JP2000173913A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JP2000173913A JP2000173913A JP10358387A JP35838798A JP2000173913A JP 2000173913 A JP2000173913 A JP 2000173913A JP 10358387 A JP10358387 A JP 10358387A JP 35838798 A JP35838798 A JP 35838798A JP 2000173913 A JP2000173913 A JP 2000173913A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment scope
- wafer
- exposed
- exposure apparatus
- axis alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Light Guides In General And Applications Therefor (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 重ね合わせ精度の向上を図る。
【解決手段】 被露光体上のマーク位置を計測するアラ
イメントスコープを露光光軸とは別の位置に持ち、この
アライメントスコープの位置計測結果に基づいて被露光
体をステップ移動させながら、原版に形成されたパター
ンを投影光学系を介して被露光体の各ショット上に投影
露光する露光装置において、前記アライメントスコープ
の位置を露光時にも計測可能な位置計測手段を設ける。
イメントスコープを露光光軸とは別の位置に持ち、この
アライメントスコープの位置計測結果に基づいて被露光
体をステップ移動させながら、原版に形成されたパター
ンを投影光学系を介して被露光体の各ショット上に投影
露光する露光装置において、前記アライメントスコープ
の位置を露光時にも計測可能な位置計測手段を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッドお
よびマイクロマシン等の微小デバイスを製造するための
露光装置に関するものである。
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッドお
よびマイクロマシン等の微小デバイスを製造するための
露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等の微小デバイスの製造
におけるリソグラフィー工程において、ステップアンド
リピート方式の縮小投影型露光装置、いわゆるステッパ
ーが多用されている。図２に、従来のステッパの構成図
を示す。同図において、１は被露光体であるウエハ、２
はウエハステージ、６はウエハステージ上の計測ミラ
ー、７はステージ位置計測用レーザー光、９はステージ
位置計測用レーザー干渉計、１１は縮小投影レンズ、１
２は原版であるレチクル、１３は紫外線やＸ線等の光
源、２１はアライメント計測用のオフアクシスアライメ
ントスコープである。
におけるリソグラフィー工程において、ステップアンド
リピート方式の縮小投影型露光装置、いわゆるステッパ
ーが多用されている。図２に、従来のステッパの構成図
を示す。同図において、１は被露光体であるウエハ、２
はウエハステージ、６はウエハステージ上の計測ミラ
ー、７はステージ位置計測用レーザー光、９はステージ
位置計測用レーザー干渉計、１１は縮小投影レンズ、１
２は原版であるレチクル、１３は紫外線やＸ線等の光
源、２１はアライメント計測用のオフアクシスアライメ
ントスコープである。
【０００３】このような半導体縮小露光装置は、レチク
ル１２の上に描かれた微細パターンを紫外線やＸ線等の
光源１３により縮小投影レンズ１１で例えば１／５に縮
小してウエハ１上に露光転写する。このとき、ウエハ１
上にすでに露光されているショットに対して重ねあわせ
て露光しなければならない。このため、露光前にオフア
クシスアライメントスコープ２１を用いて、すでにウエ
ハ１上に露光されているショット内のアライメントマー
ク（不図示）を計測して、統計処理によりショットの格
子を求め、その格子に合わせてウエハ１をウエハステー
ジ２によりステップアンドリピートと呼ばれるＸ−Ｙ駆
動により露光光軸上に位置決めしながら、順次露光が行
なわれる。
ル１２の上に描かれた微細パターンを紫外線やＸ線等の
光源１３により縮小投影レンズ１１で例えば１／５に縮
小してウエハ１上に露光転写する。このとき、ウエハ１
上にすでに露光されているショットに対して重ねあわせ
て露光しなければならない。このため、露光前にオフア
クシスアライメントスコープ２１を用いて、すでにウエ
ハ１上に露光されているショット内のアライメントマー
ク（不図示）を計測して、統計処理によりショットの格
子を求め、その格子に合わせてウエハ１をウエハステー
ジ２によりステップアンドリピートと呼ばれるＸ−Ｙ駆
動により露光光軸上に位置決めしながら、順次露光が行
なわれる。
【０００４】ウエハステージ２は、露光光軸上の位置決
めおよびオフアクシスアライメントスコープ２１下での
位置決めにおいて、レーザー干渉計９で計測された位置
に従い、リニアモータ（不図示）を駆動することで位置
決めをしている。
めおよびオフアクシスアライメントスコープ２１下での
位置決めにおいて、レーザー干渉計９で計測された位置
に従い、リニアモータ（不図示）を駆動することで位置
決めをしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例においては、いわゆるベースライン補正を行なうた
め、露光光軸とオフアクシスアライメントスコープとの
位置関係を予めどのように正確に測定しても、露光時の
重ね合わせのずれをオフアクシスアライメントスコープ
の測定誤差およびウエハステージの駆動誤差等から推定
される値以下にすることができないという問題点があっ
た。
例においては、いわゆるベースライン補正を行なうた
め、露光光軸とオフアクシスアライメントスコープとの
位置関係を予めどのように正確に測定しても、露光時の
重ね合わせのずれをオフアクシスアライメントスコープ
の測定誤差およびウエハステージの駆動誤差等から推定
される値以下にすることができないという問題点があっ
た。
【０００６】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、オフアクシスアライメントスコ
ープを用いたグローバルアライメントの結果に基づいて
被露光体上の複数の各ショットを位置決めしながら、原
版に形成されたパターンを投影光学系を介して各ショッ
ト上に投影露光する露光装置において、露光時の重ね合
わせ精度の向上を図ることを目的とする。
鑑みてなされたもので、オフアクシスアライメントスコ
ープを用いたグローバルアライメントの結果に基づいて
被露光体上の複数の各ショットを位置決めしながら、原
版に形成されたパターンを投影光学系を介して各ショッ
ト上に投影露光する露光装置において、露光時の重ね合
わせ精度の向上を図ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明では、原版に形成されたパターンを投影光学系
を介して被露光体上に投影露光する露光装置であって、
被露光体上のマーク位置を計測するアライメントスコー
プを露光光軸とは別の位置に持つものにおいて、前記ア
ライメントスコープの位置を計測する位置計測手段を備
えたことを特徴とする。
め本発明では、原版に形成されたパターンを投影光学系
を介して被露光体上に投影露光する露光装置であって、
被露光体上のマーク位置を計測するアライメントスコー
プを露光光軸とは別の位置に持つものにおいて、前記ア
ライメントスコープの位置を計測する位置計測手段を備
えたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】従来の露光装置においては、オフアクシスアラ
イメントスコープでのアライメントマーク計測時に、ウ
エハステージの移動による反力などでアライメントスコ
ープが動いてしまうと、そのアライメントスコープのず
れをもウエハ上のアライメントマークのずれとして計測
してしまい、露光時の重ね合わせのずれとなってしまっ
ていた。本発明においては、オフアクシスアライメント
スコープの位置を計測する位置計測手段を備えたため、
オフアクシスアライメントスコープでのアライメントマ
ーク計測中にオフアクシスアライメントスコープが動い
てしまっても、その位置を計測してアライメントマーク
計測値に反映させることができ、露光時の重ね合わせ精
度を向上させることができる。
イメントスコープでのアライメントマーク計測時に、ウ
エハステージの移動による反力などでアライメントスコ
ープが動いてしまうと、そのアライメントスコープのず
れをもウエハ上のアライメントマークのずれとして計測
してしまい、露光時の重ね合わせのずれとなってしまっ
ていた。本発明においては、オフアクシスアライメント
スコープの位置を計測する位置計測手段を備えたため、
オフアクシスアライメントスコープでのアライメントマ
ーク計測中にオフアクシスアライメントスコープが動い
てしまっても、その位置を計測してアライメントマーク
計測値に反映させることができ、露光時の重ね合わせ精
度を向上させることができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の一形態に
係る露光装置は、オフアクシスアライメントスコープに
参照面を設けて、その参照面をレーザー干渉計により計
測することで、オフアクシスアライメントスコープでの
アライメントマーク計測中のオフアクシスアライメント
スコープの動きを計測し、アライメントマークの計測値
にオフアクシスアライメントスコープの位置ずれを反映
させることを特徴とする。
係る露光装置は、オフアクシスアライメントスコープに
参照面を設けて、その参照面をレーザー干渉計により計
測することで、オフアクシスアライメントスコープでの
アライメントマーク計測中のオフアクシスアライメント
スコープの動きを計測し、アライメントマークの計測値
にオフアクシスアライメントスコープの位置ずれを反映
させることを特徴とする。
【００１０】これにより、オフアクシスアライメントス
コープでのアライメントマーク計測中にオフアクシスア
ライメントスコープが動いてしまっても、その位置をレ
ーザー干渉計により計測し、アライメントマーク計測値
に反映させるため、露光時の重ねあわせずれにはならな
いので、ショット重ねあわせ精度が向上する。
コープでのアライメントマーク計測中にオフアクシスア
ライメントスコープが動いてしまっても、その位置をレ
ーザー干渉計により計測し、アライメントマーク計測値
に反映させるため、露光時の重ねあわせずれにはならな
いので、ショット重ねあわせ精度が向上する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。 （第１の実施例）図１は、本発明の一実施例に係るステ
ッパーの構成図を示す。同図において、１はウエハ、２
はウエハステージ、６はウエハステージ上の計測ミラ
ー、７はステージ位置計測用レーザー光、９はステージ
位置計測用レーザー干渉計、１１は縮小投影レンズ、１
２はレチクル、１３は紫外線やＸ線等の光源、２１はア
ライメント計測用のオフアクシスアライメントスコー
プ、２２はオフアクシスアライメントスコープ計測ミラ
ー、２３はオフアクシスアライメントスコープ位置計測
用レーザー光、２４はオフアクシスアライメントスコー
プ位置計測用レーザー干渉計である。
る。 （第１の実施例）図１は、本発明の一実施例に係るステ
ッパーの構成図を示す。同図において、１はウエハ、２
はウエハステージ、６はウエハステージ上の計測ミラ
ー、７はステージ位置計測用レーザー光、９はステージ
位置計測用レーザー干渉計、１１は縮小投影レンズ、１
２はレチクル、１３は紫外線やＸ線等の光源、２１はア
ライメント計測用のオフアクシスアライメントスコー
プ、２２はオフアクシスアライメントスコープ計測ミラ
ー、２３はオフアクシスアライメントスコープ位置計測
用レーザー光、２４はオフアクシスアライメントスコー
プ位置計測用レーザー干渉計である。
【００１２】オフアクシスアライメントスコープ２１で
のアライメントマーク計測時において、計測ミラー６、
ステージ位置計測用レーザー干渉計９およびステージ位
置計測用レーザー光７により計測したウエハステージ２
の位置により、ウエハ１を乗せたウエハステージ２をオ
フアクシスアライメントスコープ２１の下に送り込み、
オフアクシスアライメントスコープ２１によりウエハｌ
上のアライメントマークの位置を計測する。
のアライメントマーク計測時において、計測ミラー６、
ステージ位置計測用レーザー干渉計９およびステージ位
置計測用レーザー光７により計測したウエハステージ２
の位置により、ウエハ１を乗せたウエハステージ２をオ
フアクシスアライメントスコープ２１の下に送り込み、
オフアクシスアライメントスコープ２１によりウエハｌ
上のアライメントマークの位置を計測する。
【００１３】この時同時に、オフアクシスアライメント
スコープ計測ミラー２２、オフアクシスアライメントス
コープ位置計測用レーザー光２３およびオフアクシスア
ライメントスコープ位置計測用レーザー干渉計２４によ
りオフアクシスアライメントスコープ２１の位置ずれを
計測しておき、上で求めたアライメントマークの位置計
測値をオフアクシスアライメントスコープ２１の位置ず
れ計測値で補正する。
スコープ計測ミラー２２、オフアクシスアライメントス
コープ位置計測用レーザー光２３およびオフアクシスア
ライメントスコープ位置計測用レーザー干渉計２４によ
りオフアクシスアライメントスコープ２１の位置ずれを
計測しておき、上で求めたアライメントマークの位置計
測値をオフアクシスアライメントスコープ２１の位置ず
れ計測値で補正する。
【００１４】このようにしてオフアクシスアライメント
スコープの位置ずれを補正したアライメントマークの位
置を複数計測し、統計処理によりウエハ上に焼き付けら
れているショットの格子を求め、その格子に合わせてウ
エハ１をウエハステージ２をステップアンドリピートに
より露光光軸上に位置決めしながら、順次露光を行な
う。
スコープの位置ずれを補正したアライメントマークの位
置を複数計測し、統計処理によりウエハ上に焼き付けら
れているショットの格子を求め、その格子に合わせてウ
エハ１をウエハステージ２をステップアンドリピートに
より露光光軸上に位置決めしながら、順次露光を行な
う。
【００１５】なお、上述においては、本発明をステップ
アンドリピート方式の投影露光装置（ステッパー）に適
用した例について説明したが、本発明は、他の方式の露
光装置、例えば、投影光学系に対し原版と被露光体とを
同期走査して原版のパターン像を被露光体上に転写する
ステップアンドスキャン方式の投影露光装置にも適用可
能である。
アンドリピート方式の投影露光装置（ステッパー）に適
用した例について説明したが、本発明は、他の方式の露
光装置、例えば、投影光学系に対し原版と被露光体とを
同期走査して原版のパターン像を被露光体上に転写する
ステップアンドスキャン方式の投影露光装置にも適用可
能である。
【００１６】
【デバイス生産方法の実施例】次に上記説明した露光装
置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図３は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、
液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）で
はデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マス
ク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンや
ガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図３は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、
液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン
等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）で
はデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マス
ク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作
する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンや
ガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマ
スクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエ
ハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立
て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された
ウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセ
ンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージ
ング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６
（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷
（ステップ７）される。
【００１７】図４は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
を示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ
１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ
１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分
を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチ
ングが済んで不要となったレジストを取り除く。これら
のステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に
多重に回路パターンが形成される。
【００１８】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
オフアクシスアライメントスコープでのアライメントマ
ーク計測中にオフアクシスアライメントスコープが動い
てしまっても、その位置を計測してアライメントマーク
計測値を補正することができるため、ショットの重ねあ
わせ精度が向上するという効果がある。
オフアクシスアライメントスコープでのアライメントマ
ーク計測中にオフアクシスアライメントスコープが動い
てしまっても、その位置を計測してアライメントマーク
計測値を補正することができるため、ショットの重ねあ
わせ精度が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体露光装置の構
成図である。
成図である。
【図２】 従来の半導体露光装置の構成図である。
【図３】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図４】 図３におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示す図である。
示す図である。
１：ウエハ、２：ウエハステージ、６：ウエハステージ
上の計測ミラー、７：ステージ位置計測用レーザー光、
９：ステージ位置計測用レーザー干渉計、１１：縮小投
影レンズ、１２：レチクル、１３：紫外線やＸ線等の光
源、２１：アライメント計測用のオフアクシスアライメ
ントスコープ、２２：オフアクシスアライメントスコー
プ計測ミラー、２３：オフアクシスアライメントスコー
プ位置計測用レーザー光、２４：オフアクシスアライメ
ントスコープ位置計測用レーザー干渉計。
上の計測ミラー、７：ステージ位置計測用レーザー光、
９：ステージ位置計測用レーザー干渉計、１１：縮小投
影レンズ、１２：レチクル、１３：紫外線やＸ線等の光
源、２１：アライメント計測用のオフアクシスアライメ
ントスコープ、２２：オフアクシスアライメントスコー
プ計測ミラー、２３：オフアクシスアライメントスコー
プ位置計測用レーザー光、２４：オフアクシスアライメ
ントスコープ位置計測用レーザー干渉計。
Claims (4)
- 【請求項１】 原版に形成されたパターンを投影光学系
を介して被露光体上に投影露光する露光装置であって、
被露光体上のマーク位置を計測するアライメントスコー
プを露光光軸とは別の位置に持つものにおいて、前記ア
ライメントスコープの位置を計測する位置計測手段を備
えたことを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 前記アライメントスコープによる前記被
露光体上のアライメントマーク位置計測時に、同時に前
記位置計測手段によるアライメントスコープの位置計測
値を用いてアライメントマークの位置計測値を補正する
ことを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 前記アライメントスコープの位置を計測
する位置計測手段として、アライメントスコープに参照
ミラーを取り付け、レーザー干渉計を使ってこのアライ
メントスコープの参照ミラーの位置を計測することを特
徴とする請求項１または２記載の露光装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の露光装
置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイ
ス製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10358387A JP2000173913A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10358387A JP2000173913A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000173913A true JP2000173913A (ja) | 2000-06-23 |
Family
ID=18459032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10358387A Pending JP2000173913A (ja) | 1998-12-03 | 1998-12-03 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000173913A (ja) |
-
1998
- 1998-12-03 JP JP10358387A patent/JP2000173913A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3402750B2 (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 | |
| US6654096B1 (en) | Exposure apparatus, and device manufacturing method | |
| US6342703B1 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method employing the exposure method | |
| JP3292022B2 (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP3210145B2 (ja) | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JP3315540B2 (ja) | 位置計測装置、位置合わせ装置、露光装置およびデバイスの製造方法 | |
| US6683673B2 (en) | Alignment system and projection exposure apparatus | |
| JP5084432B2 (ja) | 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH1116828A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000187338A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3576722B2 (ja) | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 | |
| JP3658091B2 (ja) | 走査型露光方法および該方法を用いたデバイス製造方法 | |
| JPH1174190A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP3658142B2 (ja) | 計測方法およびデバイス製造方法 | |
| JP2000228355A (ja) | 半導体露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP3198718B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP2000173913A (ja) | 露光装置 | |
| JP4677180B2 (ja) | 半導体製造装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2003197504A (ja) | 露光方法及びデバイス製造方法 | |
| JPH0936024A (ja) | 走査型露光装置及び該装置を用いてデバイスを製造する方法 | |
| JP3722330B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2000138161A (ja) | 露光装置 | |
| JP3441966B2 (ja) | 走査型露光装置および方法、デバイス製造方法 | |
| JP2000182936A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP2001085316A (ja) | 露光装置、デバイス製造方法およびステージ装置 |