JPS6085523A - マスク形成方法 - Google Patents

マスク形成方法

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JPS6085523A
JPS6085523A JP58194580A JP19458083A JPS6085523A JP S6085523 A JPS6085523 A JP S6085523A JP 58194580 A JP58194580 A JP 58194580A JP 19458083 A JP19458083 A JP 19458083A JP S6085523 A JPS6085523 A JP S6085523A
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photorepeater
mask
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
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    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ＋ａ＋　発明の技術分野 本発明は半導体装置の製造に用いるマスクマスクのマス
クプリント方法の改良に関する。
（ｂｌ　従来技術と問題点 半導体装置の製造方法に用いられるコピーマスクを形成
するためのマスクマスクの従来のマスクプリント方法に
ついて第１図、および第２図を用いながら説明する。
第１図に示すようにマスタマスク形成用のガラス基板ｌ
上には、クロム（Ｃｒ）よりなる金属膜２が蒸着等によ
り形成され、その上にはホトレジスト膜３が形成されて
いる。そしてこのガラス基板上にホトリピータ４を設置
し、このホトリピータを縦、および横方向へ、所定のピ
ンチで移動させることでホトリピータより出射される光
によりホトレジスト膜３上を所定のパターンに描画して
い恥。そして所定のパターンに描画されて露光されたホ
トレジスト膜をレジスト膜除去液で除去して、所定パタ
ーンのホトレジスト膜を形成後、このパターニングされ
たホトレジスト膜をマスクとして用い、その下に形成さ
れているＣｒ膜を所定のパターンに形成してマスクマス
クを形成している。
ところで従来、金属膜、およびホトレジスト膜を形成し
た基板上を、ホトリピータを用いて描画してマスクマス
クを形成する際、第２図に示すような描画方法が用いら
れていた。
図示するようにＣｒよりなる金属膜２、およびホトレジ
スト膜３を形成したガラス基板１の左端部の小方形のチ
ップ１１上にホトリピータ４を設置して、チップ１１内
のパターンを描画した後、このホトリピータを矢印Ａに
示す横方向に所定のピッチＢだけ移動させて小方形のチ
ップ１２内のパター゛ンを描画する。次いで更にホトリ
ピータを矢印Ａ方向に所定のピンチＢづつ順次移動させ
てチ・ノブ１３内のパターンを描画し、次いでチップ１
４内のパターンを描画し、このようにして順次横方向に
一列のチップのパターンを描画してチップ１５のパター
ンを描画した段階で、ホトリピータを縦方向に所定のピ
ッチＢだけ移動させて、第２列目のチ・ノブ１６内のパ
ターンを描画する。その後、ホトリピータを矢印Ｃ方向
にピッチＢづつ移動させてチ・ノブ１６、１７．１８．
１９．２０内のパターンを描画する。次いでホトリピー
タを縦方向に所定のピッチＢだけ移動させてチップ２１
内のパターンを描画した後、ホトリピータを矢印り方向
に移動させチップ２５内のノ々クーンを描画し、順次こ
のようにしてチ・ノブ２６・・・・・３０．３１・・・
・・のパターンを描画して最終のチップ３５内迄のパタ
ーンを順次描画し、これによって縦、横所定数の小方形
のチップ１１，１２・・・・・３５で構成された大方形
のマスクパターンを描画するようにしている。
ところで、これら小方形のチップ１７．１８．１９のよ
うに周囲が他の小方形のチップで囲まれているチップは
、そのチップ１７．１８．１９の４隅に第３図に示すよ
うなバーニヤと称する十字形状のマスクパターンの検査
マーク４１が設けられており、大方形のマスクパターン
を形成後、この検査マークの中心点０から十字形の先端
部までの寸法を顕微鏡にて測長することで各チップの寸
法を検査するようにしている。またこれ等、小方形のチ
ップの寸法の測長とともに、これら小方形のチップで構
成される大方形のマスクパターンの周囲の四方の寸法を
レーザビームを用いて測長して形成されたマスクパター
ンの精度を検査する方法も取られており、これら小方形
のチップの測長、および大方形のマスクパターンの周囲
の四方の長さの測長を合わせて実施することで、形成さ
れた大方形のマスクパターンの精度検査を実施している
。
ところで従来の大方形のマスクパターンのプリント方法
では、小方形のチップのパターンを描画した後、この描
画したパターンを有するチップと隣接する小方形のチッ
プのパターンを順次描画する方法が用いられており、こ
のような方法ではホトリピータが移動する際の慣性によ
って１チ・ノブのパターンを描画する毎にパターンの寸
法の誤差が加算され、最終の大方形のマスクパターンを
形成した場合、その小方形のチップのパターンを形成す
る際の寸法の誤差が加算されて大方形のマスクパターン
が形成される。そのため大方形のマスクパターンを形成
後、この大方形のパターンの周囲の４辺の長さをレーザ
ビームを用いて測長しなければならず、形成されたマス
クパターンの検査に多大の労力を要する問題点があった
。
ｆｃ）　発明の目的 本発明は上記した問題点を除去し、小方形のチップのパ
ターンを形成する際に生じた位置ずれ量が加算されない
で、大方形のマスクパターンが形成されるようにし、も
って形成された最終の大方形のマスクパターンを検査す
るための検査工数を低減せしめるような新規なマスクプ
リント方法の提供を目的とするものである。
１ｄｌ　発明の構成 かかる目的を達成するための本発明のマスクプリント方
法は、ホトマスク形成用金属膜、およびホトレジスト膜
を積層形成した基板上よりホトリピータを横方向に所定
のピッチで移動させて、大方形の第１列目の小方形の１
チツプ内のパターンを順次描画し、次いで該ホトリピー
タを縦方向に所定のピッチで移動させた後、前記大方形
の第１列目のパターンを描画した方向と反対方向にホト
リピータを所定のピッチで横方向に移動させ、大方形の
第２列目の小方形の１チツプ内のパターンを順次描画す
る手順を繰り返して、基板上に小方形のパターンよりな
る１チツプを横の列、および縦の行からなるマトリック
ス状に所定の数量組み合わせて大方形のパターンを描画
するマスクプリント方法に於いて、前記大方形のマスク
パターンの周囲の四方の列、および行を構成する小方形
のチップのうちで、四方の列、および行の内のそれぞれ
より１個の小方形のチップのパターンをあらかじめ描画
した後、前記横方向の第１列目のチップのパターンを描
画し、次いで縦方向に所定のピッチだけ、ホトリピータ
を移動させた後、横方向の第２列目のチップのパターン
を描画し、上記描画手順を順次繰り返して大方形のパタ
ーンを描画するようにしたことを特徴とするものである
。
（Ｑ）　発明の実施例 以下図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に説
明する。
本発明のマスクプリント方法を説明するための図を第４
図に示す。
前記したマスク形成用金属膜２、およびホトレジスト膜
３を順次積層形成したガラス基板１を用意する。次いで
第４図に示すようにこのように形成した基板１上の描画
すべき大方形のマスクパターンの周囲を構成する縦の行
、および横の列のチップの内、横の第１列の中央部のチ
ップ５１上にホトリピータ４を設置し、チップ５１内の
パターンを描画する。次いでホトリピータを描画すべき
大方形のマスクパターンの周囲の４方のうちの縦の第１
行中央部のチップ５２上にホトリピータ４を設置して、
チップ５２内のパターンを描画する。次いでホトリピー
タを描画すべき大方形のマスクパターンの周囲の４方の
うちの横の第５列の中央部のチップ５３上にホトリピー
タ４を設置して、チップ５３内のパターンを描画する。
次いでホトリピータを描画すべき大方形のマスクパター
ンの周囲の４方のうちの縦の第５行の中央部のチップ５
４上にホトリピータ４を設置して、チップ５４内のパタ
ーンを描画する。その後、ホトリピータを描画すべき大
方形のマスクパターンの左端部の隅の位置に移動させ、
チップ５５内のパターンを描画する。その後、矢印Ｅ方
向に沿ってホトリピータを所定のピッチづつ移動させ、
チップ５６．５７．５８内のパターンを描画する。次い
でホトリピータを縦方向に所定のピンチ移動させ、チッ
プ５９内のパターンを描画した後、更に矢印Ｆ方向に所
定のピッチづつ移動させて、チップ６０．６１，６２．
６３内のパターンを描画した後、更にホトリピータを縦
方向に所定のピンチ移動させた後、更に矢印Ｇ方向に沿
って移動させ、チップ６４，６５．６６内のパターンを
描画する。次いでホトリピータを縦方向に所定のピンチ
移動させた後、更に矢印Ｈ方向に沿って移動させ、チッ
プ６７゜６Ｂ、　６９．７０．７１内のパターンを描画
する。次いでホトリピータを縦方向に所定のピッチ移動
させ、チップ７２内のパターンを描画した後、ホトリピ
ータを矢印に方向に沿って移動させ、チップ？３．７４
．７５内のパターンを順次描画する。
このような方法でマスタマスクのパターンを描画すれば
、最初に形成すべき大方形のマスクパターンの周囲の列
、および行の中央部のチップのパターンをあらかじめ描
画してから、小方形のチップのパターンを描画している
ので、従来のマスクプリント方法におけるように隣接す
るチップのパターンを順次、連続して描画する場合と異
なり、小方形のチップのパターンを描画する時に生じた
寸法の誤差も加算されることがなくなる。また形成すべ
き大方形のマスクパターンの周囲の寸法はホトリピータ
を駆動させるＣＰＵに記憶させ、マスクパターンを形成
する際に、まず最初に形成すべき大方形の周囲の四方の
列、および行の中心部のチップよりパターンを描画して
いるので、形成した大方形のマスクパターンの周囲の寸
法は殆ど誤差を生じることがない。そのため、このよう
なマスクプリント方法で形成されたマスクマスクを検査
するには、大方形のマスクパターンの周囲の４方の列、
および行の中央部のチップ５１．５２，５３゜５４のコ
ーナーａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ１ｇ、ｈに形成されてい
る第３図に示した検査マーク４１のいずれかを選びだし
て、その検査マーク４１の中心位置からの位置ずれを顕
微鏡で検査するのみで容易に形成された大方形のマスク
パターンの周囲の寸法の誤差を測長することができ、従
来のマスクプリント方法を用いて描画した場合における
ように形成した大方形のマスクパターンの周囲の寸法を
レーザビームを用いて測長するような複雑な検査工程を
用いなくて済み、形成されるマスクパターンの検査工数
が短縮される°効果を生じる。
尚、本実施例においては、大方形のマスクパターンを形
成する際、形成すべき大方形のマスクパターンの周囲を
構成する縦の行、および横の列の中央部のチップ５１　
、５２．５３．５４のパターンを形成してから、その他
のチップのパターンを形成する方法をとったが、本発明
のマスクプリント方法はこれに限らず、形成すべき大方
形のマスクパターンの周囲を構成する縦の行、横の列の
各々よりこの縦の行、横の列を構成する小方形のチップ
をいずれか１個づつ選び出し、このチップのパターンを
あらかじめ描画する方法をとっても良い。
（ｆｌ　発明の効果 以上述べたように本発明のマスクプリント方法によれば
、形成されたマスクパターンの寸法を簡単に測長でき、
形成されたマスクパターンの検査工数を低減させること
ができる効果を生じる。
【図面の簡単な説明】
第１図はマスクプリント方法を説明するための概略図、
第２図は従来のマスクプリント方法を説明するための説
明図、第３図はマスクプリント方法に用いる位置合わせ
マークの平面図、第４図は本発明のマスクプリント方法
を説明するための説明図である。 図に於いて、１はガラス基板、２は金属膜、３ばホトレ
ジスト膜、４はホトリピータ、１１，１２，１３゜１４
、１５．１６．１７．１８．１９．２０．２１．２５．
２６．３０．３１．３５．５１．５２゜５３、５４．５
５．５６．５７．５８．５９．６０．６１．６２．６３
．６４．６５．６６、６７゜６８、６９．７０．７１．
７２．７３．７４．７５はチップ、４Ｉは位置合わ−Ｌ
７−り、Ａ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ，にはホトリピー
タの移動方向を示す矢印、Ｂはホトリピータの移動ピン
チ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ。 ｇ、ｈはチップのコーナー、０は位置合わせマークの中
心位置を示す。 第１図 第　２図 第３図 第４図 手続補正書（６鋤 昭和　４１　月　［」 ｓｑｙ＋＋、ｔｓ ↑７１・許庁長宮殿 １・Ｂ　ｆ’ｌの）（ボ 昭和タン年Ｔ’ｆｉＦｒ願第２）ｑ夕２０シ：３１１１
１止をすると □Ｉ（ｌ’ｌとの関部　ｆ、ｆ４．’＋出屑１人ｆ１−
所　神奈川県用崎市中原区−」−小１１．１中１０１５
１！’ｉ地（５２２）名相、富士通株式会社 ４　代　理　人　住所　神≦Ｓ用県用崎市【１コ１工ン
区しｌ−１１１Ｈｏ＋５計地５　補止命令の１．１付 昭和　年　月　１ｊ　なし く１）　明細書の特許請求の範囲を下記の通り補正する
。 ｔＡ工↓整え

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ホトマスク形成用金属膜、およびホトレジスト膜を積層
    形成した基板上よりホトリピータを横方向に所定のピン
    チで移動させて、大方形の第１列目の小方形の１チツプ
    内のパターンを順次描画し、次いで該ホトリピータを縦
    方向に所定のピンチで移動させた後、前記大方形の第１
    列目のパターンを描画した方向と反対方向にホトリピー
    タを所定のピンチで横方向に移動させ、大方形の第２列
    目の小方形の１チツプ内のパターンを順次描画する手順
    を繰り返して、基板上に小方形のパターンよりなる１チ
    ツプを横の列、および縦の行からなるマトリックス状に
    所定の数量組み合わせて大方形のパターンを描画するマ
    スクプリント方法に於いて、前記大方形のマスクパター
    ンの周囲の四方の列、゛および行を構成する小方形のチ
    ップのうちで、四方の列、および行の内のそれぞれより
    １個の小方形のチップのパターンをあらかじめ描画した
    後、前記横方向の第１列目のチップのパターンを描画し
    、次いで縦方向に所定のピンチだけ、ホトリピータを移
    動させた後、横方向の第２列目のチップのパターンを描
    画し、上記描画手順を順次繰り返して大方形のパターン
    を描画するようにしたことを特徴とするマスクプリント
    方法。
JP58194580A 1983-10-17 1983-10-17 マスク形成方法 Granted JPS6085523A (ja)

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JPS6233739B2 JPS6233739B2 (ja) 1987-07-22

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KR100437430B1 (ko) * 1999-04-12 2004-06-25 캐논 가부시끼가이샤 마스크구조체 및 그 제작방법

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