JPH0442819B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、フオトマスクにパターンを形成す
る電子ビーム露光方法に関するものである。

〔従来技術〕

集結回路などの半導体装置を製造する場合、一
般にフオトリングラフイ技術によりパターン形成
がおこなわれる。

近年この種の装置の集積度が高くなる一方、パ
ターン精度、重ね合わせ精度等、増々フオトマス
クの品質精度が向上し、製造工程の煩雑化してい
る。このため、微細加工が容易で高精度、高速マ
スクメーキングが可能な電子ビーム露光装置によ
り作成されはじめている。電子ビーム露光装置
（EB露光装置）は、EBデーターに従い所定のス
キヤン幅で各チツプを連続的に露光することによ
り、フオトマスクを作成している。

以下、従来のフオトマスクの製造および検査方
法についての説明する。第１図にその一例示す。
ラスタースキヤンタイプのEB露光装置は図に示
すように所定のスキヤンタイプ幅で、ラスター３
をスキヤンしつつ、フオトマスク１全面を露光し
パターン２を形成している。従つて、１チツプの
データーは、何ストライプにも分割され露光され
るので、必ずチツプ内は、ストライプの継ぎ部分
が問題となつてくる。また従来の光方法によるフ
オトマスク作成方法とは異なり、毎回EBデータ
ーに従い作成するのでパターンの保障が問題とな
つている。このような方法でフオトマスクを作成
しているため、パターンの継ぎ部の検査は毎回不
可欠であり、全ストライプについてそれが保障さ
れなければならなかつた。さらに、従来の方法で
はスキヤン幅を正確に測る方法がなく、測定が不
可能であつた。

以上のように従来のフオトマスク作成方法では
正確な継ぎ部分の測定および、スキヤン幅の測定
が、各マスクについて行なうことができず、精度
のよいフオトマスクを作成することができないと
いう欠点があつた。

〔発明の概要〕

この発明は以上のような欠点を除去するために
になされたもので、正規パターン以外の正規配列
外にモニターパターンを配列させ、電子ビーム露
光の精度を確認できるフオトマスクを形成するた
めの電子ビーム露光方法を提供することを目的と
している。

〔発明の実施例〕

以下の実施例について説明する。第２図はこの
の発明によるフオトマスク作成方法の一実施例を
示す図である。まず、EBデーターに従いモニタ
ーパターン４を描画するが、各モニターパターン
４第２図に右下に示すのように４つ４Ａ，４A′，
４Ｂ，４B′に分割されて構成されており、マス
ク１の４角に設けられている。まず、マスク１の
左下のモニタパターン４の左下部分４をスキヤン
幅５で露光し、同様に順次右下のモニターパター
ン４の左下部分４Ａ右上のモニターパターン４の
左下部分４Ａ、左上のモニターパターン４の左下
部分４ａと露光する。次いでマスク１左下のモニ
ターパターン４の左上部分４A′を上記と同じス
キヤン幅で露光する。このときスキヤン幅は上記
と同じ幅であるが露光させる部分は図示している
ように下端の４分の１の幅の部分だけである。

同様に右下、右上、左上のモニターパターン４
の左上部分４A′をスキヤンニングして露光する。

このようにして４個所のモニターパターン４の
各左側部分の露光が完了後、本パターン２をマス
ク１全面に渡り順次露光していく。EBデーター
に従つて本パターン２を全部露光完了後再びモニ
ターパターン４露光する。つまり、４個所の内左
下のモニターパターン４における右下部分４Ｂ、
をスキンして露光し、右下、右上左上と同じ部分
を順次スキンして露光する。最後にモニターパタ
ーン４の右上部分を４B′を、４つのモニターパ
ターンの内の左下から順次右下、右上、左上と露
光する。右上、左上と露光する。このような方法
をとれば、ストライプの継ぎ部を必ずチエツクす
ることができ、また、ストライプ内のおよび、ス
トライプ界面の精度のチエツクが可能である。モ
ニターパターン４は露光の最初と最後に露光され
るので４Ａ，４A′，４Ｂ，４B′の位置ずれから
マスクパターンの長時間ドリフト量が解ける。

なお、上記実施例では、モニターパターン４を
マスク内の４個所に配置したが、これ以上の配置
でもよく、同様の効果を奏する また、モニターパターン４，４Ａ，４A′，４
Ｂ，４B′の２分割、２ストライプによる方法に
ついて述べたが、これ以外でもよく同様の効果を
奏する。さらにモニターパターン内パターン形状
について図に示すようなパターンについて述べた
が、これ以外でもよく同様の効果を奏する。

〔発明の効果〕

本発明によれば、EB露光装置により作成され
た電子ビーム露光の精度を正確に定量的に把握で
きるため高精度なフオトマスクの作成が容易とな
つた。特に、EB露光装置で問題となるスキヤン
幅、ストライプ継ぎ部の精度がモニターパターン
をチエツクすることにより、正確に把握でき、装
置の精度をチエツクする上で非常に有効な手段で
ある。モニターパターンを実際に作図露光するの
に要する時間は極めて短く、本パターンを作図露
光するのに何ら支障を期たさない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のEB露光装置によりフオトマス
クの作成方法およびフオトマスクを示す説明図、
第２図は本発明によるEB露光装置の描画方法お
よび、フオトマスクを示す説明図である。 図にお３はラスター、４はモニターパターン４
Ａ，４A′，４Ｂ，４B′はモニターパターン内の
チエツクパターン、５はストライプである。なお
図中同一符号は、同一または相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 電子ビーム露光の精度を確認するためのモニ
   タパターンを正規パターン以外に露光する電子ビ
   ーム露光方法において、 (1) ストライプ幅と同一長さを有する第１のチエ
   ツクパターンとこれにより短い第２のチエツク
   パターンと、 (2) 正規パターンと、 (3) ストライプ幅と同一長さを有する第３のチエ
   ツクパターンとこれより短い第４のチエツクパ
   ターン とを順次スキヤンニングするステツプを含むこと
   を特徴とする電子ビーム露光方法。