JPS604216A - 電子ビ−ム露光方法 - Google Patents
電子ビ−ム露光方法Info
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- JPS604216A JPS604216A JP58113055A JP11305583A JPS604216A JP S604216 A JPS604216 A JP S604216A JP 58113055 A JP58113055 A JP 58113055A JP 11305583 A JP11305583 A JP 11305583A JP S604216 A JPS604216 A JP S604216A
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- JP
- Japan
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- pattern
- photomask
- electron beam
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 102000005840 alpha-Galactosidase Human genes 0.000 claims 1
- 108010030291 alpha-Galactosidase Proteins 0.000 claims 1
- 229940033685 beano Drugs 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、半導体装置の製造に用いるフォトマスクに
微細パターンを形成する電子ビームの露光精度を検査で
きるようにした、電子ビーム露光方法に関する。
微細パターンを形成する電子ビームの露光精度を検査で
きるようにした、電子ビーム露光方法に関する。
集積回路などの半導体装置をｆ！Ｊ造する場合、一般に
フォトリングラフィ技術によりパターン形成が行なわれ
る。近年この種の半導体装置の集積度が高くなる一方、
パターン精度１重ね合せ精度等、ますますフォトマスク
の品質精度が向上し、製造工程も複雑化している。この
ため、微細加工が容易であり、高精度かつ、高速でマス
ク作成が可能な電子ビーム露光装置が使用され始めてい
る。電子ビーム露光装置は、電子ビームテータに従い所
定のスキャン幅で各チップ部を連続的に露光することに
より、フォトマスクを作成するようしているＯ この種の従来の電子ビーム露光方法は、次のようにして
いた。第１図にフォトマスクの説明図に示すように、ラ
スメスキャン形の電子ビーム露光装置は、フォトマスク
ｉｌ＋の各チップ部（２）を所定のスキャン幅ＷでＸ軸
方向に走査し、これを順次Ｙ軸方向に進めていくことに
よりフォトマスク（１１全面の各チップ部（２）を露光
しそれぞれパターン（３）を形成し一部いる。＝１−２
図に第１図のチップ部（２）のＡ部を拡大し“Ｃ示し、
所定のスキャン幅Ｗで走査しストン・ｆプ（４）をなし
ている。
フォトリングラフィ技術によりパターン形成が行なわれ
る。近年この種の半導体装置の集積度が高くなる一方、
パターン精度１重ね合せ精度等、ますますフォトマスク
の品質精度が向上し、製造工程も複雑化している。この
ため、微細加工が容易であり、高精度かつ、高速でマス
ク作成が可能な電子ビーム露光装置が使用され始めてい
る。電子ビーム露光装置は、電子ビームテータに従い所
定のスキャン幅で各チップ部を連続的に露光することに
より、フォトマスクを作成するようしているＯ この種の従来の電子ビーム露光方法は、次のようにして
いた。第１図にフォトマスクの説明図に示すように、ラ
スメスキャン形の電子ビーム露光装置は、フォトマスク
ｉｌ＋の各チップ部（２）を所定のスキャン幅ＷでＸ軸
方向に走査し、これを順次Ｙ軸方向に進めていくことに
よりフォトマスク（１１全面の各チップ部（２）を露光
しそれぞれパターン（３）を形成し一部いる。＝１−２
図に第１図のチップ部（２）のＡ部を拡大し“Ｃ示し、
所定のスキャン幅Ｗで走査しストン・ｆプ（４）をなし
ている。
このように、１チップ部ｉ１１のデータは何ストライプ
（４）分にも分割され露光されるので、必ずチップ部（
１）内は、ストライプ（４）の継ぎ部分が問題となって
くる。ｔｌこ、元方法によるフォトマスク作成方法とは
異なり、ｑａ回電子ビームデータに従い作成するので、
パターンの保障が問題となる。このように所定のスキャ
ン幅Ｗで走査し、順次Ｙ軸方向に進めＣいっているので
、パターンの継ぎ部の検量は１ｕ回不可欠であり、全ヌ
トライプ（４）についてそれが保障されなければならな
い。
（４）分にも分割され露光されるので、必ずチップ部（
１）内は、ストライプ（４）の継ぎ部分が問題となって
くる。ｔｌこ、元方法によるフォトマスク作成方法とは
異なり、ｑａ回電子ビームデータに従い作成するので、
パターンの保障が問題となる。このように所定のスキャ
ン幅Ｗで走査し、順次Ｙ軸方向に進めＣいっているので
、パターンの継ぎ部の検量は１ｕ回不可欠であり、全ヌ
トライプ（４）についてそれが保障されなければならな
い。
上記従来の方法では、スキャン幅Ｗを正確に測る方法が
なく、測定が不可能であり、ストライプ（４）の継ぎ部
分の測定、スキャン幅Ｗの測定尺Ｑ・電子ビームの異常
状態について、７Ａトマスク（１）の全ナツプ部（２）
について行うことができす、精度のよいフォトマスクを
作成することかできなかった。
なく、測定が不可能であり、ストライプ（４）の継ぎ部
分の測定、スキャン幅Ｗの測定尺Ｑ・電子ビームの異常
状態について、７Ａトマスク（１）の全ナツプ部（２）
について行うことができす、精度のよいフォトマスクを
作成することかできなかった。
この発明は、上記従来の方法の欠点をなくするためにな
されたもので、フォトマスクの各チップ部内に正規の本
パターンの外に、電子ビームの精度が確認できるモニタ
パターンをそれぞれ配散し、電子ビーム装置の精度がチ
ェックでき、高精度なフォトマスクの作成が容易になる
電子ビーム露光方法を提供することを目的とし°Ｃいる
。
されたもので、フォトマスクの各チップ部内に正規の本
パターンの外に、電子ビームの精度が確認できるモニタ
パターンをそれぞれ配散し、電子ビーム装置の精度がチ
ェックでき、高精度なフォトマスクの作成が容易になる
電子ビーム露光方法を提供することを目的とし°Ｃいる
。
以下、この発明の一実施例による電子ビーム露光方法を
、第３図に示すフォトマスクの説明図により説明する。
、第３図に示すフォトマスクの説明図により説明する。
ラスメスキャン形の電子ビーム露光装置では、Ｙ軸方向
にいくつものストライプ（４）に分割され、順次露光さ
れていくが、各ストライプブ（４）の継ぎ部の精度か問
題となる。゛ます、電子ビーム露光データに従いモニタ
パターン（１０）を描画する０ このモニタパターン（］ＯＪは紀４図で拡大図で示すよ
うに、スキャン幅Ｗ、ストライプ（４）継ぎ部の精度及
びビームの精度がチェックできるパターンにより構成さ
れている。各ストライプ（４）の電子ビーム露光は、各
チップ部（２）に対し、片端をこモニタパターン（ｌＯ
）を露光走査し続いて本パターンを露光装置し、これを
、フォトマスク＋１１全面の各チップ部にＸ軸方に行う
。つづいて、モニタパターン（１ｏ）の上部のパターン
を描画し本パターンを露光する。
にいくつものストライプ（４）に分割され、順次露光さ
れていくが、各ストライプブ（４）の継ぎ部の精度か問
題となる。゛ます、電子ビーム露光データに従いモニタ
パターン（１０）を描画する０ このモニタパターン（］ＯＪは紀４図で拡大図で示すよ
うに、スキャン幅Ｗ、ストライプ（４）継ぎ部の精度及
びビームの精度がチェックできるパターンにより構成さ
れている。各ストライプ（４）の電子ビーム露光は、各
チップ部（２）に対し、片端をこモニタパターン（ｌＯ
）を露光走査し続いて本パターンを露光装置し、これを
、フォトマスク＋１１全面の各チップ部にＸ軸方に行う
。つづいて、モニタパターン（１ｏ）の上部のパターン
を描画し本パターンを露光する。
このように、各戸ツブ（２）に対しモニタパターン（］
０）を描画しなから本パターンを露光し、フォトマスク
ｉｌ＋全面にわたり露光を完了する。
０）を描画しなから本パターンを露光し、フォトマスク
ｉｌ＋全面にわたり露光を完了する。
上記−実施例の方法によれば、各チップ部（２）内のス
トライプ（４）の継ぎ部分は、必ずモニタパターン（ｌ
Ｏ）が配置はれているため、継ぎ部分の精度はフォトマ
スク（１）全体にわたり精度を確認することができる。
トライプ（４）の継ぎ部分は、必ずモニタパターン（ｌ
Ｏ）が配置はれているため、継ぎ部分の精度はフォトマ
スク（１）全体にわたり精度を確認することができる。
また、ストライプ（４）内の精度のチェック及び電子ビ
ームの偏向状態のチェックもでらる。
ームの偏向状態のチェックもでらる。
モニタパターンＱｉ１＋はフォトマスク（１）内金体に
わたる多数のチップ（２）内に配置されているため、電
子ビームの長時間にわたる偏向量も把握できる。
わたる多数のチップ（２）内に配置されているため、電
子ビームの長時間にわたる偏向量も把握できる。
なお、モニタパターン（ｌＯ）を実際に作図露光するの
に要する時間は極めて短く、正規の本パターンを作図露
光するのに何ら支障をきたさない。また、モニタパター
ン（１０）は非常に小さな寸法でよく、ストライプ（６
）部の一部に配置しても、チップ部（２）の寸法は大き
くすることを要しない。
に要する時間は極めて短く、正規の本パターンを作図露
光するのに何ら支障をきたさない。また、モニタパター
ン（１０）は非常に小さな寸法でよく、ストライプ（６
）部の一部に配置しても、チップ部（２）の寸法は大き
くすることを要しない。
上記実施例では、モニタパターン（ｌＯ）の形状は第４
図に示すようにしているが、これ以外の形状でもよい。
図に示すようにしているが、これ以外の形状でもよい。
例えば、第５図又は第６図に他の異なる実施例として示
すように、モニタパターン（＋１又は（１２１とし、電
子露光装置の精度を一目りよ然に判別できるような特殊
なパターンをストライプ継ぎ部。
すように、モニタパターン（＋１又は（１２１とし、電
子露光装置の精度を一目りよ然に判別できるような特殊
なパターンをストライプ継ぎ部。
サブチップ継ぎ部に配置してもよく、上記実施例と同様
な効果を奏する。
な効果を奏する。
なお、上記実施例では、モニタパターン（ｌＯ）を各チ
ップ部（２）内の左端に配置したが、本パターンに支障
を与えないような他の位置に配してもよい。
ップ部（２）内の左端に配置したが、本パターンに支障
を与えないような他の位置に配してもよい。
また、上記実施例では、モニタパターン（１０）を各チ
ップ部（２）内の全ストライプ部にそれぞれ配置しだが
、特定のストライプ部に配ｖｉシてもよく、上記実施例
と同様の効果をあげることができる。
ップ部（２）内の全ストライプ部にそれぞれ配置しだが
、特定のストライプ部に配ｖｉシてもよく、上記実施例
と同様の効果をあげることができる。
嘩
さらに、上記実施例では、各ストライプの継ぎ部分にモ
ニタパターンを配置したが、チップ寸法が大きいパター
ンでは、電子ビーム露光装置の記憶容量に従いある部分
でサブチップ部に分割される。そのため、ストライプ部
の継ぎ部と同様サブチップ部に分割された部分での精度
も問題となってくる。したがって、モニタパターンをス
トライプ部の継ぎ部だけではなく、サブチップ部の継ぎ
部分にも配置し、精度チェックができるようにする。サ
ブチップ部の継ぎ部は、電子露光データ作成時にＸ軸方
向及びＹ軸方向ともに理論的に位置座標が確認できるの
で、その個所にモニタパターンを配置すればよい。また
、電子ビーム作図データを作成する場合、任意にサブチ
ップに分割することがあるが、その場合も同様である。
ニタパターンを配置したが、チップ寸法が大きいパター
ンでは、電子ビーム露光装置の記憶容量に従いある部分
でサブチップ部に分割される。そのため、ストライプ部
の継ぎ部と同様サブチップ部に分割された部分での精度
も問題となってくる。したがって、モニタパターンをス
トライプ部の継ぎ部だけではなく、サブチップ部の継ぎ
部分にも配置し、精度チェックができるようにする。サ
ブチップ部の継ぎ部は、電子露光データ作成時にＸ軸方
向及びＹ軸方向ともに理論的に位置座標が確認できるの
で、その個所にモニタパターンを配置すればよい。また
、電子ビーム作図データを作成する場合、任意にサブチ
ップに分割することがあるが、その場合も同様である。
以上のように、この発明の方法によれば、フォトマスク
の各チップ部内にモニタパターンを配置し電子ビームの
精度を確認するようにしたので、電子ビーム露光装置に
より作成されたフォトマスクの精度が正確に定量的に把
握され、高精度なフォトマスクの作成が容易になる。特
に、電子ビーム露光装置で問題となるスキャン幅、スト
ライプの継ぎ部の精度が、フォトマスクの全体にわたる
各チップ部内に配置されたモニタパターンをチェックす
ることにより正確に把握でき、マスク及び露光装置の精
度が確認される。
の各チップ部内にモニタパターンを配置し電子ビームの
精度を確認するようにしたので、電子ビーム露光装置に
より作成されたフォトマスクの精度が正確に定量的に把
握され、高精度なフォトマスクの作成が容易になる。特
に、電子ビーム露光装置で問題となるスキャン幅、スト
ライプの継ぎ部の精度が、フォトマスクの全体にわたる
各チップ部内に配置されたモニタパターンをチェックす
ることにより正確に把握でき、マスク及び露光装置の精
度が確認される。
第１図は従来の電子ビーム露光方法を示すフォトマスク
の説明図、第２図は第１図のチップ部のＡ部の拡大図、
第３図はこの発明の一実施例による電子ビーム露光方法
を示すフォトマスクの説明図、第４図は第３図のチップ
部のＢ部の拡大図、第５図及び第６図はこの発明の他の
それぞれ異なる実施例を示すモニタパターンの拡大図で
ある。 図において、ｌ・・・フォトマスク、２・・・テップ部
、３・・・パターン、４・・・ストライプ、１０〜１２
・・・モニタパターン。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 Ａ′ 第：２ｒ４ 第：３１゛χ１ 第４１′４ Ｌ 続 補 正 」（自発） ５８ コ１ ５ 昭和 年 月 日 ’ｔ−Ｙ ｉｉ’ｒ庁長宮殿 １、ＩＧ件の表示 持＋９（ｉ昭５８−１１３０５５号
２、発明の名尚、 を子ビーム露光方法；う、補止をす
る者 代表者片由仁へ部 一一一弓 ５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の欄。 ６、補正の内容 ｉｌｌ 明細岩の特許請求の範囲を別紙のとおり補正す
る。 （２） 明細書第１ページ第１９行の［フォトマスクに
ｊを「フォトマスクやウェーハなと被露光部に」に補正
する。 （３） 明細書第２ページ第１１行の「ビームデータ」
を「ビーム露光データ」に補正する。 （４） 明細書第２ページ第１３行の１作成するようし
、て」を「作成して」に補正する。 （５） 明細書第３ページ第９行の「ビームデータ」を
「ビーム露光データ」に補正する。 （６） 明細書第４ページ第３行の「フォトマスクＪを
「フォトマスクやウェーハなど被露光部」に補正する。 （７） 明細書第４ページ第７行の「フォトマスク」を
「微細パターン」に補正する。 （８） 明細１１第４ペ一ジ第１１行の「第３図に」を
「被Ｉｔ光部としてフォトマスクに適用した場合を第３
図に」に補正する。 （９） 明細書第５ページ第３行の「露光装」を「露光
走」に補正する。 （ｌＯ； 明細書第６ページ第９行の「りよ然」陀「υ
よう然」に補正する。 （１１） 明細書第７ページ第１７行の「トマスク」を
「トマスクなど被露光部Ｊに補正する。 （１２） 明細壱第７ページ第１９〜２０行の「フォト
マスク」を「フォトマスクなど被露光部」に補正する。 （１３） 明細書誌７ページ紀２０行〜第８ページ第１
行の「フォトマスク」全「微細パターン」に補する。 （１４） 明細書第６ページ第９行の「フ第１・マスク
」を［フォトマスクなど被露光部」に補正する。 （１５） 明細書第８ページ第５行の「マスク」を「被
露光部」に補正する。 ７、 添付書類の目録 訂正後の特許請求の範囲を示す書面 １通以上 特許請求の範囲 １＋） 被露光部の各チップ部を所定のスキャン幅宛で
１１１次電子ビーム露光し、この露光により各チップ部
には正規の本パターンの外に、モニタノくターンを各ス
）・ライブの継ぎ部にまたがって配置し、これらのモニ
タパターンにより上記本パターンの露光精度が検査され
るようにする電子ビーム露光方法。 ＋２１ ＭＢ光部の各チップ部がザブチップ部に分割さ
れ、これらのザブチップ部の継き゛部分にモニタパター
ンを配置することを特徴とする特Ｗ■精求の範囲第１項
記載の電子ビーム露光方法。
の説明図、第２図は第１図のチップ部のＡ部の拡大図、
第３図はこの発明の一実施例による電子ビーム露光方法
を示すフォトマスクの説明図、第４図は第３図のチップ
部のＢ部の拡大図、第５図及び第６図はこの発明の他の
それぞれ異なる実施例を示すモニタパターンの拡大図で
ある。 図において、ｌ・・・フォトマスク、２・・・テップ部
、３・・・パターン、４・・・ストライプ、１０〜１２
・・・モニタパターン。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 Ａ′ 第：２ｒ４ 第：３１゛χ１ 第４１′４ Ｌ 続 補 正 」（自発） ５８ コ１ ５ 昭和 年 月 日 ’ｔ−Ｙ ｉｉ’ｒ庁長宮殿 １、ＩＧ件の表示 持＋９（ｉ昭５８−１１３０５５号
２、発明の名尚、 を子ビーム露光方法；う、補止をす
る者 代表者片由仁へ部 一一一弓 ５、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の欄。 ６、補正の内容 ｉｌｌ 明細岩の特許請求の範囲を別紙のとおり補正す
る。 （２） 明細書第１ページ第１９行の［フォトマスクに
ｊを「フォトマスクやウェーハなと被露光部に」に補正
する。 （３） 明細書第２ページ第１１行の「ビームデータ」
を「ビーム露光データ」に補正する。 （４） 明細書第２ページ第１３行の１作成するようし
、て」を「作成して」に補正する。 （５） 明細書第３ページ第９行の「ビームデータ」を
「ビーム露光データ」に補正する。 （６） 明細書第４ページ第３行の「フォトマスクＪを
「フォトマスクやウェーハなど被露光部」に補正する。 （７） 明細書第４ページ第７行の「フォトマスク」を
「微細パターン」に補正する。 （８） 明細１１第４ペ一ジ第１１行の「第３図に」を
「被Ｉｔ光部としてフォトマスクに適用した場合を第３
図に」に補正する。 （９） 明細書第５ページ第３行の「露光装」を「露光
走」に補正する。 （ｌＯ； 明細書第６ページ第９行の「りよ然」陀「υ
よう然」に補正する。 （１１） 明細書第７ページ第１７行の「トマスク」を
「トマスクなど被露光部Ｊに補正する。 （１２） 明細壱第７ページ第１９〜２０行の「フォト
マスク」を「フォトマスクなど被露光部」に補正する。 （１３） 明細書誌７ページ紀２０行〜第８ページ第１
行の「フォトマスク」全「微細パターン」に補する。 （１４） 明細書第６ページ第９行の「フ第１・マスク
」を［フォトマスクなど被露光部」に補正する。 （１５） 明細書第８ページ第５行の「マスク」を「被
露光部」に補正する。 ７、 添付書類の目録 訂正後の特許請求の範囲を示す書面 １通以上 特許請求の範囲 １＋） 被露光部の各チップ部を所定のスキャン幅宛で
１１１次電子ビーム露光し、この露光により各チップ部
には正規の本パターンの外に、モニタノくターンを各ス
）・ライブの継ぎ部にまたがって配置し、これらのモニ
タパターンにより上記本パターンの露光精度が検査され
るようにする電子ビーム露光方法。 ＋２１ ＭＢ光部の各チップ部がザブチップ部に分割さ
れ、これらのザブチップ部の継き゛部分にモニタパター
ンを配置することを特徴とする特Ｗ■精求の範囲第１項
記載の電子ビーム露光方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｍ フォトマスクの各チップ部を所定のスキャン幅宛で
順次電子ビーム露光し７、この露光により各チップ部に
は正規の本パターンの外に、モニタパターンを各ストラ
イプの継ぎ部に才たがって配置し、これらのモニタパタ
ーンにより上記本パターンの露光精度が検査されるよう
にする電子ビーム露光方法。 （２） フォトマスクの各千ツブ部がサブチップ部に分
割され、これらのサブチップ部の継ぎ部分にモニタパタ
ーンを配置することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の電子ビーノ、露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113055A JPS604216A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 電子ビ−ム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113055A JPS604216A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 電子ビ−ム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604216A true JPS604216A (ja) | 1985-01-10 |
Family
ID=14602353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113055A Pending JPS604216A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 電子ビ−ム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6338923B1 (en) | 1999-12-10 | 2002-01-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photolithography mask having monitoring marks and manufacturing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148347A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Jeol Ltd | Measurement of connection accuracy for electron beam exposure |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58113055A patent/JPS604216A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148347A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Jeol Ltd | Measurement of connection accuracy for electron beam exposure |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6338923B1 (en) | 1999-12-10 | 2002-01-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Photolithography mask having monitoring marks and manufacturing method thereof |
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