射す
る。
【００４９】ここで、ファインマスク１５は、パターン
１２とＸ線透過膜２、支持枠１からなる。パターン１２
は、ライン＆スペース状のマスク中央に形成されたファ
インパターン１３（周期構造を持つ吸収体パターン１
３）と周囲に形成されたアライメントマーク１４からで
きており、パターン１２の形成は、電子線描画によって
行われ、従来のマスク作製工程によって作製されたもの
である。
１２とＸ線透過膜２、支持枠１からなる。パターン１２
は、ライン＆スペース状のマスク中央に形成されたファ
インパターン１３（周期構造を持つ吸収体パターン１
３）と周囲に形成されたアライメントマーク１４からで
きており、パターン１２の形成は、電子線描画によって
行われ、従来のマスク作製工程によって作製されたもの
である。
【００５０】ファインマスク１５の露光によって、レジ
スト４に付与された露光量は、図2ａに示す通りであ
る。このとき、現像工程以前でも、ファインマスクのパ
ターン１２は、レジストに潜像として形成されている。
スト４に付与された露光量は、図2ａに示す通りであ
る。このとき、現像工程以前でも、ファインマスクのパ
ターン１２は、レジストに潜像として形成されている。
【００５１】（ラフパターン転写工程）ファインパター
ン像（周期パターン像）の転写後、現像を行わずに、図
１ｆに示すようにＸ線露光によってラフパターン像を転
写する。ファインパターン転写工程と同様に、ラフマス
ク２５を露光用マスク３０に対して適当な間隔を離して
保持し、上からＸ線１１を照射する。
ン像（周期パターン像）の転写後、現像を行わずに、図
１ｆに示すようにＸ線露光によってラフパターン像を転
写する。ファインパターン転写工程と同様に、ラフマス
ク２５を露光用マスク３０に対して適当な間隔を離して
保持し、上からＸ線１１を照射する。
【００５２】ラフマスク２５は、パターン２２とＸ線透
過膜２、支持枠１からなる。パターン２２は、所望のレ
ジストパターン（レジスト像）に対応した位置に開口を
もつラフパターン２３（還元すれば、所望のレジスト像
に対応した吸収体パターンからなるラフパターン２３）
と周囲に形成されたアライメントマーク２４からできて
いる。
過膜２、支持枠１からなる。パターン２２は、所望のレ
ジストパターン（レジスト像）に対応した位置に開口を
もつラフパターン２３（還元すれば、所望のレジスト像
に対応した吸収体パターンからなるラフパターン２３）
と周囲に形成されたアライメントマーク２４からできて
いる。
【００５３】本工程では、ファインパターン像の上にラ
フパターン２３を重ねて転写する必要がある。そのた
め、まず前工程で形成されたアライメントマーク１４の
潜像の上にラフマスク２５のアライメントマーク２４が
位置するように、ラフマスク２５が設置される。次に、
アライメント光学系３２から出射されたアライメント光
２６が、アライメントマーク２４に照射される。アライ
メントマーク２４で回折されたアライメント光２６は、
ファインパターン転写工程で形成されたアライメントマ
ーク１４の潜像上に照射され、その後、再びアライメン
ト光学系３２に戻る。アライメント光学系３２は、アラ
イメントマーク２４とアライメントマーク１４の潜像が
重なったときもっとも信号が強くなるような信号を出す
ため、その信号強度によって、ラフパターンとファイン
パターンの位置合わせが行える。また、必要に応じてフ
ァインマスク１５のアライメントマーク１４とラフマス
ク２５のアライメントマーク２４は、実際の露光に使用
しないので、これらのアライメントマークが転写されな
いように、遮光板３１によってＸ線が遮光される。
フパターン２３を重ねて転写する必要がある。そのた
め、まず前工程で形成されたアライメントマーク１４の
潜像の上にラフマスク２５のアライメントマーク２４が
位置するように、ラフマスク２５が設置される。次に、
アライメント光学系３２から出射されたアライメント光
２６が、アライメントマーク２４に照射される。アライ
メントマーク２４で回折されたアライメント光２６は、
ファインパターン転写工程で形成されたアライメントマ
ーク１４の潜像上に照射され、その後、再びアライメン
ト光学系３２に戻る。アライメント光学系３２は、アラ
イメントマーク２４とアライメントマーク１４の潜像が
重なったときもっとも信号が強くなるような信号を出す
ため、その信号強度によって、ラフパターンとファイン
パターンの位置合わせが行える。また、必要に応じてフ
ァインマスク１５のアライメントマーク１４とラフマス
ク２５のアライメントマーク２４は、実際の露光に使用
しないので、これらのアライメントマークが転写されな
いように、遮光板３１によってＸ線が遮光される。
【００５４】このようにして、ラフマスク２５とファイ
ンパターン１３の潜像の位置合わせが行われた後、Ｘ線
が照射されラフパターンの転写が行われる。ラフマスク
２５の露光によって、新たにレジスト４に付与された露
光量は、図2ｂに示す通りであり、ファインマスク１５
とラフマスク２５の両方でレジストに付与された露光量
は、図２ｃである。
ンパターン１３の潜像の位置合わせが行われた後、Ｘ線
が照射されラフパターンの転写が行われる。ラフマスク
２５の露光によって、新たにレジスト４に付与された露
光量は、図2ｂに示す通りであり、ファインマスク１５
とラフマスク２５の両方でレジストに付与された露光量
は、図２ｃである。
【００５５】（レジストの現像工程）本工程では、所望
の形状のレジストパターンが残るようにスライスレベル
が決定され現像される。本実施例では、図１ｇのように
中央の３本のライン状パターンが残るように現像され
る。
の形状のレジストパターンが残るようにスライスレベル
が決定され現像される。本実施例では、図１ｇのように
中央の３本のライン状パターンが残るように現像され
る。
【００５６】（エッチング工程）図１ｇのレジストをエ
ッチングマスクとして、Ｗ（タングステン）３がエッチ
ングされ、所望のパターンを有する、図１ｈに示すよう
な露光用Ｘ線マスクが作製される。
ッチングマスクとして、Ｗ（タングステン）３がエッチ
ングされ、所望のパターンを有する、図１ｈに示すよう
な露光用Ｘ線マスクが作製される。
【００５７】図２ｃに示す露光強度分布は、ファインパ
ターンとラフパターンのＸ線強度が加えられたものであ
る。そのため、現像後のレジストパターン図１ｇはファ
インパターンの位置とそのパターン形状に強く依存し、
ラフマスク２５のラフパターン２２より微細でかつ位置
精度の高いパターンをもつ露光用マスク３０が作製でき
る。
ターンとラフパターンのＸ線強度が加えられたものであ
る。そのため、現像後のレジストパターン図１ｇはファ
インパターンの位置とそのパターン形状に強く依存し、
ラフマスク２５のラフパターン２２より微細でかつ位置
精度の高いパターンをもつ露光用マスク３０が作製でき
る。
【００５８】更に、露光用マスクを直接電子線で描画す
る従来の方法に比べ、本実施例のラフマスク作製時にお
ける電子線描画時の電子線を照射する位置決めが荒くて
すむため、電子線の位置決め分解能を大きくできかつ電
子線サイズを大きくとることができる。その結果、電子
線描画におけるデータ転送時間と露光時間が短縮でき、
電子線描画時におけるドリフト量も小さくでき、ラフマ
スクの位置精度も向上できる。
る従来の方法に比べ、本実施例のラフマスク作製時にお
ける電子線描画時の電子線を照射する位置決めが荒くて
すむため、電子線の位置決め分解能を大きくできかつ電
子線サイズを大きくとることができる。その結果、電子
線描画におけるデータ転送時間と露光時間が短縮でき、
電子線描画時におけるドリフト量も小さくでき、ラフマ
スクの位置精度も向上できる。
【００５９】本実施例のファインパターン転写工程で
は、ファインマスクパターンと同じ周期のファインパタ
ーン像を得たが、ファインパターン１３の周期より小さ
い周期のファインパターン像を転写することが可能であ
る。これについて説明する。
は、ファインマスクパターンと同じ周期のファインパタ
ーン像を得たが、ファインパターン１３の周期より小さ
い周期のファインパターン像を転写することが可能であ
る。これについて説明する。
【００６０】図４に示すように、露光用マスク３０とフ
ァインマスク１５の間隔である露光ギャップｇを制御す
ることで、回折による状況が変化するため、吸収材の中
心と開口の中心に対応するレジスト面上でのＸ線強度を
等しくすることが可能である。露光ギャップｇが小さい
ときは、マスクパターンの周期と同じ周期のパターン像
（図４ｂ）が得られる。露光ギャップｇを制御すると、
マスクパターンの周期の半分の周期のパターン像（図４
ｃ）が得られる。
ァインマスク１５の間隔である露光ギャップｇを制御す
ることで、回折による状況が変化するため、吸収材の中
心と開口の中心に対応するレジスト面上でのＸ線強度を
等しくすることが可能である。露光ギャップｇが小さい
ときは、マスクパターンの周期と同じ周期のパターン像
（図４ｂ）が得られる。露光ギャップｇを制御すると、
マスクパターンの周期の半分の周期のパターン像（図４
ｃ）が得られる。
【００６１】例えば、特願平９−３０４２３２号に示す
ように、Ｗの厚さ0.40μmの周期0.2μmのライン＆スペ
ースパターン、かつ露光ギャップ32μmで、ファインパ
ターンの吸収材の中心と開口の中心のＸ線強度を等しく
することができ、パターンの周期の半分の周期即ち周期
0.1μmのライン＆スペースのパターン像を得ること可能
である。さらに、露光ギャップを調節することで、ファ
インパターンの１／Ｎの周期のファインパターンを像得
ることも可能である。但し、Ｎは２以上の整数とする。
ように、Ｗの厚さ0.40μmの周期0.2μmのライン＆スペ
ースパターン、かつ露光ギャップ32μmで、ファインパ
ターンの吸収材の中心と開口の中心のＸ線強度を等しく
することができ、パターンの周期の半分の周期即ち周期
0.1μmのライン＆スペースのパターン像を得ること可能
である。さらに、露光ギャップを調節することで、ファ
インパターンの１／Ｎの周期のファインパターンを像得
ることも可能である。但し、Ｎは２以上の整数とする。
【００６２】このようにしてファインパターンより微細
な周期の像を得ることにより、ファインマスク作製時の
電子線を照射する位置決め精度を緩くすることができ、
アドレッシング及び電子線サイズを大きくとることがで
きる。
な周期の像を得ることにより、ファインマスク作製時の
電子線を照射する位置決め精度を緩くすることができ、
アドレッシング及び電子線サイズを大きくとることがで
きる。
【００６３】（実施例2）本実施例は、複数のレイヤー
で使用する露光用マスクの作製に関するものである。本
発明の多重露光でマスクを作製すると、マスクパターン
の高解像度化即ち寸法精度が向上するのみならず、その
位置精度も向上することを実施例１で示した。しかし、
本実施例では、複数のレイヤーで使用する露光用マスク
を作製する場合、マスク作製用マスクであるファインマ
スクを共通化しようとするものである。これによって、
ファインマスクのファインパターンを電子線で描画する
際に、熱によって被露光物であるファインマスクのＸ線
透過膜の温度が上昇し、ドリフトが生じファインパター
ンの位置歪みがあっても、同一のファインマスクを使用
して複数の露光用マスクを作製する限り、複数の露光用
マスクのパターンに同一の歪みが生じる。
で使用する露光用マスクの作製に関するものである。本
発明の多重露光でマスクを作製すると、マスクパターン
の高解像度化即ち寸法精度が向上するのみならず、その
位置精度も向上することを実施例１で示した。しかし、
本実施例では、複数のレイヤーで使用する露光用マスク
を作製する場合、マスク作製用マスクであるファインマ
スクを共通化しようとするものである。これによって、
ファインマスクのファインパターンを電子線で描画する
際に、熱によって被露光物であるファインマスクのＸ線
透過膜の温度が上昇し、ドリフトが生じファインパター
ンの位置歪みがあっても、同一のファインマスクを使用
して複数の露光用マスクを作製する限り、複数の露光用
マスクのパターンに同一の歪みが生じる。
【００６４】そのため、たとえマスクパターンに歪みが
あって、これら同一のファインマスクを使用して作製し
た露光用マスク群を重ね合わせプロセスに使用する限
り、重ね合わされるパターンと重ねるパターン間で同一
の歪みを持っているので、重ね合わせ精度に影響を与え
ることはない。
あって、これら同一のファインマスクを使用して作製し
た露光用マスク群を重ね合わせプロセスに使用する限
り、重ね合わされるパターンと重ねるパターン間で同一
の歪みを持っているので、重ね合わせ精度に影響を与え
ることはない。
【００６５】この場合、露光用マスクによっては、画角
内すべてに微細なパターンが存在せず、部分的にファイ
ンパターンの潜像を形成したい場合がある。その場合で
も、重ね合わせるレイヤー間で使用する露光用マスク作
製時に使用するファインマスクを共通にしておくことが
可能である。例えば、レイヤー１と２で画角内の異なる
領域に微細パターンが存在し、その領域のみファインパ
ターンの潜像を形成する場合、遮蔽板で潜像を形成した
くないファインマスクの領域を遮蔽し、Ｘ線を照射しな
いようにすればよい。これにより、レイヤー１と２で露
光用マスクにおいて、共通に微細パターンが存在する領
域のパターンの位置歪みは共通のファインマスクによっ
て生じているので、微細パターンの領域の重ね合わせ精
度の向上がはかれる。
内すべてに微細なパターンが存在せず、部分的にファイ
ンパターンの潜像を形成したい場合がある。その場合で
も、重ね合わせるレイヤー間で使用する露光用マスク作
製時に使用するファインマスクを共通にしておくことが
可能である。例えば、レイヤー１と２で画角内の異なる
領域に微細パターンが存在し、その領域のみファインパ
ターンの潜像を形成する場合、遮蔽板で潜像を形成した
くないファインマスクの領域を遮蔽し、Ｘ線を照射しな
いようにすればよい。これにより、レイヤー１と２で露
光用マスクにおいて、共通に微細パターンが存在する領
域のパターンの位置歪みは共通のファインマスクによっ
て生じているので、微細パターンの領域の重ね合わせ精
度の向上がはかれる。
【００６６】（実施例3）実施例２では、レイヤー１と
レイヤー2の露光用マスクの作製において、両者のファ
インパターン転写工程でファインパターンとその像が同
じ周期を得るように露光していたが、レイヤー２がレイ
ヤー１の半分の周期のパターンであるまたは、レイヤー
２がレイヤー１の半分の線巾のパターン転写をする場合
に、本発明を適応する例を示す。
レイヤー2の露光用マスクの作製において、両者のファ
インパターン転写工程でファインパターンとその像が同
じ周期を得るように露光していたが、レイヤー２がレイ
ヤー１の半分の周期のパターンであるまたは、レイヤー
２がレイヤー１の半分の線巾のパターン転写をする場合
に、本発明を適応する例を示す。
【００６７】本実施例では、共通のファインマスクを使
用して、露光ギャップを変えて転写される像の周期を変
える。例えば、図５に示すように、レイヤー１の露光用
マスク作製のファインパターン転写時において、露光ギ
ャップがg1になるようにファインマスク１５を設定して
ファインパターンを露光し、レイヤー２では露光ギャッ
プがg２になるように同一のファインマスク１５を設置
してファインパターンを露光する。具体的には、Ｗの厚
さ0.40μmで周期0.2μmのライン＆スペースパターンの
ファインパターンでは、レイヤー１においては露光ギャ
ップｇ１が１０μmで周期0.2μmのライン＆スペースの
パターン像を転写し、レイヤー２においては露光ギャッ
プｇ２が３２μmで周期0.1μmのライン＆スペースのパ
ターン像を転写すればよい。
用して、露光ギャップを変えて転写される像の周期を変
える。例えば、図５に示すように、レイヤー１の露光用
マスク作製のファインパターン転写時において、露光ギ
ャップがg1になるようにファインマスク１５を設定して
ファインパターンを露光し、レイヤー２では露光ギャッ
プがg２になるように同一のファインマスク１５を設置
してファインパターンを露光する。具体的には、Ｗの厚
さ0.40μmで周期0.2μmのライン＆スペースパターンの
ファインパターンでは、レイヤー１においては露光ギャ
ップｇ１が１０μmで周期0.2μmのライン＆スペースの
パターン像を転写し、レイヤー２においては露光ギャッ
プｇ２が３２μmで周期0.1μmのライン＆スペースのパ
ターン像を転写すればよい。
【００６８】これにより、異なる周期を持つレイヤー間
または異なる線巾をもつパターン間でも、同一のファイ
ンマスクを使用してファインパターンが転写できるの
で、レイヤー間で同一の歪みをもった露光用マスクを作
製でき、レイヤー間での重ねせ精度が向上する。
または異なる線巾をもつパターン間でも、同一のファイ
ンマスクを使用してファインパターンが転写できるの
で、レイヤー間で同一の歪みをもった露光用マスクを作
製でき、レイヤー間での重ねせ精度が向上する。
【００６９】（実施例の変形例）実施例１において、ラ
フマスク２５と露光用マスク３０の間の位置合わせに、
ファインマスク１５のアライメントマーク１４の潜像を
用いたが、先にラフマスクで露光し、そのアライメント
マークの潜像を使用して、ファインマスクとの位置合わ
せを行ってもよい。また、第3のマスクによって、ファ
インマスクおよびラフマスクとの位置合わせ用のアライ
メントマークの潜像を形成してもよい。更には、潜像以
外の方法による、例えば従来のマスク作製工程にしたが
って、支持枠１の上のW（タングステン層）に、アライ
メントマークを形成しておいてもよい。
フマスク２５と露光用マスク３０の間の位置合わせに、
ファインマスク１５のアライメントマーク１４の潜像を
用いたが、先にラフマスクで露光し、そのアライメント
マークの潜像を使用して、ファインマスクとの位置合わ
せを行ってもよい。また、第3のマスクによって、ファ
インマスクおよびラフマスクとの位置合わせ用のアライ
メントマークの潜像を形成してもよい。更には、潜像以
外の方法による、例えば従来のマスク作製工程にしたが
って、支持枠１の上のW（タングステン層）に、アライ
メントマークを形成しておいてもよい。
【００７０】以上の実施例において、ファインパターン
がライン＆スペース形状をもつ場合の実施例を説明した
が、ホールパターンの場合、横方向のライン＆スペース
形状のパターンをもつファインマスクで1回露光し、次
に縦方向のライン＆スペース形状のパターンをもつファ
インマスクで露光して、２度の露光工程でファインパタ
ーン転写工程を行ってもよい。更に、ファインパターン
が図３b、図３ｃの形状をもつファインマスクを用いて
転写を行ってもよい。
がライン＆スペース形状をもつ場合の実施例を説明した
が、ホールパターンの場合、横方向のライン＆スペース
形状のパターンをもつファインマスクで1回露光し、次
に縦方向のライン＆スペース形状のパターンをもつファ
インマスクで露光して、２度の露光工程でファインパタ
ーン転写工程を行ってもよい。更に、ファインパターン
が図３b、図３ｃの形状をもつファインマスクを用いて
転写を行ってもよい。
【００７１】実施例３では、レイヤー１とレイヤー２の
露光用マスク作製で、転写されるパターン周期またはパ
ターン寸法を変えたいときは、露光ギャップをレイヤー
１とレイヤー２で変えて露光する方法を示した。その
他、各レイヤーの露光用マスク作製時におけるファイン
パターンまたラフパターンの露光量を変えることで、パ
ターンの寸法を制御変えることができる。さらに、ファ
インパターンの半分の周期の像をえるための条件即ち、
ファインパターンの吸収材の中心と開口の中心のX線強
度が等しくなるような露光ギャップから、露光ギャップ
をずらすことで、吸収材の中心と開口の中心のＸ線強度
の比を変えることでも、パターンの寸法を変えることが
できる。
露光用マスク作製で、転写されるパターン周期またはパ
ターン寸法を変えたいときは、露光ギャップをレイヤー
１とレイヤー２で変えて露光する方法を示した。その
他、各レイヤーの露光用マスク作製時におけるファイン
パターンまたラフパターンの露光量を変えることで、パ
ターンの寸法を制御変えることができる。さらに、ファ
インパターンの半分の周期の像をえるための条件即ち、
ファインパターンの吸収材の中心と開口の中心のX線強
度が等しくなるような露光ギャップから、露光ギャップ
をずらすことで、吸収材の中心と開口の中心のＸ線強度
の比を変えることでも、パターンの寸法を変えることが
できる。
【００７２】以上の説明では、ファインパターンまたは
ラフパターンをＸ線露光によって２重露光することで、
露光用マスクを作製した。本発明は、正確に転写された
ファインパターン像の上に所望のレジスト像に対応した
ラフパターン像を重ねて露光用のマスクを作製すること
にある。従って、異なる露光方法の組み合わせによっ
て、露光用マスクを作製することも可能である。例え
ば、ファインパタン像であるライン＆スペースパターン
像をＸ線露光で形成し、ラフパターンを電子線描画装置
で形成してマスクパターンを作製してもよい。そのほ
か、ＡｒＦなどのエキシマレーザーなどの極端紫外線を
用いたＤＵＶ露光や、軟Ｘ線による反射型マスクを用い
たＸ線縮小投影露光、ステンシルマスクに電子を照射し
透過した電子を縮小する電子ビーム一括投影露光や電子
の代わりにイオンを照射するイオンビーム露光などのす
べてのマスクを使用する作製方法の組み合わせによっ
て、露光用マスクを作製してもよい。各種露光で使用さ
れるファインマスクは、実施例で説明したライン＆スペ
ース上の吸収材を持つマスクの他、位相シフトを利用し
たマスクでもよい。例えばＤＵＶ露光では、レベンソン
型と呼ばれる位相が周期的に変化する構造をもつマスク
を用いて、干渉によってレジスト上にファインパターン
を形成してもよい。
ラフパターンをＸ線露光によって２重露光することで、
露光用マスクを作製した。本発明は、正確に転写された
ファインパターン像の上に所望のレジスト像に対応した
ラフパターン像を重ねて露光用のマスクを作製すること
にある。従って、異なる露光方法の組み合わせによっ
て、露光用マスクを作製することも可能である。例え
ば、ファインパタン像であるライン＆スペースパターン
像をＸ線露光で形成し、ラフパターンを電子線描画装置
で形成してマスクパターンを作製してもよい。そのほ
か、ＡｒＦなどのエキシマレーザーなどの極端紫外線を
用いたＤＵＶ露光や、軟Ｘ線による反射型マスクを用い
たＸ線縮小投影露光、ステンシルマスクに電子を照射し
透過した電子を縮小する電子ビーム一括投影露光や電子
の代わりにイオンを照射するイオンビーム露光などのす
べてのマスクを使用する作製方法の組み合わせによっ
て、露光用マスクを作製してもよい。各種露光で使用さ
れるファインマスクは、実施例で説明したライン＆スペ
ース上の吸収材を持つマスクの他、位相シフトを利用し
たマスクでもよい。例えばＤＵＶ露光では、レベンソン
型と呼ばれる位相が周期的に変化する構造をもつマスク
を用いて、干渉によってレジスト上にファインパターン
を形成してもよい。
【００７３】次に上記実施例で述べたＸ線マスクを利用
した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図
７は半導体デバイス（ICやLSI等の半導体チップ、ある
いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステ
ップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3（ウ
エハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造
する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ5（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4に
よって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工
程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージ工程（チップ封入）等の工程を含む。
ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
した半導体デバイスの製造方法の実施例を説明する。図
７は半導体デバイス（ICやLSI等の半導体チップ、ある
いは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。ステ
ップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行
う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パター
ンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ3（ウ
エハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造
する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ば
れ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフ
ィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次の
ステップ5（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ4に
よって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工
程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディン
グ）、パッケージ工程（チップ封入）等の工程を含む。
ステップ6（検査）ではステップ5で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００７４】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化さ
せる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜
を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光材を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では露光装置によってマスクの回路パ
ターンをウエハに焼き付け露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングがす
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路
パターンが形成される。本実施例の製造方法を用いれ
ば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイス
を容易に製造することができる。
を示す。ステップ11（酸化）ではウエハの表面を酸化さ
せる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜
を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光材を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では露光装置によってマスクの回路パ
ターンをウエハに焼き付け露光する。ステップ１７（現
像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エ
ッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取
る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングがす
んで不要となったレジストを取り除く。これらのステッ
プを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路
パターンが形成される。本実施例の製造方法を用いれ
ば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイス
を容易に製造することができる。
【００７５】次に図９および図１０を用いて、本願発明
によるＸ線マスクを利用したＸ線露光装置およびＸ線露
光方法の説明をする。シンクロトロンリング233から発
せられた高輝度のＸ線は、Ｘ線ミラー234の全反射ミラ
ーによってＸ線露光装置に拡大指向される。転写時の露
光量制御は露光量調整用移動シャッタ２３５によって行
う。シャッタ235を通過したＸ線は、さらにＸ線マスク2
36を通過してウエハ140上のレジストにパターニングさ
れる。
によるＸ線マスクを利用したＸ線露光装置およびＸ線露
光方法の説明をする。シンクロトロンリング233から発
せられた高輝度のＸ線は、Ｘ線ミラー234の全反射ミラ
ーによってＸ線露光装置に拡大指向される。転写時の露
光量制御は露光量調整用移動シャッタ２３５によって行
う。シャッタ235を通過したＸ線は、さらにＸ線マスク2
36を通過してウエハ140上のレジストにパターニングさ
れる。
【００７６】図１０は、Ｘ線マスク構造体をＸ線を利用
した半導体素子製造用の露光装置に適用したときの要部
概略図である。図１０において、１３９はＸ線ビーム
で、マスク１３４面上を照射している。135はウエハ
で、例えばＸ線用のレジストが表面に塗布されている。
133はマスクフレーム、134はマスクメンブレン（マス
ク）で、この面上にＸ線の吸収体によりICパターンがパ
ターニングされている。148はペリクル、147はペリクル
上に形成された、ペリクルとウエハ135の間隔、あるい
はペリクルの変動を測定する測定マーク。232はマスク
支持体、136はウエハチャック等のウエハ固定部材、137
はＺ軸ステージ、実際にはティルトが可能な構成になっ
ている。138はＸ軸ステージ、144はｙ軸ステージであ
る。マスクとウエハの位置ずれ検出機能部分は筐体130
a,130bに収まっており、ここからマスク１３４とウエハ
135のギャップとＸ、ｙ面内方向への位置ずれ情報を得
ている。図１０には、２つの位置ずれ検出機能部分の筐
体130a,130bを図示しているが、マスク134上の四隅のIC
パターンエリアの角辺に対応してさらに２個所の位置ず
れ検出機能部分が設けられている。筐体130a,130bの中
には光学系、検出系が収まっている。140a,140bは各位
置ずれ検出光である。Ｘ線マスクおよびウエハは、あら
かじめ位置決めされており、Ｘ線マスクには回路パター
ンが、吸収体によりパターニングされている。Ｘ線ビー
ム139はＸ線マスク236を照射し、パターニングされた吸
収体の像をウエハに転写する。
した半導体素子製造用の露光装置に適用したときの要部
概略図である。図１０において、１３９はＸ線ビーム
で、マスク１３４面上を照射している。135はウエハ
で、例えばＸ線用のレジストが表面に塗布されている。
133はマスクフレーム、134はマスクメンブレン（マス
ク）で、この面上にＸ線の吸収体によりICパターンがパ
ターニングされている。148はペリクル、147はペリクル
上に形成された、ペリクルとウエハ135の間隔、あるい
はペリクルの変動を測定する測定マーク。232はマスク
支持体、136はウエハチャック等のウエハ固定部材、137
はＺ軸ステージ、実際にはティルトが可能な構成になっ
ている。138はＸ軸ステージ、144はｙ軸ステージであ
る。マスクとウエハの位置ずれ検出機能部分は筐体130
a,130bに収まっており、ここからマスク１３４とウエハ
135のギャップとＸ、ｙ面内方向への位置ずれ情報を得
ている。図１０には、２つの位置ずれ検出機能部分の筐
体130a,130bを図示しているが、マスク134上の四隅のIC
パターンエリアの角辺に対応してさらに２個所の位置ず
れ検出機能部分が設けられている。筐体130a,130bの中
には光学系、検出系が収まっている。140a,140bは各位
置ずれ検出光である。Ｘ線マスクおよびウエハは、あら
かじめ位置決めされており、Ｘ線マスクには回路パター
ンが、吸収体によりパターニングされている。Ｘ線ビー
ム139はＸ線マスク236を照射し、パターニングされた吸
収体の像をウエハに転写する。
【００７７】なお、以上の実施例においては、Ｘ線露光
装置に適用した例を述べたが、本発明はかかる装置に限
定されるものではなく、他の露光装置にも適用できるこ
とは言うまでもない。
装置に適用した例を述べたが、本発明はかかる装置に限
定されるものではなく、他の露光装置にも適用できるこ
とは言うまでもない。
【００７８】
【発明の効果】本発明によれば、微細で、かつ位置決め
精度の高いパターンを有するマスクを安価に作製するこ
とが可能となる。
精度の高いパターンを有するマスクを安価に作製するこ
とが可能となる。
【図１】本発明であるマスク作製工程を示す図。
【図２】ａはファインパターンの露光量の分布を示す
図。ｂはラフパターンの露光量の分布を示す図。ｃはフ
ァインパターンとラフパターンの転写によって得られる
露光量の分布を示す図。
図。ｂはラフパターンの露光量の分布を示す図。ｃはフ
ァインパターンとラフパターンの転写によって得られる
露光量の分布を示す図。
【図３】ａ，ｂ，ｃの各々は各種ファインパターンを示
す図。ｄはラフマスクを示す図。ｅ、ｆは、ｄの形状の
マスクを分割して露光する場合のラフマスクを示す図。
す図。ｄはラフマスクを示す図。ｅ、ｆは、ｄの形状の
マスクを分割して露光する場合のラフマスクを示す図。
【図４】ａは露光ギャップを説明する図。ｂは露光ギャ
ップが小さいときの強度分布を示す図。ｃは露光ギャッ
プを制御して、マスクパターンの１／２周期の強度パタ
ーンを得る図。
ップが小さいときの強度分布を示す図。ｃは露光ギャッ
プを制御して、マスクパターンの１／２周期の強度パタ
ーンを得る図。
【図５】露光ギャップを変えて露光することを説明する
図。
図。
【図６】従来のマスク作製工程を示す図。
【図７】半導体デバイスの製造方法を説明する図。
【図８】図７で示したウエハプロセスの詳細なフローを
示す図。
示す図。
【図９】Ｘ線露光装置を示す図。
【図１０】Ｘ線露光装置の要部概略図。
１ マスク支持枠 ２ Ｘ線透過膜 ３ Ｘ線吸収体 ４ レジスト １１ Ｘ線 １２，２２ マスクパターン １３ ファインパターン １４，２４ アライメントマーク １５ ファインマスク ２３ ラフパターン ２５ ラフマスク ２６ アライメント光 ３０ 露光用マスク ３１ 遮光板 ３２ アライメント光学系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千葉 啓子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H095 BA10 BB10 BB11 BB28 BB34 BB36 5F046 AA11 GA16 GD01 GD03 GD04 GD17
Claims (19)
- 【請求項１】 周期構造を持つ吸収体パターンを用いて
基板上に周期パターン像を形成する露光と、所望のレジ
スト像に対応した吸収体パターンを用いて基板上にパタ
ーン像を形成する露光と、により作製されたことを特徴
とするＸ線マスク。 - 【請求項２】 記周期構造を持つ吸収体パターンを用い
てパターン像を形成する露光は、基板上に1/n倍（但しn
は2以上の整数）周期のパターン像を形成する露光であ
ることを特徴とする請求項1項記載のＸ線マスク。 - 【請求項３】 前記周期構造を持つ吸収体パターンを用
いて基板上に周期パターン像を形成する露光において、
吸収体パターンが載置された原板と被転写基板との間隔
を任意に変えて露光することを特徴とした請求項1項記
載のＸ線マスク。 - 【請求項４】 Ｘ線マスクを、周期構造を持つ吸収体パ
ターンを用いて基板上に周期パターン像を形成し作製す
る第一のマスク作成用マスクと、所望のレジスト像に対
応した吸収体パターンによりパターン像を形成し作製し
た第二のマスク作成用マスクとを、少なくとも使用して
作製し、前記Ｘ線マスクの対としてＸ線露光に供するた
めの第二のＸ線マスクを作製する際に、少なくとも前記
第一のマスク作成用マスクを使用することを特徴とする
Ｘ線マスク。 - 【請求項５】 前記周期構造を持つ吸収体パターンを用
いてパターン像を形成する露光は、基板上に1/n倍（但
しnは2以上の整数）周期のパターン像を形成する露光で
あることを特徴とする請求項4項記載のＸ線マスク。 - 【請求項６】 電子ビームを用いて周期構造を持つ吸収
体パターンを作製する第一の工程により作製されたマス
ク作製用マスクと、前記電子ビームとは異ったアドレス
サイズまたは/および電子ビーム径を用いて、所望のレ
ジスト像に対応した吸収体パターンを作製する第二の工
程により作製されたマスク作製用マスクと、少なくとも
上記２つのマスク作製用マスクを用いることを特徴とす
るＸ線マスク作製方法。 - 【請求項７】 周期構造を持つ吸収体パターンを用いて
周期構造を持つパターン像を作製し、電子ビーム露光に
より所望のレジスト像に対応した吸収体パターンを作製
することを特徴とするＸ線マスクの作製方法。 - 【請求項８】 前記周期構造を持つ吸収体パターンは、
該周期構造よりもn倍（但しnは2以上の整数）のピッチ
を持つ周期構造の吸収体パターンを用いて作製すること
を特徴とする請求項７項記載のＸ線マスクの作製方法。 - 【請求項９】 周期構造を持つ吸収体パターンを用いて
基板上に周期パターン像を形成する露光と、所望のレジ
スト像に対応した吸収体パターンを用いて基板上にパタ
ーン像を形成する露光と、を含む工程を有することを特
徴とするＸ線マスク作製方法。 - 【請求項１０】 前記周期構造を持つ吸収体パターンを
用いてパターン像を形成する露光は、基板上に1/n倍
（但しnは2以上の整数）周期のパターン像を形成する露
光であることを特徴とする請求項９項記載のＸ線マスク
作製方法。 - 【請求項１１】 前記周期構造を持つ吸収体パターンを
用いて基板上に周期パターン像を形成する露光におい
て、吸収体パターンが載置された原板と被転写基板との
間隔を任意に変えて露光することを特徴とした請求項９
項記載のＸ線マスク作製方法。 - 【請求項１２】 Ｘ線マスクを、周期構造を持つ吸収体
パターンを用いて基板上に周期パターン像を形成し作製
する第一のマスク作成用マスクと、所望のレジスト像に
対応した吸収体パターンによりパターン像を形成し作製
した第二のマスク作成用マスクとを、少なくとも使用し
て作製し、前記Ｘ線マスクの対としてＸ線露光に供する
ための第二のＸ線マスクを作製する際に、少なくとも前
記第一のマスク作成用マスクを使用することを特徴とす
るＸ線マスク作製方法。 - 【請求項１３】 前記周期構造を持つ吸収体パターンを
用いてパターン像を形成する露光は、基板上に1/n倍
（但しnは2以上の整数）周期のパターン像を形成する露
光であることを特徴とする請求項１２項記載のＸ線マス
ク作製方法。 - 【請求項１４】 前記請求項１〜５項記載のＸ線マスク
を用いて露光することを特徴とするＸ線露光方法。 - 【請求項１５】 前記請求項１〜５項記載のＸ線マスク
を用いて露光することを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項１６】 前記請求項１〜５項記載のＸ線マスク
を用いて露光することを特徴とするＸ線露光方法により
作製された半導体デバイス製造方法。 - 【請求項１７】 前記請求項１〜５項記載のＸ線マスク
を用いて露光することを特徴とするＸ線露光方法により
作製された半導体デバイス。 - 【請求項１８】 前記請求項６〜8項記載のＸ線マスク
作製方法を用いて作製したＸ線マスク。 - 【請求項１９】 周期構造を持つパターンを用いて基板
上に周期パターン像を形成する露光と、所望のレジスト
像に対応したパターンを用いて基板上にパターン像を形
成する露光と、により作製されたことを特徴とするマス
ク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10390999A JP2000299266A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | Ｘ線マスク、およびｘ線マスク作製方法 |
| US09/545,464 US6455203B1 (en) | 1999-04-12 | 2000-04-07 | Mask structure and method of manufacturing the same |
| EP00302991A EP1045288A3 (en) | 1999-04-12 | 2000-04-10 | Mask structure and method of manufacturing the same |
| KR10-2000-0019145A KR100437430B1 (ko) | 1999-04-12 | 2000-04-12 | 마스크구조체 및 그 제작방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10390999A JP2000299266A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | Ｘ線マスク、およびｘ線マスク作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000299266A true JP2000299266A (ja) | 2000-10-24 |
Family
ID=14366563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10390999A Withdrawn JP2000299266A (ja) | 1999-04-12 | 1999-04-12 | Ｘ線マスク、およびｘ線マスク作製方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6455203B1 (ja) |
| EP (1) | EP1045288A3 (ja) |
| JP (1) | JP2000299266A (ja) |
| KR (1) | KR100437430B1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6593035B1 (en) | 2001-01-26 | 2003-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle using polymer films |
| US6544693B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-04-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pellicle for use in small wavelength lithography and a method for making such a pellicle |
| FR2822969B1 (fr) * | 2001-04-03 | 2003-08-22 | St Microelectronics Sa | Procede d'illumination d'une couche d'une matiere, en particulier d'une resine photosensible |
| JP3900901B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2007-04-04 | ソニー株式会社 | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| DE10164306B4 (de) * | 2001-12-28 | 2006-06-08 | Infineon Technologies Ag | Doppelbelichtung mit abbildenden Hilfstrukturen und verschiedenen Belichtungstools |
| TW594429B (en) * | 2003-01-15 | 2004-06-21 | Nanya Technology Corp | Photolithography method for reducing effects of lens aberrations |
| JP4040481B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2008-01-30 | キヤノン株式会社 | ３次元構造形成方法 |
| US7581203B2 (en) * | 2003-06-30 | 2009-08-25 | Agere Systems Inc. | Method and apparatus for manufacturing multiple circuit patterns using a multiple project mask |
| US8259286B2 (en) | 2004-12-21 | 2012-09-04 | Carnegie Mellon University | Lithography and associated methods, devices, and systems |
| KR100757341B1 (ko) * | 2005-12-23 | 2007-09-11 | 삼성전자주식회사 | 실록산 화합물, 이를 포함하는 분자 포토레지스트 조성물및 패턴 형성 방법 |
| US9005848B2 (en) * | 2008-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
| US9005849B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
| RU2488910C1 (ru) * | 2012-02-03 | 2013-07-27 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) | Рентгеношаблон и способ его изготовления |
| CN104597723B (zh) | 2015-02-04 | 2017-02-22 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种掩膜装置、曝光装置及曝光方法 |
| EP3418424A4 (en) * | 2016-02-19 | 2019-03-27 | Air Water Inc. | COMPOSITE SUBSTRATE, PELLETIC LAYER AND METHOD FOR PRODUCING A COMPOSITE SUBSTRATE SUBSTRATE |
| WO2017141835A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | エア・ウォーター株式会社 | 化合物半導体基板、ペリクル膜、および化合物半導体基板の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2835313A1 (de) * | 1978-08-11 | 1980-03-13 | Siemens Ag | Verfahren zum uebertragen von strukturen fuer halbleiterschaltungen |
| JPS6085523A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Fujitsu Ltd | マスク形成方法 |
| JP3234084B2 (ja) | 1993-03-03 | 2001-12-04 | 株式会社東芝 | 微細パターン形成方法 |
| US5424154A (en) | 1993-12-10 | 1995-06-13 | Intel Corporation | Lithographic emhancement method and apparatus for randomly spaced structures |
| US5563012A (en) * | 1994-06-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | Multi mask method for selective mask feature enhancement |
| JP2830854B2 (ja) * | 1996-08-15 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 電子ビーム用マスクおよび露光方法 |
-
1999
- 1999-04-12 JP JP10390999A patent/JP2000299266A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-04-07 US US09/545,464 patent/US6455203B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-04-10 EP EP00302991A patent/EP1045288A3/en not_active Withdrawn
- 2000-04-12 KR KR10-2000-0019145A patent/KR100437430B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1045288A2 (en) | 2000-10-18 |
| US6455203B1 (en) | 2002-09-24 |
| KR20000071645A (ko) | 2000-11-25 |
| EP1045288A3 (en) | 2001-05-02 |
| KR100437430B1 (ko) | 2004-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2940553B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP2000299266A (ja) | Ｘ線マスク、およびｘ線マスク作製方法 | |
| US6596444B2 (en) | Photomask and method for correcting feature size errors on the same | |
| JP2914315B2 (ja) | 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法 | |
| JP2000223400A (ja) | パターン形成方法及びそれを用いた露光装置 | |
| JP2004170948A (ja) | パターン転写用マスク、マスク作製方法及び露光方法 | |
| JP3311302B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP3796294B2 (ja) | 照明光学系及び露光装置 | |
| US6272202B1 (en) | Exposure method and X-ray mask structure for use with the same | |
| JP3332872B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP2005166778A (ja) | 露光装置、デバイスの製造方法 | |
| US6620556B2 (en) | Mask for multiple exposure | |
| JP2000021716A (ja) | 露光装置及びこれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP3050208B2 (ja) | 露光方泡及び該方法を用いる素子製造方法 | |
| US6645707B2 (en) | Device manufacturing method | |
| JP3050210B2 (ja) | 露光方泡および該方法を用いる素子製造方法 | |
| JP3099826B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及び素子製造方法 | |
| JP3085288B2 (ja) | 露光方法、及び該方法を用いる素子製造方法 | |
| JP2000206674A (ja) | マスク及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3031347B2 (ja) | 露光方法 | |
| JPH08320572A (ja) | 露光方法 | |
| JPH1152582A (ja) | 投影露光装置の光学系収差の検出方法および光学系収差検出用レベンソン型位相シフトマスク | |
| JP2001144001A (ja) | パターン形成方法及びそれを用いるデバイス製造方法 | |
| JPH11111583A (ja) | 投影光学系のディストーション計測方法及びそれを用いた投影露光装置並びにそれらを用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2000173913A (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060704 |